JPS62289891A - 表示装置 - Google Patents
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- JPS62289891A JPS62289891A JP62134746A JP13474687A JPS62289891A JP S62289891 A JPS62289891 A JP S62289891A JP 62134746 A JP62134746 A JP 62134746A JP 13474687 A JP13474687 A JP 13474687A JP S62289891 A JPS62289891 A JP S62289891A
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/367—Control of matrices with row and column drivers with a nonlinear element in series with the liquid crystal cell, e.g. a diode, or M.I.M. element
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/088—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements using a non-linear two-terminal element
- G09G2300/0895—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements using a non-linear two-terminal element having more than one selection line for a two-terminal active matrix LCD, e.g. Lechner and D2R circuits
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は２つの支持プレート間に設けられた電気光学表
示媒体と、各々が前記支持プレートの対向表面に設けら
れた２つの画像電極により構成された行列配置の画素群
と、これら画素を駆動するｎ個の行電極及び列電極の群
とを具え、一方の支持プレートに行電極を設け、他方の
支持プレートに列電極を設けるようにした表示装置に関
するものである。
示媒体と、各々が前記支持プレートの対向表面に設けら
れた２つの画像電極により構成された行列配置の画素群
と、これら画素を駆動するｎ個の行電極及び列電極の群
とを具え、一方の支持プレートに行電極を設け、他方の
支持プレートに列電極を設けるようにした表示装置に関
するものである。
本発明に言う行電極及び列電極は所望に応じ交換するこ
とができ、従って列電極を行電極に変換すると直ちに列
電極は行電極を意味するようになる。
とができ、従って列電極を行電極に変換すると直ちに列
電極は行電極を意味するようになる。
この種の表示装置は液晶、電気泳動懸濁液及びエレクト
ロクロミック材料のような受動電気光学表示媒体を用い
て文字数字及びビデオ情報を表示するのが好適である。
ロクロミック材料のような受動電気光学表示媒体を用い
て文字数字及びビデオ情報を表示するのが好適である。
一、Ｉに既知の受動電気−光学表示媒体は、供給電圧に
対する急峻な伝達特性が不十分であり、及び／又は固有
のメモリが不十分である。これらの特性のため、駆動す
べきラインの数が多重化マトリックス表示装置のコント
ラストを充分とするに際し制限されるようになる。メモ
ＩＪ ＆１能が少ないため、列電極を経て選択した行に
存在する情報は再び書込む必要がある。又、列電極に供
給される電圧は駆動した行の画素の両端間に存在するだ
けでなく、他の行全部の画素の両端間にも存在する。
対する急峻な伝達特性が不十分であり、及び／又は固有
のメモリが不十分である。これらの特性のため、駆動す
べきラインの数が多重化マトリックス表示装置のコント
ラストを充分とするに際し制限されるようになる。メモ
ＩＪ ＆１能が少ないため、列電極を経て選択した行に
存在する情報は再び書込む必要がある。又、列電極に供
給される電圧は駆動した行の画素の両端間に存在するだ
けでなく、他の行全部の画素の両端間にも存在する。
従って画素はこれらが駆動されない期間中有効電圧を受
けるが、この電圧は充分に小さくして画素をオン状態に
しないようにする。更にオン状態及びオフ状態にある画
素の有効電圧の割合は、行電極の数が増大するにつれて
減少する。急峻な伝達特性が充分でないため、オン・オ
フ状態における画素間のコントラストが減少する。
けるが、この電圧は充分に小さくして画素をオン状態に
しないようにする。更にオン状態及びオフ状態にある画
素の有効電圧の割合は、行電極の数が増大するにつれて
減少する。急峻な伝達特性が充分でないため、オン・オ
フ状態における画素間のコントラストが減少する。
各画素に対し夫々スインチを設けることによりメモリ作
用を得ることができ、従って駆動された行の情報が他の
行電極の駆動期間中画素に充分に保持されるが、この場
合でもこの情報は漏洩電流により消失するようになる。
用を得ることができ、従って駆動された行の情報が他の
行電極の駆動期間中画素に充分に保持されるが、この場
合でもこの情報は漏洩電流により消失するようになる。
ダイオードをスイッチとして用いる上述した表示装置は
米国特許第４．２２３．３０８号から既知である。
米国特許第４．２２３．３０８号から既知である。
しかし、かかる表示装置をテレビジョンシステムに用い
るには問題がある。ＰＡＬ （ＮＴＳＣ） システム
のようなテレビジョンに通常用いられる制御システムで
は、はぼ５７５ （５２５）本のラインが１／２５ （
１／３０）秒の各フレーム周期中に書込まれ、従って１
１５０（１／６０）秒毎にほぼ２８８ （２６５）本の
ラインの偶数フィールド及び奇数フィールドに分布され
るようになる。液晶材料の劣化を防止するためには液晶
に負及び正の電圧を供給することにより表示セルを交互
に駆動するのが好適である。はぼ２８８ （２６５）ラ
インの表示スクリーンに対しては先ず最初画素を、奇数
フィールド周期中に存在する情報により駆動し、次いで
偶数フィールド周期中に存在する情報により駆動するこ
とができるが、画素の電圧は奇数フィールド周期中と偶
数フィールド周期中とで異なる極性を有する。この場合
にはインターレース（飛越し）は行われないが第２画像
ラインが第１画像ライン上に書込まれ、第４画像ライン
が第３画像ライン上に書込まれ、この動作が続くように
なる。従って画素に存在する同一極性の情報は１１５０
（１／６０）秒毎に補充され、その極性が変化する。
るには問題がある。ＰＡＬ （ＮＴＳＣ） システム
のようなテレビジョンに通常用いられる制御システムで
は、はぼ５７５ （５２５）本のラインが１／２５ （
１／３０）秒の各フレーム周期中に書込まれ、従って１
１５０（１／６０）秒毎にほぼ２８８ （２６５）本の
ラインの偶数フィールド及び奇数フィールドに分布され
るようになる。液晶材料の劣化を防止するためには液晶
に負及び正の電圧を供給することにより表示セルを交互
に駆動するのが好適である。はぼ２８８ （２６５）ラ
インの表示スクリーンに対しては先ず最初画素を、奇数
フィールド周期中に存在する情報により駆動し、次いで
偶数フィールド周期中に存在する情報により駆動するこ
とができるが、画素の電圧は奇数フィールド周期中と偶
数フィールド周期中とで異なる極性を有する。この場合
にはインターレース（飛越し）は行われないが第２画像
ラインが第１画像ライン上に書込まれ、第４画像ライン
が第３画像ライン上に書込まれ、この動作が続くように
なる。従って画素に存在する同一極性の情報は１１５０
（１／６０）秒毎に補充され、その極性が変化する。
これがため、スクリーン上の画像ラインの数は実際上２
フィールドの画像ラインの総数の１７２となる。
フィールドの画像ラインの総数の１７２となる。
しかし、５７５ （５２５）ラインの完全な画像を書込
むためには画像情報を飛越し走査して反対極性の情報が
１１５０ （１／６０）抄機でなく 、１／２５ （１
／３０）抄機に補充され、同一極性の情報が２／２５
（１／１５）秒毎に存在し得るようにする必要がある。
むためには画像情報を飛越し走査して反対極性の情報が
１１５０ （１／６０）抄機でなく 、１／２５ （１
／３０）抄機に補充され、同一極性の情報が２／２５
（１／１５）秒毎に存在し得るようにする必要がある。
従って画素を同一極性（正又は負）の電圧で長時間に亘
って駆動するため、この情報は漏洩電流により部分的に
消失し得るようになる。正及び負の情報が同一でないた
め、画像に２５／２（１５） Ｈｚの周波数でフリッカ
効果が生じるようになる。
って駆動するため、この情報は漏洩電流により部分的に
消失し得るようになる。正及び負の情報が同一でないた
め、画像に２５／２（１５） Ｈｚの周波数でフリッカ
効果が生じるようになる。
画質がフリッカにより殆ど或いは全く減少せず、しかも
漏洩源流の影響を著しく低減するようにしたＰＡＬ （
ＮＴＳＣ） システムで駆動され得る上述した種類の
表示装置がオランダ国特許願第８５０２６６３号明細書
に記載されている。このオランダ国特許願の明細書では
選択電圧及びデータ電圧の何れの電圧でかかる装置を作
動し得るか、即ち偶数及び奇数フィールドに対し何れの
電圧の絶対値が同一であるかを規定している。特に偶数
フィールドの画像ラインの書込み後偶数フィールドの奇
数ラインの“非選択“電圧を奇数フィールドの画像ライ
ンの書込み後“非選択”電圧に等しくなるように選定し
ている。ダイオードを非対称非直線性スイッチング素子
として用いる場合にはかかる“２レベル”駆動による例
えばＬＣＤマトリックスの駆動を、漏洩電流が許容し得
ない程度に大きくなるダイオードのカットオフ電圧に適
用することができる。
漏洩源流の影響を著しく低減するようにしたＰＡＬ （
ＮＴＳＣ） システムで駆動され得る上述した種類の
表示装置がオランダ国特許願第８５０２６６３号明細書
に記載されている。このオランダ国特許願の明細書では
選択電圧及びデータ電圧の何れの電圧でかかる装置を作
動し得るか、即ち偶数及び奇数フィールドに対し何れの
電圧の絶対値が同一であるかを規定している。特に偶数
フィールドの画像ラインの書込み後偶数フィールドの奇
数ラインの“非選択“電圧を奇数フィールドの画像ライ
ンの書込み後“非選択”電圧に等しくなるように選定し
ている。ダイオードを非対称非直線性スイッチング素子
として用いる場合にはかかる“２レベル”駆動による例
えばＬＣＤマトリックスの駆動を、漏洩電流が許容し得
ない程度に大きくなるダイオードのカットオフ電圧に適
用することができる。
本発明の目的はかかる欠点を除去し得るように適切に構
成配置した上述した種類の表示装置を提供せんとするに
ある。
成配置した上述した種類の表示装置を提供せんとするに
ある。
本発明は２つの支持プレート間に設けられた電気光学表
示媒体と、各々が前記支持プレートの対向表面に設けら
れた２つの画像電極により構成された行列配置の画素群
と、これら画素を駆動するｎ個の行電極及び列電極の群
とを具え、一方の支持プレートに行電極を設け、他方の
支持プレートに列電極を設けるようにした表示装置にお
いて、前記画素と各行電極との間に、１個の列電極と２
個の順次の行電極との間の各画素に直列に非対称の非直
線性スイッチング素子を設け、更に選択電圧により行電
極を駆動する駆動回路を設け、これにより、第１の奇数
フィールド又は第２の偶数フィールドからの情報により
画素を駆動するｉ番目の行電極（０＜１≦ｎ）を選択す
る際少なくとも第１（ｉ−１）の非選択行電極に当該フ
ィールドに関連する第１組の非選択電圧の少なくとも一
方を供給し、且つ他の非選択行電極に第２組の非選択電
圧の少なくとも一方を供給するようにしたことを特徴と
する。
示媒体と、各々が前記支持プレートの対向表面に設けら
れた２つの画像電極により構成された行列配置の画素群
と、これら画素を駆動するｎ個の行電極及び列電極の群
とを具え、一方の支持プレートに行電極を設け、他方の
支持プレートに列電極を設けるようにした表示装置にお
いて、前記画素と各行電極との間に、１個の列電極と２
個の順次の行電極との間の各画素に直列に非対称の非直
線性スイッチング素子を設け、更に選択電圧により行電
極を駆動する駆動回路を設け、これにより、第１の奇数
フィールド又は第２の偶数フィールドからの情報により
画素を駆動するｉ番目の行電極（０＜１≦ｎ）を選択す
る際少なくとも第１（ｉ−１）の非選択行電極に当該フ
ィールドに関連する第１組の非選択電圧の少なくとも一
方を供給し、且つ他の非選択行電極に第２組の非選択電
圧の少なくとも一方を供給するようにしたことを特徴と
する。
ここに言う非対称非直線性スイッチング素子とは、表示
装置の製造時に通常用いられるダイオード、例えば、単
結晶、多結晶又はアモルファスシリコン、ＣｄＳｅその
他の半導体材料に形成されたｐｎダイオード、ショット
キーダイオード又はｐｌｎダイオードを意味し、その他
の非対称非直線性スイッチング素子、例えばベース−コ
レクタ接合を短絡したバイポーラトランジスタ又はゲー
ト・ドレイン領域をに目互接続した＋、＋ＯＳ トラ
ンジスタを意味しないものとする。
装置の製造時に通常用いられるダイオード、例えば、単
結晶、多結晶又はアモルファスシリコン、ＣｄＳｅその
他の半導体材料に形成されたｐｎダイオード、ショット
キーダイオード又はｐｌｎダイオードを意味し、その他
の非対称非直線性スイッチング素子、例えばベース−コ
レクタ接合を短絡したバイポーラトランジスタ又はゲー
ト・ドレイン領域をに目互接続した＋、＋ＯＳ トラ
ンジスタを意味しないものとする。
本発明の好適な例では表示装置に、列内の２つの順次の
画素を毎回非対称非直線性スイッチング素子を経て共通
の行電極に接続し、この共通の行電極から２つの順次の
画素の各々に関連する他の行電極にみて、スイッチング
素子を同一方向にバイアスし、且つ（ｉ＋１）番目の行
電極に第１組の非選択電圧に関連する電圧を供給し得る
ように駆動する駆動回路を設ける。第２及び第４非選択
電圧並びに第１及び第３非選択電圧を夫々絶対値がほぼ
同一となるように選定し、且つ選択電圧も同様に選定す
ることによって３つの電圧レベルで充分な駆動を行い得
るようにする。
画素を毎回非対称非直線性スイッチング素子を経て共通
の行電極に接続し、この共通の行電極から２つの順次の
画素の各々に関連する他の行電極にみて、スイッチング
素子を同一方向にバイアスし、且つ（ｉ＋１）番目の行
電極に第１組の非選択電圧に関連する電圧を供給し得る
ように駆動する駆動回路を設ける。第２及び第４非選択
電圧並びに第１及び第３非選択電圧を夫々絶対値がほぼ
同一となるように選定し、且つ選択電圧も同様に選定す
ることによって３つの電圧レベルで充分な駆動を行い得
るようにする。
かかる“３レベル”の駆動を行うことによってダイオー
ドのカットオフ電圧を著しく減少し、従って漏洩電流に
よる画像の劣化を防止し得ることを確かめた。
ドのカットオフ電圧を著しく減少し、従って漏洩電流に
よる画像の劣化を防止し得ることを確かめた。
例えば、各行電極を第１のスイッチを経て選択電圧の接
続部に導電的に接続し得るか又は第２のスイッチを経て
所望の接続点に導電的に接続し得るようにし、この所望
の接続点を第３又は第４のスイッチを経て１組の非選択
電圧の接続点に導電的に接続し得るようにして所望の駆
動を行うことができる。
続部に導電的に接続し得るか又は第２のスイッチを経て
所望の接続点に導電的に接続し得るようにし、この所望
の接続点を第３又は第４のスイッチを経て１組の非選択
電圧の接続点に導電的に接続し得るようにして所望の駆
動を行うことができる。
かかる駆動は、シフトレジスタ又は他のレジスタより成
るレジスタ段から、１：ｎデコーダにより行うことがで
き、この場合にはレジスタ段に記憶された情報を所望レ
ベルの電圧に変換する保持回路兼増幅段を設ける必要が
ある。
るレジスタ段から、１：ｎデコーダにより行うことがで
き、この場合にはレジスタ段に記憶された情報を所望レ
ベルの電圧に変換する保持回路兼増幅段を設ける必要が
ある。
又、スイッチとして例えばｎチャンネルＭＯ３トランジ
スタを選定したが、ｐチャンネルＭＯ３）ランジスタ又
は両ＭＯ３）ランジスタ或いはバイポーラトランジスタ
を用いることもできる。
スタを選定したが、ｐチャンネルＭＯ３）ランジスタ又
は両ＭＯ３）ランジスタ或いはバイポーラトランジスタ
を用いることもできる。
図面につき本発明を説明する。
第１図は本発明表示装置の一部分の断面を示す。
この表示装置１には２個の支持プレート２及び３を設け
、これら支持プレート間に液晶４を介在させるようにす
る。支持プレート２及び３の内面には電気的且つ化学的
絶縁層５を設ける。又、支持プレート２及び３には夫々
多数の画像電極６及び７を行列配置に設ける。従って互
いに対向する画像電極６及び７によって表示装置の画素
を構成する。画像電極７の列間には細条状列電極１１を
設ける。これら列電極及び画像電極７は細条状電極に一
体化するのが有利である。画像電極６０行間には細条状
行電極８ａ、 ８ｂ、 ８ｃ、 ８ｄ・を設ける。各画
像電極６は第１図には示さないダイオード９ａ。
、これら支持プレート間に液晶４を介在させるようにす
る。支持プレート２及び３の内面には電気的且つ化学的
絶縁層５を設ける。又、支持プレート２及び３には夫々
多数の画像電極６及び７を行列配置に設ける。従って互
いに対向する画像電極６及び７によって表示装置の画素
を構成する。画像電極７の列間には細条状列電極１１を
設ける。これら列電極及び画像電極７は細条状電極に一
体化するのが有利である。画像電極６０行間には細条状
行電極８ａ、 ８ｂ、 ８ｃ、 ８ｄ・を設ける。各画
像電極６は第１図には示さないダイオード９ａ。
９ｂ、 １９ａ、 １９ｂによって２個の行電極８に接
続する。
続する。
ダイオード９及び１９によって列電極１１に印加した電
圧に対し充分なスレシホルドで行電極８の電圧を液晶４
に印加すると共にこの液晶４にメモリ作用を呈せしめる
ようにする。又、支持プレート２及び３の内面に液晶配
向層１０を設け、これによって電極６．７．８及び１１
を被覆する。既知のように液晶層４の両端間に電圧を印
加することにより液晶分子の異なる配向状態従って光学
的に異なる状態を得るようにする。表示装置は透過型又
は反射型の装置とすることができる。
圧に対し充分なスレシホルドで行電極８の電圧を液晶４
に印加すると共にこの液晶４にメモリ作用を呈せしめる
ようにする。又、支持プレート２及び３の内面に液晶配
向層１０を設け、これによって電極６．７．８及び１１
を被覆する。既知のように液晶層４の両端間に電圧を印
加することにより液晶分子の異なる配向状態従って光学
的に異なる状態を得るようにする。表示装置は透過型又
は反射型の装置とすることができる。
第２図は第１図の表示装置に生ずる表示セルの透過電圧
特性を示す。第２図から明らかなように所定のスレシホ
ルド電圧Ｌ （又はＶＴＨＲ）以下ては表示セルは光を
殆ど透過しないが、所定の飽和電圧Ｖ２（ＶＳＡＴ ）
以上では表示セルは光をほぼ完全に透過する。この場合
電圧の絶対値を横軸に沿ってプロットした。その理由は
かかる表示セルは通常交流電圧で駆動されるからである
。
特性を示す。第２図から明らかなように所定のスレシホ
ルド電圧Ｌ （又はＶＴＨＲ）以下ては表示セルは光を
殆ど透過しないが、所定の飽和電圧Ｖ２（ＶＳＡＴ ）
以上では表示セルは光をほぼ完全に透過する。この場合
電圧の絶対値を横軸に沿ってプロットした。その理由は
かかる表示セルは通常交流電圧で駆動されるからである
。
第３図は本発明表示装置の１部分の第１例を示す。
第３図において画素１２はその１端を画像電極７を経て
列電極１１に接続し、この列電極は行電極８と相俟って
マトリックスの形態に配列する。又画素１２の他端をダ
イオード９ａ、 ９ｂ、 １９ａ、 １９ｂを経て行電
極８に夫々接続する。この場合、例えば、行電極８ｂを
ダイオード９ｂを経て画素１２ａに接続すると共にダイ
オード１９ａを経て画素１２ｂに接続するため、この行
電極８ｂは画素１２ａ及び１２ｂに対し共通とする。同
様に行電極８ｃを画素１２ｂ及び１２Ｃに対して共通と
する。その理由はこの行電極をダイオード１９ｂ及び９
ａ・・を経てこれら画素に接続するからである。
列電極１１に接続し、この列電極は行電極８と相俟って
マトリックスの形態に配列する。又画素１２の他端をダ
イオード９ａ、 ９ｂ、 １９ａ、 １９ｂを経て行電
極８に夫々接続する。この場合、例えば、行電極８ｂを
ダイオード９ｂを経て画素１２ａに接続すると共にダイ
オード１９ａを経て画素１２ｂに接続するため、この行
電極８ｂは画素１２ａ及び１２ｂに対し共通とする。同
様に行電極８ｃを画素１２ｂ及び１２Ｃに対して共通と
する。その理由はこの行電極をダイオード１９ｂ及び９
ａ・・を経てこれら画素に接続するからである。
本発明表示装置は次に示すように駆動する。例えば奇数
フィールド周期中ライン（行電極）８ａ、８ｃ。
フィールド周期中ライン（行電極）８ａ、８ｃ。
８ｅ・・・を順次選択する（本例では低電圧とする）。
従って画素１２ａにより構成するコンデンサを、第１の
画素ラインの情報に相当する列電極１１の情報に依存し
て、ダイオード９ａを経て放電させる。次いで画素１２
ｂを、列電極１１の情報に依存してダイオード１９ｂを
経て放電させると共に画素１２Ｃをダイオード９ａを経
て放電させる。これら画素を選択しない場合には奇数ラ
イン３ａ、、 ３ｃ、 ｇｅに高電圧を供給すると共に
偶数ライン（行電極）３ｂ、 ８ｄ、 ８ｆ にかかる
低電圧を供給して選択した奇数行電極に接続されたダイ
オード９ａ、 １９ｂのみを導通状態とし、その他のダ
イオード全部を非導通状態にし得るようにする。
画素ラインの情報に相当する列電極１１の情報に依存し
て、ダイオード９ａを経て放電させる。次いで画素１２
ｂを、列電極１１の情報に依存してダイオード１９ｂを
経て放電させると共に画素１２Ｃをダイオード９ａを経
て放電させる。これら画素を選択しない場合には奇数ラ
イン３ａ、、 ３ｃ、 ｇｅに高電圧を供給すると共に
偶数ライン（行電極）３ｂ、 ８ｄ、 ８ｆ にかかる
低電圧を供給して選択した奇数行電極に接続されたダイ
オード９ａ、 １９ｂのみを導通状態とし、その他のダ
イオード全部を非導通状態にし得るようにする。
偶数フィールド周期中行電極８ｂ、 ８ｄ、 ８ｆ・・
・を〕頃次選択して（高電圧として）画素１２ａ及び１
２ｂと、１２Ｃ及び１２ｄ・・・とによって構成するコ
ンデンサを、第２、第４画素ライン等の情報に相当する
列電極１１の情報により充電する。その理由は画素１２
を行電極８ｂ、 Ｓｄ、 ・・にｔよ続するダイオー
ド９ｂ及び１９ａが順次に導通状態となり且つ他の選択
ライン（即ち非選択偶数ライン及び奇数ライン）の電圧
を他のダイオードの全部が非導通状態となるように選定
し得るからである。
・を〕頃次選択して（高電圧として）画素１２ａ及び１
２ｂと、１２Ｃ及び１２ｄ・・・とによって構成するコ
ンデンサを、第２、第４画素ライン等の情報に相当する
列電極１１の情報により充電する。その理由は画素１２
を行電極８ｂ、 Ｓｄ、 ・・にｔよ続するダイオー
ド９ｂ及び１９ａが順次に導通状態となり且つ他の選択
ライン（即ち非選択偶数ライン及び奇数ライン）の電圧
を他のダイオードの全部が非導通状態となるように選定
し得るからである。
かようにして各画素を完全な１フレ一ム周期中偶数及び
奇数フィールド周期がらの情報により駆動する。これが
ため、第１及び第２画素ラインの平均情報を第１行の画
素１２ａに書込み、第２及び第３画素ラインの平均情報
を第２行の画素１２ｂに書込み、第３及び第４画像ライ
ンの平均情報を第３行の画素に書込み、以下同様の書込
み作動を行う。
奇数フィールド周期がらの情報により駆動する。これが
ため、第１及び第２画素ラインの平均情報を第１行の画
素１２ａに書込み、第２及び第３画素ラインの平均情報
を第２行の画素１２ｂに書込み、第３及び第４画像ライ
ンの平均情報を第３行の画素に書込み、以下同様の書込
み作動を行う。
これがため選定した構成により、２０ｍ秒（ＰＡＬ方式
）又は１６．７ｍ秒（ＮＴＳＣ方式）の各フィールド周
期中情報を補充すると共に極性反転することができ、し
かもｎ行の画素に対しくｎ＋１）個の行電極（接続部）
を必要とするだけである。かようにしてＰＡＬ信号（５
７５本の可視ライン）又はＮＴＳＣ信号（５２５本の可
視ライン）を受信するに好適なＬＣＤ表示装置を得るこ
とができる。更に非選択行電極の電圧を充分に高く又は
低く選定して他のダイオードの全部を非導通状態にし得
るため、ダイオード９．１９のダイオード特性の広がり
の影響を無視することができる。
）又は１６．７ｍ秒（ＮＴＳＣ方式）の各フィールド周
期中情報を補充すると共に極性反転することができ、し
かもｎ行の画素に対しくｎ＋１）個の行電極（接続部）
を必要とするだけである。かようにしてＰＡＬ信号（５
７５本の可視ライン）又はＮＴＳＣ信号（５２５本の可
視ライン）を受信するに好適なＬＣＤ表示装置を得るこ
とができる。更に非選択行電極の電圧を充分に高く又は
低く選定して他のダイオードの全部を非導通状態にし得
るため、ダイオード９．１９のダイオード特性の広がり
の影響を無視することができる。
図面に示す装置は１個の画素の両端間の平均電圧（第２
図参照）に対し ど を選定する駆動法を用いるに極めて好適である。
図参照）に対し ど を選定する駆動法を用いるに極めて好適である。
この駆動法では画素１２の両端間の電圧の絶対１直をＶ
ＴＩＩＲ及びｖｓＡｒの間の範囲にほぼ限定する。これ
は、Ｓ Ｉ Ｄ８４． ダイジェスト第３２４−５頁
にニス・トガシ外により発表された論文“ａ−３ｉ ダ
イオードリングにより制御されるＬＣＴＶ表示装表示装
置−詳細に記載されている。
ＴＩＩＲ及びｖｓＡｒの間の範囲にほぼ限定する。これ
は、Ｓ Ｉ Ｄ８４． ダイジェスト第３２４−５頁
にニス・トガシ外により発表された論文“ａ−３ｉ ダ
イオードリングにより制御されるＬＣＴＶ表示装表示装
置−詳細に記載されている。
ダイオード９，１９に対し駆動電圧をＶ。、オン・オフ
電圧をＶ。ＮとよびＶ。ＦＦ とすると、画素１５ａを
選択するには奇数フィールド周期中平均電圧■ｃ＝
Ｖ２ （ＶＳＡＴ Ｉ ＶＴＩＩＲ）を必要とし、偶数
フィールド周期中平均電圧Ｖｃ −’Ａ （ＶＳＡＴ＝
ＶＴＩ（Ｒ）を必要とする。
電圧をＶ。ＮとよびＶ。ＦＦ とすると、画素１５ａを
選択するには奇数フィールド周期中平均電圧■ｃ＝
Ｖ２ （ＶＳＡＴ Ｉ ＶＴＩＩＲ）を必要とし、偶数
フィールド周期中平均電圧Ｖｃ −’Ａ （ＶＳＡＴ＝
ＶＴＩ（Ｒ）を必要とする。
オン電圧Ｖ。Ｎはダイオードを流れる電流が充分に大き
く画素に関連するコンデンサを迅速に充電する電圧とし
、オフ電圧ＶＯＦＦは関連する電流を充分小さくしてこ
のコンデンサが充分に放電されないような電圧に選定す
る。
く画素に関連するコンデンサを迅速に充電する電圧とし
、オフ電圧ＶＯＦＦは関連する電流を充分小さくしてこ
のコンデンサが充分に放電されないような電圧に選定す
る。
列電極１１の情報に依存して画素１２ａにより構成され
るコンデンサを駆動中行電極８を経て最大電圧ＶＣ＋
Ｖ［１１４ＡＸ＝ ＶＳＡＴ及び最小電圧ＶＣ−ＶＤ！
＋ＡＸ＝ｖ１□間の電圧値に放電又は充電する場合には
階調（グレースケール）に関する限り良好な結果を得る
ことができた。上記電圧から平均電圧Ｖ。を除去すると
次式で示す電圧を得ることができる。
るコンデンサを駆動中行電極８を経て最大電圧ＶＣ＋
Ｖ［１１４ＡＸ＝ ＶＳＡＴ及び最小電圧ＶＣ−ＶＤ！
＋ＡＸ＝ｖ１□間の電圧値に放電又は充電する場合には
階調（グレースケール）に関する限り良好な結果を得る
ことができた。上記電圧から平均電圧Ｖ。を除去すると
次式で示す電圧を得ることができる。
Ｖｎ ＷＡＸ ＝’Ａ （ＶＳＡＴ ＶＴＨＲ）
−−（ａ）他の画素を選択すると、列電極１１に−Ｖ
Ｄ、ＩＡＸ及び十Ｖ［１）ＩＡＸ間の電圧全部が発生す
るようになる。
−−（ａ）他の画素を選択すると、列電極１１に−Ｖ
Ｄ、ＩＡＸ及び十Ｖ［１）ＩＡＸ間の電圧全部が発生す
るようになる。
奇数フィールド周期中接点１５の最大電圧及び最小電圧
は容量結合により夫々次式で示すようになる。
は容量結合により夫々次式で示すようになる。
ＶｌｌｌＮ−ＶＤＭＡＸ ＶｓＡｔ 及びＶＩＸ＝
ＶＤｌＩＡＸ＋ＶＳＡＴ 他の行電極８を選定する場合には接点１５は他の電極８
を経て放電せず従って奇数電極に対して次式が成立する
ようになる。
ＶＤｌＩＡＸ＋ＶＳＡＴ 他の行電極８を選定する場合には接点１５は他の電極８
を経て放電せず従って奇数電極に対して次式が成立する
ようになる。
ＶＮＯＮＳＥＬ＋ ｖｏｐｐ≧Ｖ）ｌＡＸ＝ ＶｎｘＡ
ｘ＋ＶＳＡ？又は又は、偶数電極に対しては次式が成立
する。
ｘ＋ＶＳＡ？又は又は、偶数電極に対しては次式が成立
する。
ｖｅｎ
更に選択電圧に対しては次式が成立する。
ｖｅｎ
列電極１１の情報（データ）は各フィールド周期中符号
が逆となる。
が逆となる。
次式で示す上述した電圧は第４図に示す回路によって得
ることができる。
ることができる。
行電極８の各々とスイッチ２２及び２３、本例ではｎチ
ャンネルＭＯＳトランジスタを経て入力導線２４．２５
゜２６、２７に接続する。行電極８をトランジスタ２２
．２３のドレイン領域３３に導電的に接続し、奇数ライ
ン３ａ。
ャンネルＭＯＳトランジスタを経て入力導線２４．２５
゜２６、２７に接続する。行電極８をトランジスタ２２
．２３のドレイン領域３３に導電的に接続し、奇数ライ
ン３ａ。
８ｃ、 ８ｅ、 ８ｇ、 ・・・を駆動するトランジス
タ２２．２３のソｇｆ、 ３ｈ、 ・・・を駆動する
トランジスタ２２．２３のソース例では偶数及び奇数電
極に対しシフトレジスタ２０及び２０′から夫々駆動す
る。レジスタ段３０の出力導線３１をトランジスタ２３
のゲート電極３５に導電的に接続し、レジスタ段３０の
相補出力導線３２をトランジスタ２２のゲート電極３５
に導電的に接続する。シフトレジスタ２０．２０’の第
ルジスタ段を人力導線２１．２１’を経て高電圧状態（
１）とし、他のレジスタ段の全部を低電圧状態（０）と
する。これがためこのレジスタ段に関連するｎチャンネ
ルＭＯ３）ランジスタ２３が導通を開始し、従って関連
する行電極８を電圧ＶＳＥＬの点に接続する。かくして
相補出力導線３２が低電圧状態となりこのレジスタ段に
関連するトランジスタ２２が非導通状態となる。
タ２２．２３のソｇｆ、 ３ｈ、 ・・・を駆動する
トランジスタ２２．２３のソース例では偶数及び奇数電
極に対しシフトレジスタ２０及び２０′から夫々駆動す
る。レジスタ段３０の出力導線３１をトランジスタ２３
のゲート電極３５に導電的に接続し、レジスタ段３０の
相補出力導線３２をトランジスタ２２のゲート電極３５
に導電的に接続する。シフトレジスタ２０．２０’の第
ルジスタ段を人力導線２１．２１’を経て高電圧状態（
１）とし、他のレジスタ段の全部を低電圧状態（０）と
する。これがためこのレジスタ段に関連するｎチャンネ
ルＭＯ３）ランジスタ２３が導通を開始し、従って関連
する行電極８を電圧ＶＳＥＬの点に接続する。かくして
相補出力導線３２が低電圧状態となりこのレジスタ段に
関連するトランジスタ２２が非導通状態となる。
池のレジスタ段の全部が低電圧状態（０）となると、相
補出力導線３２により駆動される関連のトランジスタ２
２が導通状態となり従って他の行電極の全部を電圧ＶＮ
ＯＮＳＥＬＯ点に接続する。
補出力導線３２により駆動される関連のトランジスタ２
２が導通状態となり従って他の行電極の全部を電圧ＶＮ
ＯＮＳＥＬＯ点に接続する。
次いで、ルジスタ段全体を次のクロック周期で“１”だ
けシフトして次のレジスタ段を高電圧状態とし、従って
第１シフト段が再び低電圧状態（０）となり、かかる作
動を繰返す。第４図の例では奇数フィールドに関連する
第３シフト役を“１”にシフトし、即ち行電極８ｅを電
圧ＶＳＩ！Ｌの点に接続し、他極を選択し、その後この
サイクルを繰返す。第５図は奇数行電極（実線）及びこ
れに続く偶数行電極（一点鎖線）に対する関連の電圧変
化を示す。
けシフトして次のレジスタ段を高電圧状態とし、従って
第１シフト段が再び低電圧状態（０）となり、かかる作
動を繰返す。第４図の例では奇数フィールドに関連する
第３シフト役を“１”にシフトし、即ち行電極８ｅを電
圧ＶＳＩ！Ｌの点に接続し、他極を選択し、その後この
サイクルを繰返す。第５図は奇数行電極（実線）及びこ
れに続く偶数行電極（一点鎖線）に対する関連の電圧変
化を示す。
図示のｎ型トランジスタの代わりにｎ型トランジスタを
用いることもてき、この場合にはシフトレジスタの反転
出力及び非反転出力を交換する必要がある。或いは又、
回路を例えば相補トランジスタのゲート電極をシフトレ
ジスタの１方の出力又は１：Ｎデコーダにより駆動する
ようにしたＣＭＯＳトランジスタによって形成すること
ができる。
用いることもてき、この場合にはシフトレジスタの反転
出力及び非反転出力を交換する必要がある。或いは又、
回路を例えば相補トランジスタのゲート電極をシフトレ
ジスタの１方の出力又は１：Ｎデコーダにより駆動する
ようにしたＣＭＯＳトランジスタによって形成すること
ができる。
上述した電圧レベルではダイオード９のカットオフ電流
を最大カットオフ電圧で充分小さくして情報の損失を防
止し得るようにする必要がある。このカットオフ電圧は
次式で表わすことができる。
を最大カットオフ電圧で充分小さくして情報の損失を防
止し得るようにする必要がある。このカットオフ電圧は
次式で表わすことができる。
３ ＶＳＡＴ ＶＴＨＲＶＯＦＦ
ここにＶ。１．は、漏洩電流がいまだ無視するに充分大
きさであるダイオードの順方向電圧である。
きさであるダイオードの順方向電圧である。
液晶（ＭＥＲＣＫ、 ＺＬＩ８４４６０） ＋、：対
しテｔｉ ＶＳＡＴ＝３．６Ｖ。
しテｔｉ ＶＳＡＴ＝３．６Ｖ。
ＶＴＨＲさ２．１ｖであり、ダイオードに対してはＶ。
ＦＦ＝０．４Ｖ、 ＶｘＡｘｓｐＥＲ＝８．３Ｖテあり
、これは許容し得ない高い漏洩電流を示す。
、これは許容し得ない高い漏洩電流を示す。
式（ｂ）、 （ｃ）、 Ｃｄ）、 （ｅ）の導出に当
り、出発点を接点１５で最大電圧掃引を２ ＶＳＡＴと
する。しかし、理想的な場合、奇数フィールドの１ライ
ンの書込み後、書込まれた行の画素１２により形成され
るコンデンサの電圧は、極限１直−ＶＴＨｌｌ及び−Ｖ
ＳＡＴ間の値となる。従って奇数フィールドの１ライン
の書込み後接点１５の極限値は次式で表される。
り、出発点を接点１５で最大電圧掃引を２ ＶＳＡＴと
する。しかし、理想的な場合、奇数フィールドの１ライ
ンの書込み後、書込まれた行の画素１２により形成され
るコンデンサの電圧は、極限１直−ＶＴＨｌｌ及び−Ｖ
ＳＡＴ間の値となる。従って奇数フィールドの１ライン
の書込み後接点１５の極限値は次式で表される。
Ｖ）ＩＩＮ” ＶＳＡＴ ＶＤｌｎＡＸＶ）ＩＡＸ
” ＶＴＨＲ＋ＶＤＭＡＸ又奇数電極に対しては次式
が成立する。
” ＶＴＨＲ＋ＶＤＭＡＸ又奇数電極に対しては次式
が成立する。
更に偶数電極に対しては次式が成立する。
Ｖ）ＩＯＭｓＥＬ ＶＯＦＦ＜： Ｖ）ＩＩ）ｌ＝
ＶＳＡＴ Ｖ［１ＸＡＸｖｅｎ 又は Ｖ Ｎ０Ｍ５ＥＬ≦Ｚ（ＶｓＡｒ ＶＴＨＲ） ＶＳ
ＡＴ＋ＶＯＦＦ ・”（ｇ）ｖｅｎ 又、電圧ＶＳＥＬに対しては次式が成立する。
ＶＳＡＴ Ｖ［１ＸＡＸｖｅｎ 又は Ｖ Ｎ０Ｍ５ＥＬ≦Ｚ（ＶｓＡｒ ＶＴＨＲ） ＶＳ
ＡＴ＋ＶＯＦＦ ・”（ｇ）ｖｅｎ 又、電圧ＶＳＥＬに対しては次式が成立する。
同様に偶数フィールドの１ラインの書込み後画素１２に
より形勢されるコンデンサの非選択電圧は多くともＶＳ
ＡＴ及び少なくともＶ、□となる。従ってｆｊｓ ａフ
ィールドの１ラインの書込み後接点１５の極限電圧に対
しては次式が成立する。
より形勢されるコンデンサの非選択電圧は多くともＶＳ
ＡＴ及び少なくともＶ、□となる。従ってｆｊｓ ａフ
ィールドの１ラインの書込み後接点１５の極限電圧に対
しては次式が成立する。
ＶＸ’ＩＮ””ＶＴＩ（ＲＶＤＭＡＸ
Ｖ１４ＡＮ＝ ＶＳＡＴ＋ ＶＤＸＡＸ又偶数フィール
ドの１ラインの書込み後偶数及び奇数電極の非選択電圧
に対しては次式が成立する。
ドの１ラインの書込み後偶数及び奇数電極の非選択電圧
に対しては次式が成立する。
ＶＩＩＯ）ＩＳＥＬ Ｖｏｐｐ＜Ｖｘ＋５＝Ｖｔｏｉ
ＶＤＩＩＡＸｖｅｎ Ｖ Ｎ０ＮＳＥＬ≦−！”Ｆ（ｖｓＡｒ ＶＴＨＲ）
＋ ＶＴＨｌｌ ＶＯＦＦ ・”（ｈ）ｖｅｎ 及び 更に偶数フィールド中の選択電圧に対しては次式が成立
する。
ＶＤＩＩＡＸｖｅｎ Ｖ Ｎ０ＮＳＥＬ≦−！”Ｆ（ｖｓＡｒ ＶＴＨＲ）
＋ ＶＴＨｌｌ ＶＯＦＦ ・”（ｈ）ｖｅｎ 及び 更に偶数フィールド中の選択電圧に対しては次式が成立
する。
ＶＳＩ：Ｌ ＝ ’Ａ （ＶＳＡＴ＋ ＶＴＨＲ） ＋
Ｖｏｌｔ −（ｅＪ偶数フィールド 画素を駆動するためには各ライン電極を３電圧レベルと
するものとする。
Ｖｏｌｔ −（ｅＪ偶数フィールド 画素を駆動するためには各ライン電極を３電圧レベルと
するものとする。
第６図は例えば最初の３個の奇数行電極（実線で示す）
及び次の行電極（鎖線で示す）に対する電圧変化を示す
。
及び次の行電極（鎖線で示す）に対する電圧変化を示す
。
要約すると、これら電圧レベルは次式で示すようになる
。
。
奇数フィールド
ｖｓｎ： ＝ ＶＮＯ）１５１：Ｌ＝ ’Ａ
（Ｖｓ Ａｔ Ｖｔｏ＊） ＶＳＡＴ
＋ＶＯＦＦ ”’ｔＦ！＝ｍ 偶数フィールド Ｖ Ｓｔ ＝ＶｓＥＬ＝Ｚ （ＶｓＡｔ＋Ｖｒｎｉ）
＋ＶＯＸ ・＝（ｃ）ｖｅｎ ＶｎＳ：＝ＶＮＯＮＳＥＬ＝ ’Ａ （ＶＳＡＴ
ＶＴＮＩ） ＋ＶＴＩＩＲＶＯＦＦ 、”Ｃｈｉ又次式
が成立する。
（Ｖｓ Ａｔ Ｖｔｏ＊） ＶＳＡＴ
＋ＶＯＦＦ ”’ｔＦ！＝ｍ 偶数フィールド Ｖ Ｓｔ ＝ＶｓＥＬ＝Ｚ （ＶｓＡｔ＋Ｖｒｎｉ）
＋ＶＯＸ ・＝（ｃ）ｖｅｎ ＶｎＳ：＝ＶＮＯＮＳＥＬ＝ ’Ａ （ＶＳＡＴ
ＶＴＮＩ） ＋ＶＴＩＩＲＶＯＦＦ 、”Ｃｈｉ又次式
が成立する。
軒数フィールド 偶数フィールドこの３−レベル
駆動法に対し導出された電圧ではダイオード９の両端の
最大カットオフ電圧（１フイールド内）を次式で表わす
ことができる。
駆動法に対し導出された電圧ではダイオード９の両端の
最大カットオフ電圧（１フイールド内）を次式で表わす
ことができる。
２ ＶＳＡＴ Ｖｔ□−Ｖ。ＦＦ
上式から明らかなように最大カントオフ電圧は値（ＶＳ
ＡＴ ＋ Ｖ ＴＨＲ）だけ減少して上側ではほぼ２．
６Ｖとなる。かかるカットオフ電圧では漏洩電流は極め
て少ない。又、カットオフ電圧が減少したため、カット
オフ電圧の低いダイオードを用いることができる。
ＡＴ ＋ Ｖ ＴＨＲ）だけ減少して上側ではほぼ２．
６Ｖとなる。かかるカットオフ電圧では漏洩電流は極め
て少ない。又、カットオフ電圧が減少したため、カット
オフ電圧の低いダイオードを用いることができる。
例えば５１２本の行電砿を有する表示装置の主要の電圧
変化を下表に示す。
変化を下表に示す。
この表から明らかなように、例えばｖＳｏ■電、王で奇
数行電極ｌを選択すると、次の偶数行電極（ｌ＋１）を
前の偶数電極全部と同様に選択電圧Ｖｎｓ、で駆動する
が奇数電極全部（ｉｎｎ）は非選択電圧Ｖｎｓ、で駆動
する。（ｌ＋１）番目の電極に続く行電極の全部は電圧
Ｖｎｓ、及びＶｎｓｏにより駆動し、これら電圧は偶数
フィールドの表示中時間ｔ２，６から順次行電極に存在
するようになる。これがため、他のフィールドの選択を
必要とするまで種々の型の非選択電圧が保持される。こ
の電圧状態を精密に保持するためにはメモリ機能を必要
とする。この目的のために例えば行電極に互いに結合さ
れ、この行電極の選択時にフリップオーバーする特定の
フリップフロップ回路を設ける。
数行電極ｌを選択すると、次の偶数行電極（ｌ＋１）を
前の偶数電極全部と同様に選択電圧Ｖｎｓ、で駆動する
が奇数電極全部（ｉｎｎ）は非選択電圧Ｖｎｓ、で駆動
する。（ｌ＋１）番目の電極に続く行電極の全部は電圧
Ｖｎｓ、及びＶｎｓｏにより駆動し、これら電圧は偶数
フィールドの表示中時間ｔ２，６から順次行電極に存在
するようになる。これがため、他のフィールドの選択を
必要とするまで種々の型の非選択電圧が保持される。こ
の電圧状態を精密に保持するためにはメモリ機能を必要
とする。この目的のために例えば行電極に互いに結合さ
れ、この行電極の選択時にフリップオーバーする特定の
フリップフロップ回路を設ける。
第７図は特に集積化に好適な回路を示す。その理由は特
定のメモリ機能をシフトレジスタにより得るからである
。この回路は、偶数及び奇数行電極に対し夫々２個のシ
フトレジスタ２０．２０’を具える。第４図の回路に対
し、これらレジスタは特定のレジスタ段４０を構成する
。レジスタ段３０．４０の出力３１．３２によって、ス
イッチ３７．３８、本例ではｎチャンネルＭＯ３）ラン
ジスタを電圧ＶｎＳｏの点に接続するか、又は次のレジ
スタ段３０の状態に従って電圧Ｖｎｓ、及び選択電圧Ｖ
ｓｏの何れを選択するか否かを決めるようにする。この
場合にも回路をｎ型トランジスタの代わりにｐ型トラン
ジスタで構成することができ、或いはその組合せにより
構成することができ、この際駆動は１個のシフトレジス
タの出力側を経て行うことができる。
定のメモリ機能をシフトレジスタにより得るからである
。この回路は、偶数及び奇数行電極に対し夫々２個のシ
フトレジスタ２０．２０’を具える。第４図の回路に対
し、これらレジスタは特定のレジスタ段４０を構成する
。レジスタ段３０．４０の出力３１．３２によって、ス
イッチ３７．３８、本例ではｎチャンネルＭＯ３）ラン
ジスタを電圧ＶｎＳｏの点に接続するか、又は次のレジ
スタ段３０の状態に従って電圧Ｖｎｓ、及び選択電圧Ｖ
ｓｏの何れを選択するか否かを決めるようにする。この
場合にも回路をｎ型トランジスタの代わりにｐ型トラン
ジスタで構成することができ、或いはその組合せにより
構成することができ、この際駆動は１個のシフトレジス
タの出力側を経て行うことができる。
この例においてレジスタ段を高電圧状態（１）とし、前
の段を低電圧状態（０）とする場合には行電極（本例で
は行電極８ｅ、即ち第５番目の行電極）をスイッチ３６
及び３８を経て電圧ｖｓｏＯ点に接続する。次の段３０
の全部がメモリ機能のため高電圧状態（１）にあるため
、次の奇数行電極（７番目、９番目、１１番目、−ｍ−
）は電圧Ｖｎｓ０の点に接続されるようになる。即ち行
電極８ｂ、 ８ｄ、 ８ｆは電圧Ｖｎｓ。
の段を低電圧状態（０）とする場合には行電極（本例で
は行電極８ｅ、即ち第５番目の行電極）をスイッチ３６
及び３８を経て電圧ｖｓｏＯ点に接続する。次の段３０
の全部がメモリ機能のため高電圧状態（１）にあるため
、次の奇数行電極（７番目、９番目、１１番目、−ｍ−
）は電圧Ｖｎｓ０の点に接続されるようになる。即ち行
電極８ｂ、 ８ｄ、 ８ｆは電圧Ｖｎｓ。
の点に接続され、他の偶数行電極の全部は電圧Ｖｎｓ、
の点に接続されるようになる。この状態は、レジスタ２
０及び２０′ にほぼ相補を成す内容を与えることによ
って得ることができろ。
の点に接続されるようになる。この状態は、レジスタ２
０及び２０′ にほぼ相補を成す内容を与えることによ
って得ることができろ。
これがため、行電極３ａ、 ３ｂ及び８ｃに接続されて
書込まれたライン１，２及び３に対しては、ダイオード
の両端の最大カットオフ電圧を著しく減少することがで
きる。その理由は非選択電圧Ｖｎｓｏ及びＶｎｓ、が電
極８ａ、 ８ｃ及び８ｂ、 ８ｄに夫々存在するからで
ある。これは、電圧ＶｎｓｅＯ点に接続された第６番目
の行電極８ｆに対してはあてはまらず、しかも電極８ｇ
を電圧Ｖｎｓ、の点に接続して最大カットオフ電圧を関
連するダイオードに存在させることができるが、これは
１ライン周期に対してのみ継続し、従って関連する画素
は直後の新たな情報により書込むため、可能な漏洩電流
により何等の影響も与えない。奇数フィールド中に次の
行電極（８ｇ）を選択すると、行電極８「及び８ｇ間の
ダイオードのカットオフ電圧を除去することができる。
書込まれたライン１，２及び３に対しては、ダイオード
の両端の最大カットオフ電圧を著しく減少することがで
きる。その理由は非選択電圧Ｖｎｓｏ及びＶｎｓ、が電
極８ａ、 ８ｃ及び８ｂ、 ８ｄに夫々存在するからで
ある。これは、電圧ＶｎｓｅＯ点に接続された第６番目
の行電極８ｆに対してはあてはまらず、しかも電極８ｇ
を電圧Ｖｎｓ、の点に接続して最大カットオフ電圧を関
連するダイオードに存在させることができるが、これは
１ライン周期に対してのみ継続し、従って関連する画素
は直後の新たな情報により書込むため、可能な漏洩電流
により何等の影響も与えない。奇数フィールド中に次の
行電極（８ｇ）を選択すると、行電極８「及び８ｇ間の
ダイオードのカットオフ電圧を除去することができる。
行電極８ｇ、 ８ｉ、 ８ｋを電圧Ｖｎｓ０の点に接続
し、電極８ｈ、 ８ｊ、 ８１を電圧Ｖ ｎ ｓ ”、
の点に接続してダイオードの両端間の最大電圧が同様に
減少し得るようにする。
し、電極８ｈ、 ８ｊ、 ８１を電圧Ｖ ｎ ｓ ”、
の点に接続してダイオードの両端間の最大電圧が同様に
減少し得るようにする。
本発明は上述した例にのみ限定されるものではなく、第
６図に示すような電圧変化が得られる回路においても種
々の変更を加えることができる。
６図に示すような電圧変化が得られる回路においても種
々の変更を加えることができる。
又、本発明は、プロシーディンゲス オブＩＥＥＥ、第
５９巻、第１１号、１９７１年１１月、第１５６６−１
５７９頁、特に第１５７４頁にビー ジェイ レヒナー
等により発表された論文“液晶マトリックス表示装置”
に記載されている、いわゆるａｃ−０２Ｃ法により駆動
される装置に用いることもできる。
５９巻、第１１号、１９７１年１１月、第１５６６−１
５７９頁、特に第１５７４頁にビー ジェイ レヒナー
等により発表された論文“液晶マトリックス表示装置”
に記載されている、いわゆるａｃ−０２Ｃ法により駆動
される装置に用いることもできる。
第８図は、各選択ラインに対し２個の行電極８゜８′を
用い、これら電極間に２個のダイオード９を直列に設け
、これらダイオードの共通接続点を画素に接続するよう
にしたマトリックス装置の一部分を示す。かかるマトリ
ックスに対しても第６図に示す所と同様の駆動レベルを
用いることができる。これらのラインにはその都度２つ
の個別の選択ラインを設けるため、画素の所定行を選択
しても画素の隣接行には何等影響を及ぼさず、従って時
間に対する電圧レベルの変動は殆ど生じない。
用い、これら電極間に２個のダイオード９を直列に設け
、これらダイオードの共通接続点を画素に接続するよう
にしたマトリックス装置の一部分を示す。かかるマトリ
ックスに対しても第６図に示す所と同様の駆動レベルを
用いることができる。これらのラインにはその都度２つ
の個別の選択ラインを設けるため、画素の所定行を選択
しても画素の隣接行には何等影響を及ぼさず、従って時
間に対する電圧レベルの変動は殆ど生じない。
又、本発明はオランダ国特許願第８５０２６６２号明細
書に記載された装置にも用いることができる。
書に記載された装置にも用いることができる。
このオランダ国特許願の装置では、少なくとも１個の第
１の非対称非直線性スイッチング素子を第１行電極と列
電極との間に各画素に直列に設けると共に、同一極性の
少なくとも１個の余分の非対称非直線性スイッチング素
子を第１行電極と、第２行電極との間に第１の非対称非
直線性スイッチンヂ素子に直列に設けるようにしている
。次いで第１行電極を第１非対称非直線性スイツチング
素子に直列に配列された同一極性の第１群の非対称非直
線性スイッチング米子を経て共通接続点に接続し、第２
行電極を余分の非対称非直線性スイッチング異子に直列
に配列された同−峰性の第２群の非対称非直線性素子を
経て共通接続点に接続するようにしている。
１の非対称非直線性スイッチング素子を第１行電極と列
電極との間に各画素に直列に設けると共に、同一極性の
少なくとも１個の余分の非対称非直線性スイッチング素
子を第１行電極と、第２行電極との間に第１の非対称非
直線性スイッチンヂ素子に直列に設けるようにしている
。次いで第１行電極を第１非対称非直線性スイツチング
素子に直列に配列された同一極性の第１群の非対称非直
線性スイッチング米子を経て共通接続点に接続し、第２
行電極を余分の非対称非直線性スイッチング異子に直列
に配列された同−峰性の第２群の非対称非直線性素子を
経て共通接続点に接続するようにしている。
第１図は本発明表示装置の一部分の構成を示す断面図、
第２図は表示装置の表示セルの透過／電圧特性を示す特
性図、 第３図はオランダ［ｉ１特許罪第８５０２（ｉ６３号明
細書による表示装置の駆動回路の一部分を示す回路図、 第４図はこの駆動回路の他の部分を示す回路図、第５図
は行電極の関連する電圧変化を示す波形図、 第６図は本発明による１組の駆動電圧を示す波形図、 第７図は関連する駆動回路を示す回路図、第８図は本発
明表示装置の他の例を示す回路図である。 １・・・表示装置 ２，３・・・支持プレート
４・・・液晶 ５・・・絶縁層６．７・・
・画像電極 ８、３ａ、 ｇｂ、 ８ｃ、 ８ｄ −・−細条状行電
極９、９ａ、 ９ｂ、 １９． １９ａ、 １９ｂ
・・ダイオード１１・・・細条状列電極 １２、１２ａ、 １２ｂ、 １２ｃ、 １２ｄ・・・
画素２０、２０′ ・・ソフトレジスタ ２１、２１’ ・・人力導線 ２２、２３・・・スイッチ（〜１０ｓトランジスタ）２
４．２５．２６．２７・・・入力導線３０、４０・・・
レジスタ段 ３１．３２・・・出力導線３３・・・ド
レイン領域３４・・・ソース領域３５・・・ゲート電極 ３６、３７．３８．３９＝・スインｆＯＪＯ３） ５
ンシｘり）特許出願人 エヌ・ベー・フィリップス
・フルーイランペンファブリケン ＦＩＧ、１ （ＶＴＨＲ’ （ｖＳＡＴ’ ＦＩＧ、２ ＦＩＧ、３
性図、 第３図はオランダ［ｉ１特許罪第８５０２（ｉ６３号明
細書による表示装置の駆動回路の一部分を示す回路図、 第４図はこの駆動回路の他の部分を示す回路図、第５図
は行電極の関連する電圧変化を示す波形図、 第６図は本発明による１組の駆動電圧を示す波形図、 第７図は関連する駆動回路を示す回路図、第８図は本発
明表示装置の他の例を示す回路図である。 １・・・表示装置 ２，３・・・支持プレート
４・・・液晶 ５・・・絶縁層６．７・・
・画像電極 ８、３ａ、 ｇｂ、 ８ｃ、 ８ｄ −・−細条状行電
極９、９ａ、 ９ｂ、 １９． １９ａ、 １９ｂ
・・ダイオード１１・・・細条状列電極 １２、１２ａ、 １２ｂ、 １２ｃ、 １２ｄ・・・
画素２０、２０′ ・・ソフトレジスタ ２１、２１’ ・・人力導線 ２２、２３・・・スイッチ（〜１０ｓトランジスタ）２
４．２５．２６．２７・・・入力導線３０、４０・・・
レジスタ段 ３１．３２・・・出力導線３３・・・ド
レイン領域３４・・・ソース領域３５・・・ゲート電極 ３６、３７．３８．３９＝・スインｆＯＪＯ３） ５
ンシｘり）特許出願人 エヌ・ベー・フィリップス
・フルーイランペンファブリケン ＦＩＧ、１ （ＶＴＨＲ’ （ｖＳＡＴ’ ＦＩＧ、２ ＦＩＧ、３
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、２つの支持プレート間に設けられた電気光学表示媒
体と、各々が前記支持プレートの対向表面に設けられた
２つの画像電極により構成された行列配置の画素群と、
これら画素を駆動するｎ個の行電極及び列電極の群とを
具え、一方の支持プレートに行電極を設け、 他方の支持プレートに列電極を設けるようにした表示装
置において、前記画素と各行電極との間に、１個の列電
極と２個の順次の行電極との間の各画素に直列に非対称
の非直線性スイッチング素子を設け、更に選択電圧によ
り行電極を駆動する駆動回路を設け、これにより、第１
の奇数フィールド又は第２の偶数フィールドからの情報
により画素を駆動するｉ番目の行電極（０＜ｉ≦ｎ）を
選択する際少なくとも第１（ｉ−１）の非選択行電極に
当該フィールドに関連する第１組の非選択電圧の少なく
とも一方を供給し、且つ他の非選択行電極に第２組の非
選択電圧の少なくとも一方を供給するようにしたことを
特徴とする表示装置。 ２、列内の２つの順次の画素を毎回非対称非直線性スイ
ッチング素子を経て共通の行電極に接続し、この共通の
行電極から２つの順次の画素の各々に関連する他の行電
極にみて、スイッチング素子を同一方向にバイアスし、
且つ（ｉ＋１）番目の行電極に第１組の非選択電圧に関
連する電圧を供給するようにしたことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の表示装置。 ３、少なくとも１個の第１の非対称非直線性のスイッチ
ング素子を第１の行電極と列電極との間に各画素に直列
に設け、同一極性の少なくとも１個の余分の非対称非直
線性スイッチング素子を、第１の行電極及び第２の行電
極間に設けられた前記第１の非対称非直線性スイッチン
グ素子に直列に設け、第１の行電極を、前記第１の非対
称非直線性スイッチング素子に直列に配列された同一極
性の第１群の非対称非直線性スイッチング素子を経て共
通接続点に接続すると共に、第２の行電極を、前記余分
の非対称非直線性スイッチング素子に直列に配列された
同一極性の第２群の非対称非直線性スイッチング素子を
経て共通接続点に接続するようにしたことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の表示装置。 ４、各行電極を第１のスイッチを経て選択電圧の接続部
に導電的に接続し得るか又は第２のスイッチを経て所望
の接続点に導電的に接続し得るようにし、この所望の接
続点を第３又は第４のスイッチを経て１組の非選択電圧
の接続点に導電的に接続し得るようにしたことを特徴と
する特許請求の範囲第１項〜第３項の何れかの項に記載
の表示装置。 ５、駆動回路に、メモリ機能を設けるようにしたことを
特徴とする特許請求の範囲第１項〜第４項の何れかの項
に記載の表示装置。 ６、駆動回路に少なくとも１個の１：Ｎデコーダ（Ｎ＞
ｎ）又はシフトレジスタを設けるようにしたことを特徴
とする特許請求の範囲第１項〜第４項の何れかの項に記
載の表示装置。 ７、非対称非直線性スイッチング素子をダイオードとし
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項〜第６項の何
れかの項に記載の表示装置。 ８、電気−光学表示媒体を液晶としたことを特徴とする
特許請求の範囲第１項〜第７項の何れかの項に記載の表
示装置。 ９、電気−光学表示媒体を電気泳動懸濁液としたことを
特徴とする特許請求の範囲第１項〜第７項の何れかの項
に記載の表示装置。 １０、電気−光学表示媒体をエレクトロクロミック材料
としたことを特徴とする特許請求の範囲第１項〜第７項
の何れかの項に記載の表示装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8601373A NL8601373A (nl) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | Weergeefinrichting met verbeterde aansturing. |
| NL8601373 | 1986-05-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62289891A true JPS62289891A (ja) | 1987-12-16 |
Family
ID=19848085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62134746A Pending JPS62289891A (ja) | 1986-05-29 | 1987-05-29 | 表示装置 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4810059A (ja) |
| EP (1) | EP0248471B1 (ja) |
| JP (1) | JPS62289891A (ja) |
| KR (1) | KR950014431B1 (ja) |
| CN (1) | CN87103937A (ja) |
| AU (1) | AU603800B2 (ja) |
| DE (1) | DE3775824D1 (ja) |
| NL (1) | NL8601373A (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8701420A (nl) * | 1987-06-18 | 1989-01-16 | Philips Nv | Weergeefinrichting en werkwijze voor het besturen van een dergelijke weergeefinrichting. |
| EP0296662B1 (en) * | 1987-06-18 | 1992-06-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Display device and method of driving such a device |
| US5268777A (en) * | 1987-12-23 | 1993-12-07 | Seiko Epson Corporation | Driving method of active matrix display having ferroelectric layer as active layer |
| US5282069A (en) * | 1987-12-23 | 1994-01-25 | Seiko Epson Corporation | Active device and active matrix display having ferroelectric layer as active layer |
| GB2219682A (en) * | 1988-06-10 | 1989-12-13 | Philips Electronic Associated | Matrix display device |
| NL8802155A (nl) * | 1988-09-01 | 1990-04-02 | Philips Nv | Weergeefinrichting. |
| NL8802436A (nl) * | 1988-10-05 | 1990-05-01 | Philips Electronics Nv | Werkwijze voor het besturen van een weergeefinrichting. |
| NL8802997A (nl) * | 1988-12-07 | 1990-07-02 | Philips Nv | Weergeefinrichting. |
| US5225821A (en) * | 1988-12-22 | 1993-07-06 | Seiko Epson Corporation | Method for driving an active matrix display and active matrix display |
| DE69016333T2 (de) * | 1989-09-26 | 1995-05-18 | Seiko Epson Corp | Verfahren zum Steuern eines aktiven Matrixanzeigegerätes. |
| JP2843393B2 (ja) * | 1989-12-29 | 1999-01-06 | 沖電気工業株式会社 | 多値レベル出力回路 |
| JP2630663B2 (ja) * | 1990-03-09 | 1997-07-16 | セイコー電子工業株式会社 | 電気光学装置 |
| US6067062A (en) * | 1990-09-05 | 2000-05-23 | Seiko Instruments Inc. | Light valve device |
| JPH05232907A (ja) * | 1991-11-08 | 1993-09-10 | Canon Inc | リセット回路及びそれを有する装置 |
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| WO2005038767A1 (en) * | 2003-10-17 | 2005-04-28 | Scanvue Technologies Llc | Shared select line display |
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| US8098228B2 (en) * | 2007-12-06 | 2012-01-17 | Seiko Epson Corporation | Driving method of electrophoretic display device |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS5757718B2 (ja) * | 1973-10-19 | 1982-12-06 | Hitachi Ltd | |
| GB1502280A (en) * | 1974-12-11 | 1978-03-01 | Secr Defence | Liquid crystal displays |
| US4070663A (en) * | 1975-07-07 | 1978-01-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Control system for driving a capacitive display unit such as an EL display panel |
| US4146876A (en) * | 1977-06-29 | 1979-03-27 | International Business Machines Corporation | Matrix addressed electrochromic display |
| US4203106A (en) * | 1977-11-23 | 1980-05-13 | North American Philips Corporation | X-Y addressable electrophoretic display device with control electrode |
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| US4223308A (en) * | 1979-07-25 | 1980-09-16 | Northern Telecom Limited | LCDs (Liquid crystal displays) controlled by thin film diode switches |
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| NL8103376A (nl) * | 1981-07-16 | 1983-02-16 | Philips Nv | Weergeefinrichting. |
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| US4589733A (en) * | 1984-06-29 | 1986-05-20 | Energy Conversion Devices, Inc. | Displays and subassemblies having improved pixel electrodes |
| EP0182645B1 (en) * | 1984-11-16 | 1991-01-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Active matrix circuit for liquid crystal displays |
| US4715685A (en) * | 1985-03-04 | 1987-12-29 | Energy Conversion Devices, Inc. | Liquid crystal display having potential source in a diode ring |
| JPS62135814A (ja) * | 1985-12-10 | 1987-06-18 | Fuji Electric Co Ltd | 液晶マトリクス表示装置 |
| US4731610A (en) * | 1986-01-21 | 1988-03-15 | Ovonic Imaging Systems, Inc. | Balanced drive electronic matrix system and method of operating the same |
-
1986
- 1986-05-29 NL NL8601373A patent/NL8601373A/nl not_active Application Discontinuation
-
1987
- 1987-05-20 EP EP87200952A patent/EP0248471B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-05-20 DE DE8787200952T patent/DE3775824D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-05-26 CN CN198787103937A patent/CN87103937A/zh active Pending
- 1987-05-26 KR KR87005196A patent/KR950014431B1/ko active IP Right Grant
- 1987-05-27 AU AU73458/87A patent/AU603800B2/en not_active Ceased
- 1987-05-29 US US07/055,494 patent/US4810059A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-05-29 JP JP62134746A patent/JPS62289891A/ja active Pending
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| US4810059A (en) | 1989-03-07 |
| DE3775824D1 (de) | 1992-02-20 |
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| AU603800B2 (en) | 1990-11-29 |
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