JPS62291732A - スタンパ−型 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３発明の詳細な説明 （産業上の利用分野） 本発明は、スタンパ−ＷＫ関し、／Ｆｌ硬化性樹脂組成
物を用いて微細な凹凸を形成讐るのに使用するスタンパ
−型およびそのスタンハーバターンの転写方法に関する
ものである。

（従来技術） 従来、端軸を再生成は記録・再生する情報記轟和体とし
て、レコード、テープ、フロッピーディスク、光ディス
ク、光カード等の装置が用いられている。最近、光学的
に情報の記録・再生を行なうシステムは、情報の記録密
度が高い点で注目されている。アクセスタイムの速い回
転式の円板状の光ディスク、携帯性に優れるカード状の
光カードは、それぞれの長所を活かして光学的情報担体
として期待されている。

これらの光学的情報担体の記録・再生装置に於いては、
書−き込み・読み出しのトラックサーボの為、ディスク
或はカードの基板表面にあ″らかしめ一定の間隔で溝を
形成しておく方式が採用されている。この方式では溝（
通常トラック溝と称する）が情報の記碌・再生の案内役
を果す為、レーザービームのトラック制御精度が向上し
、溝無しの基板を用いる方式より本高速アクセスが可能
と々る。また、トラック溝の他、トラック溝のアドレス
、スタートビット、ストップビット、クロック信号、エ
ラー訂正信号。

等のプリフォーマットも基板表面に形成しておく事も行
なわれている。

これらのトラック溝やプレフォーマットの基板への形成
には、従来、基板が熱可塑性樹脂である場合には、融点
以上の温度での射出成型や熱プレス成型等の方法により
スタンパ−型のパターンを熱転写する方法、或は基板上
に光硬化性樹脂組成物を塗布した後、スタンパ−型を密
着させて基板側から紫外線の如きエネルギーを賦与して
該組成物を硬化させる方法（以下２Ｐプロセス法という
−）によりスタンパ−型を転写する方法が知られている
。

これらに使用されるスタンパ−型は、従来、プラスチッ
ク成型用に使用される金型と同様な方法で作成されてい
る。通常、トラック溝及びそのプレフォーマットに基づ
いたパターンを有するフォトマスクを作成し、骸フォト
マスクを用いて、これらのパターンに相当するレジスト
パターンをガラス原盤の上に形放し、導電処理後ニッケ
ルメッキ、銅メッキを施す、断言ガ電鋳により作成され
る。しかも、熱転写法に於いては、電鋳により銅メッキ
をかなり厚く施さねばならない事、電鋳の製作に治具を
多数必要とする事、電鋳後の成形加工に手間のかかる事
等からスタンパ−型の製造に日数と手間がかかり、スタ
ンパ−型が高価になるという欠点があった。

一方、２ｐプロセス法に於いては、熱転写法に比較して
スタンパ−型は厚みが薄くその分だけスタンパ−型の製
造コストは低下するもののやはりスタンパ−型のコスト
は大きな問題である。

（発明が解決しようとする問題点） 本発明は、光学的情報記銖担体の基板の製造に於ける基
板へのトラック溝やその他のプレフォーフットの形成に
使用されるスタンパ−型の製造に関する問題点を克服し
、上記の如き長時間製造工程で高コス）Ｋなるスタンパ
−型に対して、短時間、低コストの可能なスタンパ−型
を提供する事を目的とし、特に２Ｐプ四セス法に使用す
るスタンパ−型をｔ産性を上げる為に短期間に多数個を
低コストで準備する事が可能なスタンパ−型およびその
スタンパ−型を用いたスタンパ−パターンの転写方法を
提供する事を目的としている。

（問題点を解決するための手段） 本発明によるスタンパ−型は、金属薄膜を有する基板上
の金属薄膜上にレジストパターンを形成し、金属薄膜を
選択的にエツチングして金属薄膜のパターンを形成拶、
該金属薄膜のパターン面上に更に金属薄膜を堆積して成
ることを特徴とするものである。

上記の様なスタンパ−型にすれば、スタンパ−型は１枚
のフォトマスクから多数のスタンパ−型が短時間のうち
に製造できる。また、時間のかかる電鋳工程を省略出来
るだけでなく、従来必要とされた特注治具が不要となり
、フォトリソグラフィーに使用される汎用治具が使用さ
れるなどの長所を有する。

以下、図面に従って本発明の代表的′Ｉｋ態様について
説明する。第１図〜第５図は本発明のスタンパ−型の製
造に関する概略工程図である。

第１図に於いて１はガラス基板、２は所望の厚みの金属
薄膜である。ガラス基板１としては両面鏡面研摩したガ
ラスであり、金属薄膜としては、比較的エツチングが容
易で、スタンパ−のパターンが転写される熱可塑性樹脂
や光硬化性樹脂組成物の硬化樹脂との離型性の良いもの
であれは特に限定されないが、例えばＣＶ　＊　Ｎｉ　
ｅ　Ｔｉ　ｒ８１などを用いることができる。金ｐＡ薄
膜２の厚みに関してはスタンパ−型として要求されるも
のとし、例えば光ディスク、光カードに於いては使用す
る半導体レーザーの波長なλ、樹脂の屈折率をｎとした
時、トラック溝の高さく＊は深さ）ｄはλ／４ｎ（又は
λ／８ｎ）前後となる様にすれば良い。波長λとしては
、およそ７００乃至９００　ｎｍであり、屈折率として
はおよそ１．４乃至１．６であるので、ｄはおよそ０．
０７乃至０．１６μｍである。

ガラス基板に、かかる金！Ｒ薄膜を形成する方法は、公
知の方法、例えばスパッタリング、真空′Ｍ着、高周波
イオンブレーティング、プラズマＣ！ＶＤ　、クラスタ
ーイオンビーム等の堆積方法を使用すればよい。より簡
便には、市販の５インチのマスクブランク（クロム単層
品、膜厚的９００Ｘ）をスパッタリングの装置に入れ、
まず逆スパツタリングをして表面を清浄にした後直チに
クロムをスパッタリングしておよそ４００１程度成膜し
て、厚さ０．１３μｍのクロム薄膜付きガラス基板を使
用する事も出来る。

第２図は、上記のガラス基板の金属薄膜上にレジスト３
を塗布する工程を示している。使用されるレジスト３は
、トラック溝やその他のプレフォーマットに基づいたパ
ターンを有するフォトマスクに応じて、市販のポジ型或
はネガ型レジストであればよい。スタンパ−型として出
来上った物の転写精度は使用されるレジスト３の解偉性
に依るので、一般的にけポジ型レジストの方が好ましい
。またスタンパ−型の凹凸を考慮してフォトマスクを設
計し、ポジ型レジストを使用する様に工夫するとよい。

第３図はフォトマスクを介してマスク上のパターンをレ
ジスト３上に露光し、現像して金属薄膜上にレジストの
パターン４を形成した工程を示す。一般に光ディスクの
場合、トラック溝の幅はおよそ０．８μｍ、）ラックピ
ッチ１．６〜２．５μｍであり、光カードの場合はトラ
ンク溝の幅は２μｍ乃至４μｍ位であり、トラックピッ
チは５μｍ乃至１２μｍ位である。

第４図はレジストパターンをマスクトシて金属薄膜を選
択的にエツチングし、レジストマスクを剥膜し、金属薄
膜のパターン５を形成する工程を示す。エツチングは線
幅が光ディスクの様に狭いものはドライエツチングに依
るのが好ましく、光カードの如き線幅の太いものはウェ
ットエツチングでも良い。

第５図は金！ｔ４ＷＩ膜のパターン５の上に更に金属薄
膜６を堆積させ露出したガラス基板表面も金属薄膜６で
被覆する工程を示す。堆積させる金属６は金属薄膜２と
（ロ）種で４良いし、異なっていても良い。金属６につ
いては固さよりもスタン・く−のパターンが転写される
樹脂との離型性の方が問題である。厚みは特に限定しな
いが露出したガラス基板を被覆できる程度のλ以上時に
は１以上もあれば充分である。

このように製造されたスタンパ−型は、特に硬化性樹脂
を用いたスタンパ−パターンの転写に有効に適用できる
。即ち、スタンパ−型のパターン面と表面に硬化性樹脂
組成物を塗布してある基板の硬化性樹脂組成物とを密着
させて硬化処理を施すことによって、スターンパーパタ
ーンの転写ができるものである。

（実施例） 市販の５インチのマスクブランク（厚み８００大クロム
単層膜）をスパッタリング装置に入れ、軽く逆スパツタ
して表面を清浄にした後、クロムをスパッタリングして
、１３００λのクロム薄膜の付いたガラス基板を得る。

（或は低膨張率ガラス基板上にスパッタリングにより１
３００１の厚みにクロム薄膜を形成しても良い。）クロ
ム薄膜面上に遠紫外線用レジストをスピンコード法によ
り塗布し、トラック溝及びその他プレフォーマットのパ
ターンからなるフォトマスクを介して露光し、現像し、
レジストパターンをクロム薄膜上形成する。クロム薄膜
をエツチングして、レジストを剥膜する事により、厚さ
１３００λのクロム薄膜から成るパターンを有する５イ
ンチガラス基板を得る。更にパターン面上にクロム薄膜
を１０，０λ堆積させて、ｎｍしたガラス面をクロム薄
膜で覆う事によりスタンパ−型を得る。

鏡面仕上した厚さ１．０膿のガラス基板上に、２Ｐ樹脂
（三菱レイヨン■ｇＭＲＡ−５００（商品名）組成物を
厚み１００μｍ塗布し、上記したスタンパ−型と密着さ
せ、スタンパ−型の溝内に肢組成物を収容させる。ガラ
ス基板側より照射パワー１０ｍｗ／郡２の高圧水銀灯で
１０分間照射し、＃組成物を硬化させる。スタンパ−型
を剥してスタンパ−型の凹凸パターンをガラス基板上に
高精度で転写させることができた。

（発明の効果） 以上述べた様に本発明によれば、フォトマスクハターン
をガラス原盤上にレジストパターンとして形成し、電鋳
を行なってスタンパ−型とする従来法に比べ、フォトマ
スクのマスクパターンをマスターマスクからワーキング
マスクラ作る方法で容易に多数のスタンパ−型が製造出
来、光学的情報担体のトラック溝やその他プレフォーマ
ットを基板の上に形成する２Ｐプロセス用のスタンパ−
型を低コストで供給出来る様になった。特に、本発明に
よるスタンパ−型はトラック溝やその他プレフォーマッ
トの転写に限らず、基板上に微細な凹凸を形成する２Ｐ
プロセス法に於いて使用されるスタンパ−型として、有
効である。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第５図は本発明のスタンパ−型の製造の−Ｎ様
に関する概略工程図であり、第１図はガラス基板への金
ＦＷ４薄膜の形成工程、第２図は金属薄膜上へのレジス
トの塗布工程、第３図はレジストパターン形成工程、第
４図は金属薄膜のパターン形成工程、第５図は露出した
ガラス基板表面を金属薄膜で被覆する工程である。 １・・・ガラス基板 ２・・・金属薄膜 ３…レジスト ４・・・レジストパターン ５・・・金属薄膜パターン ６・・・金属［Ｉ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）金属薄膜を有する基板上の金属薄膜上にレジスト
   パターンを形成し、金属薄膜を選択的にエッチングして
   金属薄膜のパターンを形成後、該金属薄膜のパターン面
   上に更に金属薄膜を堆積して成ることを特徴とするスタ
   ンパー型。
2. （２）金属薄膜を有する基板の金属薄膜上にレジストパ
   ターンを形成し、金属薄膜を選択的にエッチングして金
   属薄膜のパターンを形成後、該金属薄膜のパターン面上
   に更に金属薄膜を堆積して成るスタンパー型の該パター
   ン面と表面に硬化性樹脂組成物を塗布してある基板の硬
   化性樹脂組成物とを密着させて硬化処理を施すことを特
   徴とするスタンパーパターンの転写方法。