JPS62278512A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPS62278512A JPS62278512A JP12100786A JP12100786A JPS62278512A JP S62278512 A JPS62278512 A JP S62278512A JP 12100786 A JP12100786 A JP 12100786A JP 12100786 A JP12100786 A JP 12100786A JP S62278512 A JPS62278512 A JP S62278512A
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- Japan
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- optical fiber
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- optical
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- Pending
Links
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Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は光半導体装置に係り、特に半導体発光素子と光
ファイバとの光結合効率の所要値を長期にわたり安定性
良く保持し得るのに好適な光半導体装置に関する。
ファイバとの光結合効率の所要値を長期にわたり安定性
良く保持し得るのに好適な光半導体装置に関する。
従来の光半導体装置では、例えば特開昭56−9431
6号に記載のように、気密封止型パッケージ内に導入さ
れ密封固定された光ファイバは、その密封固定された位
置と半導体発光素子との間において、前記パッケージに
対して1カ所で固定されている。
6号に記載のように、気密封止型パッケージ内に導入さ
れ密封固定された光ファイバは、その密封固定された位
置と半導体発光素子との間において、前記パッケージに
対して1カ所で固定されている。
上記従来技術では、外部からパッケージに加ね・る応力
あるいはパッケージ内部で発生する応力が1ケ所の光フ
ァイバの固定部分に集中的に働くため、弾性変形、塑性
変形、またはクリープ変形が生じ易く、半導体発光素子
と光ファイバとの光結合効率の安定性に関して問題があ
った。
あるいはパッケージ内部で発生する応力が1ケ所の光フ
ァイバの固定部分に集中的に働くため、弾性変形、塑性
変形、またはクリープ変形が生じ易く、半導体発光素子
と光ファイバとの光結合効率の安定性に関して問題があ
った。
例えば、従来構造のままで温度変化に対する光結合効率
の安定化を図る場合には種々の方法が考えられるが何れ
も欠点を有す。
の安定化を図る場合には種々の方法が考えられるが何れ
も欠点を有す。
光ファイバの固定部分の長さを長くとる方法では、その
効果が長さに比例してしか得られない。
効果が長さに比例してしか得られない。
また、熱膨張係数の差を補償する様にパッケージをいろ
いろな材料を組み合わせた構造にすることもできるが、
この方法は構造が複雑になる上ある温度範囲でしか有効
ではない。他に、パッケージ全体に低熱膨張性の材料を
用いることも考えられるが、材料が高価である。
いろな材料を組み合わせた構造にすることもできるが、
この方法は構造が複雑になる上ある温度範囲でしか有効
ではない。他に、パッケージ全体に低熱膨張性の材料を
用いることも考えられるが、材料が高価である。
以上のように従来構造には問題点があり、また温度変化
以外の要因による応力に対しては上記の方法は解決策と
はならない。
以外の要因による応力に対しては上記の方法は解決策と
はならない。
本発明の目的は、外部応力あるいは内部応力による光フ
ァイバの固定部分の変形量を減少させ、半導体発光素子
と光ファイバとの光結合効率の所要値を簡便に安定性良
く保持し得る光半導体装置を提供することにある。
ァイバの固定部分の変形量を減少させ、半導体発光素子
と光ファイバとの光結合効率の所要値を簡便に安定性良
く保持し得る光半導体装置を提供することにある。
上記問題点は、気密封止型パッケージ内に導入され密封
固定された光ファイバを、その密封固定された位置と半
導体発光素子との間において、前記パッケージに対して
少なくとも2ケ所の適切な位置に固定することにより解
決される。
固定された光ファイバを、その密封固定された位置と半
導体発光素子との間において、前記パッケージに対して
少なくとも2ケ所の適切な位置に固定することにより解
決される。
光ファイバの固定部分が少なくとも2ケ所あるため、該
固定部分にかかる外部応力あるいは内部応力は分散され
る。この分散効果によって、応力による前記固定部分1
ケ所当りの変形量が減少し、半導体発光素子に対して光
結合した光ファイバの位置ずれが減少するので、光結合
効率の所要値は安定性良く保持される。
固定部分にかかる外部応力あるいは内部応力は分散され
る。この分散効果によって、応力による前記固定部分1
ケ所当りの変形量が減少し、半導体発光素子に対して光
結合した光ファイバの位置ずれが減少するので、光結合
効率の所要値は安定性良く保持される。
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。第1
図は、本発明の光半導体装置の一実施例を示す図で、気
密封止型パッケージ内に導入された光ファイバが半導体
発光素子と光結合している状態を示す。
図は、本発明の光半導体装置の一実施例を示す図で、気
密封止型パッケージ内に導入された光ファイバが半導体
発光素子と光結合している状態を示す。
第1図において、1は気密封止型パッケージ、2はパッ
ケージ1内に導入された光ファイバ、3は半導体発光素
子、4はパッケージ1と一体化した半導体発光素子用サ
ブマウント、5は光ファイバ2がパッケージ1に密封固
定された部分、6と7は3と5の間において光ファイバ
2がパッケージ1に対して固定された部分である。
ケージ1内に導入された光ファイバ、3は半導体発光素
子、4はパッケージ1と一体化した半導体発光素子用サ
ブマウント、5は光ファイバ2がパッケージ1に密封固
定された部分、6と7は3と5の間において光ファイバ
2がパッケージ1に対して固定された部分である。
本実施例では、1の材質はコパールでありその表面には
Auメッキ加工がなされている。2は先端部以外にNi
とAuによるメタライズが施された単一モード型光ファ
イバ、3はInGaAsP/ I n Pl、3μm帯
埋込み構造型半導体レーザ、4の材質はSiCセラミッ
ク、5と6と7の材質はpb−6,Ow t%Snソル
ダである。
Auメッキ加工がなされている。2は先端部以外にNi
とAuによるメタライズが施された単一モード型光ファ
イバ、3はInGaAsP/ I n Pl、3μm帯
埋込み構造型半導体レーザ、4の材質はSiCセラミッ
ク、5と6と7の材質はpb−6,Ow t%Snソル
ダである。
尚1本発明の特徴である光ファイバの回定部にかかる応
力を減少させる効果をより発揮するために光ファイバが
パッケージに対して固定された部分の6と7の間の距m
zが以下の式を満たす様にした。
力を減少させる効果をより発揮するために光ファイバが
パッケージに対して固定された部分の6と7の間の距m
zが以下の式を満たす様にした。
ただし、ΔT:温度変化
α工 :光ファイバの熱膨張係数
α2 :パッケージの熱膨張係数
ΔZ:八Tへ対して許容される光フアイバ先端の軸方向
変位量 本実施例で用いた設計値、ΔT=150℃、αL=5.
6X10−7℃−t、 ax = 4 、8 X 10
−6℃−”。
変位量 本実施例で用いた設計値、ΔT=150℃、αL=5.
6X10−7℃−t、 ax = 4 、8 X 10
−6℃−”。
ΔZ:1μmを式(1)に代入すると、Z≦1.6慣と
なる。本実施例では、光ファイバをパッケージに固定す
るときの作業容易性をも考慮し、z=1.5mとした。
なる。本実施例では、光ファイバをパッケージに固定す
るときの作業容易性をも考慮し、z=1.5mとした。
以上に、上記の構成の光半導体装置を実現するための具
体的な組立手順について説明する。まず、半導体レーザ
3が予めP b −S n系ソルダで固定されたパッケ
ージ1内に光ファイバ2を導入した。
体的な組立手順について説明する。まず、半導体レーザ
3が予めP b −S n系ソルダで固定されたパッケ
ージ1内に光ファイバ2を導入した。
このとき、光ファイバ2と半導体レーザ3の間隔を約1
0μmに設定した。この状態において、5の部分をPb
−3nソルダで密封固定した。次に、光フ乙イバ2と半
導体レーザ3とが所要の光結合効率で光結合するように
、ファイバチャック治具(図示はしていない)を用いて
光ファイバ2の先端の第1回目の位置合わせを行った。
0μmに設定した。この状態において、5の部分をPb
−3nソルダで密封固定した。次に、光フ乙イバ2と半
導体レーザ3とが所要の光結合効率で光結合するように
、ファイバチャック治具(図示はしていない)を用いて
光ファイバ2の先端の第1回目の位置合わせを行った。
この状態で6の部分にYAGレーザを局部的に照射し、
6の部分をP b −S nソルダによって固定した。
6の部分をP b −S nソルダによって固定した。
さらに、同様の手順に従って所要の光結合効率が得られ
るように光ファイバ2の第2回目の微調位置合わせを行
ってから、7の部分をPb−3nソルダによって固定し
た。
るように光ファイバ2の第2回目の微調位置合わせを行
ってから、7の部分をPb−3nソルダによって固定し
た。
以上の組立手順の後、キャップを取り付けて気密封止が
なされて完成した20個の光半導体装置を温度サイクル
試験(条件=1サイクル30分。
なされて完成した20個の光半導体装置を温度サイクル
試験(条件=1サイクル30分。
80’C15分、−45℃15分)にかけた、この結果
が第2図である。縦軸は光ファイバからの光出力であり
温度サイクルにかけろ前の光呂力をOdBmとした。横
軸は温度サイクル数である。・点が本実施例の結果のプ
ロットであり、他の点は本実施例との比較のための実験
結果のプロットである。0点は本実施例より更にもう一
ケ所光ファイバを固定した場合、Δ点は本実施例の距y
aZを5mに変更した場合1口点は従来の光ファイバを
1ケ所で固定した場合である。第2図から1本実施例は
従来の装置と比較して光出力の変化すなわち光結合効率
の変化が半減していることが分った。
が第2図である。縦軸は光ファイバからの光出力であり
温度サイクルにかけろ前の光呂力をOdBmとした。横
軸は温度サイクル数である。・点が本実施例の結果のプ
ロットであり、他の点は本実施例との比較のための実験
結果のプロットである。0点は本実施例より更にもう一
ケ所光ファイバを固定した場合、Δ点は本実施例の距y
aZを5mに変更した場合1口点は従来の光ファイバを
1ケ所で固定した場合である。第2図から1本実施例は
従来の装置と比較して光出力の変化すなわち光結合効率
の変化が半減していることが分った。
すなわち、本実施例によれば、ファイバ固定部分の応力
が低減したため、苛酷な環境温度の変化に対して光結合
効率の安定性がi′Jjに向上する効果が確認できた。
が低減したため、苛酷な環境温度の変化に対して光結合
効率の安定性がi′Jjに向上する効果が確認できた。
本発明によれば、半導体発光素子に光結合した光ファイ
バの固定部分における応力を減少でき。
バの固定部分における応力を減少でき。
光結合効率を安定性良く保持し得ることから、特に環境
温度変化に対する信頼性向上に顕著な効果がある。
温度変化に対する信頼性向上に顕著な効果がある。
なお、本発明は、前記実施例に示した構成あるいは作製
手順に限定されるものではない。例えば、第1図に示し
た光ファイバの固定部分の形状や寸法を構成材料に応じ
て変えても良い。また、第1図の3と5の間において、
光ファイバの固定部分が2ケ所以上であれば本発明の効
果を発揮できる。
手順に限定されるものではない。例えば、第1図に示し
た光ファイバの固定部分の形状や寸法を構成材料に応じ
て変えても良い。また、第1図の3と5の間において、
光ファイバの固定部分が2ケ所以上であれば本発明の効
果を発揮できる。
前記実施例では、気密封止型パッケージの材質としてコ
バールを用いたが、他の低熱膨張性及び高熱伝導性を有
する材料を用いてもよい。本発明の効果は、半導体レー
ザに限らず光ファイバとの光結合を必要とする他の発光
素子でも享受できろことは言うまでもない。光ファイバ
の固定順序を作業容易性やファイバ位置のy4整方法を
鑑みて変えることも可能である。光ファイバの固定部分
にソルダ以外の固定剤1例えば樹脂やガラス剤を使うこ
ともできる。パッケージ内の構成部品として前記実施例
で用いたちの以外の光学部品、例えばモニタ用のファイ
バや受光素子、素子の駆動回路などを含む場合であって
も、何ら支障なく本発明を有効に実施し得ることは言う
までもない。
バールを用いたが、他の低熱膨張性及び高熱伝導性を有
する材料を用いてもよい。本発明の効果は、半導体レー
ザに限らず光ファイバとの光結合を必要とする他の発光
素子でも享受できろことは言うまでもない。光ファイバ
の固定順序を作業容易性やファイバ位置のy4整方法を
鑑みて変えることも可能である。光ファイバの固定部分
にソルダ以外の固定剤1例えば樹脂やガラス剤を使うこ
ともできる。パッケージ内の構成部品として前記実施例
で用いたちの以外の光学部品、例えばモニタ用のファイ
バや受光素子、素子の駆動回路などを含む場合であって
も、何ら支障なく本発明を有効に実施し得ることは言う
までもない。
第1図は本発明の一実施例の光半導体装置を示す図であ
る。第2図は本発明の一実施例の温度サイクル試験の結
果を示す図である。 1・・・気密封止型パッケージ、2・・・光ファイバ、
3・・・半導体発光素子、4・・・半導体発光素子用サ
ブマウント、5・・・光ファイバが密封固定された部分
、゛\ン一 ¥ 1 目 6 光ファイバ固υPりN 7 九ノ丁イノでI!l灯pで2ト て 2 図 温5サイ7ノb1
る。第2図は本発明の一実施例の温度サイクル試験の結
果を示す図である。 1・・・気密封止型パッケージ、2・・・光ファイバ、
3・・・半導体発光素子、4・・・半導体発光素子用サ
ブマウント、5・・・光ファイバが密封固定された部分
、゛\ン一 ¥ 1 目 6 光ファイバ固υPりN 7 九ノ丁イノでI!l灯pで2ト て 2 図 温5サイ7ノb1
Claims (1)
- 1、半導体発光素子と光ファイバを構成要素に含む気密
封止型パッケージにおいて、該パッケージ内へ前記半導
体発光素子と光結合するように導入された前記光ファイ
バが密封固定され、更に該密封固定された位置と前記半
導体発光素子との間において、前記光ファイバの少なく
とも2ケ所が前記パッケージに対して固定されているこ
とを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12100786A JPS62278512A (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12100786A JPS62278512A (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | 光半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62278512A true JPS62278512A (ja) | 1987-12-03 |
Family
ID=14800480
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12100786A Pending JPS62278512A (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62278512A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01154109A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-06-16 | Alcatel Cit | 光ファイバー及び光電素子の連結装置 |
JPH03502377A (ja) * | 1988-01-25 | 1991-05-30 | ヒューレット・パッカード・カンパニー | 減結合ファイバ光学貫通アセンブリ |
-
1986
- 1986-05-28 JP JP12100786A patent/JPS62278512A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01154109A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-06-16 | Alcatel Cit | 光ファイバー及び光電素子の連結装置 |
JPH03502377A (ja) * | 1988-01-25 | 1991-05-30 | ヒューレット・パッカード・カンパニー | 減結合ファイバ光学貫通アセンブリ |
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