JPS62293746A - 半導体装置の冷却装置 - Google Patents
半導体装置の冷却装置Info
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- JPS62293746A JPS62293746A JP61138477A JP13847786A JPS62293746A JP S62293746 A JPS62293746 A JP S62293746A JP 61138477 A JP61138477 A JP 61138477A JP 13847786 A JP13847786 A JP 13847786A JP S62293746 A JPS62293746 A JP S62293746A
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- JP
- Japan
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- thermal conductor
- substrates
- cooling
- semiconductor
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〈産業上の利用分野〉
本発明は半導体集積回路に於いてその発熱が問題となる
場合に半導体集積回路を冷却する半導体装置の冷却装置
に関する。
場合に半導体集積回路を冷却する半導体装置の冷却装置
に関する。
〈従来の技術〉
半導体集積回路を冷却するのに、従来では素子のパッケ
ージを空冷またはガスや液体の強制循環により冷却する
方法がとられている。その他には、第３図に示すように
、プリント配線基板１）に実装された集積回路素子のパ
ッケージ１２に熱伝導体１３を密着させ、熱伝導体１３
の他端を冷却部１４に連通させ、熱伝導体１３並びにパ
ッケージ１２を介して集積回路素子を冷却する。
ージを空冷またはガスや液体の強制循環により冷却する
方法がとられている。その他には、第３図に示すように
、プリント配線基板１）に実装された集積回路素子のパ
ッケージ１２に熱伝導体１３を密着させ、熱伝導体１３
の他端を冷却部１４に連通させ、熱伝導体１３並びにパ
ッケージ１２を介して集積回路素子を冷却する。
〈発明が解決しようとする問題点〉
上述の様に、半導体集積回路を冷−却するのに、従来で
はパッケージの外側から冷却するため、冷却効率が低く
、したがって冷却ユニットが大型化することから、半導
体集積回路素子の高書度実装を妨げる原因になっていた
。
はパッケージの外側から冷却するため、冷却効率が低く
、したがって冷却ユニットが大型化することから、半導
体集積回路素子の高書度実装を妨げる原因になっていた
。
く問題点を解決するための手段〉
本発明に係る半導体装置の冷却装置は、半導体回路素子
の基板となる半導体材質を熱伝導体の両側に密着したサ
ンドイッチ構造と、上記熱伝導体が冷却部へ連通した構
造とを有する。
の基板となる半導体材質を熱伝導体の両側に密着したサ
ンドイッチ構造と、上記熱伝導体が冷却部へ連通した構
造とを有する。
〈作用〉
本発明に係る半導体装置の冷却装置は、半導体回路素子
の基板を密着した熱伝導体を介して上記基板を冷却する
。
の基板を密着した熱伝導体を介して上記基板を冷却する
。
〈実施例〉
第１図は本実施例の断面構造を示す。１は集積回路素子
を形成する半導体材質の基板、２は熱伝導体、３は保護
材、４は冷却部である。
を形成する半導体材質の基板、２は熱伝導体、３は保護
材、４は冷却部である。
２個の基板１．１が熱伝導体２の両側に密着したサンド
イッチ構造を形成するとともに、熱伝導体２の他端が冷
却部４と連通ずる。基板１は、例えばＳｉやＧａＡｓか
らなる。熱伝導体２は、熱伝導の良い金属例えばＣｕや
ＡＩからなる。
イッチ構造を形成するとともに、熱伝導体２の他端が冷
却部４と連通ずる。基板１は、例えばＳｉやＧａＡｓか
らなる。熱伝導体２は、熱伝導の良い金属例えばＣｕや
ＡＩからなる。
同一の基板１上で回路の作製が困難な場合、別の集積回
路チップ５を基板１上に実装することで、ハイブリッド
化が図れる。そして、これらの基板１．１と熱伝導体２
とからなるサンドイッチ構造全体を保護林３で被覆する
ことにより、耐環境性を保持する。
路チップ５を基板１上に実装することで、ハイブリッド
化が図れる。そして、これらの基板１．１と熱伝導体２
とからなるサンドイッチ構造全体を保護林３で被覆する
ことにより、耐環境性を保持する。
基板１からの発熱は、熱伝導体２を介してヒートシンク
となる冷却部４へ伝達される。この基板１から冷却部４
への熱移動により、基板１が冷却される。この場合、基
板１が熱伝導体２と密着しているので、熱伝達が効果的
に行なわれ、冷却効率が高められる。
となる冷却部４へ伝達される。この基板１から冷却部４
への熱移動により、基板１が冷却される。この場合、基
板１が熱伝導体２と密着しているので、熱伝達が効果的
に行なわれ、冷却効率が高められる。
第２図は他の実施例を示す。平板状の熱伝導体６の両面
に２次元的に配置された複数個の半導体集積回路素子を
形成する基板７が密着した構造であり、熱伝導体６の端
部が冷却部８に連通ずる。
に２次元的に配置された複数個の半導体集積回路素子を
形成する基板７が密着した構造であり、熱伝導体６の端
部が冷却部８に連通ずる。
なお、上述の実施例では熱伝導体の両側に集積回路素子
を密着した構造としたが、熱伝導体の片側のみに集積回
路素子を密着する構造としてもよい。
を密着した構造としたが、熱伝導体の片側のみに集積回
路素子を密着する構造としてもよい。
〈発明の効果〉
以上説明したように本発明においては、半導体回路素子
の基板を密着した熱伝導体を介して基板を冷却するよう
にしたので、発熱を伴なう半導体回路素子を効率良く冷
却することができ、半導体回路素子の高密度実装が可能
になる。特に、イメージセンサを構成する半導体回路の
ように、空間的に高密度に素子を配置しなければならな
い場合に効果を有する。
の基板を密着した熱伝導体を介して基板を冷却するよう
にしたので、発熱を伴なう半導体回路素子を効率良く冷
却することができ、半導体回路素子の高密度実装が可能
になる。特に、イメージセンサを構成する半導体回路の
ように、空間的に高密度に素子を配置しなければならな
い場合に効果を有する。
第１図は本発明実施例の断面構造を示す図、第２図は本
発明の他の実施例の斜視構造を示す図、 第３図は従来例の構造を示す図である。 １、’ｌ−−基板 ２．６−・・熱伝導体 ３・−・保護材 ４．８−・−冷却部
発明の他の実施例の斜視構造を示す図、 第３図は従来例の構造を示す図である。 １、’ｌ−−基板 ２．６−・・熱伝導体 ３・−・保護材 ４．８−・−冷却部
Claims (2)
- （１）半導体回路素子の基板となる半導体材質を熱伝導
体の両側に密着したサンドイッチ構造と、上記熱伝導体
が冷却部へ連通した構造とを有し、上記基板を上記熱伝
導体を介して上記冷却部により冷却することを特徴とす
る半導体装置の冷却装置。 - （２）上記基板と上記熱伝導体とからなるサンドイッチ
構造を保護材で被覆してなる特許請求の範囲第１項記載
の半導体装置の冷却装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61138477A JPS62293746A (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | 半導体装置の冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61138477A JPS62293746A (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | 半導体装置の冷却装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62293746A true JPS62293746A (ja) | 1987-12-21 |
Family
ID=15222984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61138477A Pending JPS62293746A (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | 半導体装置の冷却装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62293746A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100499398B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2005-09-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 열방출형패키지및그제조방법 |
-
1986
- 1986-06-13 JP JP61138477A patent/JPS62293746A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100499398B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2005-09-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 열방출형패키지및그제조방법 |
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