JPS62263604A - 金属皮膜抵抗器及びその製造方法 - Google Patents

金属皮膜抵抗器及びその製造方法

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JPS62263604A
JPS62263604A JP61106762A JP10676286A JPS62263604A JP S62263604 A JPS62263604 A JP S62263604A JP 61106762 A JP61106762 A JP 61106762A JP 10676286 A JP10676286 A JP 10676286A JP S62263604 A JPS62263604 A JP S62263604A
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metal
film layer
electrode
resistor
metal film
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JP61106762A
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北林 基
林 琢夫
平沢 幸弘
恭司 小林
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Koa Corp
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Koa Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [a業上の利用分野] 本発明は金属皮膜抵抗器及びその製造方法に関し、特に
大気中熱処理を可能とした金属皮膜抵抗器及びそ゛の製
造方法に関するものである。
[従来の技術及びその問題点] 金属皮膜抵抗器においては、その製造時に抵抗器の特性
を安定させるために、一定時間高熱下に置く、いわゆる
熱処理によるエージング処理を行なうのが一般的である
しかし従来の金属皮膜抵抗器においては、この熱処理を
大気中で行なう場合、形成した抵抗皮膜や電極層上に酸
化膜が生じてしまい、電極層との接触抵抗が増加し、抵
抗器としての特性を劣化させてしまう。特に低抵抗領域
においては、この抵抗変化分は大きな割合となり、種々
の問題を引き起こしていた。
またこれを防止するために、抵抗皮膜上にAu(金)等
の非酸化性の貴金属電極を形成した後に、熱処理を行な
っていた例もある。この電極にAuを用いた抵抗器の例
を第4図に示す。
従来は第4図に示す様に、まずアルミナ基板1上に、例
えばNi−Cr抵抗皮膜2を蒸着によって形成する。そ
してこの上にAu電極3を形成して、その後熱処理を行
ない、抵抗器の安定化を図っていた。しかし、ここで使
用される貴金属は高価であり、抵抗器の価格の上昇の原
因ともなっていた。
[発明の目的コ 本発明は上述従来の技術の問題点を除去するために成さ
れたものであり、大気中熱処理を行なっても接触抵抗値
の増加をすることのない、かつ、安価な電極構造の抵抗
器を提供することを目的とする。
[発明の構成コ 上述の目的を達成するための一手段として、本実施例は
基材上に金属抵抗皮膜層を形成する第1の工程と、該第
1の工程に続き該金属抵抗皮膜層両端部上に酸化金属皮
膜層を形成する第2の工程と、該第2の工程に続き、該
形成部位に熱処理を行なうエージング工程と、該エージ
ング工程に続き前記酸化金属皮膜層上に金属電極層を形
成する第3の工程より、金属皮膜抵抗器を製造すること
により、接触抵抗の小さな、かつ、熱処理による抵抗変
化のない電極を備えた金属皮膜抵抗器が構成できる。
[実施例] 以下、図面を参照して本発明に係る一実施例を詳説する
第1図は本発明に係る一実施例により製造された金属皮
膜抵抗器の断面図、第2図はその上面図である。
図中、1はアルミナ基板、2はNi−Cr抵抗皮膜層、
4は半導体酸化金属皮膜層であるSnドープのI n2
03層、5は金属電極層であるCu電極である。
以上の構成より成る本実施例の金属皮膜抵抗器の製造工
程を第3図を参照して以下に説明する。
まず第1工程において、アルミナ基板1上にNi−Cr
抵抗皮膜層2を蒸着により形成する。
続く第2工程において、該Ni−Cr抵抗皮膜層2上の
電極形成部分に、SnドープのI n203層4を蒸着
により形成する。次に第3工程において、高熱下におい
て熱処理を行ない、二一ジング処理を行なう。これによ
り抵抗器の安定性が高まり、出荷後の経時変化を最小限
に抑えることができる。しかも、電極形成部を半導体酸
化金属皮膜層4で形成しであるため、当該熱処理におい
ても従来の抵抗皮膜上に生ずる酸化膜による電極部の接
触抵抗の変化(増加)等が発生することもない。この第
3工程が終了すると、次の第4工程でI n203層4
上にCu電極5を形成して金属皮膜抵抗器の製造を終了
する。このCu電極5は熱処理工程終了後に形成される
ため、熱による酸化等も全く発生することがない。従っ
てこの様にして形成された電極部は小さな接触抵抗しか
持たず、低抵抗域の抵抗器においても十分使用できるも
のであり、又、Au等の高価な貴金属を使用することも
なく、安価に作ることができる。
また、以上の説明においては半導体酸化金属皮膜層4を
1 n203により形成したが、他の半導体酸化金属の
材料により皮膜層を形成しても良いことはもちろんであ
る。
[発明の効果] 以上説明した様に本発明によれば、安価に低抵抗におい
ても良アな安定性を有する金属皮膜抵抗器を提供できる
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る一実施例の断面図、第2図は本実
施例の上面図、 第3図は本実施例の製造工程図、 第4図は従来の金属皮膜抵抗器の断面図である。 図中、1・・・アルミナ基板、2・・・Ni−Cr抵抗
皮膜、3・・・Au電極、4・・・I n203半導体
酸化金属皮膜層、5・・・Cu電極である。 第1図 第4図 第3図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)金属抵抗皮膜層と、該金属抵抗皮膜層上に導電性
    酸化金属皮膜層を形成し、さらに該導電性酸化金属皮膜
    層上に金属電極層を形成した電極を備えることを特徴と
    する金属皮膜抵抗器。
  2. (2)導電性酸化金属皮膜層を酸化インジウムで形成す
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の金属皮
    膜抵抗器。
  3. (3)基材上に金属抵抗皮膜層を形成する第1の工程と
    、該第1の工程に続き該金属抵抗皮膜層上に導電性酸化
    金属皮膜層を形成する第2の工程と、該第2の工程に続
    き、該形成品に熱処理を行なうエージング工程と、該エ
    ージング工程に続き前記導電性酸化金属皮膜層上に金属
    電極層を形成する第3の工程より成る金属皮膜抵抗器の
    製造方法。
JP61106762A 1986-05-12 1986-05-12 金属皮膜抵抗器及びその製造方法 Expired - Lifetime JPH0616441B2 (ja)

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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS518597A (ja) * 1974-07-10 1976-01-23 Taisei Denshi Kk Tainetsuseikinzokuhakumakuteikotaitanshino seizohoho
JPS5155991A (ja) * 1974-11-08 1976-05-17 Taisei Denshi Kk Kinzokuhakumakuteikokino seizohoho
JPS51134894A (en) * 1975-05-16 1976-11-22 Taisei Denshi Kk Manufacturing method of metallic film resistor
JPS5346656A (en) * 1976-10-12 1978-04-26 Koa Denko Metallfilm variable resistor
JPS61288401A (ja) * 1985-06-14 1986-12-18 株式会社村田製作所 薄膜抵抗体

Patent Citations (5)

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JPH0616441B2 (ja) 1994-03-02

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