JPS62284069A - スパッタリング用タ−ゲット - Google Patents
スパッタリング用タ−ゲットInfo
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- JPS62284069A JPS62284069A JP12877986A JP12877986A JPS62284069A JP S62284069 A JPS62284069 A JP S62284069A JP 12877986 A JP12877986 A JP 12877986A JP 12877986 A JP12877986 A JP 12877986A JP S62284069 A JPS62284069 A JP S62284069A
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- JP
- Japan
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- sputtering
- plane
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- soft ferrite
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- Granted
Links
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910001035 Soft ferrite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
利用産業分野
この発明は、ソフトフェライトからなるスパッタリング
用ターゲットの改良に係り、スパッタリング時の被膜形
成速度を大幅に向上させたターゲットに関する。
用ターゲットの改良に係り、スパッタリング時の被膜形
成速度を大幅に向上させたターゲットに関する。
背景技術
現在、半導体分野におけるＩＣ製造工程及び薄膜磁気ヘ
ッド、薄膜磁気ディスクなどの製造工程において、めっ
き法や蒸着法に代えて、スパッタリングによる薄膜形成
が実用化されかつ主流となりつつあり、薄膜を必要とす
る他の最先端技術分野にても益々その適用が拡大してい
る。
ッド、薄膜磁気ディスクなどの製造工程において、めっ
き法や蒸着法に代えて、スパッタリングによる薄膜形成
が実用化されかつ主流となりつつあり、薄膜を必要とす
る他の最先端技術分野にても益々その適用が拡大してい
る。
一般に、薄膜形成用のスパッタリング装置は、その適用
分野に応じて、各々特徴並びに諸性能を保持するよう構
成されるが、各分野に共通の問題点として、生産性向上
のために、いかに薄膜形成速度を向上させるかが大きな
問題となっている。
分野に応じて、各々特徴並びに諸性能を保持するよう構
成されるが、各分野に共通の問題点として、生産性向上
のために、いかに薄膜形成速度を向上させるかが大きな
問題となっている。
従来、スパッタリング速度における薄膜形成速度を向上
させる方法として、電源パワーの大型化、あるいは比較
的複雑な構造となるがマグネトロン方式の装置にするほ
か、ターゲット自体の改良として、組成の変更や冷却性
能向上、ギャップタイプ等に形状を変更するなどの方法
が提案されているが、装置構造を複雑化あるいは電力消
費量を増大させるなどの新たな問題を生じていた。
させる方法として、電源パワーの大型化、あるいは比較
的複雑な構造となるがマグネトロン方式の装置にするほ
か、ターゲット自体の改良として、組成の変更や冷却性
能向上、ギャップタイプ等に形状を変更するなどの方法
が提案されているが、装置構造を複雑化あるいは電力消
費量を増大させるなどの新たな問題を生じていた。
発明の目的
この発明は、かかる問題点に鑑み、装置及びターゲット
構造を複雑化あるいは電力消費量を増大させることなく
、膜形成速度を大きく向上させることができるターゲッ
トを目的としている。
構造を複雑化あるいは電力消費量を増大させることなく
、膜形成速度を大きく向上させることができるターゲッ
トを目的としている。
発明の構成と効果
従来、磁気ヘッド用のターゲットに、無配向の多結晶ソ
フトフェライト材が使用されているが、スパッタリング
の際、ターゲット表面に結晶段差が生じることから、ソ
フトフェライト材の各結晶面でスパッタリング速度が異
なることに着目し、スパッタリング生産性向上を目的に
種々検討した結果、（１００）結晶面が大半を占める面
をターゲツト面とすると、スパッタリング速度が著しく
向上することを知見し、この発明を完成したものである
。
フトフェライト材が使用されているが、スパッタリング
の際、ターゲット表面に結晶段差が生じることから、ソ
フトフェライト材の各結晶面でスパッタリング速度が異
なることに着目し、スパッタリング生産性向上を目的に
種々検討した結果、（１００）結晶面が大半を占める面
をターゲツト面とすると、スパッタリング速度が著しく
向上することを知見し、この発明を完成したものである
。
すなわち、この発明は、ソフトフェライトからなるター
ゲット表面が、その表面積の６０％以上を（１００）結
晶面より構成したことを特徴とするスパッタリング用タ
ーゲットである。
ゲット表面が、その表面積の６０％以上を（１００）結
晶面より構成したことを特徴とするスパッタリング用タ
ーゲットである。
この発明は、ソフトフェライトからなるターゲット表面
が、その表面積の６０％以上を（１００）結晶面より構
成したことを特徴とするが、がかる配向度が６０％未満
では、スパッタリング速度の充分な向上が得られず、生
産性向上効果が少なく好ましくない。
が、その表面積の６０％以上を（１００）結晶面より構
成したことを特徴とするが、がかる配向度が６０％未満
では、スパッタリング速度の充分な向上が得られず、生
産性向上効果が少なく好ましくない。
この発明によるソフトフェライトからなるターゲツト材
は、再結晶法より作製された多結晶材料、あるいは所謂
引き上げ法にて作製された単結晶材料を用いることがで
きる。また、配向度が１００％の単結晶ソフトフェライ
トを用いてもよい。
は、再結晶法より作製された多結晶材料、あるいは所謂
引き上げ法にて作製された単結晶材料を用いることがで
きる。また、配向度が１００％の単結晶ソフトフェライ
トを用いてもよい。
この発明によるターゲットは、現在実用化されている、
各種のスパッタリング装置に適用でき、かつ従来ターゲ
ットと同一条件にて、スパッタリング被膜形成速度が大
幅に向上し、生産性及び経済性向上に大きく寄与する。
各種のスパッタリング装置に適用でき、かつ従来ターゲ
ットと同一条件にて、スパッタリング被膜形成速度が大
幅に向上し、生産性及び経済性向上に大きく寄与する。
実施例
寒騙シ２
ターゲットとして、ターゲツト面が、それぞれ（１００
）面、（１１０）面、（２１１）面、（１１１）面を有
する４種の外径７６ｍｍＸ厚み４ｍｍ寸法からなるＭｎ
−Ｚｎ単結晶フェライト板を用い、高周波スパッタリン
グ装置にて、投入パワー１００Ｗ 、スパッタＡｒ圧力
２ Ｘ １０’Ｔｏｒｒの条件で、スパッタリングを行
なった際のターゲット浸食速度を測定した。なお、スパ
ッタリング時の各ターゲットの結晶面におけるエロージ
ョンは、板厚み方向に均一であった。
）面、（１１０）面、（２１１）面、（１１１）面を有
する４種の外径７６ｍｍＸ厚み４ｍｍ寸法からなるＭｎ
−Ｚｎ単結晶フェライト板を用い、高周波スパッタリン
グ装置にて、投入パワー１００Ｗ 、スパッタＡｒ圧力
２ Ｘ １０’Ｔｏｒｒの条件で、スパッタリングを行
なった際のターゲット浸食速度を測定した。なお、スパ
ッタリング時の各ターゲットの結晶面におけるエロージ
ョンは、板厚み方向に均一であった。
第１図に示す測定結果から明らかなように、ターゲツト
面に（１００）面を有するこの発明のターゲットの場合
、（１１０）面、（２１１）面、（１１１）面を有する
比較ターゲットに比べ、ターゲット浸食速度が２０％以
上速いことが分る。
面に（１００）面を有するこの発明のターゲットの場合
、（１１０）面、（２１１）面、（１１１）面を有する
比較ターゲットに比べ、ターゲット浸食速度が２０％以
上速いことが分る。
寡扇Ｕ論
ターゲットとして、ターゲツト面が（１００）結晶面と
なるように、９５％結晶配向した再結晶法による外径７
６ｍｍＸ厚み４ｍｍ寸法からなるＭｎ−Ｚｎ多結晶フェ
ライト板を用い、高周波スパッタリング装置にて、投入
パワー５００Ｗ、スパッタＡｒ圧力２Ｘ１０−２Ｔｏｒ
ｒの条件で、スパッタリングを行なったところ、１１２
０Ａ／ｍｈのターゲット浸食速度を得た。
なるように、９５％結晶配向した再結晶法による外径７
６ｍｍＸ厚み４ｍｍ寸法からなるＭｎ−Ｚｎ多結晶フェ
ライト板を用い、高周波スパッタリング装置にて、投入
パワー５００Ｗ、スパッタＡｒ圧力２Ｘ１０−２Ｔｏｒ
ｒの条件で、スパッタリングを行なったところ、１１２
０Ａ／ｍｈのターゲット浸食速度を得た。
比較のため、同一寸法９組成の普通焼結法によるＭｎ−
Ｚｎ多結晶フェライト板をターゲットとして、同条件の
スパッタリングを行なったところ、８５０Ａ／ｍｉｎの
ターゲット浸食速度を得た。
Ｚｎ多結晶フェライト板をターゲットとして、同条件の
スパッタリングを行なったところ、８５０Ａ／ｍｉｎの
ターゲット浸食速度を得た。
この発明によるターゲットが、比較ターゲットに対して
、約２５％もスパッタリング速度が速いことが分る。
、約２５％もスパッタリング速度が速いことが分る。
第１図は結晶面とスパッタリング時のターゲット浸食速
度との関係を示すグラフである。
度との関係を示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ソフトフェライトからなるターゲット表面が、その表面
積の６０％以上を（１００）結晶面より構成したことを
特徴とするスパッタリング用ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12877986A JPS62284069A (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | スパッタリング用タ−ゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12877986A JPS62284069A (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | スパッタリング用タ−ゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62284069A true JPS62284069A (ja) | 1987-12-09 |
| JPH0341545B2 JPH0341545B2 (ja) | 1991-06-24 |
Family
ID=14993254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12877986A Granted JPS62284069A (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | スパッタリング用タ−ゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62284069A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5155063A (en) * | 1990-10-09 | 1992-10-13 | Nec Corporation | Method of fabricating semiconductor device including an al/tin/ti contact |
-
1986
- 1986-06-02 JP JP12877986A patent/JPS62284069A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5155063A (en) * | 1990-10-09 | 1992-10-13 | Nec Corporation | Method of fabricating semiconductor device including an al/tin/ti contact |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0341545B2 (ja) | 1991-06-24 |
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