JPH02130510A - 光半導体モジュール - Google Patents

光半導体モジュール

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JPH02130510A
JPH02130510A JP28381388A JP28381388A JPH02130510A JP H02130510 A JPH02130510 A JP H02130510A JP 28381388 A JP28381388 A JP 28381388A JP 28381388 A JP28381388 A JP 28381388A JP H02130510 A JPH02130510 A JP H02130510A
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JP
Japan
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optical
optical system
optical semiconductor
system components
semiconductor module
Prior art date
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Pending
Application number
JP28381388A
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English (en)
Inventor
Hiroki Okujima
奥島 裕樹
Takayuki Masuko
益子 隆行
Shunichi Sato
俊一 佐藤
Toshio Hashi
橋 利雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 概要 光半導体モジュールに関し、 高い光結合効率を維持するのに適した光半導体モジュー
ルの提供を目的とし、 光半導体チップ、レンズ系及び光ファイバ端末部からな
る光学系構成要素がこの順で光軸上に配置されるように
これらを所定の位置関係で筐体内に固定保持してなる光
半導体モジュールにおいて、上記光学系構成要素のうち
の少なくとも2つの光学系構成要素と上記筐体との間に
、上記光軸に垂直な平面上で互いに異なる方向に独立し
て変形可能なピエゾ素子をそれぞれ介在させ、該ピエゾ
素子への印加電圧を調整することにより上記少なくとも
2つの光学系構成要素の位置調整を可能にする。
産業上の利用分野 本発明は光半導体モジュールに関する。
光ファイバを光伝送路として使用する例えば光伝送シス
テムにおいては、半導体レーザ(LD)及び発光ダイオ
ード(LED)等の光半導体チップから放射された光を
光ファイバ内に導入するために、光半導体チップと光フ
ァイバ端末部とを所定の位置関係で固定しこれらの間に
集光用のレンズ系を設けてなる光半導体モジュールが使
用される。この種の光半導体モジュールにおいては、光
学系構成要素相互間の位置関係が直接的に光結合効率に
影響を及ぼすので、各構成要素については例えば1μm
以下という極めて高い精度で位置の確定がなされている
ことが要求される。又、長期間この位置の確定状態が維
持されることが要求される。
従来の技術 第10図は従来の光半導体モジュールの一例を示す破断
側面図である。光半導体チップ12はチップマウント1
4に固定されており、チップマウント14は台座16に
固定されている。台座16から突出する駆動用の電極端
子18.20と光半導体チップ12との電気的な接続は
、ポンディングワイヤ22等を用いてなされている。2
4は第ルンズホルダ26に例えば圧入固定された第ルン
ズであり、第ルンズホルダ26はチップマウント14に
固定されている。そして、光半導体チップ12及び第ル
ンズ24は、光軸貫通部分に透明窓28が設けられたパ
ッケージ30により気密封止されている。32は第2レ
ンズホルダであり、その中心孔には第2レンズ34が例
えば圧入固定されている。光ファイバコード36から導
出される光ファイバ38は、フェルール40に挿入固定
されており、光ファイバコード36の端末部分とフェル
ール40は、円筒状部材42に挿入固定されている。4
4は円筒状部材42が挿入固定されるフランジ付のホル
ダである。
そして、光半導体チップ12から放射された光が第ルン
ズ24及び第2レンズ34により集束されて高い光結合
効率で光ファイバ38に入射するように各部材の位置調
整を行ったのち、パッケージ30と第2レンズホルダ3
2とホルダ44とを半田付け、レーザ溶接等により一体
的に相互固定することによって、このモジュールは組み
立てられている。
発明が解決しようとする課題 第10図に示される光半導体モジニールにあっては、そ
の製造時には光軸調整により高い光結合効率を得ること
ができるものの、使用環境条件の温度が変化すると、熱
膨張あるいは収縮により各部材が微小変形し、その結果
、光学系構成要素相互間の相対的位置関係がモジュール
製造時とは異なったものとなり、光結合効率が低下する
場合があった。又、部材間の機械的な結合を例えば半田
付により行っている場合には、半田固化後のいわゆるク
リープ現象により光学系構成要素相互間の相対的な位置
関係が非可逆的に変化し、モジュール製造当初の光結合
効率が長期間にわたり安定に維持されないという問題が
生じていた。
本発明はこのような事情に鑑みて創作されたもので、高
い光結合効率を維持するのに適した光半導体モジュール
の提供を目的としている。
課題を解決するための手段 第1図は本発明の原理図である。
本発明は、光半導体チップ1、レンズ系2及び光ファイ
バ端末部3からなる光学系構成要素がこの順で光軸OA
上に配置されるようにこれらを所定の位置関係で筐体4
内に固定保持してなる光半導体モジニールに適用するこ
とができる。尚、第1図においては、説明の便宜上、光
軸OAと平行な方向を2軸とし、z軸と垂直な平面をx
y平面とする直交3次元座標系が設定されている。
一般に、上記構成の光半導体モジュールでは、第2図に
示すように、光学系構成要素のx、y方向のトレランス
、つまり、当該光学系構成要素について所定の光結合効
率(η)を確保するのにX。
y方向に許容され得る位置ずれ量TIIIY は、2方
向のトレランスT2 と比較して小さい。従って、部材
の温度変化による変形又は経時的変形に起因する光結合
効率の低下に対処するためには、いずれかの光学系構成
要素をxy平面上で微小移動させることが有効である。
そこで、本発明では、上記光学系構成要素1゜2.3の
うちの少なくとも2つの光学系構成要素と筐体4との間
に、光軸OAに垂直な平面(xy平面)上で互いに異な
る方向に独立して変形可能なピエゾ素子5をそれぞれ介
在させ、ピエゾ素子5への印加電圧を調整することによ
り上記少なくとも2つの光学系構成要素の位置調整を可
能にしている。
尚、第1図においては、例示的に、光学系構成要素のう
ちのレンズ系2及び光ファイバ端末部3と筐体4との間
にピエゾ素子5を介在させ、ピエゾ素子5の変形方向が
それぞれX方向及びy方向であるとして図示されている
作   用 本発明の構成において、光学系構成要素のうちの少なく
とも2つの光学系構成要素と筐体との間にxy平面上で
互いに異なる方向に独立して変形可能なピエゾ素子をそ
れぞれ介在させているのは、電圧印加によるピエゾ素子
の変形方向は一方向であり、いずれか1つの光学系構成
要素の位置調整を可能にしても、部材の温度変化による
変形又は経時的変形に起因する光結合効率の低下に対処
することができないからである。
又、光学系構成要素を2方向に調整可能にすることを本
発明構成要件に加えていないのは、第2図により説明し
たように、部材の温度変化による変形又は経時的変形に
起因する光学系構成要素相互間の相対的な位置関係のず
れが2方向のトレランスT8よりも一般に十分小さく、
これに対処する必要がないからである。
このように、本発明によれば、必要最小限な簡単な構成
により光学系構成要素の有効な位置調整を行うことがで
きるから、部材の温度変化による変形又は経時的変形に
起因する光結合効率の低下に十分対処することができる
一方、モジニールの組立時について考えてみると、組立
時に必ずしも高い光結合効率を達成していなくとも組立
後に光学系構成要素の位置調整を行うことにより高い光
結合効率を達成することができるので、製造作業性が向
上する。
実  施  例 以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第3図は本発明の実施例を示す光半導体モジュールの破
断側面図であり、第4図は第3図におけるrV−rV線
に沿った断面図である。尚、従来例を示す第1O図にお
けるものと実質的に同一の部分には同一の符号を付すと
ともにその説明を一部省略する。
52はパッケージ30を覆うように台座16に固定され
たケースである。ケース52の内部には、第3図中上下
方向に変形可能なピエゾ素子54が固定されており、ピ
エゾ素子54の上端面には、第2レンズ34が固定され
ている。ケース52の内部には又第3図紙面に垂直な方
向に変形可能なピエゾ素子58が固定されており、光フ
ァイバ38の端末部はピエゾ素子58の上端面に固定さ
れている。56は光ファイバ38の根元部及び光ファイ
バコード36本体が挿入固定されるファイバホルダであ
り、ケース52に固定されている。ピエゾ素子54.5
8はそれぞれ外部に導出される電極端子60.62に接
続されており、電極端子60.62に印加する電圧を調
整することによって、ピエゾ素子54.58の変形量を
調整することができるようになっている。この構成によ
り、第2レンズ34を第3図中上下方向に変位させるこ
とができ、又、光ファイバ38は可撓性を有しているか
らこれを第3図紙面に垂直な方向に変位させることがで
き、電極端子60.62に印加する電圧を調整すること
によって、常に最大の光結合効率を得ることができる。
尚、各部材の相互固定は半田付により行うことができる
。この場合、第2レンズ34、光ファイバ38等の直接
半田付を行うことができないものについては、半田付面
にAu等の半田付可能な金属を蒸着しておけば良い。
第5図乃至第8図により、温度変化による部材の変形に
起因する光結合効率の低下を防止する手段を説明する。
第5図(a)〜(C)はそれぞれ0℃、25℃、60℃
において、ピエゾ素子54゜58のうちの一方に印加す
る電圧を変化させたときの光出力の変化を示すグラフで
ある。尚、他方のピエゾ素子に印加する電圧は当該温度
において最大光出力が得られるように調整されているも
のとする。同図から明らかなように、各温度において最
大光出力を与える印加電圧V。、 V、、、 V、。
が異なっている。
第6図はモジニールの温度を変化させたときの、最大光
出力を与える印加電圧の変化を示すグラフである。同グ
ラフから明らかなように、最大光出力を与える印加電圧
は温度に応じて一義的に決定される。従って、モジニー
ルを使用するに際して、モジュールの温度を実測し、測
定された温度に対して最適な印加電圧を与えることによ
り、常に最大光出力が得られることになる。
第7図は温度変化によらず常に最大の光出力を得るため
の全体構成を示す図である。72は第3図及び第4図に
示される光半導体モジニールであり、このモジニールは
駆動回路74により駆動されている。光半導体モジュー
ル720ケースには温度センサ76が取り付けられて詣
り、その検知出力信号は印加電圧設定回路78に入力さ
れる。
印加電圧設定回路78は、この光半導体モジ5−ルア2
について第6図に示すような印加電圧と温度の関係を示
すグラフに相当するデータテーブルを保有しており、温
度変化によらず常に最大光出力を得ることができるよう
な印加電圧を設定し、増幅器80を介して当該電圧を電
極端子60.62に印加する。
第8図は印加電圧設定回路の具体例を示す図である。8
1は温度センサ76の検知信号をアナログ−デジタル変
換するA/D変換器、82は検出温度において最大光出
力を与える印加電圧を算出するCPU (中央演算ユニ
ット)、84はCPU82の演算結果を一時的に記憶す
るRAM (ランダムアクセスメモリ)、86はCPU
82における演算手順及び上記データテーブルが記憶さ
れているROM (リードオンリメモリ)、88はデジ
タル信号で与えられる演算結果をデジタル−アナログ変
換するD/A変換器であり、これらの各構成要素はデー
タバス90により相互接続されている。
このように本実施例によれば、温度変化によらず常に最
大光出力を得ることができるので、熱膨張及び熱収縮が
少ない特殊な材料を用いてケース等を形成する必要がな
く、光半導体モジニールを安価に提供することができる
第9図は部材の非可逆的な経時的変形に起因する光出力
の低下を防止するための全体構成を示す図である。この
実施例では、光伝送路としての光ファイバコード36の
途中に光カプラ等の光分配器92を設け、分配された分
岐光をホトダイオード等を用いて構成される受光器94
により受光して右き、受光器94の出力を制御回路96
に入力している。制御回路96は、入力される受光信号
レベルが最大となるように、ピエゾ素子への印加電圧を
フィードバック制御する。制御回路96は通常のアナロ
グ回路を用いることにより容易に構成することができる
のでその詳細な構成の説明を省略するが、第7図及び第
8図に示される実施例に準じてマイクロコンビエータを
用いたデジタル回路とすることもできる。このようなフ
ィードバック制御系を構成すれば、光半導体モジュール
720ケース等の部材が非可逆的に経時変形したとして
も、この影響を排除して常に高い光出力を得ることがで
きる。
以上の実施例では、第2レンズ及び光ファイバ端末部と
ケースとの間にそれぞれピエゾ素子を介在させているが
、第ルンズ等の他の光学系構成要素とケースとの間にピ
エゾ素子を介在させるようにしても良い。
発明の効果 以上詳述したように、本発明によれば、高い光結合効率
を維持するのに適した光半導体モジュールを提供するこ
とが可能になるという効果を奏する。
その結果、 〈1) モジュールを組み立てから印加電圧を調整する
ことにより光軸調整を行うことができるので、組立時の
高精度な光軸調整が不要になり、製造作業性が向上する
(2) モジュールに外部から衝撃等が加わって光出力
が著しく低下したときに、モジニールを分解することな
しに印加電圧の調整により光軸調整を行うことができる
(3〉 第5図乃至第8図に示される実施例のような全
体構成とすることにより、温度変化による部材の変形に
起因する光出力の低下を防止することができる。
(4)   (3)の結果、ケース等の部材の材質とし
て熱膨張係数の小さい高価な材料を用いることが不要に
なるので、光半導体モジュールを安価に提供することが
できる。
(5) 第9図に示す実施例のような全体構成とするこ
とによって、ケース等の部材の非可逆的な経時的変形に
起因する光出力の低下を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の原理図、 第2図は本発明の原理説明補助図、 第3図は本発明の実施例を示す光半導体モジュールの破
断側面図、 第4図は第3図におけるIV−IV線に沿った断面図、 第5図は光出力とピエゾ素子への印加電圧との関係を示
すグラフ、 第6図は最大光出力を与える印加電圧と温度との関係を
示すグラフ、 第7図は第3図及び第4図に示される光半導体モジニー
ルの使用例を示す図、 第8図は第7図に示される印加電圧設定回路の具体例を
示す図、 第9面は第3図及び第4図に示される光半導体モジュー
ルの他の使用例を示す図、 第10図は従来の光半導体モジュールの破断側面図であ
る。 1.12・・・光半導体チップ、 2・・・レンズ系、 3・・・光ファイバ端末部、 4・・・筐体、 5.54.58・・・ピエゾ素子、 24・・・第ルンズ、 34・・・第2レンズ、 38・・・光ファイバ。 3: tファイ)\゛す市木査丁

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 光半導体チップ(1)、レンズ系(2)及び光ファイバ
    端末部(3)からなる光学系構成要素がこの順で光軸(
    OA)上に配置されるようにこれらを所定の位置関係で
    筺体(4)内に固定保持してなる光半導体モジュールに
    おいて、 上記光学系構成要素(1,2,3)のうちの少なくとも
    2つの光学系構成要素と上記筐体(4)との間に、上記
    光軸(OA)に垂直な平面上で互いに異なる方向に独立
    して変形可能なピエゾ素子(5)をそれぞれ介在させ、 該ピエゾ素子(5)への印加電圧を調整することにより
    上記少なくとも2つの光学系構成要素の位置調整を可能
    にしたことを特徴とする光半導体モジュール。
JP28381388A 1988-11-11 1988-11-11 光半導体モジュール Pending JPH02130510A (ja)

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