JPS62281387A - 光パルス発生装置 - Google Patents
光パルス発生装置Info
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- JPS62281387A JPS62281387A JP12411486A JP12411486A JPS62281387A JP S62281387 A JPS62281387 A JP S62281387A JP 12411486 A JP12411486 A JP 12411486A JP 12411486 A JP12411486 A JP 12411486A JP S62281387 A JPS62281387 A JP S62281387A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔概要］
接合に平行な断面積の変化する量子井戸（叶）構造のパ
ルス発生器、例えば断面積がこれに垂直な方向に瀬減す
る構造（ここでは傾斜構造と呼ぶことにする）のＧＷパ
ルス発生器とレーザを直列に接続して電圧を加え、ＱＷ
パルス発生器に入射する光を振ると断面積の差により個
々の井戸に加わる電場の強さが異なることにより、各井
戸ごとに伝導帯の電子と価電子帯の正孔の空間分布に差
を生じ、そのため電子と正孔の再結合確率が異なるため
、レーザに流れる電流は変動し、レーザより光パルスを
発生する。
ルス発生器、例えば断面積がこれに垂直な方向に瀬減す
る構造（ここでは傾斜構造と呼ぶことにする）のＧＷパ
ルス発生器とレーザを直列に接続して電圧を加え、ＱＷ
パルス発生器に入射する光を振ると断面積の差により個
々の井戸に加わる電場の強さが異なることにより、各井
戸ごとに伝導帯の電子と価電子帯の正孔の空間分布に差
を生じ、そのため電子と正孔の再結合確率が異なるため
、レーザに流れる電流は変動し、レーザより光パルスを
発生する。
〔産業上の利用分野］
本発明はＱＷ構造のパルス発生器とレーザを有する光パ
ルス発生装置に関する。
ルス発生装置に関する。
本発明は、ＱＷ構造のパルス発生器に入射するレーザ光
を、例えばミラーで振りある事象を表現すれば、これに
対応する光パルスをレーザで発生させ、この後は通常の
光通信により遠くでこの事象を知ることができる。この
ような遠隔掻作の監視、すなわち遠隔検知が可能とする
。
を、例えばミラーで振りある事象を表現すれば、これに
対応する光パルスをレーザで発生させ、この後は通常の
光通信により遠くでこの事象を知ることができる。この
ような遠隔掻作の監視、すなわち遠隔検知が可能とする
。
その他、ＬＡＮ等の近距離通信に利用が考えられる。
従来は、傾斜構造の叶を用いたパルス発生装置はみられ
ない。従ってこれを利用した光パルス発生装置もなかっ
た。
ない。従ってこれを利用した光パルス発生装置もなかっ
た。
ざらに、本発明に対応するその他の方式による光パルス
発生装置はなかった。
発生装置はなかった。
本発明は光スィッチ、および光パルス発生のための新規
な光装置を提起するものである。
な光装置を提起するものである。
〔問題点を解決するための手段］
第１図は本発明の光パルス発生装置の構成を説明する斜
視図である。
視図である。
上記問題点の解決は、接合に平行な断面積が変化する量
子井戸構造のパルス発生器１と、レーザ２を直列に接続
してなり、 該パルス発生器１に入射する光を該接合に垂直方向に振
・υＪさせて得られる電流パルスがレーザ２に加わり、
該レーザ２より光パルスを発生する本発明による光パル
ス発生装置により達成される。
子井戸構造のパルス発生器１と、レーザ２を直列に接続
してなり、 該パルス発生器１に入射する光を該接合に垂直方向に振
・υＪさせて得られる電流パルスがレーザ２に加わり、
該レーザ２より光パルスを発生する本発明による光パル
ス発生装置により達成される。
〔作用〕
傾斜構造を有する層構造のパルス発生器には、断面積の
小さい井戸の電場は大きく、断面積の大きい井戸の電場
は小さくなる。その様子をつぎのバンド構造図に示す。
小さい井戸の電場は大きく、断面積の大きい井戸の電場
は小さくなる。その様子をつぎのバンド構造図に示す。
第２図は傾斜構造を有する層構造のパルス発生器に電場
を加えた場合のエネルギハンド構造図である。
を加えた場合のエネルギハンド構造図である。
図において、Ｅｅは伝導帯の下端、Ｅ、は価電子帯の上
端である。
端である。
外部電場を加えると、ＱＷ層構造断面積の小ざい井戸（
ａｌには大きい電場が加わり、断面積の大きい井戸ＦＣ
＋には小さい電場が加わって、エネルギハンド構造図は
図示のように歪む。
ａｌには大きい電場が加わり、断面積の大きい井戸ＦＣ
＋には小さい電場が加わって、エネルギハンド構造図は
図示のように歪む。
この場合は、伝導帯の凹部にある電子と、価電子帯の凸
部にある正孔は電場の強さに応じてそれぞれ反対方向に
移動し、空間的に分離して分布するが、電場の大きい井
戸はど、電子と正孔は太きく分離して分布し、入射光に
よる電子と正札の再結合確率が小さくなる。
部にある正孔は電場の強さに応じてそれぞれ反対方向に
移動し、空間的に分離して分布するが、電場の大きい井
戸はど、電子と正孔は太きく分離して分布し、入射光に
よる電子と正札の再結合確率が小さくなる。
従って、図示の各井戸（１１）、（ｂ）、（Ｃ１におけ
る電子と正孔の再結合確率は、 ｔａ＋ ＜ （ｂ） ＜ （Ｃ）。
る電子と正孔の再結合確率は、 ｔａ＋ ＜ （ｂ） ＜ （Ｃ）。
となる。
従って、入射光を上下に振ることにより、レーザに流れ
る電流は変動し、これに対応してレーザより光パルスを
発生できる。
る電流は変動し、これに対応してレーザより光パルスを
発生できる。
〔実施例］
本発明の一実施例を、第１図を用いて説明する。
図において、層構造のパルス発生器１はインジウム砒素
燐 （ｆｎＡｓＰ） とインジウム塙（ＩｎＰ） 、
あるいはインジウムガリウム砒素燐（ＩｎＧａＡｓＰ）
とＩｎＰの薄層を交互に積層した１部１八と電極ＩＢ
とよりなる。
燐 （ｆｎＡｓＰ） とインジウム塙（ＩｎＰ） 、
あるいはインジウムガリウム砒素燐（ＩｎＧａＡｓＰ）
とＩｎＰの薄層を交互に積層した１部１八と電極ＩＢ
とよりなる。
半導体レーザ２は、例えば１．３μｍ帯用０場合はＩｎ
Ｐ層間に挟まれて形成された１ｎＧａＡｓＰよりなる活
１生層２八と電ｔＭ２Ｂとよりなる。
Ｐ層間に挟まれて形成された１ｎＧａＡｓＰよりなる活
１生層２八と電ｔＭ２Ｂとよりなる。
半導体レーザ２の層構造の上に、連続して層構造のパル
ス発生器ｌの層構造を誠長じて形成し、ＱＷ層構造パル
ス発生器１の側面を傾斜構造にエツチングして形成する
。
ス発生器ｌの層構造を誠長じて形成し、ＱＷ層構造パル
ス発生器１の側面を傾斜構造にエツチングして形成する
。
電極ＩＢと電極２Ｂ間に、例えば１．５〜２ｖ印加し、
ｑ一部ＩＡに入射光３を入射して上下に振ると、その振
動に応じて活性層２Ａより光パルス４が出射される。
ｑ一部ＩＡに入射光３を入射して上下に振ると、その振
動に応じて活性層２Ａより光パルス４が出射される。
この実施例では、層構造のパルス発生器１と半導体レー
ザ２を一体構造に形成したが、それぞれ別々に用意して
直列に接続してもよい。
ザ２を一体構造に形成したが、それぞれ別々に用意して
直列に接続してもよい。
以上説明したように本発明によれば、一定光量の光をそ
の方向を変化させるだけで、光パルスに変換でき、光コ
ンピュータ、ＬＡＮ向けの光スィッチ、光パルス発生に
利用できる。
の方向を変化させるだけで、光パルスに変換でき、光コ
ンピュータ、ＬＡＮ向けの光スィッチ、光パルス発生に
利用できる。
第１図は本発明の光パルス発生装置の構成を説明する斜
視図、 第２図は（頃斜構造を有するＱＷ槽構造パルス発生器に
電場を加えた場合のエネルギバンド構造図である。 図において、 ＩはＱＷ槽構造パルス発生器、 ＩＡは四部、 １Ｂは電極、 ２はレーザ、 ２Ａは活性層、 ２Ｂは電極、 ＥＣは伝導帯の下端、 Ｅｖは価電子帯の上端 第１図 第 ２ 図
視図、 第２図は（頃斜構造を有するＱＷ槽構造パルス発生器に
電場を加えた場合のエネルギバンド構造図である。 図において、 ＩはＱＷ槽構造パルス発生器、 ＩＡは四部、 １Ｂは電極、 ２はレーザ、 ２Ａは活性層、 ２Ｂは電極、 ＥＣは伝導帯の下端、 Ｅｖは価電子帯の上端 第１図 第 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 接合に平行な断面積が変化する量子井戸構造のパルス発
生器（１）と、レーザ（２）を直列に接続してなり、 該パルス発生器（１）に入射する光を該接合に垂直方向
に振動させて得られる電流パルスがレーザ（２）に加わ
り、該レーザ（２）より光パルスを発生することを特徴
とする光パルス発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12411486A JPS62281387A (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | 光パルス発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12411486A JPS62281387A (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | 光パルス発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62281387A true JPS62281387A (ja) | 1987-12-07 |
Family
ID=14877270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12411486A Pending JPS62281387A (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | 光パルス発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62281387A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015194095A1 (en) * | 2014-06-17 | 2015-12-23 | Sony Corporation | Semiconductor device, package device, light-emitting panel apparatus, wafer and method of producing a semiconductor device |
-
1986
- 1986-05-29 JP JP12411486A patent/JPS62281387A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015194095A1 (en) * | 2014-06-17 | 2015-12-23 | Sony Corporation | Semiconductor device, package device, light-emitting panel apparatus, wafer and method of producing a semiconductor device |
| JP2016004892A (ja) * | 2014-06-17 | 2016-01-12 | ソニー株式会社 | 半導体素子、パッケージ素子、発光パネル装置、ウェーハ、および半導体素子の製造方法 |
| US10516080B2 (en) | 2014-06-17 | 2019-12-24 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Semiconductor device and apparatus for improved light emission |
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