JPS62288915A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents
Semiconductor integrated circuitInfo
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- JPS62288915A JPS62288915A JP61134551A JP13455186A JPS62288915A JP S62288915 A JPS62288915 A JP S62288915A JP 61134551 A JP61134551 A JP 61134551A JP 13455186 A JP13455186 A JP 13455186A JP S62288915 A JPS62288915 A JP S62288915A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ECL型半導体集積回路装置に関し、特に消
費電力を減少させて、スタンバイ状態を作り得るECL
型半導体集積回路装置に関する。Detailed Description of the Invention 3. Detailed Description of the Invention [Field of Industrial Application] The present invention relates to an ECL type semiconductor integrated circuit device, and particularly relates to an ECL type semiconductor integrated circuit device that can reduce power consumption and create a standby state.
type semiconductor integrated circuit device.
従来、ECL型半導体集積回路装置は、第2図に示すよ
うに7なる内部回路、8なる人、出力バッフ了回路及び
9なる各種電源発生回路から構成されていた。内部回路
及び入・出力バッフ丁回路のスイッチング電流は、各種
電源発生回路から供給される定電圧を利用した定電流源
によるものだった。Conventionally, an ECL type semiconductor integrated circuit device has been comprised of an internal circuit 7, an output buffer circuit 8, and various power generation circuits 9, as shown in FIG. Switching currents for the internal circuits and input/output buffer circuits were provided by constant current sources using constant voltages supplied from various power generation circuits.
上述した従来のECL型半導体集積回路装置は、定電圧
源で作ら扛た足電流をスイッチング電流としているため
に、常に一定の電流が(jtLれることになる。これは
、そのECL型半導体集積回路装置が、ある装置内で電
源が入っている限り、一定の電力を必要とすることにな
る。Since the conventional ECL type semiconductor integrated circuit device described above uses the current generated by the constant voltage source as the switching current, a constant current (jtL) is always flowing through the ECL type semiconductor integrated circuit device. As long as the device is powered on within the device, it will require constant power.
しかしある装置においては常時すべての部品が動作して
いない場合もあり、この時、従来0ECL型半導体集積
回路装置では動作していないにもかかわらずスイッチン
グ電流が流れ、無駄な電力を消費するという欠点がある
。またあるECL型半導体集積回路装置において、常時
すべての回路が動作していない場合もあり、この時も、
従来のECL半導体集積回路装置では動作していない回
路があるにもかかわらずスイッチング電流が流詐、無駄
な電力を消費するという欠点がめる。However, in some devices, all the components may not be in operation at all times, and in this case, in conventional 0ECL semiconductor integrated circuit devices, switching current flows even though they are not in operation, resulting in wasted power consumption. There is. Also, in some ECL type semiconductor integrated circuit devices, all the circuits may not be operating at all times, and even in this case,
Conventional ECL semiconductor integrated circuit devices suffer from the disadvantage that switching current flows even though some circuits are not operating, resulting in wasted power consumption.
上述した従来QECL型半導体来積回路装置に対し、本
発明は入出力信号レベルと同レベルの信号により、内部
の複数の電源発生回路の発生電圧を各々制御することに
より、消費電力を減らすという独創的内容を有する。In contrast to the conventional QECL type semiconductor integrated circuit device described above, the present invention is an original technology that reduces power consumption by controlling the generated voltages of a plurality of internal power generation circuits using signals at the same level as the input/output signal level. It has a certain content.
本発明のECLm半導体集槓回路装置は、入出力信号レ
ベルと同一レベルの信号により、発生電圧を制御できる
2個以上の電源発生回路と、電源発生回路を制御する2
個以上の信号端子を有している。The ECLm semiconductor integrated circuit device of the present invention includes two or more power generation circuits that can control the generated voltage by a signal at the same level as the input/output signal level, and two or more power generation circuits that control the power generation circuit.
It has more than one signal terminal.
次に本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
第1図は、本発明の一実施例である。1は内部回路、2
は人力または、出力バッフ子回路、3は電源供給端子、
4は信号端子である。内部回路は、1−a、l−b、1
−C,及び1−dのブo、7りに別かれており、各々の
内部回路のクロックは谷々5−a 、 5−b 、 5
−c 、及び5−d(7)電源発生回路制御信号端子へ
の信号により制御される各々5−a 、 5−b 、
5−c及び6−dの電源発生回路に接続されている。次
に入出力信号レベルで発生電圧を制御できる電源発生回
路を図−3により説明する。破線左側の回路は従来のバ
ンド・ギャップリファレンス回路と呼ばれる電源発生回
路でおり、破線右側の回路は電源発生回路を制御する回
路である。10の電源発生回路制御端子にECLレベル
(−0,8V〜−1,6V) を入力することにより
、トランジスター1のベース電位は−3,2v〜−46
0■にレベルシフトされる。12の電源を−4,5■と
すると10のスイッチングによす、トランジスター1の
ベース電位は、トランジスタBのベース電位よ勺低くな
っfcル高くなったルし、トランジスター3のコレクタ
電流ICは流れたシ、流れなかったりする。■。が流れ
た時の値■。=IX10−3A。FIG. 1 shows one embodiment of the present invention. 1 is internal circuit, 2
is human power or output buffer circuit, 3 is power supply terminal,
4 is a signal terminal. The internal circuits are 1-a, 1-b, 1
-C, and 1-d are divided into 7 blocks, and the clocks of each internal circuit are 5-a, 5-b, 5.
-c, and 5-d (7) 5-a, 5-b, respectively controlled by a signal to the power generation circuit control signal terminal.
It is connected to the power generation circuits 5-c and 6-d. Next, a power generation circuit that can control the generated voltage based on the input/output signal level will be explained with reference to FIG. The circuit on the left side of the broken line is a power generation circuit called a conventional band gap reference circuit, and the circuit on the right side of the broken line is a circuit that controls the power generation circuit. By inputting the ECL level (-0,8V to -1,6V) to the power generation circuit control terminal 10, the base potential of transistor 1 changes from -3,2V to -46V.
The level is shifted to 0■. When the power supply of transistor 12 is set to -4.5■, the base potential of transistor 1 becomes much lower than the base potential of transistor B and becomes higher than that of transistor B due to the switching of transistor 10, and the collector current IC of transistor 3 flows as follows. Sometimes it doesn't flow. ■. The value when flows ■. =IX10-3A.
!
I、 が流れない時の値■。、=IX10″A とす
ると定電圧出力端子14の電圧変動△■は、= 0.
36V (T−300@K)となる。出力された
定電圧が第4図に示したカレントスイッチの15なる定
電圧印加端子に印加される。したがって、電圧変動Δ■
による消費電圧の差dは、電源電圧■E と16なる抵
抗の値Rとすれば
・・・・・・・・・ (2)
以上示したように、第3図の10なる電圧発生回路制御
端子をECLレベルの@lH”レベル=−0,8V
にすることにより、各ゲートあたシ(2)で示した値だ
け消費電力を減少きせることができる。! The value when I, does not flow■. , = IX10''A, the voltage fluctuation △■ of the constant voltage output terminal 14 is = 0.
36V (T-300@K). The output constant voltage is applied to a constant voltage application terminal 15 of the current switch shown in FIG. Therefore, the voltage fluctuation Δ■
The difference d in the voltage consumption due to the power supply voltage ■E and the resistance value R of 16 is... (2) As shown above, the voltage generation circuit control of 10 in Fig. 3 Connect the terminal to ECL level @lH” level = -0,8V
By doing so, the power consumption can be reduced by the value indicated by each gate value (2).
第1図の内部回路の例を第5図に示す。17はD−F、
F、、18はクロック・ドライバであ)、内部回路は、
19−a 、 19−b 、 19−c及び19−dの
クロックに別れてアう、各々のブロックは、2段のシフ
トレジスタ、4段のシフトレジスタ、6段のシフトレジ
スタ及びクロックドライバーを構成し、第1図の1
a*1−b、1−c、及び1−dに配置されている。本
実施例のECL型半導体集積回路装置内のある回路、た
とえば2段のシフトレジスタが実装状態で、ある時間動
作する必要がない場合、2段のシフトレジスタに定電圧
を供給している電源発生回路を制御する信号端子へEC
Lレベルの″H″レベルーo、8Vk入力fることによ
り、2段のシフトレジスタ内のスイッチング電流を減ら
し、消費電力を減らすことができる。An example of the internal circuit of FIG. 1 is shown in FIG. 17 is D-F,
F, , 18 is a clock driver), and the internal circuit is as follows:
Each block is divided into clocks 19-a, 19-b, 19-c, and 19-d, and each block constitutes a 2-stage shift register, a 4-stage shift register, a 6-stage shift register, and a clock driver. 1 in Figure 1
They are arranged at a*1-b, 1-c, and 1-d. When a certain circuit in the ECL type semiconductor integrated circuit device of this embodiment, for example, a two-stage shift register, is mounted and does not need to operate for a certain period of time, the power source that supplies constant voltage to the two-stage shift register EC to the signal terminal that controls the circuit
By changing the "H" level to the "L" level and the 8Vk input f, the switching current in the two-stage shift register can be reduced and power consumption can be reduced.
第6図は本発明の実施例2である。20は内部回路、2
1は入力または出力バッフ了回路、22は電源供給端子
、23は入出力端子である。内部回路は、各々20−a
、20−b及び20−cのブロック別 かれており、各
々の内部回路のブロックFi谷々24−a 、 24−
b 、及び24−cと24−dの電源発生回路に接続さ
れている。電源発生回路24−aは電源発生回路制御信
号端子25−aに、24−bは25−bに、24−C,
24−dは25−Cに接続されている。この実施例では
、25−Cのように、ひとつの電源発生回路制御信号端
子がふたつの電源発生回路に接続されているため、電源
発生回路制御信号端子数を少なくし、かつ消費電力を減
少することができる。FIG. 6 shows a second embodiment of the present invention. 20 is an internal circuit, 2
1 is an input or output buffer termination circuit, 22 is a power supply terminal, and 23 is an input/output terminal. The internal circuits are each 20-a
, 20-b and 20-c are divided into blocks, and each internal circuit block Fi valley 24-a, 24-
b, and connected to power generation circuits 24-c and 24-d. The power generation circuit 24-a is connected to the power generation circuit control signal terminal 25-a, 24-b is connected to 25-b, 24-C,
24-d is connected to 25-C. In this embodiment, as in 25-C, one power generation circuit control signal terminal is connected to two power generation circuits, which reduces the number of power generation circuit control signal terminals and reduces power consumption. be able to.
以上説明したように本発明は、ECL型半導体集積回路
装置において、入出力信号レベルと同一レベルの信号に
より発生電圧を制御できる2個以上の電源発生回路と、
電源発生回路を制御する2個以上の信号端子を有するこ
とにより、ある時間動作しない回路の定電圧を供給して
いる電源発生回路を制御し、スイッチング電流を部分的
に減少させ、消費電力を減少できるという効果がある。As explained above, the present invention provides an ECL type semiconductor integrated circuit device including two or more power generation circuits that can control the generated voltage by signals having the same level as the input/output signal level;
By having two or more signal terminals that control the power generation circuit, it is possible to control the power generation circuit that supplies constant voltage to circuits that do not operate for a certain period of time, partially reducing switching current and reducing power consumption. There is an effect that it can be done.
第1図は本発明の1実施例、第2図は従来0ECL型半
導体集積回路装置、第3図は1実施例の電源発生回路、
第4図は1実施例の基本ゲート回路、第5図は1実施例
の内部回路、第6図は第2の実施例を示す図である。
1・・・・・・内部回路、2・・・・・・入力または出
力バッファ、3・・・・・・電源供給端子、4・・・・
・・入出力端子、5・・・・・・電源発生回路制御端子
、6・・・・・・電源発生回路、7・・・・・・内部回
路、8・・・・・・人力または出力バッファ、9・・・
・・・電源発生回路、10・・・・・・電源発生回路制
御信号端子、11・・・・・・トランジスタ、12・・
・・・・電源、13・・・・・・トランジスタ、14・
・・・・・定電圧出力端子、15・・・・・・定電圧印
加端子、16・・・・・・抵抗、17・・・D−FF、
18・・・・・・クロ9クドライバ、19・・・・・・
内部回路プロヴク、20・・・・・・内部回路、21・
・・・・・入力または出力バッファ、22・・・・・・
電源供給端子、23・・・・・・入出力端子、24・・
・・・・電源発生回路、25・・・・・・電源発生回路
制御信号端子。
第 l 図
83 区
@4 閃FIG. 1 shows one embodiment of the present invention, FIG. 2 shows a conventional 0ECL type semiconductor integrated circuit device, and FIG. 3 shows a power generation circuit of one embodiment.
FIG. 4 shows a basic gate circuit of one embodiment, FIG. 5 shows an internal circuit of one embodiment, and FIG. 6 shows a second embodiment. 1... Internal circuit, 2... Input or output buffer, 3... Power supply terminal, 4...
...Input/output terminal, 5...Power generation circuit control terminal, 6...Power generation circuit, 7...Internal circuit, 8...Manual power or output Buffer, 9...
...Power generation circuit, 10...Power generation circuit control signal terminal, 11...Transistor, 12...
...Power supply, 13...Transistor, 14.
... Constant voltage output terminal, 15 ... Constant voltage application terminal, 16 ... Resistor, 17 ... D-FF,
18... Black 9 driver, 19...
Internal circuit proof, 20...Internal circuit, 21.
...Input or output buffer, 22...
Power supply terminal, 23... Input/output terminal, 24...
...Power generation circuit, 25...Power generation circuit control signal terminal. Figure 83 Ward @4 Flash
Claims (1)
同一レベルの信号により発生電圧を制御できる2個以上
の電源発生回路と、電源発生回路を制御する2個以上の
信号端子を有することを特徴とするECL型半導体集積
回路。An ECL type semiconductor integrated circuit characterized by having two or more power generation circuits capable of controlling the generated voltage by signals having the same level as the input/output signal level, and two or more signal terminals for controlling the power generation circuits. ECL type semiconductor integrated circuit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61134551A JPH0766301B2 (en) | 1986-06-09 | 1986-06-09 | Semiconductor integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61134551A JPH0766301B2 (en) | 1986-06-09 | 1986-06-09 | Semiconductor integrated circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62288915A true JPS62288915A (en) | 1987-12-15 |
JPH0766301B2 JPH0766301B2 (en) | 1995-07-19 |
Family
ID=15130962
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61134551A Expired - Lifetime JPH0766301B2 (en) | 1986-06-09 | 1986-06-09 | Semiconductor integrated circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0766301B2 (en) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56143591A (en) * | 1980-04-10 | 1981-11-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | Semiconductor memory device |
-
1986
- 1986-06-09 JP JP61134551A patent/JPH0766301B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56143591A (en) * | 1980-04-10 | 1981-11-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | Semiconductor memory device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0766301B2 (en) | 1995-07-19 |
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