JPS62282230A - 焦電型赤外線検知器 - Google Patents
焦電型赤外線検知器Info
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- JPS62282230A JPS62282230A JP61125332A JP12533286A JPS62282230A JP S62282230 A JPS62282230 A JP S62282230A JP 61125332 A JP61125332 A JP 61125332A JP 12533286 A JP12533286 A JP 12533286A JP S62282230 A JPS62282230 A JP S62282230A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/34—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using capacitors, e.g. pyroelectric capacitors
- G01J5/35—Electrical features thereof
-
- G—PHYSICS
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- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
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- G01J5/34—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using capacitors, e.g. pyroelectric capacitors
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分’I!P]
本発明は、浸入警報器、自動)・ア用人体検知2g。
来客報知器、放射温度計などに用いるれる焦電型赤夕)
線検知器に関する。
線検知器に関する。
イへ電型赤外線検知器(以下用型検知器という)は、(
ζ型素子から出力を取り出す方式により電圧モード2電
流モードと呼ばれる二つの回路形式を持つものに分けら
れる。しかし大半の用途では電圧モートで(重用されて
いる。本発明はこの電圧モード回路の改良に関している
。電圧モードタイプの内部回路としては、第4図に示す
三種類のものが基本形としである。第4図(a)は単一
の偵電素子1の一組の電極のうち一方をFET3のゲー
トに結合して成るシングルタイプと呼ばれるもので、電
圧モード型用型検知器の基本形である。2はl×109
〜lXl0”Ωの高抵抗であり、過大入力があった場合
FET3のゲートが飽和する事を防ぐためのリーク抵抗
である。イQ電素子1の抵抗値が109〜10“2Ωの
範囲にあれば、電電素子1自体がリーク1氏抗となるの
で省略される事もある。第4図(b)はデュアルタイプ
或はツインタイプと一般に呼ばれているもので、分翫方
向が相反する二つの焦電素子1.1”を直列に、結合し
てなる複合型焦電素子4を用いると共−こ、その一方の
焦電素子1のみに赤外線が当たるようにしたものである
。これは侵入警報器、など箭信イ・a性を必要とする用
途向けに、振・肋や周囲の温度ゆらぎによる誤信号を相
殺して外部に出さないようにしたちのである。
ζ型素子から出力を取り出す方式により電圧モード2電
流モードと呼ばれる二つの回路形式を持つものに分けら
れる。しかし大半の用途では電圧モートで(重用されて
いる。本発明はこの電圧モード回路の改良に関している
。電圧モードタイプの内部回路としては、第4図に示す
三種類のものが基本形としである。第4図(a)は単一
の偵電素子1の一組の電極のうち一方をFET3のゲー
トに結合して成るシングルタイプと呼ばれるもので、電
圧モード型用型検知器の基本形である。2はl×109
〜lXl0”Ωの高抵抗であり、過大入力があった場合
FET3のゲートが飽和する事を防ぐためのリーク抵抗
である。イQ電素子1の抵抗値が109〜10“2Ωの
範囲にあれば、電電素子1自体がリーク1氏抗となるの
で省略される事もある。第4図(b)はデュアルタイプ
或はツインタイプと一般に呼ばれているもので、分翫方
向が相反する二つの焦電素子1.1”を直列に、結合し
てなる複合型焦電素子4を用いると共−こ、その一方の
焦電素子1のみに赤外線が当たるようにしたものである
。これは侵入警報器、など箭信イ・a性を必要とする用
途向けに、振・肋や周囲の温度ゆらぎによる誤信号を相
殺して外部に出さないようにしたちのである。
又、第4図(c)に示すような検知器もある(破線内が
検知器を示す)。これはFET3のソース端子が電圧基
準点に結合されており、信号出力はドレイン端子から得
られる。この回路はリーク1氏抗2がなくてもトレイン
抵抗5を適当に選ぶことにより出力端子のバイアス点を
任意に設定する事ができるために、過大な信号入力があ
った時でもFET3の飽和による検知器の殿能停止を防
止する事ができる。
検知器を示す)。これはFET3のソース端子が電圧基
準点に結合されており、信号出力はドレイン端子から得
られる。この回路はリーク1氏抗2がなくてもトレイン
抵抗5を適当に選ぶことにより出力端子のバイアス点を
任意に設定する事ができるために、過大な信号入力があ
った時でもFET3の飽和による検知器の殿能停止を防
止する事ができる。
FET3はイへ電素子1のインピーダンスが1011〜
1013Ωと高いため、発生した信号を低インピーダン
スに変換するためのインピーダンス変換の役割を果たす
。
1013Ωと高いため、発生した信号を低インピーダン
スに変換するためのインピーダンス変換の役割を果たす
。
電圧モード型の焦電検知器の性能は電圧感度とノイズで
示される。以下各々を構成する要因について説明する。
示される。以下各々を構成する要因について説明する。
電圧感度R9の大きさは次式で示される(文南大:E、
11.Putley、Semiconductorsa
ndSemimeLals(ediLedbyWill
ardson)5.p259゜Academic Pr
ess (1970) ) eη ・ ω ・ A−R
dP。
11.Putley、Semiconductorsa
ndSemimeLals(ediLedbyWill
ardson)5.p259゜Academic Pr
ess (1970) ) eη ・ ω ・ A−R
dP。
G dT
・ ・ □−−−(1
+上記C及びRは、焦電素子1,4.リーク1氏抗2、
FET3の容量及び抵抗成分の各合成値と考えられるが
、実n的にはC=素子容ff1. R=リーク抵抗で
ある。
+上記C及びRは、焦電素子1,4.リーク1氏抗2、
FET3の容量及び抵抗成分の各合成値と考えられるが
、実n的にはC=素子容ff1. R=リーク抵抗で
ある。
一方、焦電検知器のノイズは複数のノイズ要因で構成さ
れている。例えば周囲温度のゆらぎによる温度ノイズ、
焦電素子の誘電(員に起因するも□]nδノイズ、入力
砥石Rによる入力抵抗ノイズ(Johnson ノイズ
ともいう)、FETのゲートリーク電流によるFET電
流ノイズ及びFET電圧ノイズがある。焦電検知器のノ
イズの大きさは、これら各要因の二乗平均で求まる。し
かし、実際の検知器について各要因の寄与を細かく検討
した結果、最も支配的なものは入力砥石ノイズであり、
次いでFET電流ノイズであった。この結果実際の電電
検出器のノイズは、この二つの要因のみを考ICシて論
して大過ないということが・判った。この大きさ■8を
式で表わすと、次式のようになる。
れている。例えば周囲温度のゆらぎによる温度ノイズ、
焦電素子の誘電(員に起因するも□]nδノイズ、入力
砥石Rによる入力抵抗ノイズ(Johnson ノイズ
ともいう)、FETのゲートリーク電流によるFET電
流ノイズ及びFET電圧ノイズがある。焦電検知器のノ
イズの大きさは、これら各要因の二乗平均で求まる。し
かし、実際の検知器について各要因の寄与を細かく検討
した結果、最も支配的なものは入力砥石ノイズであり、
次いでFET電流ノイズであった。この結果実際の電電
検出器のノイズは、この二つの要因のみを考ICシて論
して大過ないということが・判った。この大きさ■8を
式で表わすと、次式のようになる。
<pfi険知器の機能として、感度は出来るだけ高く、
ノイズは出来るだけ低いことが好ましい。しかし、一般
に両とを共に満足させるような設計は実際に4゛=なか
なか困維で、どちらかが優先されて一方がある点に妥協
されるという事が現実には行われて来た。具体的には、
これまで感度を高める事が急務で、ノイズは処理できる
限度内であれば強いて最適化という事はなされていなか
った。しかし、最近応用a器の高度化に伴い、どうして
もノイズをある一定しヘル以下に押さえ込むという必要
性が生してきた。
ノイズは出来るだけ低いことが好ましい。しかし、一般
に両とを共に満足させるような設計は実際に4゛=なか
なか困維で、どちらかが優先されて一方がある点に妥協
されるという事が現実には行われて来た。具体的には、
これまで感度を高める事が急務で、ノイズは処理できる
限度内であれば強いて最適化という事はなされていなか
った。しかし、最近応用a器の高度化に伴い、どうして
もノイズをある一定しヘル以下に押さえ込むという必要
性が生してきた。
ノイズの低減方法として、(2)弐から考えられる事は
、C,Rを大きくして、i、、の小さなF B ]’を
選定して(重用する事である。仮に適当なFETを採用
したとすれば、それ以外にj択できるものはC,Rのみ
である。C,RはイIX、電素子1.4゜リーク抵抗2
.FET3からなるイ戟電I支知:慢の出力端子側から
見た等価容量及び抵抗であるが、実の 質的にCは電電素子1.尚量(侑電素子+オt、1の比
誘電率ε、と素子)反厚、電極面積で央まる)の大きさ
、Rはリーク抵抗2の大きさでは(χ決まる。
、C,Rを大きくして、i、、の小さなF B ]’を
選定して(重用する事である。仮に適当なFETを採用
したとすれば、それ以外にj択できるものはC,Rのみ
である。C,RはイIX、電素子1.4゜リーク抵抗2
.FET3からなるイ戟電I支知:慢の出力端子側から
見た等価容量及び抵抗であるが、実の 質的にCは電電素子1.尚量(侑電素子+オt、1の比
誘電率ε、と素子)反厚、電極面積で央まる)の大きさ
、Rはリーク抵抗2の大きさでは(χ決まる。
ノイズ低減という観点からRはなるべく太き(するに越
したことはないが、過大人力があった時FETのゲート
が飽和しないよう電荷をリークさせる必要があるのでお
およその上限がある。実際にはR=5XIO”Ωまでが
使用される。一方Cについては、これまでこれを制御し
てノイズを低下させるという事はなされて来なかった。
したことはないが、過大人力があった時FETのゲート
が飽和しないよう電荷をリークさせる必要があるのでお
およその上限がある。実際にはR=5XIO”Ωまでが
使用される。一方Cについては、これまでこれを制御し
てノイズを低下させるという事はなされて来なかった。
その第一の理由は感度の低下である。(1)式に示す電
圧感度RvはほぼCに反比例して低下して行く。逆に言
えば、焦電検知器の感度を高からしめるためには、出来
る限り焦電検知器の容量成分を小さくする事が必要であ
る。従来はこの考え方に沿って、焦電素子自体の持つ容
量成分以外には極力電気容量を持たせないように設計さ
れるのが常であった。これがために、焦電検知器のノイ
ズは容量成分の面からの改善は顧みられず、専らリーク
抵抗2の操1乍だけに重置っていた。従って、ノイズの
低減には当然一定の限界があった。
圧感度RvはほぼCに反比例して低下して行く。逆に言
えば、焦電検知器の感度を高からしめるためには、出来
る限り焦電検知器の容量成分を小さくする事が必要であ
る。従来はこの考え方に沿って、焦電素子自体の持つ容
量成分以外には極力電気容量を持たせないように設計さ
れるのが常であった。これがために、焦電検知器のノイ
ズは容量成分の面からの改善は顧みられず、専らリーク
抵抗2の操1乍だけに重置っていた。従って、ノイズの
低減には当然一定の限界があった。
また、他のノイズ低減方法として、皇。の小ざい低ノイ
ズ仕(1のFETを使用する方法がある。
ズ仕(1のFETを使用する方法がある。
これシま、(2)式の電流雑音の項を小さくできる特長
がある。しかし、この1重のFETは高1面というだけ
でなく、信号伝達効率が悪い(iill常仕様品の約5
0〜60%)ために、焦電検知器に使用した場合、感度
が著しく低下する!!トちS/N比(信号/ノイズ比)
が悪化するという問題があった。又、ノイズレヘルを所
望の値に調節するという事は殆ど不可能であった。
がある。しかし、この1重のFETは高1面というだけ
でなく、信号伝達効率が悪い(iill常仕様品の約5
0〜60%)ために、焦電検知器に使用した場合、感度
が著しく低下する!!トちS/N比(信号/ノイズ比)
が悪化するという問題があった。又、ノイズレヘルを所
望の値に調節するという事は殆ど不可能であった。
本発明者等は前記の従来概念を根本から見直し、感度を
悪化させずに低ノイズ化を実現し得る焦電検知器を提供
すべく、検討を加えた。
悪化させずに低ノイズ化を実現し得る焦電検知器を提供
すべく、検討を加えた。
c問題点を解決するための手段及び作用〕その結果、検
知器内部回路の容量成分Cを意図的に高くして感度を低
下させても、感度自体よりむしろ重要な要素である焦電
検知器の持つS / N比は殆ど変化しないという驚く
べき事実を見出した。即ち、本発明は、感度には悪い影
古しか与えないと考えられていた容量成分Cの増加を敢
えて行う事により、上記本発明の目的を達成した。
知器内部回路の容量成分Cを意図的に高くして感度を低
下させても、感度自体よりむしろ重要な要素である焦電
検知器の持つS / N比は殆ど変化しないという驚く
べき事実を見出した。即ち、本発明は、感度には悪い影
古しか与えないと考えられていた容量成分Cの増加を敢
えて行う事により、上記本発明の目的を達成した。
本発明による焦電検知器は、焦電素子と並列にコンデン
サーを結合し、これらを他の回銘部品例えばリーク抵抗
やFETと共にTO−5金属パツケージやプラスチック
パッケージなどに一体に収納する事を特徴としている。
サーを結合し、これらを他の回銘部品例えばリーク抵抗
やFETと共にTO−5金属パツケージやプラスチック
パッケージなどに一体に収納する事を特徴としている。
以下、図示した各実施例に基づき本発明の詳細な説明す
る。
る。
第1図(a)乃至(C)は夫々第1乃至第3実晦例を示
しており、各実施例において、6は焦電素子1又はm金
型焦電素子4と並列に接続されたコンデンサーであって
、これらは他の回路部品即ちリーク抵抗2及びFET3
と共にTO−5金属パツケージやプラスチックパッケー
ジなどに一体に収納されている。尚、コンデンサー6は
その静電容量値は問わないが、誘電損が0.01以下(
100Hz、室温で測定)のものが望ましい。これは、
例えばリーク抵抗のような砥石体でもアルミナ基板上に
厚膜印す11シて形成されるような場合二つのTL掻間
隔が扶ければ多少の寄生容五が発生し、外見上誘N を
員の大きな倣少容匿コンデンサーが形成されるが、こr
、では正確な制御が困デ「であるからである。
しており、各実施例において、6は焦電素子1又はm金
型焦電素子4と並列に接続されたコンデンサーであって
、これらは他の回路部品即ちリーク抵抗2及びFET3
と共にTO−5金属パツケージやプラスチックパッケー
ジなどに一体に収納されている。尚、コンデンサー6は
その静電容量値は問わないが、誘電損が0.01以下(
100Hz、室温で測定)のものが望ましい。これは、
例えばリーク抵抗のような砥石体でもアルミナ基板上に
厚膜印す11シて形成されるような場合二つのTL掻間
隔が扶ければ多少の寄生容五が発生し、外見上誘N を
員の大きな倣少容匿コンデンサーが形成されるが、こr
、では正確な制御が困デ「であるからである。
第2図に示゛ノーグラフは、(1)式に示す電圧感度R
v(2)式に示すノイズ■。をチョッピング周波数fを
0.3Hz として理論計算し、更に両者をCについて
プロットして得たものである。f = 0.31−1
z という低周波域の感度は侵入警報器などにおいて侵
入者の非常にゆっくりとした動きを検知するために重要
である。電圧感度Rvの試算のため、(1)弐における
定数として、η= 0.95 、 A = 0.02
crA 。
v(2)式に示すノイズ■。をチョッピング周波数fを
0.3Hz として理論計算し、更に両者をCについて
プロットして得たものである。f = 0.31−1
z という低周波域の感度は侵入警報器などにおいて侵
入者の非常にゆっくりとした動きを検知するために重要
である。電圧感度Rvの試算のため、(1)弐における
定数として、η= 0.95 、 A = 0.02
crA 。
G=2.5 LX I O−″(J/K −5ec )
、 rT=T R=3XIO”Ωを用い、ノイズのδ式算のため、(2
)式における定数として、i、、=3.6 X I O
”’Amp/閣、T=298Kを用いた。これはチタン
酸ジルコン酸鉛(PZT)を惟電材ギlとして第1図(
b)に示す所謂デュアルタイプ侑電検知器を構成した場
合の状況にAい。コンデ/サ−6り結合しない状態で検
知器出力・端から見た容量:よ肖351)Fである。従
って、上記条件の検知器−二ついては、第2図における
C>351)Fの領域か一ヒ記状況下で実現可能である
。第2図から容量Jに分かるようにRV、VNは共にC
の増加と共に減少する。しかしながら焦電検知器のS/
N比に着目して見ると、これはCの変化に対して一定の
値(1,30x I O”)となった。この理論計算の
事実は、実験でも確認された。即ち、ノイズを低減させ
るために容量成分Cを増加させる事は焦’rl検知21
の最終性能S/N比を何らtMなうものではない。従っ
て、焦電検知器に続く増幅回路の部合で、人力する供電
検知器からのノイズを低いレベルに保持する必要がある
用途では、焦電素子に並列に適当な容■のコンデンサー
を結合付加する事で自由にそのレベルを調節する事が可
能である。
、 rT=T R=3XIO”Ωを用い、ノイズのδ式算のため、(2
)式における定数として、i、、=3.6 X I O
”’Amp/閣、T=298Kを用いた。これはチタン
酸ジルコン酸鉛(PZT)を惟電材ギlとして第1図(
b)に示す所謂デュアルタイプ侑電検知器を構成した場
合の状況にAい。コンデ/サ−6り結合しない状態で検
知器出力・端から見た容量:よ肖351)Fである。従
って、上記条件の検知器−二ついては、第2図における
C>351)Fの領域か一ヒ記状況下で実現可能である
。第2図から容量Jに分かるようにRV、VNは共にC
の増加と共に減少する。しかしながら焦電検知器のS/
N比に着目して見ると、これはCの変化に対して一定の
値(1,30x I O”)となった。この理論計算の
事実は、実験でも確認された。即ち、ノイズを低減させ
るために容量成分Cを増加させる事は焦’rl検知21
の最終性能S/N比を何らtMなうものではない。従っ
て、焦電検知器に続く増幅回路の部合で、人力する供電
検知器からのノイズを低いレベルに保持する必要がある
用途では、焦電素子に並列に適当な容■のコンデンサー
を結合付加する事で自由にそのレベルを調節する事が可
能である。
結合すべきコンデンサ−6の容Ncz は、イL電素子
l又は・1の容■(デュアルタイプの場合は二つの素子
を直列結合した状態の合成容量)をC。
l又は・1の容■(デュアルタイプの場合は二つの素子
を直列結合した状態の合成容量)をC。
とすれば、C2= CC1として求まる。例えば亀電素
子容1c、がC1=35 p Fの場合ノイズ値は灼6
.6μ■であるが、これを約2にするためには、33p
Fのコンデンサー6を焦電素子l又は4と並列に結合し
てC=68pFとすれば良い。
子容1c、がC1=35 p Fの場合ノイズ値は灼6
.6μ■であるが、これを約2にするためには、33p
Fのコンデンサー6を焦電素子l又は4と並列に結合し
てC=68pFとすれば良い。
コンデンサー6は特にその種類を問わないができる限り
小型で焦電素子l又は4の近傍に取付けられるものが好
ましい。具体的にはマイカ、セラミックなどを誘電材料
とするチップ型コンデンサーが好適である。コンデンサ
ー結合の効果は、第1図(a)、(b)、(c)に示す
何れの実施例の場合にも同様に得られる。
小型で焦電素子l又は4の近傍に取付けられるものが好
ましい。具体的にはマイカ、セラミックなどを誘電材料
とするチップ型コンデンサーが好適である。コンデンサ
ー結合の効果は、第1図(a)、(b)、(c)に示す
何れの実施例の場合にも同様に得られる。
第3図は第4実施例を示しており、これはデュアルタイ
プの焦電検知器を二Mi接続して成る回路を一つのパッ
ケージに内蔵したものであって、この実施例も上記各実
施例と同様の効果が得られ、これも又本発明の範囲に含
まれる。
プの焦電検知器を二Mi接続して成る回路を一つのパッ
ケージに内蔵したものであって、この実施例も上記各実
施例と同様の効果が得られ、これも又本発明の範囲に含
まれる。
上述の如く、本発明による焦電型赤外線検知器は、S/
N比を悪化させずに低ノイズ化を実現し得、任官のノイ
ズレベルを実現し得るという実用上極めて重要な利点を
存している。
N比を悪化させずに低ノイズ化を実現し得、任官のノイ
ズレベルを実現し得るという実用上極めて重要な利点を
存している。
第1図(a)、(b)、’ (c)は夫々本発明によ
る焦電型赤外線検知器の第1乃至第3実1仏例の回路を
示す図、第2図は焦電型赤外線検知器における人力容量
Cの変化に対する電圧感度Rv1ノイズ■イの変化を示
すグラフ、第3図は第4実施例の回路を示す図、第4図
(a)、(b)、(C)は夫々各従来例の回路を示す図
である。 1.1′・・・・焦電素子、2・・・・リーク抵抗、3
、・・、FET、4・・・複合型供電素子、5・・・・
トライン1氏抗、6・・、、コンデンサー。 第1図 第2図 ρF 入力″g−t−C 第3図
る焦電型赤外線検知器の第1乃至第3実1仏例の回路を
示す図、第2図は焦電型赤外線検知器における人力容量
Cの変化に対する電圧感度Rv1ノイズ■イの変化を示
すグラフ、第3図は第4実施例の回路を示す図、第4図
(a)、(b)、(C)は夫々各従来例の回路を示す図
である。 1.1′・・・・焦電素子、2・・・・リーク抵抗、3
、・・、FET、4・・・複合型供電素子、5・・・・
トライン1氏抗、6・・、、コンデンサー。 第1図 第2図 ρF 入力″g−t−C 第3図
Claims (1)
- 焦電素子の出力をFETで取り出す焦電型赤外線検知器
において、焦電素子と並列にコンデンサーを結合し、こ
れらを他の回路部品と共に同一パッケージに一体に収納
した事を特徴とする焦電型赤外線検知器。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61125332A JPS62282230A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 焦電型赤外線検知器 |
US07/055,122 US4825079A (en) | 1986-05-30 | 1987-05-28 | Pyroelectric infrared detector |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61125332A JPS62282230A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 焦電型赤外線検知器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62282230A true JPS62282230A (ja) | 1987-12-08 |
Family
ID=14907486
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61125332A Pending JPS62282230A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 焦電型赤外線検知器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4825079A (ja) |
JP (1) | JPS62282230A (ja) |
Families Citing this family (25)
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---|---|---|---|---|
NZ220217A (en) * | 1987-05-06 | 1991-03-26 | Graydon Aubrey Shepherd | Pyro-electric sensor circuit |
CH675921A5 (ja) * | 1988-11-25 | 1990-11-15 | Cerberus Ag | |
US5323025A (en) * | 1989-05-18 | 1994-06-21 | Murata Mfg. Co., Ltd. | Pyroelectric IR-sensor having a low thermal conductive ceramic substrate |
EP0398725B1 (en) * | 1989-05-18 | 1994-08-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Pyroelectric IR - sensor |
US5414263A (en) * | 1994-02-24 | 1995-05-09 | Regent Lighting Corporation | Infrared detection switching circuit |
KR0131569Y1 (ko) * | 1995-12-30 | 1998-12-01 | 김광호 | 초전형 적외선 센서 |
US5701117A (en) * | 1996-01-18 | 1997-12-23 | Brian Page Platner | Occupancy detector |
US6166625A (en) * | 1996-09-26 | 2000-12-26 | Donnelly Corporation | Pyroelectric intrusion detection in motor vehicles |
US6215398B1 (en) | 1997-12-18 | 2001-04-10 | Brian P. Platner | Occupancy sensors for long-range sensing within a narrow field of view |
US6304180B1 (en) | 1998-04-15 | 2001-10-16 | Brian P. Platner | Highly versatile occupancy sensor |
US6783167B2 (en) * | 1999-03-24 | 2004-08-31 | Donnelly Corporation | Safety system for a closed compartment of a vehicle |
US6086131A (en) * | 1999-03-24 | 2000-07-11 | Donnelly Corporation | Safety handle for trunk of vehicle |
US6485081B1 (en) | 1999-03-24 | 2002-11-26 | Donnelly Corporation | Safety system for a closed compartment of a vehicle |
US6390529B1 (en) | 1999-03-24 | 2002-05-21 | Donnelly Corporation | Safety release for a trunk of a vehicle |
WO2002047942A2 (en) | 2000-11-16 | 2002-06-20 | Donnelly Corporation | Vehicle compartment occupancy detection system |
US6791088B1 (en) * | 2001-05-04 | 2004-09-14 | Twin Rivers Engineering, Inc. | Infrared leak detector |
US6850159B1 (en) | 2001-05-15 | 2005-02-01 | Brian P. Platner | Self-powered long-life occupancy sensors and sensor circuits |
US8258932B2 (en) | 2004-11-22 | 2012-09-04 | Donnelly Corporation | Occupant detection system for vehicle |
US7732770B2 (en) * | 2007-06-19 | 2010-06-08 | The Board Of Trustees Of The University Of Alabama | Thin film multi-layered pyroelectric capacitor |
JP2011058861A (ja) * | 2009-09-08 | 2011-03-24 | Panasonic Corp | 焦電型赤外線検出器 |
JP5857343B2 (ja) * | 2010-07-07 | 2016-02-10 | オプテックス株式会社 | 受動型赤外線検知センサ |
DE102013014810B4 (de) | 2013-09-05 | 2019-03-14 | Elmos Semiconductor Aktiengesellschaft | Vorrichtung zum Betreiben passiver Infrarotsensoren |
CN104627030A (zh) | 2013-11-13 | 2015-05-20 | 光宝科技股份有限公司 | 载具安全系统及应用于其上的安全侦测与处理方法 |
US9405120B2 (en) | 2014-11-19 | 2016-08-02 | Magna Electronics Solutions Gmbh | Head-up display and vehicle using the same |
CN105910719B (zh) * | 2016-04-08 | 2018-08-10 | 电子科技大学 | 一种应用于热释电探测器的测试电路 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS586428A (ja) * | 1981-07-04 | 1983-01-14 | Nippon Ceramic Kk | パイロ検出器 |
JPS6022632A (ja) * | 1983-07-18 | 1985-02-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 赤外線検出器 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4214165A (en) * | 1979-02-21 | 1980-07-22 | Hughes Aircraft Company | Pyroelectric IR detector with signal capacitively coupled to an output circuit |
JPS5928629A (ja) * | 1982-08-10 | 1984-02-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 焦電型赤外線検出器の製造方法 |
JPS60125530A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-04 | Kureha Chem Ind Co Ltd | 赤外線センサ |
-
1986
- 1986-05-30 JP JP61125332A patent/JPS62282230A/ja active Pending
-
1987
- 1987-05-28 US US07/055,122 patent/US4825079A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS586428A (ja) * | 1981-07-04 | 1983-01-14 | Nippon Ceramic Kk | パイロ検出器 |
JPS6022632A (ja) * | 1983-07-18 | 1985-02-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 赤外線検出器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4825079A (en) | 1989-04-25 |
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