JPS62208606A - 電圧非直線抵抗体素子の製造方法 - Google Patents

電圧非直線抵抗体素子の製造方法

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JPS62208606A
JPS62208606A JP61051167A JP5116786A JPS62208606A JP S62208606 A JPS62208606 A JP S62208606A JP 61051167 A JP61051167 A JP 61051167A JP 5116786 A JP5116786 A JP 5116786A JP S62208606 A JPS62208606 A JP S62208606A
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JP
Japan
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high resistance
resistance layer
mol
main component
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JP61051167A
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English (en)
Inventor
雅昭 勝又
義和 小林
高見 昭宏
豊見 孝義
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は酸化亜鉛を主成分とし、それ自体が電圧非直線
性を有する焼結体の側面に高抵抗層を形成した電圧非直
線抵抗体素子の製造方法に関するものである。
従来の技術 電圧非直線抵抗体素子は一般にバリスタと呼ばれ、電圧
安定化やサージ吸収用の素子として用いられている。中
でも、酸化亜鉛を主成分として、これに少量のビスマス
、コバルト、マンガン、アンチモン、クロムなどを添加
した酸化亜鉛バリス3ヘーン タは、その大きなサージ電流耐量と優れた電圧非直線性
から、近年、ギャップレスアレスタとして従来のシリコ
ンカーバイトバリスタにとって代わり広く利用されてい
る。
酸化亜鉛バリスタをアレスタとして用いる場合、極めて
重要な特性要素が2つある。第1は、放電耐量特性であ
る。これはJECニー187−1973に規定された4
×10μsの衝撃電流を6分間隔で2回印加したピーク
電流の限界値である。第2に、課電寿命特性で、これは
規定の交流電圧を印加した際に、アレスタ素子が熱暴走
に至るまでの時間である。通常は、周囲温度を100℃
以上にし、課電率(V印加電圧×1oO/v1mA)を
90%以上に設定し、加速試験を行って寿命予測をする
。近年、これらの特性を兼ね備えた高性能のアレスタ素
子の開発要望が強い。
従来より電圧非直線抵抗体素子(アレスタ素子)の製造
方法として、特開昭66−69804号公報、特公昭6
0−15128号公報などが知られている。前者は、酸
化亜鉛に少量の酸化ビスマス。
酸化コバルト、酸化マンガン、酸化ニッケルなどを添加
し、粉砕、混合、造粒工程を経て得られた成形体もしく
は700℃〜1160’Cで仮焼した仮焼体の側面にZ
n 2 SIO4+ Zn 7 Sb2O12 + B
 12O3などを含む物質を塗布した後、焼結し、側面
に高抵抗層を有するアレスタ素子を製造するものである
後者は、同様にして得られた成型体を焼成する際、焼成
容器内に酸化アンチモン、酸化ビスマス、酸化ケイ素を
配置し、気−固相反応により、側面に高抵抗層を有する
アレスタ素子を製造するものである。
発明が解決しようとする問題点 このような前者の方法では、側面高抵抗層の構造が不安
定で素子と側面剤との密着性が悪く、放電耐量特性が悪
いという欠点を有していた。また、後者の方法では、焼
成容器内部に適当に配置した5b2O3 、Bi2O3
,5in2からなる塗布剤の蒸気と成形体とを反応させ
るため、側面高抵抗層の厚みが充分とれず、放電耐量が
低いばかりでなく、同一焼成容器中で焼成可能な素子数
が限られ、量産性6ベーノ に欠けるという欠点を有していた。
本発明は、このよう々問題点を解決するもので、アレス
タとしての酸化亜鉛バリスタの高性能化、すなわち放電
耐量特性9課電寿命特性の大巾な向上を目的とするもの
である。
問題点を解決するための手段 本発明では、上記の問題点を解決するため、酸化亜鉛を
主成分とする成形体、仮焼体の側面に、2層の成分の異
なった高抵抗層を形成することによシ、高抵抗層−素子
間の密着性を上げ、素子からのBi2Oa飛散を防ぐ、
安定な構造の高抵抗層を形成することを特徴としている
作用 本発明による電圧非直線抵抗体素子の製造方法によれば
、酸化亜鉛バリスタ素子の成型体または仮焼体の側面に
Zn7Sb2O1□からなる第1の側面剤を塗布し、そ
の上部にZn25in4を主成分とする第2の側面剤を
塗布した後、焼成し、バリスタ素子側面に高抵抗層を形
成するため、高抵抗層下層部ニZn7Sb2O,2同上
層部にZn25in4の安定な2層構6ページ 造を得ることができる。このことから、バリスタ素体−
高抵抗層間の密着性が増し放電耐量が向上するばかりで
なく、高抵抗層上層部のZn2SiO4層のカバーリン
グによシバリスタ素体内部からのBi2O3飛散を抑え
、課電寿命特性も大巾に向上させることができる。
実施例 以下、本発明の製造方法およびそれによって得られた電
圧非直線抵抗体素子について実施例に基づき詳細に説明
する。
まず、ZnOの粉末に、合計量に対しBi2O30.5
モ/l/%、 Qo2O30.5 モ/I/%、 Mn
O2O,6%/lz%。
Sb 2O31.0 モル%r Or 2o3 o、s
 モル%、 Ni00.5モル%を加え、充分に粉砕、
混合した後、造粒して原料粉を得た。この原料粉を直径
40 Wm +厚さ30rrrInの大きさに圧縮成形
した。このようにして得られた成形体を900℃、2時
間焼成し冷却して仮焼体を得た。
一方、側面高抵抗層用のペーストは、Zn7Sb2O1
□。
Bi 2O3. Zn、、Sin、、を適当な割合で混
合した原料粉7ページ ト、エチルセルロース26ωt%、ブチルカルピトール
76ωt%からなるバインダーとを、重量比で1対3の
割合で配合し均一になるように混練して作成した。本発
明では、この側面高抵抗層用のペーストは、Zn7Sb
2O□2からなる下層用と、Zn2SiO4を主成分と
する上層用の2種類がある。
前述の仮焼体側面に下層用のペーストを塗布し、乾燥さ
せてから、上層用のペーストを塗布し、再度乾燥後、空
気中において12O0℃で焼結させた。このようにして
得られた焼結体の両端面を研磨し、アルミニウムの溶射
電極を形成した。
第1図は上述したようにして得た電圧非直線抵抗体素子
の断面図であり、1はZnOを主成分とする焼結体、2
はZn7Sb2O,2を主成分とする側面高抵抗層第1
層(下層)、3はZn2SiO4を主成分とする側面高
抵抗層第2層(上層)、4はアルミニウム溶射により形
成された電極である。なお、側面高抵抗層2.3の成分
はX線回折により確認された。また、X線マイクロアナ
ライザーによる分析から、第1層(下層)2にはMn、
Go、Orなどが固溶し、第2層(上層)3には主とし
てCOが固溶していることが確認された。
下記の第1表は、側面高抵抗層第1層および第2層用の
側面剤の組成表である。第1層用側面剤はZ n 7 
S b 2O12とバインダーの混合物で、第2層用側
面剤はZn2SiO4100〜60モル%にBi2O3
0〜50モル形を添加した6種類である。
(以下余白) 9ベーノ 1oベ−ノ このペーストを仮焼体に第1層用側面剤、第2層用側面
剤の順に塗布し、焼結させた後、V1772A /wn
 。
v1m人/v10□A外観などを調べた。この結果を下
記の第2表に示す。比較のため従来例1としてBi2O
3,5b2O3,5izO3をそれぞれ10モル%。
1oモル%、80モル%含む側面剤を塗布した場合、従
来例2としてB12O3,5b2O3をそれぞれ10モ
ル%、90モル%含むペーストを焼成容器内側に塗布し
、気−固相反応により側面高抵抗層を形成した場合のデ
ータを追記した。
(以下余白) 11ぺ−7 13ページ 第2表よりわかるように、側面剤の1層塗布。
2層塗布によらず電圧非直線性はB12O3濃度の増加
とともに高くなる。しかし、Bi2O.添加量が40モ
ル%以上になると側面剤が流れ落ちる現象が見られる。
また、SiC2のみを側面剤として用いた場合(試料8
)、バリスタ素子と側面剤の一部が未反応に々る。これ
は反応生成物であるZn2SiO4とバリスタ素子との
収縮率が合わないために生じると考えられる。さらにv
1m人/mmはBi2O3濃度とともにわずかに低下す
るものの問題点とはならない。
下記の第3表に前記試料の放電耐量特性および課電寿命
特性を示した。ここで放電耐量試験は、JRC−187
−1973に定められた4X10μSの衝撃電流を同一
方向に6分間隔で2回印加し、外観は目視にて、電圧非
直線性の劣化は定電源電源にて調べた。また、課電寿命
試験は周囲温度130’C,課電率96%(60)1z
、AC)の条件で行い、漏れ電流が10772Aを越え
た時点で熱暴走と判定した。
17I+−+−ノ 15ページ 第3表の放電耐量特性に注目すると、第2層用側面剤中
のBi2O3濃度が0〜30モル%の時(試料1〜4)
、すなわち本発明の製造法による場合、放電耐量は最大
90KAI回となり、従来例1゜2の放電耐量(〜50
KA2回)に比べ大巾に向上していることがわかる。ま
た、この状態で側面高抵抗層の構造は、第1図のように
第1層(下層)のZn7Sb2O1□多結晶相を第2層
(上層)のZn2SiO4多結晶相がとり囲む明確な二
層構造を形成している。ここでBi2O3濃度が30モ
ル%を越えると焼結体側面に流れが発生し、第1層に塗
布したZn7Sb2O12の一部が表面に露出し、安定
した二層構造は得られず放電耐量特性は低下する。また
、過剰なり i 2O3 カ側面高抵抗層(7) Zn
7Sb2O12,Zn2SiO4の粒界層に残留し、側
面高抵抗層の強度が低下することも放電耐量低下の一要
因であると考えられる。一方、前記の2層塗布用の側面
剤(A1.B1〜6)を単独で用いた場合(試料7〜1
3)、放電耐量は極めて低い。
次に、課電寿命の結果に注目すると、本発明の17ペー
ジ 製造法による試料1〜6は、60 Hr以上の寿命性能
を有するのに対し、各側面剤を単独で用いた場合と従来
例では〜30Hr と寿命性能も劣る。
第2図に第2層用側面剤中のBi2O3濃度と試料1〜
6が熱暴走に至るまでの時間をプロットした。
第2層用側面剤のBi2O3が増加するにつれ課電寿命
特性は良くなるが、B1□o3濃度が40モル%以上に
なると若干低下する。これは側面高抵抗層の流れに関係
していると考えられる。
以上のように、本発明の製造法による電圧非直線抵抗体
素子が放電耐量特性2課電寿命特性ともに高性能化した
理由は完全には解明されていないが、側面剤中にBi2
O3,5b2O3.SiO2を用いた場合の生成物であ
るZn7Sb2O□2.Zn25in4 が混在した系
から、本発明例のように2層に層別された系となった効
果が非常に大きいと考えられる。下層のZn7Sb2O
□2相は高抵抗でバリスタ素子との密着性が高く放電耐
量に寄与し、上層のZn、、5i04相はバリスタ素子
からのB1□03飛散を軽減し課電寿命特性の向上に寄
与していると考えられる。さ18ペー/′ らに、Zn7Sb2O.相はボアが多いため、Zn2S
iO4相がその欠陥部分を補って放電耐量特性の向上に
も役立っていると考えられる。
本実施例においては、側面高抵抗層用の2種類の側面剤
を仮焼体に塗布した場合についてのみ記載したが、第1
層、第2層用側面剤をともに成形体に塗布した場合、ま
た第1層用側面剤を成形体に、第2層用側面剤を仮焼体
に塗布した場合にも同様の効果があることを確認した。
発明の効果 以上のように本発明によれば、酸化亜鉛形バリスタ素子
の成形体または仮焼体の側面にZn7Sb2O1□から
なる側面剤を塗布し、その上層にZn2SiO4。
Bi2O3からなる側面剤を塗布し、焼結させることに
より、アレスタとして極めて重要な特性である放電耐量
特性1課電寿命特性のいずれも非常に高性能な電圧非直
線抵抗体素子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例による製造方法によ19ベー
。 り得られた電圧非直線抵抗体素子の断面図、第2図は本
発明方法において第2層用側面剤中のBi2O3の濃度
と課電寿命特性の関係を示す図である。 1・・・・・・酸化亜鉛形バリスタ素子、2・・・・・
・側面高抵抗層第1層(下層)、3・・・・・・側面高
抵抗層第2層(上層)、4・・・・・・電極。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)酸化亜鉛を主成分とし、焼結体自身が電圧非直線
    性を示すよう添加物を加えた成形体を700〜1150
    ℃の温度範囲で仮焼し、得られた仮焼体の側面にZn_
    7Sb_2O_1_2からなる第1の側面剤を塗布し、
    前記第1の側面剤上部にZn_2SiO_4を主成分と
    しBi_2O_30〜30モル%を含む第2の側面剤を
    塗布した後、焼結し、焼結体側面に高抵抗層を形成する
    ことを特徴とする電圧非直線抵抗体素子の製造方法。
  2. (2)酸化亜鉛を主成分とし、焼結体自身が電圧非直線
    性を示すよう添加物を加えた成形体の側面にZn_7S
    b_2O_1_2からなる第1の側面剤を塗布し、前記
    第1の側面剤上部にZn_2SiO_4を主成分としB
    i_2O_30〜30モル%を含む第2の側面剤を塗布
    した後、焼結し、焼結体側面に高抵抗層を形成する電圧
    非直線抵抗体素子の製造方法。
  3. (3)酸化亜鉛を主成分とし、焼結体自身が電圧非直線
    性を示すよう添加物を加えた成形体の側面にZn_7S
    b_2O_1_2からなる第1の側面剤を塗布し、70
    0〜1150℃の温度範囲で仮焼後、仮焼体の側面にZ
    n_2SiO_4を主成分としBi_2O_30〜30
    モル%を含む第2の側面剤を塗布した後、焼結し、焼結
    体側面に高抵抗層を形成することを特徴とする電圧非直
    線抵抗体素子の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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