JPS62213288A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS62213288A JPS62213288A JP61055036A JP5503686A JPS62213288A JP S62213288 A JPS62213288 A JP S62213288A JP 61055036 A JP61055036 A JP 61055036A JP 5503686 A JP5503686 A JP 5503686A JP S62213288 A JPS62213288 A JP S62213288A
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- photowaveguide
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- gaas
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
-
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
- H01S5/021—Silicon based substrates
-
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、半導体レーザ素子を用いた、光通信、光情
報処理装置における光信号発生と先導波およびスイッチ
ングを行なうａａ１７１とを合せ持つ半導体レーザ装置
に関するものである。
報処理装置における光信号発生と先導波およびスイッチ
ングを行なうａａ１７１とを合せ持つ半導体レーザ装置
に関するものである。
（従来の技術）
従来、光スイッチング機能を持つ光導波路と集積一体化
するのに適した型の半導体レーザとしては、アプライド
ブイゼイックス レターズ（Ｍ。
するのに適した型の半導体レーザとしては、アプライド
ブイゼイックス レターズ（Ｍ。
Ｎａｋａｍｕｒａ、 Ｋ、 Ａｉｋｉ、 Ｊ、 Ｕｍｅ
ｄａ ａｎｄ Ａ、 Ｙａｒｉｖ；Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、Ｖｏｌ ２７Ｎ
ｏ７． １９７５． Ｐ４０３〜４Ｑ５ ）に開示され
るものがある。
ｄａ ａｎｄ Ａ、 Ｙａｒｉｖ；Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、Ｖｏｌ ２７Ｎ
ｏ７． １９７５． Ｐ４０３〜４Ｑ５ ）に開示され
るものがある。
第２図は上記文献に開示されている分布帰還型（以下Ｐ
ＦＢという）半導体レーザの構造図で、波型の構造を形
成して活性領域に周期的屈折率分布を設けて、ブラック
反射条件を満足させることによって、活性領域両端に反
射面を設けたのと同等の光閉じ込めを行うようにしたも
のである。
ＦＢという）半導体レーザの構造図で、波型の構造を形
成して活性領域に周期的屈折率分布を設けて、ブラック
反射条件を満足させることによって、活性領域両端に反
射面を設けたのと同等の光閉じ込めを行うようにしたも
のである。
この第２図において、ｎ−ＧａＡｓ基板２１上に活性領
域２２を形成し、この活性領域２２は楕円Ａの部分を拡
大して示すように、Ｐ −ＧａＡｓ ２２ ｂが活性層
であり、これを主体にして形成され、ｎ−Ｇａ７Ａｌ、
Ａｓ ２２ａ上にこのＰ −ＧａＡｓ ２２ｂが形成さ
れている。
域２２を形成し、この活性領域２２は楕円Ａの部分を拡
大して示すように、Ｐ −ＧａＡｓ ２２ ｂが活性層
であり、これを主体にして形成され、ｎ−Ｇａ７Ａｌ、
Ａｓ ２２ａ上にこのＰ −ＧａＡｓ ２２ｂが形成さ
れている。
このＰ−ＧａＡｓ２２ｂ上にＰ −Ｇａ、３Ａ１．７Ａ
ｓ ２２ｃ。
ｓ ２２ｃ。
Ｐ−Ｇａ、、Ａ１０７Ａｓ ２２ｄ、 Ｐ−Ｇａ７Ａ４
’、Ａｓ ２２６が順次積層されている。
’、Ａｓ ２２６が順次積層されている。
さらに、この上面に５ｉｎ２フイルム２３を介してＣｒ
−Ａｕコンタクト２４が形成されている。なお、２５は
励振領域である。
−Ａｕコンタクト２４が形成されている。なお、２５は
励振領域である。
このＤＦＢ構造は、同一基板上に半導体レーザの他、先
導波路をはじめとする光機能素子および電界効果型トラ
ンジスタ（ＦＥＴ）などを形成することによって得られ
る光ａｍ回路を作製するのに勝れた構造と考えられてい
る。
導波路をはじめとする光機能素子および電界効果型トラ
ンジスタ（ＦＥＴ）などを形成することによって得られ
る光ａｍ回路を作製するのに勝れた構造と考えられてい
る。
実際に、第３図に示すようにＡ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ
／Ｇ ａ Ａ ５ＤＦＢレーザに出力導波路を一体化し
た例も報告されている（例えば、アイ 、イーイーイー
ジャーナル オブ ファンタム エしクトロニクス、
Ｋ。
／Ｇ ａ Ａ ５ＤＦＢレーザに出力導波路を一体化し
た例も報告されている（例えば、アイ 、イーイーイー
ジャーナル オブ ファンタム エしクトロニクス、
Ｋ。
Ａｉｋｉ、 Ｍ、 Ｎａｋａｍｕｒａ、 ａｎｄ Ｊ
、 Ｕｍｅｄａ； ＩＥＥＥＪ、Ｑｕａｒｔｕｍ Ｅｌ
ａｃｔｒｏｎ ＱＥ−１３，１９７７、Ｐ２２θ〜２２
３）。
、 Ｕｍｅｄａ； ＩＥＥＥＪ、Ｑｕａｒｔｕｍ Ｅｌ
ａｃｔｒｏｎ ＱＥ−１３，１９７７、Ｐ２２θ〜２２
３）。
これは、ＤＦＢレーザをｎ−ＧａＡｓ基板上に形成し化
学エツチングによりレーザ反射面を作り、この後に再び
結晶成長を行って外部に先導波路となる結晶を作り、Ｄ
ＦＢレーザと先導波路を一体として形成したものである
。
学エツチングによりレーザ反射面を作り、この後に再び
結晶成長を行って外部に先導波路となる結晶を作り、Ｄ
ＦＢレーザと先導波路を一体として形成したものである
。
この第３図において、３１はＤＦＢレーザであり、３２
は先導波路であり、ＤＦＢレーザ３１はｎ−ＧａＡｓ基
板３３上にｎ −Ｇａ７Ａｌ、Ａｓ ３４、Ｐ−ＧａＡ
ｓ ３５ （活性領域） 、Ｐ −Ｇａ、Ａ１２Ａｓ
３６、ｎ −Ｇａ、３Ａｊ０．Ａｓ ３７、Ｐ−Ｇａ、
Ａ＃、Ａｓ ３８を順次形成し、その上にＺｎ拡散層３
９を形成して構成されている。
は先導波路であり、ＤＦＢレーザ３１はｎ−ＧａＡｓ基
板３３上にｎ −Ｇａ７Ａｌ、Ａｓ ３４、Ｐ−ＧａＡ
ｓ ３５ （活性領域） 、Ｐ −Ｇａ、Ａ１２Ａｓ
３６、ｎ −Ｇａ、３Ａｊ０．Ａｓ ３７、Ｐ−Ｇａ、
Ａ＃、Ａｓ ３８を順次形成し、その上にＺｎ拡散層３
９を形成して構成されている。
また、光導波路３２は、ｎ−ＧａＡｓ基板３３上にＰ
−Ｇａ、Ａ、／、Ａｓ ４０を形成し、その上に非ドー
プＧａ、Ａｌ、Ａｓ ４１を形成して構成されている。
−Ｇａ、Ａ、／、Ａｓ ４０を形成し、その上に非ドー
プＧａ、Ａｌ、Ａｓ ４１を形成して構成されている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記従来の技術のみでは、相異なる複数
の信号を並列処理するような場合には、ＤＦＢレーザを
複数並列に構成し、それぞれの素子を電気的、光学的に
分離して独立に動作できるようにしなければならず、素
子を集積化して小型化および作製法と構造の単純化を図
るという目的を達し難いという問題点があった。
の信号を並列処理するような場合には、ＤＦＢレーザを
複数並列に構成し、それぞれの素子を電気的、光学的に
分離して独立に動作できるようにしなければならず、素
子を集積化して小型化および作製法と構造の単純化を図
るという目的を達し難いという問題点があった。
この発明は、前記従来技術がもっている問題点のうち、
素子のｔａｇ化による小型化と作製法および構造の単純
化が困難であるという点について解決した半導体レーザ
装置を提供するものである。
素子のｔａｇ化による小型化と作製法および構造の単純
化が困難であるという点について解決した半導体レーザ
装置を提供するものである。
（問題点を解決するための手段）
この発明は、半導体レーザ装置において、５Ｉ０２先導
波路の途中に片持ち梁型光導波層を設けたものである。
波路の途中に片持ち梁型光導波層を設けたものである。
（作 用）
この発明によれば、以上のように半導体レーザ装置を構
成したので、片持ち楽聖の先導波石上の電極とＳｉ基板
間に電位が生じろと静電力により片持ち楽聖の光導波層
にたわみを生じさせ、この片持ち楽聖の光導波層と対向
する光導波層に光を入射するのを阻止する光スイッチン
グ作用を行い、したがって前記問題点を除去できるもの
である。
成したので、片持ち楽聖の先導波石上の電極とＳｉ基板
間に電位が生じろと静電力により片持ち楽聖の光導波層
にたわみを生じさせ、この片持ち楽聖の光導波層と対向
する光導波層に光を入射するのを阻止する光スイッチン
グ作用を行い、したがって前記問題点を除去できるもの
である。
（実 施 例）
以下、この発明の半導体レーザ装置の実施例について図
面に基づき説明する。第１図はその一実施例の構成を示
す断面斜視図である。
面に基づき説明する。第１図はその一実施例の構成を示
す断面斜視図である。
この第１図において、１はＳ！基板（ｎ型）でＤＦＢレ
ーザを形成する部分をエツチングで旧り込んである。こ
の堀り込み部分の上部に９下説明するようにＤＦＢレー
ザを選択的に形成する。
ーザを形成する部分をエツチングで旧り込んである。こ
の堀り込み部分の上部に９下説明するようにＤＦＢレー
ザを選択的に形成する。
ここでは、ＡＺＧａＡｇ系ＤＦＢについての実施例を示
すが、Ｇａ Ｉ ｎＰＡｓ系のＤＦＢその他のものでも
同様である。
すが、Ｇａ Ｉ ｎＰＡｓ系のＤＦＢその他のものでも
同様である。
Ｓｉ基板１のＤＦＢレーザ形成部にＧａＡｓ ＦＪをエ
ピタキシ成長させるためのバッファ層１５を形成する。
ピタキシ成長させるためのバッファ層１５を形成する。
これはたとえば電子通信学会誌Ｖｏ１．Ｊ６７Ｐ９９０
（１９８４）に開示されているようにＧｅ＠電子ビー
ム蒸着法によって成長し、それによってそしＪＡ後ｆ）
ｎ −ＧａＡｓ ＩＦ５２をトリメチルガリウム（Ｔ
ＭＧ）トアルシン（ＡｓＨ５）ニよルＭｏｃＶＤ法で形
成できるようになる。
（１９８４）に開示されているようにＧｅ＠電子ビー
ム蒸着法によって成長し、それによってそしＪＡ後ｆ）
ｎ −ＧａＡｓ ＩＦ５２をトリメチルガリウム（Ｔ
ＭＧ）トアルシン（ＡｓＨ５）ニよルＭｏｃＶＤ法で形
成できるようになる。
ｎ−ＧａＡｓＮ２を形成した後は、ｎ −Ａ ｌ ｘＧ
ａ 、−ｘＡ ｓクラッド層３、Ｐ−ＧａＡｓ活性層
４、Ｐ −ＡＮ ｙＧａ、−ｙＡｓ光導波層５、Ｐ −
Ａ’ ｚＧａ、−ｚＡｓ層６を順次形成して、とのＰ
−Ａｔ’ ｚＧａ、−ｚＡｓ層６に周期的分布帰還構造
を形成する。
ａ 、−ｘＡ ｓクラッド層３、Ｐ−ＧａＡｓ活性層
４、Ｐ −ＡＮ ｙＧａ、−ｙＡｓ光導波層５、Ｐ −
Ａ’ ｚＧａ、−ｚＡｓ層６を順次形成して、とのＰ
−Ａｔ’ ｚＧａ、−ｚＡｓ層６に周期的分布帰還構造
を形成する。
この後、Ｐ−ＡｌｘＧｎ、−ｘＡｓクラッド層７ （ア
ンドープ） 、Ｐ−ＧａＡｓキャップ后８を形成し、レ
ーザ発振領域をストライプ状に残してエツチングし、５
ＩＯ２絶縁Ｐｊ１４をこのストライプ領域を除いて形成
する。以上のようにしてＤＦＢレーザ部分が完成する。
ンドープ） 、Ｐ−ＧａＡｓキャップ后８を形成し、レ
ーザ発振領域をストライプ状に残してエツチングし、５
ＩＯ２絶縁Ｐｊ１４をこのストライプ領域を除いて形成
する。以上のようにしてＤＦＢレーザ部分が完成する。
このときに、Ｐ −Ａｔ ｙＧａ、−ｙＡｓ光導波層５
がＤＦＢレーザの形成されている以外のＳｉ基板１のＳ
ｉ表面と同一平面にくるように設計する。
がＤＦＢレーザの形成されている以外のＳｉ基板１のＳ
ｉ表面と同一平面にくるように設計する。
次にＳｉＯ□光導波光導止部光スイッチ部について説明
する。残されたＳ！基板１上に５Ｌ０２層を熱酸化など
で形成する。この後、第１図に示すようにフォトリソグ
ラフィ技術などの従来技術を用いて５１０２光導波層を
形成して、との光導波層の一部を片持ち梁状に、Ｓｉ基
板１をＫＯＨ水溶液などでエツチングして光導波層下部
を取り除いて形成する。図中の１２がこの取り除いた部
分である。
する。残されたＳ！基板１上に５Ｌ０２層を熱酸化など
で形成する。この後、第１図に示すようにフォトリソグ
ラフィ技術などの従来技術を用いて５１０２光導波層を
形成して、との光導波層の一部を片持ち梁状に、Ｓｉ基
板１をＫＯＨ水溶液などでエツチングして光導波層下部
を取り除いて形成する。図中の１２がこの取り除いた部
分である。
このＳｉ基板１を除いた部分■２を形成することにより
、３１基板１上に片持ち楽聖の５ＩＯ２光導波層１０と
５ｉＯ１光導波層１１が形成されることになる。
、３１基板１上に片持ち楽聖の５ＩＯ２光導波層１０と
５ｉＯ１光導波層１１が形成されることになる。
この後、片持ち楽聖の５ＩＯ２光導波層１０の上面に金
電極９を形成し、引き出し電極１３を形成する。
電極９を形成し、引き出し電極１３を形成する。
このように構成された半導体レーザ装置において、Ｓｉ
基板１と金電極９との間の電位がＯＶのときは、５ＩＯ
２光導波層１０を伝ってきた光は、５ｉｎ２光導波Ｎｉ
１０とわずかな空間を残してこれと対向しているＳｉＯ
□ｉＯ□層１１に入射し、この５ｉｎ２光導波層１１を
伝帳していく。
基板１と金電極９との間の電位がＯＶのときは、５ＩＯ
２光導波層１０を伝ってきた光は、５ｉｎ２光導波Ｎｉ
１０とわずかな空間を残してこれと対向しているＳｉＯ
□ｉＯ□層１１に入射し、この５ｉｎ２光導波層１１を
伝帳していく。
一方、金電８１ｉ９とＳｉ基板１との間に電位が生ずる
と、ｌＩ？電力で片持ち楽聖の５１０２光導波層１０が
たわみ、光は５ｉｎ２光導波層１１には入射しなくなる
。
と、ｌＩ？電力で片持ち楽聖の５１０２光導波層１０が
たわみ、光は５ｉｎ２光導波層１１には入射しなくなる
。
この片持ち楽聖の５ｉｎ２光導波層１０のたわみ量は片
持ち梁の先端でＳｉＯ２光導波層１０の厚さと同一程度
（〜１μｍ）と少なくてもよく、また単結晶Ｓｉ基板１
上に形成されたＳｉＯ□層は力学的疲労に対してきわめ
て強く、信頼性は高い。ム第１図ではｎ型、Ｐ型電極を
省略しである。
持ち梁の先端でＳｉＯ２光導波層１０の厚さと同一程度
（〜１μｍ）と少なくてもよく、また単結晶Ｓｉ基板１
上に形成されたＳｉＯ□層は力学的疲労に対してきわめ
て強く、信頼性は高い。ム第１図ではｎ型、Ｐ型電極を
省略しである。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したようにこの発明によれば、片持ち
楽聖のＳｉＯ□ｉＯ□光スイッチ構造を用いたので、単
一のＤＦＢレーザで複数の並列光信号処理が可能となる
。
楽聖のＳｉＯ□ｉＯ□光スイッチ構造を用いたので、単
一のＤＦＢレーザで複数の並列光信号処理が可能となる
。
これによって、半導体レーザと光スィッチとが、一体化
された並列光信号処理素子において、半導体レーザを複
数個並列に構成し、それぞれを電気的、光学的に分離し
て独立に動作するようにする技術が不要となり、素子を
集積化して小型化および作製法と構造の単純化を図るこ
とができる。
された並列光信号処理素子において、半導体レーザを複
数個並列に構成し、それぞれを電気的、光学的に分離し
て独立に動作するようにする技術が不要となり、素子を
集積化して小型化および作製法と構造の単純化を図るこ
とができる。
第１図はこの発明の半導体レーザ装置の一実施例の断面
斜視図、第２図は従来の半導体レーザ装置の斜視図、第
３図は別の従来例を示す半導体レーザ装置の断面図であ
る。 １− Ｓ ｉ基板、２− ｎ −ＧａＡｓ層、３− ｎ
−ＡｊｌｘＧａ、−ｘＡｓクラッド層、４− Ｐ −
ＧａＡｓ活性層、５−−− Ｐ−Ａｊ ｙＧａ、−ｙＡ
ｓ光導波層、６ ・Ｐ−Ａｊ ｚＧａ。 −ｚ Ａ ｓ層、７ ・−Ｐ−ＡｊｘＧａ、−ｘＡｓク
ラッド層、８・・・Ｐ−ＧａＡｓキャップ層、９・・・
金電極、１０・・・片持ち楽聖のＳｉＯ□ｉＯ□層、１
１・・・５１０２光導波層、１２・・・Ｓｉ基板を除い
た部分、１３・・・引出し電極、１４・・・５ｉｎ２絶
縁層、１５・・バッファ層。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第 ３ 因
斜視図、第２図は従来の半導体レーザ装置の斜視図、第
３図は別の従来例を示す半導体レーザ装置の断面図であ
る。 １− Ｓ ｉ基板、２− ｎ −ＧａＡｓ層、３− ｎ
−ＡｊｌｘＧａ、−ｘＡｓクラッド層、４− Ｐ −
ＧａＡｓ活性層、５−−− Ｐ−Ａｊ ｙＧａ、−ｙＡ
ｓ光導波層、６ ・Ｐ−Ａｊ ｚＧａ。 −ｚ Ａ ｓ層、７ ・−Ｐ−ＡｊｘＧａ、−ｘＡｓク
ラッド層、８・・・Ｐ−ＧａＡｓキャップ層、９・・・
金電極、１０・・・片持ち楽聖のＳｉＯ□ｉＯ□層、１
１・・・５１０２光導波層、１２・・・Ｓｉ基板を除い
た部分、１３・・・引出し電極、１４・・・５ｉｎ２絶
縁層、１５・・バッファ層。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第 ３ 因
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （ａ）Ｓｉ基板上に選択的に形成され光導波機能をもつ
分布帰還型半導体レーザと、 （ｂ）この分布帰還型半導体レーザを形成した部分以外
の上記Ｓｉ基板に形成された第１のＳｉＯ＿２光導波層
と、 （ｃ）この第１の光導波層と対向するように上記分布帰
還型半導体レーザを形成した部分以外の上記Ｓｉ基板に
おいて一部を片持ち梁型に形成されかつ上面に電極を有
し、この電極と上記Ｓｉ基板間の電位の有無に応じて上
記第１のＳｉＯ＿２光導波層に対する光スイッチ機能を
呈する第２のＳｉＯ＿２光導波層と、 よりなる半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61055036A JPS62213288A (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61055036A JPS62213288A (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62213288A true JPS62213288A (ja) | 1987-09-19 |
Family
ID=12987430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61055036A Pending JPS62213288A (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62213288A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996011516A1 (en) * | 1994-10-05 | 1996-04-18 | Massachusetts Institute Of Technology | Resonant microcavities employing one-dimensional periodic dielectric waveguides |
| WO1999021036A1 (en) * | 1997-10-16 | 1999-04-29 | Bookham Technology Ltd. | Thermally isolated silicon layer |
| WO2018220674A1 (ja) * | 2017-05-29 | 2018-12-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-03-14 JP JP61055036A patent/JPS62213288A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996011516A1 (en) * | 1994-10-05 | 1996-04-18 | Massachusetts Institute Of Technology | Resonant microcavities employing one-dimensional periodic dielectric waveguides |
| US5682401A (en) * | 1994-10-05 | 1997-10-28 | Massachusetts Institute Of Technology | Resonant microcavities employing one-dimensionally periodic dielectric waveguides |
| WO1999021036A1 (en) * | 1997-10-16 | 1999-04-29 | Bookham Technology Ltd. | Thermally isolated silicon layer |
| US6415066B1 (en) | 1997-10-16 | 2002-07-02 | Bookham Technology Plc | Thermally isolated silicon layer |
| WO2018220674A1 (ja) * | 2017-05-29 | 2018-12-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JPWO2018220674A1 (ja) * | 2017-05-29 | 2019-11-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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