JPS62298011A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の詳細な説明 （産業上の利用分野） 本発明は磁気ディスク装置、磁気テープ装置、フレキシ
ブルディスク装置等に用いられる薄膜磁気ヘッドに関す
る。

（従来の技術） 近年、磁気ディスク装置の高密度化が着実に向上してい
る。そして高トラツク密度化が徐々に進行している。従
来の磁気ディスク装置のトラックピッチは磁気ヘッドの
トラック幅より大きく、一つのトラックと隣接トラック
との間にガートバンドと称するデータが記録されていな
い部分が存在する。このガートバンドの幅は隣接するト
ラック間のオフトラック特性や磁気ヘッドの位置決め誤
差等を考慮して決定される。高トラツク密度になるに従
って薄膜へ・ソドの１−ラック幅は小さくなり、その分
データ信号の振幅は小さくなり、この結果データ信号の
信号対雑音比（以下ＳＮＲと略す）は小さくなり、信頼
性が劣化する。薄膜磁気ヘッドにとって狭１−ラック幅
になるにつれて、トラックピッチにしめるガートバンド
の割合は大きくなってきた。

（発明が解決しようとする問題点） 前述の様に従来の磁気ディスク装置においては高トラツ
ク密度化につれて、薄膜磁気ヘッドのトラック巾は小さ
くなり、トラックピッチにしめるガートバンドの幅は相
対的に大きくなり、薄ＷＡｌａ気ヘッドの再生出力やＳ
ＮＲはその分劣化するという問題点があった。本発明の
目的は前述の問題点を改善した薄膜磁気ヘッドを提供す
ることにある。

（問題点を解決するための手段〉 本発明の薄膜磁気ヘッドは非磁性基板のスライダーの同
一側面でかつ同一トラック上となる位置に２つの薄膜記
録再生エレメントを配置し、これらのニレメン１〜のギ
ャップはお互いに一定の相対角度をもつアジマスを有し
ていることを特徴としている。

（作用） 該薄膜記録再生エレメントは磁気ヘッドスライダ−の同
一側面にあるので、同一トラック上にあり、この２つの
薄膜記録再生エレメントをトラックごとに交互に使用し
てデータ信号の記録再生を行なう。

即ち記録時には（ｎ−１））ラックにおいて一方の薄膜
記録再生エレメント（以後エレメントＡとする）で記録
し、次の隣接トラック（ｎトラック）において他方の薄
膜記録再生エレメント（以後エレメントＢとする）で記
録し、さらにｎ＋１トラックにおいてはエレメントＡに
おいて記録する。この様に隣接トラックごとに交互にニ
レメン１−　ＡとＢを使用する。次に再生時には記録時
と同様に（ｎ−１）、（ｎ＋１＞、（ｎ＋３）、・・暑
・ラックではエレメントＡを用い、ｎ、（ｎ＋２）。

（ｎ＋４）、・・・トラックではエレメントＢを用いる
様にエレメントＡとＢの選択を行なう。この様にするこ
とにより、磁気ディスク−Ｅの隣接するトラックの記録
磁化の方向はお互いに一定の相対角度を有し、しかも前
述のガートバンドを０にして記録再生を行なう。

ガートバンドをＯに出来る理由は二つの記録再生エレメ
ントの記録再生ギャップがお互いに一定の相対的角度を
有しているために、一方の薄膜記録再生エレメントで一
つのトラックのデータ信号を再生するとき、隣接する両
側のトラックからのデータ信号磁束は一定の相対角度だ
け方向がずれているので前述の薄膜記録再生エレメント
にはアジマス損失のためにほとんど再生されず、１つの
トラックからのデータ信号だけが再生されることになる
ためである。

一方、他方の記録再生エレメントはギャップの角度が一
定の角度だけずれているためにその再生出力は無視でき
る程度に小さくなる。従ってガートバンドをなくすこと
ができるために、トラ・７クピツチとトラック幅が同じ
になり、その分データ信号の振幅が増大し、ＳＮＲが増
大することになる。

本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、スライダー基板には
Ａ　Ｑ　２０３ＴｉＣ，ＳｉＣや非磁性フェライトがあ
り、側面に形成される薄膜記録再生エレメントの磁極に
はＣｏＺｒ　、　ＣｏＴａ　、　ＣｏＺｒＮｂ等の非晶
質軟磁性膜やパーマロイ、センダスト等の結晶質軟磁性
膜等が適し、又コイル及び電極にはＣｕ　、　Ａｕ　、
＾見等のめつきやスパッタ膜が適し、これらを保護する
ためのｇＡ護膜にはＡ　Ｑ　２０３，５ｉ０２．等のス
パッタ膜が適している。

本発明の薄膜磁気へ・ソドはスライダーの同一側面に２
つの記録再生エレメントを配置し、該記録再生エレメン
トのギャップの方向はお互いにたとえば９０”の角度を
有し、隣接するトラックごとに２つの記録再生エレメン
トが交互に用いられる。

従って隣接するトラックに記録された磁化遷移の方向は
お互いに９０°の角度を有するために、各トラックのデ
ータ信号再生時には隣接するトラックのデータ信号は再
生されない。この様に隣接トラックの磁化方向が９０°
だけ相違すると、隣接トラックのデータ信号の影響は無
視できるために隣接トラック間のガートバンドをＯにす
ることができる。本薄膜磁気ヘッドを用いれば、ガート
バンドをＯにすることができるので、そのカード分だけ
データ信号のトラック巾を大きくでき、その結果データ
信号の再生信号振幅やＳＮＩ？を大きくすることができ
る。

（実施例） 以下第１図に示す実施例により本発明の薄膜磁気ヘッド
を説明する。

非磁性基板２（＾Ｑ　２０３ＴｉＣ基板上にＡ　Ｑ　２
０．膜をスパッタ法で成膜し、該へＱ　２０．膜を研摩
した基板）の上に、コイル４，５の下側半分の３μＩｎ
のＣｕ膜を電気めっき法及びイオンミリング法により形
成した後、該コイル４，５の下側半分の上に０．５μｍ
の＾Ｑ２０３膜をスパッタ法により形成した。該Ａ　Ｑ
　２０３膜の上に磁極６及び９（閉磁極の半分）を形成
するために膜厚１０μｍのパーマロイ膜をスパッタ法に
より成膜し、イオンミリング法によりギャップ７．８を
それぞれ斜めエツチング（角度４５°）した、この段階
で２つの記録再生エレメントのギャップの方向は９０°
だけ相違することになる。

次に該磁極６及び９の上のギャップ７．８にＡ　ｕ　２
０３膜を０．３μｍだけスパッタ法及びイオンミリング
法により形成した後該磁極１５及び１６を形成するため
に膜厚１０μｍのパーマロイ膜をスパッタ法により成膜
し、イオンミリング法により磁極１５及び１６の形状に
加工した。その後該磁極の上にこの状態で、磁極６と１
５及び磁極９と１６によりそれぞれ１つの閉磁路を形成
した仁とになる。絶縁層としての０．５μｍの＾Ｑ２０
３膜を形成し、前記コイルの４，５の上側半分を該絶縁
層Ａ　Ｑ　２０゜膜の上にスパッタ法により３μｍのＣ
ｕ膜を成膜しイオンミリング法により形成した。次にコ
イル４．５のリード線接続部分のみに電気めっき法によ
り膜厚１０μｍｃｒ）ｃｕ膜を形成した。該Ｃｕ膜のコ
イル端子を形成した後、膜厚３０μｍのＡＱ２０．３の
保護ｙＡ３をスパッタ法により形成した。この様に形成
したウェーハをスライダー加工、研摩して、非磁性基板
２の様なスライダー形状にした後、アッセンブリーを行
なって薄膜磁気ヘッドを作製した。該薄膜磁気ヘッドを
用いて、磁気ディスク１０の上に、（ｎ−１））ラック
ｕ、ｎトラックに、Ｃｎ＋１））ラック１３の順にデー
タ記録した場合の磁化の状態を矢印で示した。ここで（
ｎ−１）トラック１１と（ｎ＋１＞トラック１３は磁極
６．１５で記録再生され、ｎトラックには磁極９．１６
で記録再生された。

（発明の効果） 本発明の薄膜磁気ヘッドは同一トラック上にギャップの
角度が相違する２つの記録再生エレメントを有し、その
２つの記録再生エレメントをトラックごとに交互に用い
られる。従って隣接するトラックに記録された磁化方向
はお互いに一定の角度を有し、一つの記録再生エレメン
トで一つのトラックを再生しているときは隣接するトラ
ックのデータ信号は無視できる程に小さくなる為に、隣
接トラックとのガートバンドをＯにすることができた。

このことからデータ信号のトラック幅をガートバンド分
だけ大きくできるために、再生されるデータ信号振幅は
従来のガートバンド分だけ増加し、ＳＮＲも２０〜３０
χ増加することができた。

３は保護膜、４．５はコイル、６　、９　、１５．１６
は磁極、７，８はギャップ、１０は磁気ディスク、１１
は＜ｎ−１）トラック、１２はｎトラック、１３は第１
図 ＋１（ｎ−１）トラ、り

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. スライダーの同一側面でかつ同一トラック上となる位置
   に２つの薄膜記録再生エレメントを配置し、該エレメン
   トのギャップはお互いに一定の相対角度をもつアジマス
   を有していることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。