JPS62281295A - エレクトロルミネセンス発光素子の製造方法 - Google Patents
エレクトロルミネセンス発光素子の製造方法Info
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- JPS62281295A JPS62281295A JP61123466A JP12346686A JPS62281295A JP S62281295 A JPS62281295 A JP S62281295A JP 61123466 A JP61123466 A JP 61123466A JP 12346686 A JP12346686 A JP 12346686A JP S62281295 A JPS62281295 A JP S62281295A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
（産業上の利用分野）
本発明は、交流電源によって駆動され平面表示装置に用
いられるのに適したエレクトロルミネセンス発光素子の
製造方法に関するものである。
いられるのに適したエレクトロルミネセンス発光素子の
製造方法に関するものである。
（従来技術）
一般に、この種のエレクトロルミネセンス発光素子は、
セラミック基板の上に導電性ペーストを印刷してリード
電極を形成し、このリード電極を覆うようにセラミック
基板の上に高誘電体セラミック材料を植層し焼成して高
誘電体セラミック層を形成し、その後このセラミック層
の上にエレクトロルミネセンス発光層と透明電極とを順
次設けて製造される。このようにして製造されたエレク
トロルミネセンス発光素子は発光時に発光輝度が安定し
ない問題が゛あった。
セラミック基板の上に導電性ペーストを印刷してリード
電極を形成し、このリード電極を覆うようにセラミック
基板の上に高誘電体セラミック材料を植層し焼成して高
誘電体セラミック層を形成し、その後このセラミック層
の上にエレクトロルミネセンス発光層と透明電極とを順
次設けて製造される。このようにして製造されたエレク
トロルミネセンス発光素子は発光時に発光輝度が安定し
ない問題が゛あった。
これはエレクトロルミネセンス発光層の発光に伴なう発
熱の影響等で高誘電体セラミック層からエレクトロルミ
ネセンス発光層へ有害イオン例えばＨ＋ 、〇−等が
拡散するためであると考えられている。
熱の影響等で高誘電体セラミック層からエレクトロルミ
ネセンス発光層へ有害イオン例えばＨ＋ 、〇−等が
拡散するためであると考えられている。
（発明の目的）
本発明の目的は１発光輝度を安定して得ることできるエ
レクトロルミネセンス発光素子の製造方法を提供するこ
とにある。
レクトロルミネセンス発光素子の製造方法を提供するこ
とにある。
（発明の構成）
本発明に係るエレクトロルミネセンス薄膜発光素子の製
造方法は、セラミック基板の上に導電性ペーストを印刷
してリード電極を形成し。
造方法は、セラミック基板の上に導電性ペーストを印刷
してリード電極を形成し。
次いでこのリード電極を覆うようにセラミック基板の上
に高誘電体セラミック材料を積層し焼成して高誘電体セ
ラミック層を形成し、その後この高誘電体セラミック層
の上にエレクトロルミネセンス発光層と透明電極とを順
次設けてエレクトロルミネセンス発光素子を製造するが
。
に高誘電体セラミック材料を積層し焼成して高誘電体セ
ラミック層を形成し、その後この高誘電体セラミック層
の上にエレクトロルミネセンス発光層と透明電極とを順
次設けてエレクトロルミネセンス発光素子を製造するが
。
この場合に高誘電体セラミック層を形成した後その表面
にシリコン化合物を浸漬析出法により成膜して介在層を
形成することを特徴としている。
にシリコン化合物を浸漬析出法により成膜して介在層を
形成することを特徴としている。
このようにすると９発光時の熱を受けても高ａ−、ｔｔ
体セラミック層からエレクトロルミネセンス発光層へ有
害イオン例えばＨ＋、Ｏ−等が拡散するのが阻止され、
従って安定した発光輝度を得ることができる。
体セラミック層からエレクトロルミネセンス発光層へ有
害イオン例えばＨ＋、Ｏ−等が拡散するのが阻止され、
従って安定した発光輝度を得ることができる。
（実施例）
本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明すると、第
１図は本発明に係る方法によって製造されたエレクトロ
ルミネセンス発光素子１０を示し、このエレクトロルミ
ネセンス発光素子１０は、Ａ １２０３を主Ｎ料とした
約１ｍｍの厚みのセラミックグリンシートから成るセラ
ミック基板１２の上にＡｇ−Ｐｄ 、 ｋｇ−Ａｕ 。
１図は本発明に係る方法によって製造されたエレクトロ
ルミネセンス発光素子１０を示し、このエレクトロルミ
ネセンス発光素子１０は、Ａ １２０３を主Ｎ料とした
約１ｍｍの厚みのセラミックグリンシートから成るセラ
ミック基板１２の上にＡｇ−Ｐｄ 、 ｋｇ−Ａｕ 。
Ｐｄ−Ａｕ等の導電ペーストを発光形状に合わせて印刷
してリード電極１４を形成する０次いで、このリード電
極１４を覆うようにセラミック基板１２の上にＢａＴｉ
Ｏ３、Ｓ ｒＴｉ０３等の誘ＭＬ率がｔｏ、ｏｏｏ以と
のグリンシートを積層し８００℃で焼成して高誘電体セ
ラミック層１６を形成する。その後、この高誘電体セラ
ミック層１６の表面に二酸化ケイ素の如きシリコン化合
物を含む酸性水溶液中に浸漬し析出して介在層１８を形
成する。この介在層１８は２００Ａ乃至１５００Ａの厚
みを有するのが好ましい０次いで、この介在層１８の上
に稀土類、ｍｍ金属の発光センタを０．２乃至２．Ｏｉ
量％含むＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ、ＣａＳ、ＳｒＳ等のＩＩ−
ＶＩ族材料をＥＢ蒸着法、スパッタリング法、ＭＯ−Ｃ
ＶＤ法等によって１００ＯＡ乃至５０００Ａに成膜して
エレクトロルミネセンス発光層２０を形成し、最後にこ
のエレクトロルミネセンス発光Ｆ？！：２０の上にＺｎ
Ｏ，ＩＴＯ等の材料を印刷して透明電極２２を形成する
このようにすると、Ｈ＋、Ｏ−等の有害イオンが高誘電
体セラミックＭ１６からエレクトロルミセンス発光層２
０に拡散するのが防止されるので発光時の発光輝度を著
しく安定させることができる。尚、介在層１８を浸漬析
出法によって形成すると、スパッタリング法、ＥＢ蒸着
法によって形成する場合に比べてピンホールの発生が少
ないので有害イオンの拡散を有効に防止することができ
、またこの介在層１８はエレクトロルミネセンス発光層
２０の滑らかな下地を形成することになるのでエレクト
ロルミネセンス発光層２０の結晶性が向上する。実験の
結果１本発明によって製造された発光素子は従来のもの
に比べて発光輝度が２０〜５０％向上したことが確認さ
れた。
してリード電極１４を形成する０次いで、このリード電
極１４を覆うようにセラミック基板１２の上にＢａＴｉ
Ｏ３、Ｓ ｒＴｉ０３等の誘ＭＬ率がｔｏ、ｏｏｏ以と
のグリンシートを積層し８００℃で焼成して高誘電体セ
ラミック層１６を形成する。その後、この高誘電体セラ
ミック層１６の表面に二酸化ケイ素の如きシリコン化合
物を含む酸性水溶液中に浸漬し析出して介在層１８を形
成する。この介在層１８は２００Ａ乃至１５００Ａの厚
みを有するのが好ましい０次いで、この介在層１８の上
に稀土類、ｍｍ金属の発光センタを０．２乃至２．Ｏｉ
量％含むＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ、ＣａＳ、ＳｒＳ等のＩＩ−
ＶＩ族材料をＥＢ蒸着法、スパッタリング法、ＭＯ−Ｃ
ＶＤ法等によって１００ＯＡ乃至５０００Ａに成膜して
エレクトロルミネセンス発光層２０を形成し、最後にこ
のエレクトロルミネセンス発光Ｆ？！：２０の上にＺｎ
Ｏ，ＩＴＯ等の材料を印刷して透明電極２２を形成する
このようにすると、Ｈ＋、Ｏ−等の有害イオンが高誘電
体セラミックＭ１６からエレクトロルミセンス発光層２
０に拡散するのが防止されるので発光時の発光輝度を著
しく安定させることができる。尚、介在層１８を浸漬析
出法によって形成すると、スパッタリング法、ＥＢ蒸着
法によって形成する場合に比べてピンホールの発生が少
ないので有害イオンの拡散を有効に防止することができ
、またこの介在層１８はエレクトロルミネセンス発光層
２０の滑らかな下地を形成することになるのでエレクト
ロルミネセンス発光層２０の結晶性が向上する。実験の
結果１本発明によって製造された発光素子は従来のもの
に比べて発光輝度が２０〜５０％向上したことが確認さ
れた。
（発明の効果）
本発明によれば、上記のように１発光輝度を安定させる
ことができるので品質の良好なエレクトロルミネセンス
発光素子を提供することができる実益がある。
ことができるので品質の良好なエレクトロルミネセンス
発光素子を提供することができる実益がある。
図面は本発明に係る製造方法によって得られたエレクト
ロルミネセンス発光素子の断面図である。 １０−−−ｍ−エレクトロルミネセンス発光素子、 １
２−−−−−セラミック基板、Ｌ４−−一−−リード電
極、 １６−−−−−高誘電体セラミック層、Ｌ８−−
−−一介在層、２０−−−−−二レクトロルミネセンス
発光、＝ 、 ２２−−一一一透明電極。
ロルミネセンス発光素子の断面図である。 １０−−−ｍ−エレクトロルミネセンス発光素子、 １
２−−−−−セラミック基板、Ｌ４−−一−−リード電
極、 １６−−−−−高誘電体セラミック層、Ｌ８−−
−−一介在層、２０−−−−−二レクトロルミネセンス
発光、＝ 、 ２２−−一一一透明電極。
Claims (1)
- セラミック基板の上に導電性ペーストを印刷してリー
ド電極を形成し，次いでこのリード電極を覆うように前
記セラミック基板の上に高誘電体セラミック材料を積層
し焼成して高誘電体セラミック層を形成し，その後前記
セラミック層の上にエレクトロルミネセンス発光層と透
明電極とを順次設けたエレクトロルミネセンス発光素子
の製造方法において，前記高誘電体セラミック層を形成
した後その表面にシリコン化合物を浸漬析出法により成
膜して介在層を形成すること特徴とするエレクトロルミ
ネセンス発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61123466A JPS62281295A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | エレクトロルミネセンス発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61123466A JPS62281295A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | エレクトロルミネセンス発光素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62281295A true JPS62281295A (ja) | 1987-12-07 |
Family
ID=14861325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61123466A Pending JPS62281295A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | エレクトロルミネセンス発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62281295A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6709695B2 (en) | 2000-02-07 | 2004-03-23 | Tdk Corporation | Composite substrate, method of making, and EL device using the same |
-
1986
- 1986-05-30 JP JP61123466A patent/JPS62281295A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6709695B2 (en) | 2000-02-07 | 2004-03-23 | Tdk Corporation | Composite substrate, method of making, and EL device using the same |
| US6797413B2 (en) | 2000-02-07 | 2004-09-28 | Tdk Corporation | Composite substrate and EL device using the same |
| US6800322B2 (en) | 2000-02-07 | 2004-10-05 | Tdk Corporation | Method of making a composite substrate |
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