JPS62290136A - ＧａＡｓウェーハの鏡面研磨液ならびに鏡面研磨方法 - Google Patents
ＧａＡｓウェーハの鏡面研磨液ならびに鏡面研磨方法Info
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- JPS62290136A JPS62290136A JP61132620A JP13262086A JPS62290136A JP S62290136 A JPS62290136 A JP S62290136A JP 61132620 A JP61132620 A JP 61132620A JP 13262086 A JP13262086 A JP 13262086A JP S62290136 A JPS62290136 A JP S62290136A
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Landscapes
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
Ｇ ａ Ａ Ｓ単結晶から薄く切断されたＧａＡｓウェ
ーハは、例えばラッピング、エツチング及び少くとも一
回のボリシングを経由した後、最終ボリシングとしての
鏡面研磨を施される。
ーハは、例えばラッピング、エツチング及び少くとも一
回のボリシングを経由した後、最終ボリシングとしての
鏡面研磨を施される。
鏡面研磨は、前述したように、接着板にワックス等の接
着剤によりウェーハを貼着し、これを研磨布を貼付けた
回転自在の円形定盤に所定の負荷の下で押圧しつつ、円
形定盤を回転しながら研磨を行う。ウェーハを貼着した
接着板は、自在継手によって懸吊支持されており、自在
に自転を行う。
着剤によりウェーハを貼着し、これを研磨布を貼付けた
回転自在の円形定盤に所定の負荷の下で押圧しつつ、円
形定盤を回転しながら研磨を行う。ウェーハを貼着した
接着板は、自在継手によって懸吊支持されており、自在
に自転を行う。
研磨液が研磨布に滴下され、研磨液はウエーノ・と研磨
布との間に研磨液層を形成する。こうして、研磨液によ
る化学的作用と研磨布による機械的作用とによって鏡面
研磨がもたらされる。こうした装置は、特公昭４８−２
５８１７号に例示されている。
布との間に研磨液層を形成する。こうして、研磨液によ
る化学的作用と研磨布による機械的作用とによって鏡面
研磨がもたらされる。こうした装置は、特公昭４８−２
５８１７号に例示されている。
本発明に従えば、説ｍｌ研磨液として、（イ）次亜ｉ８
ジナトリウム＋炭酸水素ナトリウムの混合水溶液 （ロ）次亜塩禦酸ナトリウム士炭酸水素ナトリウム＋塩
化ナトリウムの混合水溶液 のうちのいずれかが使用されろ。
ジナトリウム＋炭酸水素ナトリウムの混合水溶液 （ロ）次亜塩禦酸ナトリウム士炭酸水素ナトリウム＋塩
化ナトリウムの混合水溶液 のうちのいずれかが使用されろ。
これら研磨液の好ましい組成範囲は次の通りである：
炭酸水素ナトリウム ：０．０１′８ｗｔ％炭酸水素ナ
トリウム ：α０１〜８ ｗｔ％塩化ナトリウム
： ２０ ｗｔ％以下塩化ナトリウムを添加することＫ
より、研磨効果は安定する。特にヘイズ防止には有効で
あり、塩化す） ＩＪウムの添加によりヘイズ発生は実
質上皆無となる。
トリウム ：α０１〜８ ｗｔ％塩化ナトリウム
： ２０ ｗｔ％以下塩化ナトリウムを添加することＫ
より、研磨効果は安定する。特にヘイズ防止には有効で
あり、塩化す） ＩＪウムの添加によりヘイズ発生は実
質上皆無となる。
回転研磨盤を使用しての研磨条件は一般に次の通りであ
る： ■研磨機の定盤径 ：３００〜６００ ａｍφ■定盤回
転数 ：２０〜６０ ｒｐｍ■加工圧 ：
２０〜１５０１！ ／ Ｃ７１Ｌ２■研、置時間
、 ：３０〜１２０ ｍｉｎ■研磨液流＃ ：
ｃＬ５ ｌ／ｈｒ以上■以上有研磨布 ：・発泡ポ
リウレタン系軟質クロス鏡面研磨されたＧａＡｓウェー
ハは、対象とするデバイス或いは素子に尼じて更に処理
される。例えば、Ｇ ａ Ａ ｓ上にエピタキシャル成
長を行わせる為には、研磨時に付着した接着用のワック
スを除去する為に有機洗浄される。有機洗浄は、例えば
トリクレン、アセトン及びメタノールを用いてこれらに
１〜数分間順次浸漬することにより行うのが好ましい。
る： ■研磨機の定盤径 ：３００〜６００ ａｍφ■定盤回
転数 ：２０〜６０ ｒｐｍ■加工圧 ：
２０〜１５０１！ ／ Ｃ７１Ｌ２■研、置時間
、 ：３０〜１２０ ｍｉｎ■研磨液流＃ ：
ｃＬ５ ｌ／ｈｒ以上■以上有研磨布 ：・発泡ポ
リウレタン系軟質クロス鏡面研磨されたＧａＡｓウェー
ハは、対象とするデバイス或いは素子に尼じて更に処理
される。例えば、Ｇ ａ Ａ ｓ上にエピタキシャル成
長を行わせる為には、研磨時に付着した接着用のワック
スを除去する為に有機洗浄される。有機洗浄は、例えば
トリクレン、アセトン及びメタノールを用いてこれらに
１〜数分間順次浸漬することにより行うのが好ましい。
発明の効果
ヘイズ、ビット等の表面欠陥の少ない、エピタキシャル
成長に適したＧａＡｓウェーハを得ることに成功し、歩
笛りが向上した。
成長に適したＧａＡｓウェーハを得ることに成功し、歩
笛りが向上した。
実施例１
液体封止チョクラルスキー法により引上げたＧａＡｓ単
結晶を０．５ｍｍ厚のウェーハに切り出し、丹・ソーソ
ゲ藷Ｍ；麻太柑会ＩＲＩ酪り拝賦般１ｒ奇イλ１イ！計
へ液として活性塩素濃度５ ｗｔ％の次亜塩素酸ナトリ
ウム水溶ｇ５０ ｍｌ、炭酵水累ナトリウム１０５＋、
そして水１０１００Ｏの混合液を用いて鏡面研磨を行っ
た。
結晶を０．５ｍｍ厚のウェーハに切り出し、丹・ソーソ
ゲ藷Ｍ；麻太柑会ＩＲＩ酪り拝賦般１ｒ奇イλ１イ！計
へ液として活性塩素濃度５ ｗｔ％の次亜塩素酸ナトリ
ウム水溶ｇ５０ ｍｌ、炭酵水累ナトリウム１０５＋、
そして水１０１００Ｏの混合液を用いて鏡面研磨を行っ
た。
研磨条件は次の通りとした。
■研磨機の定盤径 ：３００ｍｍφ
■定盤回転数 ： ５０ ｒｐｍ
■加工圧 ニアｏｓ／ｃｒｔ？■研磨時間
： ３０ ｍｉｎ ■研磨液流量 ：２ｉ／ｂｒ ■研磨布の種類 ：発泡ポリウレタン系軟質クロス
得られた鏡面は、表面欠陥、特にヘイズの発生の少ない
良質のものであった。
： ３０ ｍｉｎ ■研磨液流量 ：２ｉ／ｂｒ ■研磨布の種類 ：発泡ポリウレタン系軟質クロス
得られた鏡面は、表面欠陥、特にヘイズの発生の少ない
良質のものであった。
実施例２
実施例１の研磨液に塩化ナトリウム１１を添加し、その
他の条件は同一にして実施した結果、さらに表面欠陥の
少ない良質な鏡面が得られた。
他の条件は同一にして実施した結果、さらに表面欠陥の
少ない良質な鏡面が得られた。
比較例
先に従来技術として挙げた特公昭５５−２８４１７号の
教示に従い、矢亜塩素酸ナトリウムＱ、２．％モル／！
及び炭酸ナトリウム０．２．９モル／ｌの混合水溶液を
用いて実施例１と同条件で研磨を行ったが、得られたＧ
ａＡｓウェーハ鏡面は、表面欠陥、特にヘイズが多く、
エピタキシャル成長を行わせる基板としては水準不足で
あった。
教示に従い、矢亜塩素酸ナトリウムＱ、２．％モル／！
及び炭酸ナトリウム０．２．９モル／ｌの混合水溶液を
用いて実施例１と同条件で研磨を行ったが、得られたＧ
ａＡｓウェーハ鏡面は、表面欠陥、特にヘイズが多く、
エピタキシャル成長を行わせる基板としては水準不足で
あった。
史Ｋ、上記より研磨剤濃度を高くして、次亜塩素酸ナト
リウム１４ｇモル／ｌ及び炭酸ナトリウム０．４ｇモル
／ｌの混合液を使用したが、結果は変らなかった。
リウム１４ｇモル／ｌ及び炭酸ナトリウム０．４ｇモル
／ｌの混合液を使用したが、結果は変らなかった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）（イ）次亜塩素酸ナトリウム及び炭酸水素ナトリウ
ムの混合水溶液、或いは （ロ）次亜塩素酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム及び
塩化ナトリウムの混合水溶液 のうちのいずれかから成るＧａＡｓウェーハの鏡面研磨
液。 ２）（イ）の水溶液が、 次亜塩素酸ナトリウム：０．０１〜１ｗｔ％（活性塩素
濃度として） 炭酸水素ナトリウム：０．０１〜８ｗｔ％ の濃度を有し、そして（ロ）の水溶液が、 次亜塩素酸ナトリウム：０．０１〜１ｗｔ％（活性塩素
濃度として） 炭酸水素ナトリウム：０．０１〜８ｗｔ％ 塩化ナトリウム：２０ｗｔ％以下 の濃度を有する特許請求の範囲第１項記載のＧａＡｓウ
ェーハの鏡面研磨液。 ３）研磨布付き回転研磨盤において、研磨液として、 （イ）次亜塩素酸ナトリウム及び炭酸水素ナトリウムの
混合水溶液、或いは （ロ）次亜塩素酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム及び
塩化ナトリウムの混合水溶液 のうちのいずれかを使用して鏡面研磨を行うことを特徴
とするＧａＡｓウェーハの鏡面研磨方法。 ４）（イ）の水溶液が、 次亜塩素酸ナトリウム：０．０１〜１ｗｔ％（活性塩素
濃度として） 炭酸水素ナトリウム：０．０１〜８ｗｔ％ の一度を有し、そして（ロ）の水溶液が、 次亜塩素酸ナトリウム：０．０１〜１ｗｔ％（活性塩素
濃度として） 炭酸水素ナトリウム：０．０１〜８ｗｔ％ 塩化ナトリウム：２０ｗｔ％以下 の濃度を有する特許請求の範囲第３項記載の方法。 ５）研磨条件が 研磨機の定盤径：３００〜６００ｍｍφ 定盤回転数：２０〜６０ｒｐｍ 加工圧：２０〜１５０ｇ／ｃｍ＾２ 研磨時間：３０〜１２０ｍｉｎ 研磨液流量：０．５ｌ／ｈｒ以上 研磨布の種類：発泡ポリウレタン系軟質クロスである特
許請求の範囲第３項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61132620A JPH06101457B2 (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | ＧａＡｓウェーハの鏡面研磨液ならびに鏡面研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61132620A JPH06101457B2 (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | ＧａＡｓウェーハの鏡面研磨液ならびに鏡面研磨方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62290136A true JPS62290136A (ja) | 1987-12-17 |
| JPH06101457B2 JPH06101457B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=15085584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61132620A Expired - Lifetime JPH06101457B2 (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | ＧａＡｓウェーハの鏡面研磨液ならびに鏡面研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06101457B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0395928A (ja) * | 1989-09-07 | 1991-04-22 | Hoya Corp | フォトマスク製造時に用いるエッチング液 |
| WO1999021944A1 (fr) * | 1997-10-24 | 1999-05-06 | Sadao Futahashi | Eau et composition pour le travail des metaux |
| WO1999066014A1 (fr) * | 1998-06-18 | 1999-12-23 | Yasuo Fukutani | Fluide de refroidissement soluble dans l'eau |
| JPWO2016052408A1 (ja) * | 2014-09-30 | 2017-07-13 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4847766A (ja) * | 1971-10-14 | 1973-07-06 | ||
| JPS5969932A (ja) * | 1982-10-07 | 1984-04-20 | ワツカ−・ヘミトロニク・ゲゼルシヤフト・フユア・エレクトロニク・グルントシユトツフエ・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 第３〜５族半導体表面の研摩方法 |
-
1986
- 1986-06-10 JP JP61132620A patent/JPH06101457B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4847766A (ja) * | 1971-10-14 | 1973-07-06 | ||
| JPS5969932A (ja) * | 1982-10-07 | 1984-04-20 | ワツカ−・ヘミトロニク・ゲゼルシヤフト・フユア・エレクトロニク・グルントシユトツフエ・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 第３〜５族半導体表面の研摩方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0395928A (ja) * | 1989-09-07 | 1991-04-22 | Hoya Corp | フォトマスク製造時に用いるエッチング液 |
| WO1999021944A1 (fr) * | 1997-10-24 | 1999-05-06 | Sadao Futahashi | Eau et composition pour le travail des metaux |
| WO1999066014A1 (fr) * | 1998-06-18 | 1999-12-23 | Yasuo Fukutani | Fluide de refroidissement soluble dans l'eau |
| US6242391B1 (en) * | 1998-06-18 | 2001-06-05 | Yasio Fukutani | Water-soluble cutting fluid |
| JPWO2016052408A1 (ja) * | 2014-09-30 | 2017-07-13 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06101457B2 (ja) | 1994-12-12 |
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