JPS62282408A - 電圧非直線抵抗体素子の製造方法 - Google Patents
電圧非直線抵抗体素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS62282408A JPS62282408A JP61126073A JP12607386A JPS62282408A JP S62282408 A JPS62282408 A JP S62282408A JP 61126073 A JP61126073 A JP 61126073A JP 12607386 A JP12607386 A JP 12607386A JP S62282408 A JPS62282408 A JP S62282408A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- main component
- mol
- agent
- sintered body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 33
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 4
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 72
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 9
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 9
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 7
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 5
- 229910000417 bismuth pentoxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- UPWOEMHINGJHOB-UHFFFAOYSA-N oxo(oxocobaltiooxy)cobalt Chemical compound O=[Co]O[Co]=O UPWOEMHINGJHOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 229910052844 willemite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000255925 Diptera Species 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000003287 bathing Methods 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 239000002075 main ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は酸化亜鉛を主成分とし、それ自身が電圧非直線
性を有する焼結体の側面に、高抵抗層を形成した電圧非
直線抵抗体素子の製造方法に関するものである。
性を有する焼結体の側面に、高抵抗層を形成した電圧非
直線抵抗体素子の製造方法に関するものである。
従来の技術
電圧非直線抵抗体素子は一般にバリスタと呼ばれ、電圧
安定化やサージ吸収素子として用いられている。なかで
も、酸化亜鉛を主成分とし、これに少量のBi2O3、
Co2O3、MnO2、5k1205 。
安定化やサージ吸収素子として用いられている。なかで
も、酸化亜鉛を主成分とし、これに少量のBi2O3、
Co2O3、MnO2、5k1205 。
0r205などの金属酸化物を添加した酸化亜鉛バリス
タは、その大きなサージ電流耐量と優れた電圧非直線性
から、近年ギャップレスアレスタ用の素子として従来の
シリコンカーバイトバリスタにとって代わり広く利用さ
れている。
タは、その大きなサージ電流耐量と優れた電圧非直線性
から、近年ギャップレスアレスタ用の素子として従来の
シリコンカーバイトバリスタにとって代わり広く利用さ
れている。
酸化亜鉛バリスタをアレスタ素子として用いる場合、極
めて重要な特性要素が2つある。第1は、放電耐量特性
である。これはJRC−187−1973に規定されて
いる4×10μsの衝撃電流を6分間隔で2回印加し、
素子が耐え得るピーク電流の限界値である。第2に課電
寿命特性で、これは規定の交流電圧を印加した際に、ア
レスタ素子が熱暴走に至るまでの時間である。通常は、
周囲温度を100℃以上、課電率(V印加電圧×100
/V+mA)’r90%以上に設定し、加速試験を行う
。近年、高放電耐量、長寿命のアレスタ素子の開発が市
場から強く望まれている。
めて重要な特性要素が2つある。第1は、放電耐量特性
である。これはJRC−187−1973に規定されて
いる4×10μsの衝撃電流を6分間隔で2回印加し、
素子が耐え得るピーク電流の限界値である。第2に課電
寿命特性で、これは規定の交流電圧を印加した際に、ア
レスタ素子が熱暴走に至るまでの時間である。通常は、
周囲温度を100℃以上、課電率(V印加電圧×100
/V+mA)’r90%以上に設定し、加速試験を行う
。近年、高放電耐量、長寿命のアレスタ素子の開発が市
場から強く望まれている。
従来より、電圧非直線抵抗体素子(以下アレスタ素子)
の製造方法として、特開昭56−69804号公報、特
公昭60−15128号公報などが知られている。前者
は、醸化亜鉛形のアレスタ素子の成形体または仮焼体の
側面にSiO2 、Zn7Sb2O12゜Bi2O5な
どの混合物を塗布した後、焼結し側面に高抵抗層を有す
るアレスタ素子を製造するものである。後者は、同様の
成形体を焼成する際、焼成容器内に3b203 、 B
i2O3、3:LO2などからなる混合物を配置し、気
−固相反応により、側面に高抵抗層を有するアレスタ素
子を製造するものである。
の製造方法として、特開昭56−69804号公報、特
公昭60−15128号公報などが知られている。前者
は、醸化亜鉛形のアレスタ素子の成形体または仮焼体の
側面にSiO2 、Zn7Sb2O12゜Bi2O5な
どの混合物を塗布した後、焼結し側面に高抵抗層を有す
るアレスタ素子を製造するものである。後者は、同様の
成形体を焼成する際、焼成容器内に3b203 、 B
i2O3、3:LO2などからなる混合物を配置し、気
−固相反応により、側面に高抵抗層を有するアレスタ素
子を製造するものである。
発明が解決しようとする問題点
このような前者の方法では、側面高抵抗層の構造が不安
定で素子と側面剤との密着性が悪く、放電耐量が低いと
いう欠点を有していた。また、後者の方法では、焼成容
器内部に適当に配置した5b203 、 Bi2O5な
どからなるの重刑の蒸気と成形体とを反応させるため、
側面高抵抗層の厚みが充分とれず、放電耐量が低いばか
りでなく、同一焼成容器中で焼成可能な素子数が眠られ
、量産性に欠けるという欠点を有していた。
定で素子と側面剤との密着性が悪く、放電耐量が低いと
いう欠点を有していた。また、後者の方法では、焼成容
器内部に適当に配置した5b203 、 Bi2O5な
どからなるの重刑の蒸気と成形体とを反応させるため、
側面高抵抗層の厚みが充分とれず、放電耐量が低いばか
りでなく、同一焼成容器中で焼成可能な素子数が眠られ
、量産性に欠けるという欠点を有していた。
不発明は、このような問題点を解決するもので、アレス
タとしての酸化亜鉛バリスタの高性能化、すなわち放電
耐量特性1課電寿命特性の大巾な向上を目的とするもの
である。
タとしての酸化亜鉛バリスタの高性能化、すなわち放電
耐量特性1課電寿命特性の大巾な向上を目的とするもの
である。
問題点t−S決するための手段
本発明では、前記の問題点を解決するため、酸化亜鉛を
主成分とするアレスタ素子の成形体または仮焼体の側面
に2種類の成分の異なった側面剤を塗布することにより
、焼結体側面に2層の高抵抗層を形成したものである。
主成分とするアレスタ素子の成形体または仮焼体の側面
に2種類の成分の異なった側面剤を塗布することにより
、焼結体側面に2層の高抵抗層を形成したものである。
作用
本発明の電圧非直線抵抗体素子の製造方法は、酸化亜鉛
バリスタ素子の成形体または仮焼体の側面に、SiO2
に主成分としZn7Sb20+z t−添加した第1
の側面剤を塗布し、その上部に5102 を主成分とし
Bi、20skFL加した第2の側面剤を塗布した後、
焼成し、バリスタ素子側面に高抵抗層を形成するため、
高抵抗層上部にZn7Sb2O12。
バリスタ素子の成形体または仮焼体の側面に、SiO2
に主成分としZn7Sb20+z t−添加した第1
の側面剤を塗布し、その上部に5102 を主成分とし
Bi、20skFL加した第2の側面剤を塗布した後、
焼成し、バリスタ素子側面に高抵抗層を形成するため、
高抵抗層上部にZn7Sb2O12。
Zn2SiO4の混合相、同上層蔀にZn2SiO4相
の安定な2層、構造を得ることができる。このことか
′らバリスタ素体−高抵抗層間の密着性が増し放電耐量
が向上し、高抵抗層上部のzn2SiOaのカバーリン
グ効果によりバリスタ素体からのBi2O3%敗を軽減
し、課電寿命特性を大巾に向上させることができる。
の安定な2層、構造を得ることができる。このことか
′らバリスタ素体−高抵抗層間の密着性が増し放電耐量
が向上し、高抵抗層上部のzn2SiOaのカバーリン
グ効果によりバリスタ素体からのBi2O3%敗を軽減
し、課電寿命特性を大巾に向上させることができる。
実施例
以下、本発明の製造方法およびそれによって得られた電
圧非直線抵抗体素子について実施例に基づき詳細に説明
する。
圧非直線抵抗体素子について実施例に基づき詳細に説明
する。
まず、ZnOの粉末に、合計量に対しBizO50,5
モル%、 Go 2050.5 モA/%、 MnO2
0,5モル%。
モル%、 Go 2050.5 モA/%、 MnO2
0,5モル%。
5b2051.0モル%、 Cr2O30、s モル%
、 Ni0O−5モル%を加え、充分に粉砕、混合した
後、造粒して原料粉を得た。この原料粉を直径4omm
、厚さ30mmの大きさに圧縮成形した。このようにし
て得られた成形体を9oO°C,2時間焼成し冷却して
仮焼体を得た。
、 Ni0O−5モル%を加え、充分に粉砕、混合した
後、造粒して原料粉を得た。この原料粉を直径4omm
、厚さ30mmの大きさに圧縮成形した。このようにし
て得られた成形体を9oO°C,2時間焼成し冷却して
仮焼体を得た。
一方、側面高抵抗層用のペーストは、Zn7Sb2O1
2゜Bi2O3、SiO2を適当な割合で混合した原料
粉と、エチルセルロース26ωt%、プチルカルビトー
ル75ωt%からなるバインダーとを、重量比で1対3
0割合で配合し均一になるように混練して作成した。本
発明では、この側面高抵抗層用のペーストはSiO2
、 Zn7Sb2O12からなる下層用と、SiO2
を主成分とする上層用の2種類がある。
2゜Bi2O3、SiO2を適当な割合で混合した原料
粉と、エチルセルロース26ωt%、プチルカルビトー
ル75ωt%からなるバインダーとを、重量比で1対3
0割合で配合し均一になるように混練して作成した。本
発明では、この側面高抵抗層用のペーストはSiO2
、 Zn7Sb2O12からなる下層用と、SiO2
を主成分とする上層用の2種類がある。
前述の仮焼体側面に下層用のペーストを塗布し、乾燥さ
せてから、上層用のペーストを塗布し、再度乾燥後空気
中において1200℃で焼結させた。
せてから、上層用のペーストを塗布し、再度乾燥後空気
中において1200℃で焼結させた。
このようにして得られた焼結体の両端面を研磨し、アル
ミニウムの溶射電極を形成した。
ミニウムの溶射電極を形成した。
第1図は上述したようにして得た電圧非直線抵抗体素子
の断面図であり、1はZnOを主成分とする焼結体、2
はZn7Sb20,2 、 Zn4SiOa相の混在す
る側面高抵抗層第1層(下層)、3はZn2SiO4を
主成分とする側面高抵抗層第2層(上層)、4はアルミ
ニウム溶射によシ形放された電極である。
の断面図であり、1はZnOを主成分とする焼結体、2
はZn7Sb20,2 、 Zn4SiOa相の混在す
る側面高抵抗層第1層(下層)、3はZn2SiO4を
主成分とする側面高抵抗層第2層(上層)、4はアルミ
ニウム溶射によシ形放された電極である。
なお、側面高抵抗層2.3の成分はX線回折により確認
された。また、X線マイクロアナライザーによる分析か
ら第1層(下層)2にはMn 、 Go 。
された。また、X線マイクロアナライザーによる分析か
ら第1層(下層)2にはMn 、 Go 。
Or などが固溶し第2層(上層)3には主とじてCo
が同浴していることが確認された。
が同浴していることが確認された。
下記の第1表は、側面高抵抗層第1層および第2層用の
側面剤の組成表である。第1層用側面剤はSiO2 、
Zn7Sb2O12からなり、第2層用側面剤はSi
O2 、 Bi2O5からなる。
側面剤の組成表である。第1層用側面剤はSiO2 、
Zn7Sb2O12からなり、第2層用側面剤はSi
O2 、 Bi2O5からなる。
この側面剤を仮焼体に第1層用側聞剤、第2層用側面剤
の順に塗布し焼結させた後人Eメタリコン電極を付けV
+mx/m+u 、 V+mA/V1ngA 、外観な
どを調べた。この結果を第2表に示すと共に第1層、第
2層用の側面剤の組合せを種々変えた場合について示し
ている。比較のため従来例1としてBi2O3、Zn7
Sb2O12、SiO2 fそれぞれ10モル%、10
モル%、80モル%含む側面剤を含む側面剤を仮焼体に
塗布した場合、従来例2としてBi2O5、5b205
をそれぞれ10モル%、90モル%含む塗布剤を焼成容
器内に配置し、気−固相反応により側面高抵抗層を形成
した場合のデータを追記した。ここで、V+!IIA/
mmは第2層用側面剤中のBi2O56度が増加するに
つれて低下傾向を示し、逆にV+mA/VtoliAは
向上する傾向がある。
の順に塗布し焼結させた後人Eメタリコン電極を付けV
+mx/m+u 、 V+mA/V1ngA 、外観な
どを調べた。この結果を第2表に示すと共に第1層、第
2層用の側面剤の組合せを種々変えた場合について示し
ている。比較のため従来例1としてBi2O3、Zn7
Sb2O12、SiO2 fそれぞれ10モル%、10
モル%、80モル%含む側面剤を含む側面剤を仮焼体に
塗布した場合、従来例2としてBi2O5、5b205
をそれぞれ10モル%、90モル%含む塗布剤を焼成容
器内に配置し、気−固相反応により側面高抵抗層を形成
した場合のデータを追記した。ここで、V+!IIA/
mmは第2層用側面剤中のBi2O56度が増加するに
つれて低下傾向を示し、逆にV+mA/VtoliAは
向上する傾向がある。
しかし、第2層側面剤中のB1−203a度が30モル
%を超えると側面剤の流れが発生し、V 1mA/’V
+ O#Aは逆にわずかに上昇する。また、第1層側面
剤中ノZn7Sb2O12濃度が増すにつれV+mA/
V+o、gAは向上している。
%を超えると側面剤の流れが発生し、V 1mA/’V
+ O#Aは逆にわずかに上昇する。また、第1層側面
剤中ノZn7Sb2O12濃度が増すにつれV+mA/
V+o、gAは向上している。
(以下余 白)
く第 1 表〉
単位二モル%
く第 3 表〉
第2図〜第7図に本発明および参考例の製造方法による
電圧非直線抵抗体素子の放電耐量特性。
電圧非直線抵抗体素子の放電耐量特性。
課電寿命特性の結果を示す。図中の横軸は第2層側面剤
中のBi2O2の濃度である。ここで、放電針°量試験
はJ XC;−187−1973に規定された4X10
μsの衝撃電流を同一方向に5分間隔で2回印加し、外
観異常などをチェックした。また、試験は10KA毎の
ステップアップ方式で行い、図中には黒丸印で示した。
中のBi2O2の濃度である。ここで、放電針°量試験
はJ XC;−187−1973に規定された4X10
μsの衝撃電流を同一方向に5分間隔で2回印加し、外
観異常などをチェックした。また、試験は10KA毎の
ステップアップ方式で行い、図中には黒丸印で示した。
そして、2回の衝撃電流に耐えなかった試料に関しては
印加電流から5に人を減じて示した。さらに、課電寿命
試験は周囲温度130℃1課電率96%(eollzA
G )の条件で行い、漏れ電流が101n人に達した時
点で熱暴走と判定し、それに要した時間を図中に白丸印
で示した。第3表に従来例1および2の放電耐量特性1
課電寿命特性を示した。ここで、Bi2O3゜Zn7S
b2O12、3102系側面剤塗布方式(従来例1)で
は、放電耐量50KAI回1課電寿命29時間。
印加電流から5に人を減じて示した。さらに、課電寿命
試験は周囲温度130℃1課電率96%(eollzA
G )の条件で行い、漏れ電流が101n人に達した時
点で熱暴走と判定し、それに要した時間を図中に白丸印
で示した。第3表に従来例1および2の放電耐量特性1
課電寿命特性を示した。ここで、Bi2O3゜Zn7S
b2O12、3102系側面剤塗布方式(従来例1)で
は、放電耐量50KAI回1課電寿命29時間。
Bi2O3,5b205気−固相反応系(従来例2)で
は、放電耐量60KA2回1課電寿命31時間の性能を
有していた。
は、放電耐量60KA2回1課電寿命31時間の性能を
有していた。
第2図から第7図を比較すると、第1層側面剤中のZn
7Sb2O12濃度が0.1モル%より低い領域および
30モル%より高い領域で放電耐量特性。
7Sb2O12濃度が0.1モル%より低い領域および
30モル%より高い領域で放電耐量特性。
課電寿命特性とも低レベルにあるが、0.1〜30モル
%の領域では両特性とも優れていることがわかる。また
、第2層側面剤中のBizOs濃度が増加するに従い課
電寿命特性は向上し、20モル%でピークに達し、30
モル%を超えた場合には再び低下する。これは側面高抵
抗層の一部が焼結反応の過程で、Bi2O3が過多であ
ることにより流れ落ち、逆にアレスタ素子からのBi2
O5が飛散し易くなるためと考えられる。一方、放電耐
量特性はBi2O3濃度が20〜30モル%までは一定
で、その後急激に低下する。これはBi20sfi度が
高いため側面高抵抗層の一部が流れ落ちたり、上層に形
成されるZn25工04相の粒界にBi2O5が残存す
るためと考えられる。そして、第1層側面剤に前記側面
剤人6、第2層側面剤に前記側面剤B3を用いた場合、
放電耐量特性は90KA、課電寿命特性は314時間の
性能を有し、従来例と比較し著しい高特性が得られるこ
とがわ、かる。
%の領域では両特性とも優れていることがわかる。また
、第2層側面剤中のBizOs濃度が増加するに従い課
電寿命特性は向上し、20モル%でピークに達し、30
モル%を超えた場合には再び低下する。これは側面高抵
抗層の一部が焼結反応の過程で、Bi2O3が過多であ
ることにより流れ落ち、逆にアレスタ素子からのBi2
O5が飛散し易くなるためと考えられる。一方、放電耐
量特性はBi2O3濃度が20〜30モル%までは一定
で、その後急激に低下する。これはBi20sfi度が
高いため側面高抵抗層の一部が流れ落ちたり、上層に形
成されるZn25工04相の粒界にBi2O5が残存す
るためと考えられる。そして、第1層側面剤に前記側面
剤人6、第2層側面剤に前記側面剤B3を用いた場合、
放電耐量特性は90KA、課電寿命特性は314時間の
性能を有し、従来例と比較し著しい高特性が得られるこ
とがわ、かる。
以上のように、本発明の製造方法による電圧非直線抵抗
体素子が、放電耐量特性1課電寿命特性ともに高性能を
示す理由は、以下のように推定される。すなわち、従来
のBz205 、 Zn7Sb20,2(5b20s
) 、 SiO2からなる3成分単層側面剤を用いた場
合、その生成物は単にZn7Sb20+zとZn2Si
O4の混在系であるのに対し、2層塗布方式の側面剤を
用いた場合、第1層(下層)にZn7Sb2O12、Z
n25iOa相が生成し、第2層(上層)にZn23I
O4相が生成して構造が極めて安定となる。このように
して生成した下層の特にZn73t)20+z相は高抵
抗でバリスタ素子との密着性が高く放電耐量の向上に寄
与し、上層のZn2SiO4相はバリスタ素子からのB
i2O5飛散を軽減し課電寿命特性の向上に寄与してい
ると考えられる。
体素子が、放電耐量特性1課電寿命特性ともに高性能を
示す理由は、以下のように推定される。すなわち、従来
のBz205 、 Zn7Sb20,2(5b20s
) 、 SiO2からなる3成分単層側面剤を用いた場
合、その生成物は単にZn7Sb20+zとZn2Si
O4の混在系であるのに対し、2層塗布方式の側面剤を
用いた場合、第1層(下層)にZn7Sb2O12、Z
n25iOa相が生成し、第2層(上層)にZn23I
O4相が生成して構造が極めて安定となる。このように
して生成した下層の特にZn73t)20+z相は高抵
抗でバリスタ素子との密着性が高く放電耐量の向上に寄
与し、上層のZn2SiO4相はバリスタ素子からのB
i2O5飛散を軽減し課電寿命特性の向上に寄与してい
ると考えられる。
本実施例においては側面高抵抗層用の2種類の側面剤を
仮焼体に塗布した場合についてのみ記載したが、第1層
、第2層用側面剤をともに成形体に塗布した場合、また
第1層用側面剤を成形体に、第2層用側面剤を仮焼体に
塗布した場合にも同様の効果があることを確認した。ま
た、本発明においては側面高抵抗層用の材料として5i
n2゜Zn7Sb2012* BizOs k用いたが
、これらにアレスタ素子の粒界層の構成要素である成分
、すなわちBi2O3、Co2O3、cr2o3 、
MnO2、NiONlolなどを添加しても本発明の効
果に変わりはないものである。
仮焼体に塗布した場合についてのみ記載したが、第1層
、第2層用側面剤をともに成形体に塗布した場合、また
第1層用側面剤を成形体に、第2層用側面剤を仮焼体に
塗布した場合にも同様の効果があることを確認した。ま
た、本発明においては側面高抵抗層用の材料として5i
n2゜Zn7Sb2012* BizOs k用いたが
、これらにアレスタ素子の粒界層の構成要素である成分
、すなわちBi2O3、Co2O3、cr2o3 、
MnO2、NiONlolなどを添加しても本発明の効
果に変わりはないものである。
発明の効果
以上のように本発明によれば、酸化亜鉛形バリスタ素子
の成形体または仮焼体の側面にSiO2゜Zn7Sb2
0+z からなる第1の側面剤を塗布し、その上層にS
iO2 、 Bi2O3からなる第2の側面剤を倹布後
、焼結させることにより放電耐量特性1課電寿命特性が
非常に浸れた電圧非直線抵抗体素子を製造することがで
きる。
の成形体または仮焼体の側面にSiO2゜Zn7Sb2
0+z からなる第1の側面剤を塗布し、その上層にS
iO2 、 Bi2O3からなる第2の側面剤を倹布後
、焼結させることにより放電耐量特性1課電寿命特性が
非常に浸れた電圧非直線抵抗体素子を製造することがで
きる。
第1図は本発明の製造方法による電圧非直線抵抗体素子
の断面図、第2図〜第7図は本発明および参考例の製造
方法による電圧非直線抵抗体素子の放電耐量特性および
課電寿命特性を示す図である。 1・・・・・・酸化亜鉛バリスタ素子、2・・・・・・
側面高抵抗層第1層(下層)、3・・・・・・側面高抵
抗層第2層(上層)、4・・・・・・電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名7−
−−酸化1振辻勿くリスタ衆子 2−−−1’l@道5蚊九1%1(下層)3−−−1’
1ffi鳥羽−℃1:%Z1!!(−1;I)斗−一一
覧老ト 第1図 ど 4 第2図 →F3izOs J隨(モルタ、) 第3図 呻Bi 203濃良(モルZ) 第 451I →Bi2O3J& (%)レ−/−) 第5図
の断面図、第2図〜第7図は本発明および参考例の製造
方法による電圧非直線抵抗体素子の放電耐量特性および
課電寿命特性を示す図である。 1・・・・・・酸化亜鉛バリスタ素子、2・・・・・・
側面高抵抗層第1層(下層)、3・・・・・・側面高抵
抗層第2層(上層)、4・・・・・・電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名7−
−−酸化1振辻勿くリスタ衆子 2−−−1’l@道5蚊九1%1(下層)3−−−1’
1ffi鳥羽−℃1:%Z1!!(−1;I)斗−一一
覧老ト 第1図 ど 4 第2図 →F3izOs J隨(モルタ、) 第3図 呻Bi 203濃良(モルZ) 第 451I →Bi2O3J& (%)レ−/−) 第5図
Claims (3)
- (1)酸化亜鉛を主成分とし、焼結体自身が電圧非直線
性を示すよう添加物を加えた成形体を700〜1150
℃の温度範囲で仮焼し得られた仮焼体の側面にSiO_
2を主成分としZn_7Sb_2O_1_2を0.1〜
30モル%含む第1の側面剤を塗布し、前記第1の側面
剤の上部にSiO_2を主成分としBi_2O_3を0
〜30モル%含む第2の側面剤を塗布した後、焼結し焼
結体側面に高抵抗層を形成する電圧非直線抵抗体素子の
製造方法。 - (2)酸化亜鉛を主成分とし、焼結体自身が電圧非直線
性を示すよう添加物を加えた成形体の側面にSiO_2
を主成分としZn_7Sb_2O_1_2を0.1〜3
0モル%含む第1の側面剤を塗布し、前記第1の側面剤
の上部にSiO_2を主成分としBi_2O_3を0〜
30モル%含む第2の側面剤を塗布した後、焼結し、焼
結体側面に高抵抗層を形成する電圧非直線抵抗体素子の
製造方法。 - (3)酸化亜鉛を主成分とし、焼結体自身が電圧非直線
性を示すよう添加物を加えた成形体の側面にSiO_2
を主成分としZn_7Sb_2O_1_2を0.1〜3
0モル%含む第1の側面剤を塗布し、700〜1150
℃の温度範囲で仮焼後、仮焼体の側面にSiO_2を主
成分としBi_2O_3を0〜30モル%含む第2の側
面剤を塗布した後、焼結し、焼結体側面に高抵抗層を形
成する電圧非直線抵抗体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61126073A JPH0758644B2 (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 電圧非直線抵抗体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61126073A JPH0758644B2 (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 電圧非直線抵抗体素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62282408A true JPS62282408A (ja) | 1987-12-08 |
JPH0758644B2 JPH0758644B2 (ja) | 1995-06-21 |
Family
ID=14925945
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61126073A Expired - Lifetime JPH0758644B2 (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 電圧非直線抵抗体素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0758644B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4989893A (ja) * | 1972-12-29 | 1974-08-28 | ||
JPS51134860A (en) * | 1975-05-19 | 1976-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Voltage nonnlinear resistor element and method of making same |
JPS5234393A (en) * | 1975-09-12 | 1977-03-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production method of resistance element with voltage non-linearity |
JPS58194303A (ja) * | 1982-05-07 | 1983-11-12 | 三菱電機株式会社 | 酸化亜鉛形バリスタ |
-
1986
- 1986-05-30 JP JP61126073A patent/JPH0758644B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4989893A (ja) * | 1972-12-29 | 1974-08-28 | ||
JPS51134860A (en) * | 1975-05-19 | 1976-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Voltage nonnlinear resistor element and method of making same |
JPS5234393A (en) * | 1975-09-12 | 1977-03-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production method of resistance element with voltage non-linearity |
JPS58194303A (ja) * | 1982-05-07 | 1983-11-12 | 三菱電機株式会社 | 酸化亜鉛形バリスタ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0758644B2 (ja) | 1995-06-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2002246207A (ja) | 電圧非直線抵抗体及び磁器組成物 | |
JPS5812306A (ja) | 酸化物電圧非直線抵抗体及びその製造方法 | |
JPS62282408A (ja) | 電圧非直線抵抗体素子の製造方法 | |
JPH0136684B2 (ja) | ||
JPS62282410A (ja) | 電圧非直線抵抗体素子の製造方法 | |
JPS62282407A (ja) | 電圧非直線抵抗体素子の製造方法 | |
JPS62208601A (ja) | 電圧非直線抵抗体素子の製造方法 | |
JP2656233B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
JPS62282406A (ja) | 電圧非直線抵抗体素子の製造方法 | |
JPS5965406A (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
JPS62208603A (ja) | 電圧非直線抵抗体素子の製造方法 | |
JPS62208602A (ja) | 電圧非直線抵抗体素子の製造方法 | |
JPH0754763B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体素子の製造方法 | |
JP2625178B2 (ja) | バリスタの製造方法 | |
JP3830354B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造法 | |
JPS62208606A (ja) | 電圧非直線抵抗体素子の製造方法 | |
JP2718175B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体およびその製造方法 | |
JP2001006904A (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
JP2718176B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体およびその製造方法 | |
JPS63146408A (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造方法 | |
JP2531586B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
JPH0258807A (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造方法 | |
JPH08203708A (ja) | 非直線抵抗体 | |
JPS5823402A (ja) | 非直線抵抗体の製造方法 | |
JPH0744088B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |