JPS62263604A - 金属皮膜抵抗器及びその製造方法 - Google Patents
金属皮膜抵抗器及びその製造方法Info
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- JPS62263604A JPS62263604A JP61106762A JP10676286A JPS62263604A JP S62263604 A JPS62263604 A JP S62263604A JP 61106762 A JP61106762 A JP 61106762A JP 10676286 A JP10676286 A JP 10676286A JP S62263604 A JPS62263604 A JP S62263604A
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Landscapes
- Details Of Resistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[a業上の利用分野]
本発明は金属皮膜抵抗器及びその製造方法に関し、特に
大気中熱処理を可能とした金属皮膜抵抗器及びそ゛の製
造方法に関するものである。
大気中熱処理を可能とした金属皮膜抵抗器及びそ゛の製
造方法に関するものである。
[従来の技術及びその問題点]
金属皮膜抵抗器においては、その製造時に抵抗器の特性
を安定させるために、一定時間高熱下に置く、いわゆる
熱処理によるエージング処理を行なうのが一般的である
。
を安定させるために、一定時間高熱下に置く、いわゆる
熱処理によるエージング処理を行なうのが一般的である
。
しかし従来の金属皮膜抵抗器においては、この熱処理を
大気中で行なう場合、形成した抵抗皮膜や電極層上に酸
化膜が生じてしまい、電極層との接触抵抗が増加し、抵
抗器としての特性を劣化させてしまう。特に低抵抗領域
においては、この抵抗変化分は大きな割合となり、種々
の問題を引き起こしていた。
大気中で行なう場合、形成した抵抗皮膜や電極層上に酸
化膜が生じてしまい、電極層との接触抵抗が増加し、抵
抗器としての特性を劣化させてしまう。特に低抵抗領域
においては、この抵抗変化分は大きな割合となり、種々
の問題を引き起こしていた。
またこれを防止するために、抵抗皮膜上にAu(金)等
の非酸化性の貴金属電極を形成した後に、熱処理を行な
っていた例もある。この電極にAuを用いた抵抗器の例
を第4図に示す。
の非酸化性の貴金属電極を形成した後に、熱処理を行な
っていた例もある。この電極にAuを用いた抵抗器の例
を第4図に示す。
従来は第4図に示す様に、まずアルミナ基板1上に、例
えばNi−Cr抵抗皮膜2を蒸着によって形成する。そ
してこの上にAu電極3を形成して、その後熱処理を行
ない、抵抗器の安定化を図っていた。しかし、ここで使
用される貴金属は高価であり、抵抗器の価格の上昇の原
因ともなっていた。
えばNi−Cr抵抗皮膜2を蒸着によって形成する。そ
してこの上にAu電極3を形成して、その後熱処理を行
ない、抵抗器の安定化を図っていた。しかし、ここで使
用される貴金属は高価であり、抵抗器の価格の上昇の原
因ともなっていた。
[発明の目的コ
本発明は上述従来の技術の問題点を除去するために成さ
れたものであり、大気中熱処理を行なっても接触抵抗値
の増加をすることのない、かつ、安価な電極構造の抵抗
器を提供することを目的とする。
れたものであり、大気中熱処理を行なっても接触抵抗値
の増加をすることのない、かつ、安価な電極構造の抵抗
器を提供することを目的とする。
[発明の構成コ
上述の目的を達成するための一手段として、本実施例は
基材上に金属抵抗皮膜層を形成する第1の工程と、該第
1の工程に続き該金属抵抗皮膜層両端部上に酸化金属皮
膜層を形成する第2の工程と、該第2の工程に続き、該
形成部位に熱処理を行なうエージング工程と、該エージ
ング工程に続き前記酸化金属皮膜層上に金属電極層を形
成する第3の工程より、金属皮膜抵抗器を製造すること
により、接触抵抗の小さな、かつ、熱処理による抵抗変
化のない電極を備えた金属皮膜抵抗器が構成できる。
基材上に金属抵抗皮膜層を形成する第1の工程と、該第
1の工程に続き該金属抵抗皮膜層両端部上に酸化金属皮
膜層を形成する第2の工程と、該第2の工程に続き、該
形成部位に熱処理を行なうエージング工程と、該エージ
ング工程に続き前記酸化金属皮膜層上に金属電極層を形
成する第3の工程より、金属皮膜抵抗器を製造すること
により、接触抵抗の小さな、かつ、熱処理による抵抗変
化のない電極を備えた金属皮膜抵抗器が構成できる。
[実施例]
以下、図面を参照して本発明に係る一実施例を詳説する
。
。
第1図は本発明に係る一実施例により製造された金属皮
膜抵抗器の断面図、第2図はその上面図である。
膜抵抗器の断面図、第2図はその上面図である。
図中、1はアルミナ基板、2はNi−Cr抵抗皮膜層、
4は半導体酸化金属皮膜層であるSnドープのI n2
03層、5は金属電極層であるCu電極である。
4は半導体酸化金属皮膜層であるSnドープのI n2
03層、5は金属電極層であるCu電極である。
以上の構成より成る本実施例の金属皮膜抵抗器の製造工
程を第3図を参照して以下に説明する。
程を第3図を参照して以下に説明する。
まず第1工程において、アルミナ基板1上にNi−Cr
抵抗皮膜層2を蒸着により形成する。
抵抗皮膜層2を蒸着により形成する。
続く第2工程において、該Ni−Cr抵抗皮膜層2上の
電極形成部分に、SnドープのI n203層4を蒸着
により形成する。次に第3工程において、高熱下におい
て熱処理を行ない、二一ジング処理を行なう。これによ
り抵抗器の安定性が高まり、出荷後の経時変化を最小限
に抑えることができる。しかも、電極形成部を半導体酸
化金属皮膜層4で形成しであるため、当該熱処理におい
ても従来の抵抗皮膜上に生ずる酸化膜による電極部の接
触抵抗の変化(増加)等が発生することもない。この第
3工程が終了すると、次の第4工程でI n203層4
上にCu電極5を形成して金属皮膜抵抗器の製造を終了
する。このCu電極5は熱処理工程終了後に形成される
ため、熱による酸化等も全く発生することがない。従っ
てこの様にして形成された電極部は小さな接触抵抗しか
持たず、低抵抗域の抵抗器においても十分使用できるも
のであり、又、Au等の高価な貴金属を使用することも
なく、安価に作ることができる。
電極形成部分に、SnドープのI n203層4を蒸着
により形成する。次に第3工程において、高熱下におい
て熱処理を行ない、二一ジング処理を行なう。これによ
り抵抗器の安定性が高まり、出荷後の経時変化を最小限
に抑えることができる。しかも、電極形成部を半導体酸
化金属皮膜層4で形成しであるため、当該熱処理におい
ても従来の抵抗皮膜上に生ずる酸化膜による電極部の接
触抵抗の変化(増加)等が発生することもない。この第
3工程が終了すると、次の第4工程でI n203層4
上にCu電極5を形成して金属皮膜抵抗器の製造を終了
する。このCu電極5は熱処理工程終了後に形成される
ため、熱による酸化等も全く発生することがない。従っ
てこの様にして形成された電極部は小さな接触抵抗しか
持たず、低抵抗域の抵抗器においても十分使用できるも
のであり、又、Au等の高価な貴金属を使用することも
なく、安価に作ることができる。
また、以上の説明においては半導体酸化金属皮膜層4を
1 n203により形成したが、他の半導体酸化金属の
材料により皮膜層を形成しても良いことはもちろんであ
る。
1 n203により形成したが、他の半導体酸化金属の
材料により皮膜層を形成しても良いことはもちろんであ
る。
[発明の効果]
以上説明した様に本発明によれば、安価に低抵抗におい
ても良アな安定性を有する金属皮膜抵抗器を提供できる
。
ても良アな安定性を有する金属皮膜抵抗器を提供できる
。
第1図は本発明に係る一実施例の断面図、第2図は本実
施例の上面図、 第3図は本実施例の製造工程図、 第4図は従来の金属皮膜抵抗器の断面図である。 図中、1・・・アルミナ基板、2・・・Ni−Cr抵抗
皮膜、3・・・Au電極、4・・・I n203半導体
酸化金属皮膜層、5・・・Cu電極である。 第1図 第4図 第3図
施例の上面図、 第3図は本実施例の製造工程図、 第4図は従来の金属皮膜抵抗器の断面図である。 図中、1・・・アルミナ基板、2・・・Ni−Cr抵抗
皮膜、3・・・Au電極、4・・・I n203半導体
酸化金属皮膜層、5・・・Cu電極である。 第1図 第4図 第3図
Claims (3)
- (1)金属抵抗皮膜層と、該金属抵抗皮膜層上に導電性
酸化金属皮膜層を形成し、さらに該導電性酸化金属皮膜
層上に金属電極層を形成した電極を備えることを特徴と
する金属皮膜抵抗器。 - (2)導電性酸化金属皮膜層を酸化インジウムで形成す
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の金属皮
膜抵抗器。 - (3)基材上に金属抵抗皮膜層を形成する第1の工程と
、該第1の工程に続き該金属抵抗皮膜層上に導電性酸化
金属皮膜層を形成する第2の工程と、該第2の工程に続
き、該形成品に熱処理を行なうエージング工程と、該エ
ージング工程に続き前記導電性酸化金属皮膜層上に金属
電極層を形成する第3の工程より成る金属皮膜抵抗器の
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61106762A JPH0616441B2 (ja) | 1986-05-12 | 1986-05-12 | 金属皮膜抵抗器及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61106762A JPH0616441B2 (ja) | 1986-05-12 | 1986-05-12 | 金属皮膜抵抗器及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62263604A true JPS62263604A (ja) | 1987-11-16 |
JPH0616441B2 JPH0616441B2 (ja) | 1994-03-02 |
Family
ID=14441915
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61106762A Expired - Lifetime JPH0616441B2 (ja) | 1986-05-12 | 1986-05-12 | 金属皮膜抵抗器及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0616441B2 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS518597A (ja) * | 1974-07-10 | 1976-01-23 | Taisei Denshi Kk | Tainetsuseikinzokuhakumakuteikotaitanshino seizohoho |
JPS5155991A (ja) * | 1974-11-08 | 1976-05-17 | Taisei Denshi Kk | Kinzokuhakumakuteikokino seizohoho |
JPS51134894A (en) * | 1975-05-16 | 1976-11-22 | Taisei Denshi Kk | Manufacturing method of metallic film resistor |
JPS5346656A (en) * | 1976-10-12 | 1978-04-26 | Koa Denko | Metallfilm variable resistor |
JPS61288401A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-18 | 株式会社村田製作所 | 薄膜抵抗体 |
-
1986
- 1986-05-12 JP JP61106762A patent/JPH0616441B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS518597A (ja) * | 1974-07-10 | 1976-01-23 | Taisei Denshi Kk | Tainetsuseikinzokuhakumakuteikotaitanshino seizohoho |
JPS5155991A (ja) * | 1974-11-08 | 1976-05-17 | Taisei Denshi Kk | Kinzokuhakumakuteikokino seizohoho |
JPS51134894A (en) * | 1975-05-16 | 1976-11-22 | Taisei Denshi Kk | Manufacturing method of metallic film resistor |
JPS5346656A (en) * | 1976-10-12 | 1978-04-26 | Koa Denko | Metallfilm variable resistor |
JPS61288401A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-18 | 株式会社村田製作所 | 薄膜抵抗体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0616441B2 (ja) | 1994-03-02 |
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