JPS62291960A - 受光素子アレイの製造方法 - Google Patents
受光素子アレイの製造方法Info
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- JPS62291960A JPS62291960A JP61134870A JP13487086A JPS62291960A JP S62291960 A JPS62291960 A JP S62291960A JP 61134870 A JP61134870 A JP 61134870A JP 13487086 A JP13487086 A JP 13487086A JP S62291960 A JPS62291960 A JP S62291960A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は画像読取装置等に用いられる密着型イメージセ
ンサの製造方法に係り、特にその受光素子アレイの製造
方法に関するものである。
ンサの製造方法に係り、特にその受光素子アレイの製造
方法に関するものである。
第２図は従来の密着型イメージセンサの概略構成を示し
たもので、この密着型イメーゾセンサは同図（ａ）に示
す如く配線部３０ａと受光素子アレイ部４０ｍとに分け
られる。
たもので、この密着型イメーゾセンサは同図（ａ）に示
す如く配線部３０ａと受光素子アレイ部４０ｍとに分け
られる。
以下、同図（ａ）のＡ−Ａ線断面図及びＢ−Ｂ線所面図
である同図色）及び同図（ｃ）に基き、従来の受光素子
プレイ部４０ａの製造方法を説明する。
である同図色）及び同図（ｃ）に基き、従来の受光素子
プレイ部４０ａの製造方法を説明する。
まずガラス等から成る透明絶縁性基板２１上に、所定部
分以外は金属等のマスクを施して蒸着等により透明な第
１の電極層２２を形成する。次に、この上に全面に渡っ
て非晶質シリコンをグロー放電分解法により堆積した後
、ホトリソ・エツチング技術により各ドツトに対応して
分離された感光部２３′ｊ＆：形成する。なおこの場合
、非晶質シリフンから成る感光部２３は、基板２１側よ
りＰＩＮ型またはＮＩＰ型の発光ダイオードを構成する
。
分以外は金属等のマスクを施して蒸着等により透明な第
１の電極層２２を形成する。次に、この上に全面に渡っ
て非晶質シリコンをグロー放電分解法により堆積した後
、ホトリソ・エツチング技術により各ドツトに対応して
分離された感光部２３′ｊ＆：形成する。なおこの場合
、非晶質シリフンから成る感光部２３は、基板２１側よ
りＰＩＮ型またはＮＩＰ型の発光ダイオードを構成する
。
また上記感光部２３は、受光素子アレイ部４０ａの分解
能が８ｄｏｔ／ｍならば１００μｍ０程度に・１６ ｄ
ｏｔ／ｍならば８０μｍ口程度の寸法に形成する。
能が８ｄｏｔ／ｍならば１００μｍ０程度に・１６ ｄ
ｏｔ／ｍならば８０μｍ口程度の寸法に形成する。
次にスパッタリング法やグロー放電法ヲ用いて、基板全
面にシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）やシリコン窒化物（Ｓ
ｉＮｘ）から成る絶縁層２４を所定膜厚にして堆積し、
次いでホトリソ・エツチング技術により感光部２３上の
所定個所に窓部２４ａを開口する。
面にシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）やシリコン窒化物（Ｓ
ｉＮｘ）から成る絶縁層２４を所定膜厚にして堆積し、
次いでホトリソ・エツチング技術により感光部２３上の
所定個所に窓部２４ａを開口する。
更に、これらの上に全面に渡って、アルミニウム（ＡＺ
）、クロム（Ｃｒ）、ニクロム（ＮｉＣｒ）及びチタン
（Ｔｉ）等より成る金属層を、電子ビーム蒸着法等によ
り被着し、続いてホトリソ・エツチング技術ヲ用いて各
ドツトに対応して配列した各感光部２３に対応する帯状
の第２の電極Ｍ２５を形成すると共に、補助電極層２６
を形成する。
）、クロム（Ｃｒ）、ニクロム（ＮｉＣｒ）及びチタン
（Ｔｉ）等より成る金属層を、電子ビーム蒸着法等によ
り被着し、続いてホトリソ・エツチング技術ヲ用いて各
ドツトに対応して配列した各感光部２３に対応する帯状
の第２の電極Ｍ２５を形成すると共に、補助電極層２６
を形成する。
以上のプロセスを経て完成する受光素子アレイ部４０ａ
は、信号光が透明絶縁性基板２１側から感光部２３に入
射すると、各感光部２３では入射光量に応じた電子−正
孔対が発生し、この結果逆バイアスが印加されている第
１の″ＩＬ極層２２と第２の電極層２５間に光電流が流
れ、被検出湯の明暗を電気信号に変換できるものである
。
は、信号光が透明絶縁性基板２１側から感光部２３に入
射すると、各感光部２３では入射光量に応じた電子−正
孔対が発生し、この結果逆バイアスが印加されている第
１の″ＩＬ極層２２と第２の電極層２５間に光電流が流
れ、被検出湯の明暗を電気信号に変換できるものである
。
しかしながら、以上述べた従来の受光素子アレイの製造
方法においては、感光部を各ドツトに対応して分離形成
する工程と、この分離された感光部上の絶縁層に窓部を
開口する工程とを含もようにしている。この為、前者の
工程ではピンホールの発生する確率が高くなり、また後
者の工程では所定位置に窓部を開口する為に、受光素子
アレイが長尺になればなる程マスクずれを起こし易くな
り、製造の歩留りの低下を招き易いという問題があった
。
方法においては、感光部を各ドツトに対応して分離形成
する工程と、この分離された感光部上の絶縁層に窓部を
開口する工程とを含もようにしている。この為、前者の
工程ではピンホールの発生する確率が高くなり、また後
者の工程では所定位置に窓部を開口する為に、受光素子
アレイが長尺になればなる程マスクずれを起こし易くな
り、製造の歩留りの低下を招き易いという問題があった
。
本発明は、以上述べた問題に鑑みなきれたもので、製造
工程が容易で且つ製造歩留りの高い受光素子アレイの製
造方法を提供することを目的とする。
工程が容易で且つ製造歩留りの高い受光素子アレイの製
造方法を提供することを目的とする。
本発明に係る密着型イメージセンサの受光素子アレイの
製造方法は、透明絶縁性基板上に形成された第１の電極
層上の非分離の所定部分に、金属マスク等を介して感光
部を選択的に形成する工程と、この感光部上の一端を少
なくとも覆うと共に配線部側に延在する絶縁層を形成す
る工程とを含むようにしたものである。
製造方法は、透明絶縁性基板上に形成された第１の電極
層上の非分離の所定部分に、金属マスク等を介して感光
部を選択的に形成する工程と、この感光部上の一端を少
なくとも覆うと共に配線部側に延在する絶縁層を形成す
る工程とを含むようにしたものである。
本発明は以上のように、第１の電極層上にて非分離の所
定部分に感光部を選択的に形成するようにしている為、
従来のようにドツト毎に分離形成する場合と異なり、ホ
トリソ・エツチング技術等によりこれをパターニングす
る際に、ピンホール等の素子欠陥の発生を抑制できる。
定部分に感光部を選択的に形成するようにしている為、
従来のようにドツト毎に分離形成する場合と異なり、ホ
トリソ・エツチング技術等によりこれをパターニングす
る際に、ピンホール等の素子欠陥の発生を抑制できる。
また、絶縁層は感光部の一端から配線部側へ延在するよ
う形成しており、従来のように分離型の感光部に対応し
て窓部を設ける必要がないので、マスク合せが容易とな
る。
う形成しており、従来のように分離型の感光部に対応し
て窓部を設ける必要がないので、マスク合せが容易とな
る。
第１図は本発明の受光素子アレイを用いた密着型イメー
ジセンサの概略構成を示したものであり、この密着型イ
メージセンサは配線部３０と本発明に係る受光素子アレ
イ部４０とに分けられる。
ジセンサの概略構成を示したものであり、この密着型イ
メージセンサは配線部３０と本発明に係る受光素子アレ
イ部４０とに分けられる。
以下、同図（ａ）と、同図値）のＡ−Ａ線断面図及びＢ
−Ｂ線断面図である同図色）及び同図（ｃ）に基き、本
発明の一実施例を詳細に説明する。
−Ｂ線断面図である同図色）及び同図（ｃ）に基き、本
発明の一実施例を詳細に説明する。
まず所定の部分以外は金属マスク等で覆って、ガラス、
合成樹脂等の任意好適な透明絶縁性基板１１上に、透明
な第１の電極層１２を非分離状に被着形成する。この透
明な第１の′ｒｌＬ極層１２は、材料にインジウム錫酸
化物（ＩＴＯ）や錫酸化物（Ｓｎｏｔ）、あるいはこれ
らの多層膜から成る透明導電材料を用い、これらを電子
ビーム蒸着法やスパッタリング法等により被着する。
合成樹脂等の任意好適な透明絶縁性基板１１上に、透明
な第１の電極層１２を非分離状に被着形成する。この透
明な第１の′ｒｌＬ極層１２は、材料にインジウム錫酸
化物（ＩＴＯ）や錫酸化物（Ｓｎｏｔ）、あるいはこれ
らの多層膜から成る透明導電材料を用い、これらを電子
ビーム蒸着法やスパッタリング法等により被着する。
次に、上記第１の電極層１２上の所定の部分以外は金属
マスク等で覆ってグロー放電分解法により、０．３〜５
．Ｏｔｘ程度の細い幅を有する感光部１３をライン状に
、選択的に堆積する。この感光部１３は非晶質シリコン
を素材としており、基板１１側よりＮＩＰ構造を成して
いる。なおこの時、上記非晶質シリコンから成る感光部
１３において、Ｎ型層はシランがス（ＳＩＫ、）にホス
フィンガス（ＰＨ１）を５００〜１００００ ｐｐｍ程
度混合し、■型層は５ＩＨ４にソがランガス（ＳｉＨ６
）を０．１〜５．０ ｐｐｍ程度微量混合し、更にＰ型
層はＳｉＨ４にＢ２Ｈ２を１００〜１１００００ｐｐ程
度混合し、これらを反応ガスに用いてグロー放電分解を
行うことにより夫々堆積できる。
マスク等で覆ってグロー放電分解法により、０．３〜５
．Ｏｔｘ程度の細い幅を有する感光部１３をライン状に
、選択的に堆積する。この感光部１３は非晶質シリコン
を素材としており、基板１１側よりＮＩＰ構造を成して
いる。なおこの時、上記非晶質シリコンから成る感光部
１３において、Ｎ型層はシランがス（ＳＩＫ、）にホス
フィンガス（ＰＨ１）を５００〜１００００ ｐｐｍ程
度混合し、■型層は５ＩＨ４にソがランガス（ＳｉＨ６
）を０．１〜５．０ ｐｐｍ程度微量混合し、更にＰ型
層はＳｉＨ４にＢ２Ｈ２を１００〜１１００００ｐｐ程
度混合し、これらを反応ガスに用いてグロー放電分解を
行うことにより夫々堆積できる。
次いで基板全面に渡って絶縁層１４を被着形成し、続い
てホ） ＋３ソ技術により感光部１３の配線部３０側の
端面に残るようパターニングする。この絶縁層１４には
、亜酸化窒素（Ｎ、Ｏ）と５ｉＨ４とをグロー放電分解
したシリコン酸化物（８１０ｘ ） ＋アンモニア（Ｎ
Ｈ，）とＳｉ式とをグロー放電分解したシリコン窒化物
（ＳｉＮｘ ） 、あるいはスパッタリング法によるＳ
ｉＯｘ ＋ ＳｉＮｘ 等を用いる。
てホ） ＋３ソ技術により感光部１３の配線部３０側の
端面に残るようパターニングする。この絶縁層１４には
、亜酸化窒素（Ｎ、Ｏ）と５ｉＨ４とをグロー放電分解
したシリコン酸化物（８１０ｘ ） ＋アンモニア（Ｎ
Ｈ，）とＳｉ式とをグロー放電分解したシリコン窒化物
（ＳｉＮｘ ） 、あるいはスパッタリング法によるＳ
ｉＯｘ ＋ ＳｉＮｘ 等を用いる。
更に基板全面に渡って金属層を被着形成し、続いてホト
リソ・エツチング技術を用いて帯状の第２の電極層１５
、及びこれと接する補助電極層１６とに加工する。なお
この第２の電極層１５は、同図（ａ）に示す如く、ドツ
トに対応する各位置にてライン状の感光部１３の表面に
接すると共に、配線部３０側にてこの感光部１３と交叉
する方向に帯状に伸びている。またこの場合、金属層は
クロム（Ｃｒ）、ニクロム（ＮｉＣｒ ） ＊チタン（
Ｔｉ）及びアルミニウム（Ａｔ）等を材料に用い、電子
ビーム蒸着法やスパッタリング法により被着形成する。
リソ・エツチング技術を用いて帯状の第２の電極層１５
、及びこれと接する補助電極層１６とに加工する。なお
この第２の電極層１５は、同図（ａ）に示す如く、ドツ
トに対応する各位置にてライン状の感光部１３の表面に
接すると共に、配線部３０側にてこの感光部１３と交叉
する方向に帯状に伸びている。またこの場合、金属層は
クロム（Ｃｒ）、ニクロム（ＮｉＣｒ ） ＊チタン（
Ｔｉ）及びアルミニウム（Ａｔ）等を材料に用い、電子
ビーム蒸着法やスパッタリング法により被着形成する。
以上のプロセスを経て完成した受光素子アレイにおいて
、第１の電極層１２及び第２の電極層１５間に逆バイア
ス電圧を印加した状態で、被検出湯からの信号光を透明
絶縁性基板１１側より感光部１３へ入射すると、感光部
１３中では入射光ｂ１に応じた電子−正孔対が発生する
。この為、第１及び第２の電極層１２．１５間で光電流
の検出を行うことにより、被検出湯の明暗を電気信号に
変換することができる。
、第１の電極層１２及び第２の電極層１５間に逆バイア
ス電圧を印加した状態で、被検出湯からの信号光を透明
絶縁性基板１１側より感光部１３へ入射すると、感光部
１３中では入射光ｂ１に応じた電子−正孔対が発生する
。この為、第１及び第２の電極層１２．１５間で光電流
の検出を行うことにより、被検出湯の明暗を電気信号に
変換することができる。
なお上記実施例では、感光部１３を基板１１測よりＮＩ
Ｐ型の構造としたが、この外ＰＩＮ型。
Ｐ型の構造としたが、この外ＰＩＮ型。
ショットキー型として構成することもできる。また第１
の電極層１２を透明導電材料に、第２の電極層１５を金
属材料により構成するようにしているが、これの逆構成
とすることもできる。この場合、光の入射方向は第２の
電極層１５側となる。
の電極層１２を透明導電材料に、第２の電極層１５を金
属材料により構成するようにしているが、これの逆構成
とすることもできる。この場合、光の入射方向は第２の
電極層１５側となる。
更に、上記実施例では表面保護層を設けてぃな１４ カ
、勿論これを被着形成するように構成すルコともできる
。この場合、表面保護層としては、グロー放電分解法に
よる５ｔｙｘ ＋ ＳｉＮｘ ＋リンガラス（ＰＳＧ）
、＆ロンガラス（ＢＳＧ）、メロンリンが９２（ＢＰＳ
Ｇ）、？：素ｅ ５ ｘ （ＡＳＧ）及びカーメン（Ｃ
）、更にスパッタリング法による同様の絶縁材、それに
ポリイミド等の樹脂としても良い。
、勿論これを被着形成するように構成すルコともできる
。この場合、表面保護層としては、グロー放電分解法に
よる５ｔｙｘ ＋ ＳｉＮｘ ＋リンガラス（ＰＳＧ）
、＆ロンガラス（ＢＳＧ）、メロンリンが９２（ＢＰＳ
Ｇ）、？：素ｅ ５ ｘ （ＡＳＧ）及びカーメン（Ｃ
）、更にスパッタリング法による同様の絶縁材、それに
ポリイミド等の樹脂としても良い。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、感光部を
第１の電極層上にて非分離の所定部分に選択的に形成す
るようにしており（例えば、ライン状）、従来のように
ドツト毎の分離構成としない為、ホトリソ・エツチング
技術を用いてこれをパターニングする場合、ピンホール
等の素子欠陥の発生を抑制できる。
第１の電極層上にて非分離の所定部分に選択的に形成す
るようにしており（例えば、ライン状）、従来のように
ドツト毎の分離構成としない為、ホトリソ・エツチング
技術を用いてこれをパターニングする場合、ピンホール
等の素子欠陥の発生を抑制できる。
またこの結果、絶縁層は感光部の一端から配線部側へ延
在するよう形成される為、ドツト毎に分離された感光部
上にコンタクト用の窓部を設ける必要もないので、マス
ク合せが容易となる。
在するよう形成される為、ドツト毎に分離された感光部
上にコンタクト用の窓部を設ける必要もないので、マス
ク合せが容易となる。
従って、製造歩留りの高い受光素子アレイを容易に得る
ことができるので、画像読取装置等の密着型イメージセ
ンサに好適である。
ことができるので、画像読取装置等の密着型イメージセ
ンサに好適である。
第１図は本発明の一実施例を説明する概略図、第２図は
従来例を説明する概略図である。 １１・・・透明絶縁性基板、１２・・・第１の電極層、
１３・・・感光部、１４・・・絶縁層、１５・・・第２
の１Ｘ極層、１６・・・補助電極層、３０・・・配線部
、４ｏ・・・受光素子アレイ部。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第１図 従来イク゛１ｏ江明起 第２図
従来例を説明する概略図である。 １１・・・透明絶縁性基板、１２・・・第１の電極層、
１３・・・感光部、１４・・・絶縁層、１５・・・第２
の１Ｘ極層、１６・・・補助電極層、３０・・・配線部
、４ｏ・・・受光素子アレイ部。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第１図 従来イク゛１ｏ江明起 第２図
Claims (1)
- （１）密着型イメージセンサの受光素子アレイの製造方
法において、 （ａ）透明絶縁性基板上の所定部分に第１の電極層を非
分離状に形成する工程、 （ｂ）上記第１の電極層上の所定部分に、感光部を選択
的に非分離状に形成する工程、 （ｃ）基板全面に絶縁層を堆積形成し、この絶縁層を上
記感光部の一端を少なくとも覆うと共に配線部側へ延在
するようパターニングする工程、 （ｄ）この後基板全面に導電性材料を被着し、更にこの
導電性材料をパターニングすることにより、上記感光部
の表面に接すると共に上記配線部側へ延長する多数の帯
状の第２の電極層、及び補助電極層とを形成する工程 とを含むことを特徴とする上記受光素子アレイの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61134870A JPS62291960A (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 受光素子アレイの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61134870A JPS62291960A (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 受光素子アレイの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62291960A true JPS62291960A (ja) | 1987-12-18 |
Family
ID=15138398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61134870A Pending JPS62291960A (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 受光素子アレイの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62291960A (ja) |
-
1986
- 1986-06-12 JP JP61134870A patent/JPS62291960A/ja active Pending
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