JPS62268314A - 遮蔽用半導電層付ゴム・プラスチツクチユ−ブ - Google Patents
遮蔽用半導電層付ゴム・プラスチツクチユ−ブInfo
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Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Insulating Bodies (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は電線・ケーブルの配線に用いられる保護管とし
ての遮蔽用半導電層刊ゴム・プラスチックチューブに関
する、特にエレクトロニクス関連に使用される電線・ケ
ーブルの遮蔽用半導電層(−1ゴム・プラスチックチュ
ーブに関するものである。
ての遮蔽用半導電層刊ゴム・プラスチックチューブに関
する、特にエレクトロニクス関連に使用される電線・ケ
ーブルの遮蔽用半導電層(−1ゴム・プラスチックチュ
ーブに関するものである。
[従来の技術]
電線・ケーブルの配線に用いられる保護管として、多量
のゴム・プラスチックチューブが使用されている。これ
らはその目的、環境及び経済性により材料が選ばれる。
のゴム・プラスチックチューブが使用されている。これ
らはその目的、環境及び経済性により材料が選ばれる。
、その材料として例えばポリエチレン系、架橋ポリエチ
レン系、ポリ塩化ビ二ル系、架橋ビニル系、エチレン・
プ11ピレンゴム系舌がある。又特に耐熱、耐油、fA
薬品性、難燃tL 、耐屈曲性および電気特性を具備し
た特殊環境に耐え得る材料として、テトラフオD 、T
ヂレンーブ[1ピレン其重合体の混和物が適当と考えら
れている。
レン系、ポリ塩化ビ二ル系、架橋ビニル系、エチレン・
プ11ピレンゴム系舌がある。又特に耐熱、耐油、fA
薬品性、難燃tL 、耐屈曲性および電気特性を具備し
た特殊環境に耐え得る材料として、テトラフオD 、T
ヂレンーブ[1ピレン其重合体の混和物が適当と考えら
れている。
(例えば特開昭58−4206号公報参照)1ノかlノ
ながら、近年エレク[・l]ニクス関連の発展にJ、す
、この種の材料のみでは寸分な機能を発揮することが出
来す、電磁シールド等、何らかの遮蔽が要求される傾向
にある。
ながら、近年エレク[・l]ニクス関連の発展にJ、す
、この種の材料のみでは寸分な機能を発揮することが出
来す、電磁シールド等、何らかの遮蔽が要求される傾向
にある。
このように−遮蔽層を要求されるヂJ−ブの対策と()
で最も簡便な方法としては、ヂ〕−ブの表面に導電性塗
料を塗布する方法であり、本格的には金属編組や遮蔽用
半導電f!Iデーブをブコーブ表面に施づことであった
1、 [発明が解決しJ:つとする問題点] しかるに、導電性ψ判を塗布する方法は均一な塗イ1」
厚が出しにくく、ブ:L−ブの伸縮により塗料が剥m
する、又耐熱性等のy−1−−ブの特徴と塗料の性能と
を合致させることが困難である等の問題があり、金属編
組や遮蔽用半導電1et−,i−ブをチューブ表面に施
Jこと(よ、ヂ]−1のΦ14が人になる、取付作業が
難しい、]ス1〜的に割高になる等の問題点を有してい
た。
で最も簡便な方法としては、ヂ〕−ブの表面に導電性塗
料を塗布する方法であり、本格的には金属編組や遮蔽用
半導電f!Iデーブをブコーブ表面に施づことであった
1、 [発明が解決しJ:つとする問題点] しかるに、導電性ψ判を塗布する方法は均一な塗イ1」
厚が出しにくく、ブ:L−ブの伸縮により塗料が剥m
する、又耐熱性等のy−1−−ブの特徴と塗料の性能と
を合致させることが困難である等の問題があり、金属編
組や遮蔽用半導電1et−,i−ブをチューブ表面に施
Jこと(よ、ヂ]−1のΦ14が人になる、取付作業が
難しい、]ス1〜的に割高になる等の問題点を有してい
た。
本発明の目的は前記した従来技術の欠点を解澗()、チ
ューブの伸縮性を有し、耐熱、耐油、耐薬品性、ガ燃性
、耐屈曲性高絶縁抵抗に優れ、重量も増えず、取扱い容
易で比較的安価な遮蔽用半導電層イ」ゴム・ブノスヂッ
クチコーブを提供することにある。
ューブの伸縮性を有し、耐熱、耐油、耐薬品性、ガ燃性
、耐屈曲性高絶縁抵抗に優れ、重量も増えず、取扱い容
易で比較的安価な遮蔽用半導電層イ」ゴム・ブノスヂッ
クチコーブを提供することにある。
「問題点を解決づるための手段」
即ち、本発明はゴム・プラスナック゛市気絶縁材料をヂ
コーブの絶縁層とし、テトラフル″Aロ1丁チレンープ
ロピレン系共重合体100重量部に対し、導電性カーボ
ンブラックを30〜150重量部混和した組成物J:り
なる半導電層を該ブコーゾの遮蔽用半導電)内とする2
層構成より成る遮蔽用半導電層付ゴム・プラス升ツクブ
ーユーブである。
コーブの絶縁層とし、テトラフル″Aロ1丁チレンープ
ロピレン系共重合体100重量部に対し、導電性カーボ
ンブラックを30〜150重量部混和した組成物J:り
なる半導電層を該ブコーゾの遮蔽用半導電)内とする2
層構成より成る遮蔽用半導電層付ゴム・プラス升ツクブ
ーユーブである。
本発明におけるゴム・ブフスヂック電気絶縁材利として
一般的には例えばポリ−「チレン系、架橋ポリ」−ヂレ
ン系、ポリ塩化ビニル系、架橋ビニル系、エチレン・プ
ロ1ピレンゴム系等があげられるが、特に耐熱性、耐油
性、耐薬品性、難燃性、耐屈曲性、おJ:ぴ電気特性を
具備した特殊環境に耐える材IIと1ノで、テトラフル
第1コ1ニヂレンーブ1−】ピレン系共重合体の混和物
が好ましい。
一般的には例えばポリ−「チレン系、架橋ポリ」−ヂレ
ン系、ポリ塩化ビニル系、架橋ビニル系、エチレン・プ
ロ1ピレンゴム系等があげられるが、特に耐熱性、耐油
性、耐薬品性、難燃性、耐屈曲性、おJ:ぴ電気特性を
具備した特殊環境に耐える材IIと1ノで、テトラフル
第1コ1ニヂレンーブ1−】ピレン系共重合体の混和物
が好ましい。
本発明におけるyトラフルオロエヂレンープロピレン系
共小合体の混和物とは、デトラフルオロエチレンープロ
ピレン系共千合体からなる含フッ素1ラストマーと酸化
マグネシウム、酸化カルシウム、酸化鉛から選ばれる金
属酸化物の少なくとも1種のケイ酸質充填剤とを含有し
、前記含フッ素J’−ラストマー100重量部に対重る
金属酸化物およびケイ酸質充填剤の含有割合がそれぞれ
0.1〜15 fi :1部である組成物を加硫せしめ
てなる含フッ素Xfラストマー電気絶縁材料をいう。
共小合体の混和物とは、デトラフルオロエチレンープロ
ピレン系共千合体からなる含フッ素1ラストマーと酸化
マグネシウム、酸化カルシウム、酸化鉛から選ばれる金
属酸化物の少なくとも1種のケイ酸質充填剤とを含有し
、前記含フッ素J’−ラストマー100重量部に対重る
金属酸化物およびケイ酸質充填剤の含有割合がそれぞれ
0.1〜15 fi :1部である組成物を加硫せしめ
てなる含フッ素Xfラストマー電気絶縁材料をいう。
又、本発明における絶縁層及び半導電層(二相いるテト
ラフルオ[ITエチレンプロピレン系共重合体と1)で
は、主成分のデトラフルA1−」エチレンと−4= プ[」ピレンに加えて、これらど共Φ合IJJ能な成分
、例えばエチレン、イソエチレン、アクリル酸およびそ
のアルギルエステル、フッ化ビニル、フッ化ビニリデン
、ヘキサソルオ[1ブ[1ペン、クロ目ニブールビニル ン、パーフルオロアルキルビニルエーテル等を適当に含
有せしめたものであってもよい。
ラフルオ[ITエチレンプロピレン系共重合体と1)で
は、主成分のデトラフルA1−」エチレンと−4= プ[」ピレンに加えて、これらど共Φ合IJJ能な成分
、例えばエチレン、イソエチレン、アクリル酸およびそ
のアルギルエステル、フッ化ビニル、フッ化ビニリデン
、ヘキサソルオ[1ブ[1ペン、クロ目ニブールビニル ン、パーフルオロアルキルビニルエーテル等を適当に含
有せしめたものであってもよい。
かかる重合体において、テ1〜ラフルオロエヂレン/プ
ロピレンの含有モル比としては9515〜30/70,
特に90/10〜45155の範囲から選定することが
、耐熱性、成形性等の面から好ましく、また、適宜加え
られる主成分以外の成分の含有h)とlノでは通常50
モル%以下、特に30モル%以下の範囲から選定するこ
とが好ましい。
ロピレンの含有モル比としては9515〜30/70,
特に90/10〜45155の範囲から選定することが
、耐熱性、成形性等の面から好ましく、また、適宜加え
られる主成分以外の成分の含有h)とlノでは通常50
モル%以下、特に30モル%以下の範囲から選定するこ
とが好ましい。
本発明のチコーブの遮蔽用半導電層として使用する組成
物の導電性カーボンブラックの配合量を規定した理由は
、30重量部に満たなければ電気機器類の半導電性材料
として要求される導電性が得られないためであり、また
150重昂郡部越えると機械強度、押出加■性が著しく
低下するからである。体積同右抵抗を102〜104Ω
−cmにするにはカーボンブラックの配合部は40重州
都・〜70重亀部が好まlノい。
物の導電性カーボンブラックの配合量を規定した理由は
、30重量部に満たなければ電気機器類の半導電性材料
として要求される導電性が得られないためであり、また
150重昂郡部越えると機械強度、押出加■性が著しく
低下するからである。体積同右抵抗を102〜104Ω
−cmにするにはカーボンブラックの配合部は40重州
都・〜70重亀部が好まlノい。
本発明のチューブを上記絶縁層及び半導電層の組成で2
層描成に製作するには、絶縁層と半導電層の材わ1を夫
々別の押出機で夫々の条件で軟化しそれを1つのヘッド
に合流させた2層押出力式を用いる。しかる 後常圧で
80−250℃の温度で加硫を行う。押出・加硫時に押
出されるチューブの内面に圧縮空気か綿糸等の力糸を入
れることにより内径を定める。
層描成に製作するには、絶縁層と半導電層の材わ1を夫
々別の押出機で夫々の条件で軟化しそれを1つのヘッド
に合流させた2層押出力式を用いる。しかる 後常圧で
80−250℃の温度で加硫を行う。押出・加硫時に押
出されるチューブの内面に圧縮空気か綿糸等の力糸を入
れることにより内径を定める。
本発明によるチューブは上記製造方法では下記の寸法の
ものを製作することが出来る。
ものを製作することが出来る。
1) チューブの内径・・・3.0〜40mmφ2)全
層の内厚・・・0 、5〜3 、 Omm j3)半導
電層の厚さ−0,1〜0.3mt尚、本発明は半導電層
を絶縁層の外側に設けたものだ()でなく、第2図に示
す如く半導電層2を絶縁層1の内側に設けたチ1−ブも
含む。
層の内厚・・・0 、5〜3 、 Omm j3)半導
電層の厚さ−0,1〜0.3mt尚、本発明は半導電層
を絶縁層の外側に設けたものだ()でなく、第2図に示
す如く半導電層2を絶縁層1の内側に設けたチ1−ブも
含む。
又ヂj−ブの絶縁層として、ポリエチレン系、架橋ポリ
エチレン系、ポリ塩化ビニル系、架橋ビニル系、エチレ
ン・プ11ピレンゴム系等を用いる場合は、それと絹合
わざる半導電層のテトラフルオロエチレン−11]ピレ
ン共重合体に対し、絶縁層と同系のポリマーをブレンド
して用いることが一体化したチ、1−−ブを製作するの
に望ましい。
エチレン系、ポリ塩化ビニル系、架橋ビニル系、エチレ
ン・プ11ピレンゴム系等を用いる場合は、それと絹合
わざる半導電層のテトラフルオロエチレン−11]ピレ
ン共重合体に対し、絶縁層と同系のポリマーをブレンド
して用いることが一体化したチ、1−−ブを製作するの
に望ましい。
なお、チューブの発展材料として収縮チューブがあるが
、本発明のブーユーブは充分対応することが出来る。
、本発明のブーユーブは充分対応することが出来る。
1−作 用]
本発明において、テトラフルオ「」エブレンープロピレ
ン系共重合体100千酊部に対1ノ、導電性カーボンブ
ラックを30〜150tfiffi部を混和した組成よ
りなる半導電層をチューブの遮蔽用半導電層とし、1体
構造のチューブとすることにより、含ノッ索1ラストマ
の優れlこ、耐熱性、耐油性、耐薬品性、外燃性、耐屈
曲性を兼ねそなえた遮蔽半導電層が得られる。
ン系共重合体100千酊部に対1ノ、導電性カーボンブ
ラックを30〜150tfiffi部を混和した組成よ
りなる半導電層をチューブの遮蔽用半導電層とし、1体
構造のチューブとすることにより、含ノッ索1ラストマ
の優れlこ、耐熱性、耐油性、耐薬品性、外燃性、耐屈
曲性を兼ねそなえた遮蔽半導電層が得られる。
[実施例1
本発明の一実施例について説明する。但し、本発明はこ
の実施例に限られるものではない。
の実施例に限られるものではない。
絶縁層、半導電層の組成として下記のものを用いた。。
一組 成−
(成 分) (絶縁H)
(半導電層)−jドラフルオルエチレン−プロピレン共
重合体〈数平均分子量;5万、C2Fa / C3H
日の含有モル比54/46) 100重量部 10
0重量部ジクミルパーオキサイド
3 n 2 nトリアリルシアネー
ト 1 /l 1 〃M
Tカーボン 1〃 −〃マ グ ネ
シ ア 2 〃
2 〃上記より成る組成物を夫々2層押出方
式で押出成形し、更に架橋を行い第1図に示づ゛ような
、内層に絶縁層1、外層に半導電層2の2層構造のチュ
ーブを作製した。
(半導電層)−jドラフルオルエチレン−プロピレン共
重合体〈数平均分子量;5万、C2Fa / C3H
日の含有モル比54/46) 100重量部 10
0重量部ジクミルパーオキサイド
3 n 2 nトリアリルシアネー
ト 1 /l 1 〃M
Tカーボン 1〃 −〃マ グ ネ
シ ア 2 〃
2 〃上記より成る組成物を夫々2層押出方
式で押出成形し、更に架橋を行い第1図に示づ゛ような
、内層に絶縁層1、外層に半導電層2の2層構造のチュ
ーブを作製した。
寸法条件は、チューブの内径5mφ、肉厚1 mmt、
内層の絶縁層厚み0.85st、外層の半導電層厚み0
.15stとした。
内層の絶縁層厚み0.85st、外層の半導電層厚み0
.15stとした。
押出温度は70〜90°、架橋条件は165〜180℃
のグリセリン槽にて60〜80秒加熱とした。
のグリセリン槽にて60〜80秒加熱とした。
これによって、耐熱性、耐油性等に優れた性能を有する
遮蔽層(=lの一体化したゴム・プラスデックチューブ
を得ることが出来た。
遮蔽層(=lの一体化したゴム・プラスデックチューブ
を得ることが出来た。
[発明の効果]
このようにゴl\・プラスチック電気絶縁材料をチュー
ブの絶縁層とし、デトラフルオロエチレンープロピレン
共重合体に導電性カーボンブラックを混和した半導電層
をヂコ、−1の遮蔽用半導電層とする2層構造の遮蔽用
半導電層付ゴム・プラスチックデー1−ブとすることに
より、伸縮性を有し、耐熱性、耐油性、耐薬品性、難燃
性、耐屈曲性、高絶縁抵抗トニ優れ、型槽も増えず、取
扱い容易で、化較的安価な遮蔽用半導電層付ゴム・プラ
スデックチューブを得ることが出来た。本発明のチュー
ブは特にJレクトニクス関連に使用される電線・ケーブ
ルの保護管として有益である。
ブの絶縁層とし、デトラフルオロエチレンープロピレン
共重合体に導電性カーボンブラックを混和した半導電層
をヂコ、−1の遮蔽用半導電層とする2層構造の遮蔽用
半導電層付ゴム・プラスチックデー1−ブとすることに
より、伸縮性を有し、耐熱性、耐油性、耐薬品性、難燃
性、耐屈曲性、高絶縁抵抗トニ優れ、型槽も増えず、取
扱い容易で、化較的安価な遮蔽用半導電層付ゴム・プラ
スデックチューブを得ることが出来た。本発明のチュー
ブは特にJレクトニクス関連に使用される電線・ケーブ
ルの保護管として有益である。
第1図は本発明の遮蔽用半導電層付ゴム・プラスチック
ヂコーブの一実施例で、半導電層をヂコーブ外側に施し
たものの断面図、第2図は同じく半導電層を内側に施し
たものの断面図である。 1:絶縁層、 2二半導電層。 代理人 弁理士 薄 1)利 幸 一矛1閃 休2回
ヂコーブの一実施例で、半導電層をヂコーブ外側に施し
たものの断面図、第2図は同じく半導電層を内側に施し
たものの断面図である。 1:絶縁層、 2二半導電層。 代理人 弁理士 薄 1)利 幸 一矛1閃 休2回
Claims (3)
- (1)ゴム・プラスチック電気絶縁材料をチューブの絶
縁層とし、テトラフルオロエチレン−プロピレン系共重
合体100重量部に対し、導電性カーボンブラックを3
0〜150重量部混和した組成物よりなる半導電層を該
チューブの遮蔽用半導電層とする2層構造より成る遮蔽
用半導電層付ゴム・プラスチックチューブ。 - (2)当該ゴム・プラスチック電気絶縁材料が、テトラ
フルオロエチレン−プロピレン系共重合体からなる含フ
ッ素エラストマーと、酸化マグネシウム、酸化カルシウ
ム、酸化鉛から選ばれる金属酸化物の少なくとも1種と
ケイ酸質充填剤とを含有し、前記含フッ素エラストマー
100重量部に対する金属酸化物およびケイ酸質充填剤
の含有割合がそれぞれ0.1〜15重量部および1〜1
00重量部である組成物を加硫せしめてなる含フッ素エ
ラストマー電気絶縁材料であることを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載の遮蔽用半導電層付ゴム・プラスチ
ックチューブ。 - (3)チューブの内径が3.0〜40mm、肉厚0.5
〜3.0mmであることを特徴とする特許請求の範囲第
1項又は第2項記載の遮蔽用半導電層付ゴム・プラスチ
ックチューブ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61110161A JPS62268314A (ja) | 1986-05-14 | 1986-05-14 | 遮蔽用半導電層付ゴム・プラスチツクチユ−ブ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61110161A JPS62268314A (ja) | 1986-05-14 | 1986-05-14 | 遮蔽用半導電層付ゴム・プラスチツクチユ−ブ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62268314A true JPS62268314A (ja) | 1987-11-20 |
Family
ID=14528594
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61110161A Pending JPS62268314A (ja) | 1986-05-14 | 1986-05-14 | 遮蔽用半導電層付ゴム・プラスチツクチユ−ブ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62268314A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0316614U (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-19 |
-
1986
- 1986-05-14 JP JP61110161A patent/JPS62268314A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0316614U (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-19 |
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