JPS62267915A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS62267915A JPS62267915A JP11072386A JP11072386A JPS62267915A JP S62267915 A JPS62267915 A JP S62267915A JP 11072386 A JP11072386 A JP 11072386A JP 11072386 A JP11072386 A JP 11072386A JP S62267915 A JPS62267915 A JP S62267915A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 11
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 abstract description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 5
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- -1 soda glass Chemical class 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 3
- 208000013201 Stress fracture Diseases 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
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- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
-
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- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3133—Disposition of layers including layers not usually being a part of the electromagnetic transducer structure and providing additional features, e.g. for improving heat radiation, reduction of power dissipation, adaptations for measurement or indication of gap depth or other properties of the structure
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、摺動保護板を備えた薄膜磁気ヘッドに関する
。
。
薄膜磁気ヘッドは、耐摩耗性及び走行安定性を得るため
に、ヘッド表面にその基板と反対側に摺動保護板を設げ
ている。
に、ヘッド表面にその基板と反対側に摺動保護板を設げ
ている。
この摺動保護板（以下、保護板と記す）の接合のために
、当初は樹脂接着剤を用いていたが、樹脂接着剤は吸湿
性のためにヘッドタッチを劣化させるという欠点があっ
て、最近は、例えば特開昭５７−１７６５２４号公報に
記載のように、ガラス接合が用いられている。
、当初は樹脂接着剤を用いていたが、樹脂接着剤は吸湿
性のためにヘッドタッチを劣化させるという欠点があっ
て、最近は、例えば特開昭５７−１７６５２４号公報に
記載のように、ガラス接合が用いられている。
上記従来例では、保護板をヘッドの凹凸面に強固に接合
するため、作業温度をガラスの軟化点温度より充分に高
い温度にしてガラスのぬれ性を良くしなければならず、
その結果、薄、換磁気コアに磁気特性の温度劣化等を及
はし、磁性薄膜の選択に制限をもたらすとか、逆に熱応
力が大となるためにかえって熱応力破壊を生じると℃・
う問題点があった。
するため、作業温度をガラスの軟化点温度より充分に高
い温度にしてガラスのぬれ性を良くしなければならず、
その結果、薄、換磁気コアに磁気特性の温度劣化等を及
はし、磁性薄膜の選択に制限をもたらすとか、逆に熱応
力が大となるためにかえって熱応力破壊を生じると℃・
う問題点があった。
この発明は、薄膜磁気ヘッドの耐摩耗性及び走行安定性
を向上させて摺動性を改善するための保護板（摺動保護
板）を該ヘッド表面の凹凸の存在。
を向上させて摺動性を改善するための保護板（摺動保護
板）を該ヘッド表面の凹凸の存在。
に対して低温でガラス接合可能として、磁性薄膜の磁気
特性の劣化や熱応力破壊を防止した薄膜磁気ヘッドを提
供することを目的とする。
特性の劣化や熱応力破壊を防止した薄膜磁気ヘッドを提
供することを目的とする。
上記問題点は、接合ガラスとしてソーダガラスのように
イオンを含有するガラスを用い、このガラスを接合しよ
うとする薄膜磁気ヘッドあるし・は保護板の一方の接合
面に真空蒸着あるいはスパッタリング等によりあらかじ
め被着形成し、他方の接合面に導電性金属膜を形成して
電極となし、接合面に静圧をかけながらガラスの軟化点
＆度板上の温度に昇温させ、ガラスを流動変形させなが
ら、ガラスと電極間に電界を印加するアノ−ディックポ
ンディング技術により薄膜ヘッドチップの接合面に凹凸
を有したままの状態で、熱圧着あるいはガラス流入等の
ガラス接合技術における作業温度よりも低温でヘッドと
保護板を接合させることにより解決される。
イオンを含有するガラスを用い、このガラスを接合しよ
うとする薄膜磁気ヘッドあるし・は保護板の一方の接合
面に真空蒸着あるいはスパッタリング等によりあらかじ
め被着形成し、他方の接合面に導電性金属膜を形成して
電極となし、接合面に静圧をかけながらガラスの軟化点
＆度板上の温度に昇温させ、ガラスを流動変形させなが
ら、ガラスと電極間に電界を印加するアノ−ディックポ
ンディング技術により薄膜ヘッドチップの接合面に凹凸
を有したままの状態で、熱圧着あるいはガラス流入等の
ガラス接合技術における作業温度よりも低温でヘッドと
保護板を接合させることにより解決される。
薄膜磁気ヘッドの接合表面に凹凸があつ（も、低温で保
護板をガラス接合することが可能で、磁性薄膜の磁気特
性劣化や熱応力破壊を防止できる。
護板をガラス接合することが可能で、磁性薄膜の磁気特
性劣化や熱応力破壊を防止できる。
以下、図面を参照して本発明の実施例について説明する
。
。
先ず、第５図、第６図および第７図により保護板を設け
た薄膜磁気ヘッドを説明する。
た薄膜磁気ヘッドを説明する。
第５図は保護板を接合する前の薄膜磁気ヘッドの斜視図
であって、１は基板、２は基板１上に成膜した下部磁気
コアとなる磁性薄膜、３は導体コイルパターン、４は磁
性薄膜を成膜後、フォトリゾグラフィク技術により所定
形状にパターニングした上部コアである。
であって、１は基板、２は基板１上に成膜した下部磁気
コアとなる磁性薄膜、３は導体コイルパターン、４は磁
性薄膜を成膜後、フォトリゾグラフィク技術により所定
形状にパターニングした上部コアである。
図示は、ウェハーより２チップ分切り出した状態を示し
℃いる。
℃いる。
第６図は第５図の八−に断面図であって、５及び６は導
体コイルパターンを絶縁するための５ｉＯｚ等の絶縁体
である。
体コイルパターンを絶縁するための５ｉＯｚ等の絶縁体
である。
第７図は第５図のＢ−Ｂ′断面図でありて、第５図及び
第６図と同一符号は同一部分を示す。
第６図と同一符号は同一部分を示す。
第６図及び第７図において、本発明による保護板は図示
Ｃの部位に接合される。
Ｃの部位に接合される。
第１図は本発明による薄膜磁気ヘッドの一実施例の断面
図であって、７はソーダガラス等のイオンを含有するガ
ラス層、８は保護板、９は電極となるＣｒ等の金属薄膜
で、第５図、第６図２よび第７図と同一符号は同一部分
を示す。
図であって、７はソーダガラス等のイオンを含有するガ
ラス層、８は保護板、９は電極となるＣｒ等の金属薄膜
で、第５図、第６図２よび第７図と同一符号は同一部分
を示す。
同図において、基板１の上に磁性薄膜２を成膜して下部
磁気コアとする。この上に５２０７等の絶縁体６を被着
し、導体コイルパターン６を形成して、さらにその上に
５ｉｆｔ等の絶縁体５を被着する。絶縁体５の上には磁
性薄膜を成膜し、フォ） ＩＪゾグラフィク技術により
パターニングして上部コア４を形成する。
磁気コアとする。この上に５２０７等の絶縁体６を被着
し、導体コイルパターン６を形成して、さらにその上に
５ｉｆｔ等の絶縁体５を被着する。絶縁体５の上には磁
性薄膜を成膜し、フォ） ＩＪゾグラフィク技術により
パターニングして上部コア４を形成する。
保護板８は電極９とガラス層７を介して磁気ヘッド部に
接合される。
接合される。
第２図は、第１図に示した薄膜磁気ヘッドの保護板接合
方法を説明する断面図であって、第１図と同一符号は同
一部分を示し、Ｅは電源電圧である。
方法を説明する断面図であって、第１図と同一符号は同
一部分を示し、Ｅは電源電圧である。
同図において、上部コア４まで形成した磁気ヘッド部の
表面にソーダガラス等のイオンを有するガラス層７をヘ
ッド表面の段差と同程度以上に真空蒸着あるいはスパッ
タリングにより被着形成する。
表面にソーダガラス等のイオンを有するガラス層７をヘ
ッド表面の段差と同程度以上に真空蒸着あるいはスパッ
タリングにより被着形成する。
また、接合しようとする保護板８の接合面側にＣｒ等の
金属膜を成膜して電極９を形成する。
金属膜を成膜して電極９を形成する。
次に、ガラス層７と電極９を対向させて両者をはり合わ
せ、図示矢印方向の静圧Ｆを印加しながら電気炉中で加
熱する。ガラス層７にはｐｂを添加して、軟化点温度を
３５０Ｃに下げである。そして、電気炉の加熱温度４０
０Ｃにおいて、電極９と磁性Ｈ２間Ｋ Ｎ、ＥＥ Ｅ
（２００Ｖ −３００Ｖ ）を印加する。
せ、図示矢印方向の静圧Ｆを印加しながら電気炉中で加
熱する。ガラス層７にはｐｂを添加して、軟化点温度を
３５０Ｃに下げである。そして、電気炉の加熱温度４０
０Ｃにおいて、電極９と磁性Ｈ２間Ｋ Ｎ、ＥＥ Ｅ
（２００Ｖ −３００Ｖ ）を印加する。
ガラス層７は軟化点以上の温度で静圧Ｆを印加されるこ
とにより流動し、ヘッド面の凹凸に流動充填される。こ
れにより、ガラス層７は保護板８の表面電極９に対して
充分なぬれ性を示す温度まで加熱しな（とも、電源電圧
Ｅの印加による電界によってアノ−ディックボンディン
グされ、充分な接合強度が得られる。
とにより流動し、ヘッド面の凹凸に流動充填される。こ
れにより、ガラス層７は保護板８の表面電極９に対して
充分なぬれ性を示す温度まで加熱しな（とも、電源電圧
Ｅの印加による電界によってアノ−ディックボンディン
グされ、充分な接合強度が得られる。
第３図は本発明による薄膜磁気ヘッドの他の実施例の断
面図であって、第１図と同一符号は同一部分を、１０は
絶縁体を示す。
面図であって、第１図と同一符号は同一部分を、１０は
絶縁体を示す。
同図において、保護板とその接合部分を除いては第１図
と同様の構造である。
と同様の構造である。
この実施例における保護板８は、該保護板８の側に被着
したソーダガラス等のイオンを含有するガラス層７とヘ
ッド側に絶縁体１０を介して形成したＣｒ等の金属薄膜
から成る電極９とを接着することにより接合される。
したソーダガラス等のイオンを含有するガラス層７とヘ
ッド側に絶縁体１０を介して形成したＣｒ等の金属薄膜
から成る電極９とを接着することにより接合される。
第４図は第３図に示した薄膜磁気ヘッドの保護板接合表
面を説明する断面図であって、第３図と同一符号は同一
部分を示す。
面を説明する断面図であって、第３図と同一符号は同一
部分を示す。
同図において、上部コア４まで形成した磁気ヘッド部の
表面に絶縁体１０を介してＣｒ等の金属膜を成膜して電
極９を形成する。また、接合しようとする保護板８の接
合面側にソーダガラス等のイオンを有するガラス層７を
真空蒸着あるいはスパッタリングにより被着形成する。
表面に絶縁体１０を介してＣｒ等の金属膜を成膜して電
極９を形成する。また、接合しようとする保護板８の接
合面側にソーダガラス等のイオンを有するガラス層７を
真空蒸着あるいはスパッタリングにより被着形成する。
次に、保護板８のガラス層７と磁気ヘッドの電極９とを
対向させてはり合わせ、図示矢印方向の静圧Ｆを印加し
ながら電気炉中で加熱する。以下、第２図と同様な方法
で磁気ヘッドに保護板６を接合する。
対向させてはり合わせ、図示矢印方向の静圧Ｆを印加し
ながら電気炉中で加熱する。以下、第２図と同様な方法
で磁気ヘッドに保護板６を接合する。
なお、保護板８としては導電性フェライト等を用いるこ
とができる。
とができる。
本発明によれば、薄膜磁気ヘッドの保護板接合表面に凹
凸を有したまま、保護板を低温でガラス接合できるので
、保護板の接合に伴う磁性薄膜の磁気特性劣化や熱応力
破壊を防止して耐摩耗性及び走行安定性を向上させるこ
とができる。
凸を有したまま、保護板を低温でガラス接合できるので
、保護板の接合に伴う磁性薄膜の磁気特性劣化や熱応力
破壊を防止して耐摩耗性及び走行安定性を向上させるこ
とができる。
第１図は本発明による薄膜磁気ヘッドの一実施例の断面
図、第２図は第１図に示した薄膜磁気ヘッドの保護板接
合方法を説明する断面図、第３図は本発明による薄膜磁
気ヘッドの他の実施例の断面図、第４図は第３図に示し
た薄膜磁気ヘッドの保護板接合方法を説明する断面図、
第５図は保護板を接合する前の薄膜磁気ヘッドの斜視図
、第６図は第５図のＡ−χ断面図、第７図は第５図のＢ
−Ｂ’断面図である。 １・・・基板、 ２・・・下部コア、３・・
・導体コイル、 ４・・・上部コア、５．６．１０
・・・絶縁体、 ７・・・ガラス層、８・・・保
護板、 ９・・・電極（金属膜）。
図、第２図は第１図に示した薄膜磁気ヘッドの保護板接
合方法を説明する断面図、第３図は本発明による薄膜磁
気ヘッドの他の実施例の断面図、第４図は第３図に示し
た薄膜磁気ヘッドの保護板接合方法を説明する断面図、
第５図は保護板を接合する前の薄膜磁気ヘッドの斜視図
、第６図は第５図のＡ−χ断面図、第７図は第５図のＢ
−Ｂ’断面図である。 １・・・基板、 ２・・・下部コア、３・・
・導体コイル、 ４・・・上部コア、５．６．１０
・・・絶縁体、 ７・・・ガラス層、８・・・保
護板、 ９・・・電極（金属膜）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に磁性薄膜、導体コイル等を成膜して形成し
た磁気ヘッド部と、該磁気ヘッドの基板とは反対側の面
に摺動保護板を接合して成る薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記磁気ヘッド部と前記摺動保護板との間にガラス層と
金属膜の積層を介在させたことを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッド。 ２、特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記ガラス層は前記保護板側に形成されており、前
記金属膜は前記磁気ヘッド部側に形成されていることを
特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ３、特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記ガラス層は前記磁気ヘッド部に形成されており
、前記金属膜は前記保護板側に形成されていることを特
徴とする薄膜磁気ヘッド。 ４、特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記ガラス層はイオンを含有するガラスであること
を特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ５、特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記保護板は前記金属膜を一方の電極とし、前記保
護板又は前記磁気ヘッド部を他方の電極とするアノーデ
ィックボンディングによって前記磁気ヘッド部に接合さ
れて成ることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ６、特許請求の範囲第５項記載の薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記アノーディックボンディングは前記ガラスの軟
化点以上の温度のもとで前記保護板と前記磁気ヘッド部
とを加圧しながら行なうことを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11072386A JPS62267915A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11072386A JPS62267915A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62267915A true JPS62267915A (ja) | 1987-11-20 |
Family
ID=14542855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11072386A Pending JPS62267915A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62267915A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60145519A (ja) * | 1984-01-10 | 1985-08-01 | Canon Electronics Inc | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS6124812B2 (ja) * | 1980-08-29 | 1986-06-12 | Maika Giken Kk |
-
1986
- 1986-05-16 JP JP11072386A patent/JPS62267915A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6124812B2 (ja) * | 1980-08-29 | 1986-06-12 | Maika Giken Kk | |
| JPS60145519A (ja) * | 1984-01-10 | 1985-08-01 | Canon Electronics Inc | 薄膜磁気ヘツド |
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