JPH0616441B2 - 金属皮膜抵抗器及びその製造方法 - Google Patents
金属皮膜抵抗器及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0616441B2 JPH0616441B2 JP61106762A JP10676286A JPH0616441B2 JP H0616441 B2 JPH0616441 B2 JP H0616441B2 JP 61106762 A JP61106762 A JP 61106762A JP 10676286 A JP10676286 A JP 10676286A JP H0616441 B2 JPH0616441 B2 JP H0616441B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- layer
- electrode
- resistance
- film resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Details Of Resistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は金属皮膜抵抗器及びその製造方法に関し、特に
大気中熱処理を可能とした金属皮膜抵抗器及びその製造
方法に関するものである。
大気中熱処理を可能とした金属皮膜抵抗器及びその製造
方法に関するものである。
［従来の技術及びその問題点］ 金属皮膜抵抗器においては、その製造時に抵抗器の特性
を安定させるために、一定時間高熱下に置く、いわゆる
熱処理によるエージング処理を行なうのが一般的であ
る。
を安定させるために、一定時間高熱下に置く、いわゆる
熱処理によるエージング処理を行なうのが一般的であ
る。
しかし従来の金属皮膜抵抗器においては、この熱処理を
大気中で行なう場合、形成した抵抗皮膜や電極層上に酸
化膜が生じてしまい、電極層との接触抵抗が増加し、抵
抗器としての特性を劣化させてしまう。特に低抵抗領域
においては、この抵抗変化分は大きな割合となり、種々
の問題を引き起こしていた。
大気中で行なう場合、形成した抵抗皮膜や電極層上に酸
化膜が生じてしまい、電極層との接触抵抗が増加し、抵
抗器としての特性を劣化させてしまう。特に低抵抗領域
においては、この抵抗変化分は大きな割合となり、種々
の問題を引き起こしていた。
またこれを防止するために、抵抗皮膜上にＡｕ（金）等
の非酸化性の貴金属電極を形成した後に、熱処理を行な
つていた例もある。この電極にＡｕを用いた抵抗器の例
を第４図に示す。
の非酸化性の貴金属電極を形成した後に、熱処理を行な
つていた例もある。この電極にＡｕを用いた抵抗器の例
を第４図に示す。
従来は第４図に示す様に、まずアルミナ基板１上に、例
えばＮｉ−Ｃｒ抵抗皮膜２を蒸着によつて形成する。そ
してこの上にＡｕ電極３を形成して、その後熱処理を行
ない、抵抗器の安定化を図つていた。しかし、ここで使
用される貴金属は高価であり、抵抗器の価格の上昇の原
因ともなつていた。
えばＮｉ−Ｃｒ抵抗皮膜２を蒸着によつて形成する。そ
してこの上にＡｕ電極３を形成して、その後熱処理を行
ない、抵抗器の安定化を図つていた。しかし、ここで使
用される貴金属は高価であり、抵抗器の価格の上昇の原
因ともなつていた。
［発明の目的］ 本発明は上述従来の技術の問題点を除去するために成さ
れたものであり、大気中熱処理を行なつても接触抵抗値
の増加をすることのない、かて、安価な電極構造の抵抗
器を提供することを目的とする。
れたものであり、大気中熱処理を行なつても接触抵抗値
の増加をすることのない、かて、安価な電極構造の抵抗
器を提供することを目的とする。
［発明の構成］ 上述の目的を達成するための一手段として、本実施例は
基材上に金属抵抗皮膜層を形成する第１の工程と、該第
１の工程に続き該金属抵抗皮膜層両端部近傍上に酸化金
属皮膜層を形成する第２の工程と、該第２の工程に続
き、該形成部位に熱処理を行なうエージング工程と、該
エージング工程に続き前記酸化金属皮膜層上に金属電極
層を形成する第３の工程より、金属皮膜抵抗器を製造す
ることにより、接触抵抗の小さな、かつ、熱処理による
抵抗変化のない電極を備えた金属皮膜抵抗器が構成でき
る。
基材上に金属抵抗皮膜層を形成する第１の工程と、該第
１の工程に続き該金属抵抗皮膜層両端部近傍上に酸化金
属皮膜層を形成する第２の工程と、該第２の工程に続
き、該形成部位に熱処理を行なうエージング工程と、該
エージング工程に続き前記酸化金属皮膜層上に金属電極
層を形成する第３の工程より、金属皮膜抵抗器を製造す
ることにより、接触抵抗の小さな、かつ、熱処理による
抵抗変化のない電極を備えた金属皮膜抵抗器が構成でき
る。
［実施例］ 以下図面を参照して本発明に係る一実施例を詳説する。
第１図は本発明に係る一実施例により製造された金属皮
膜抵抗器の断面図、第２図はその上面図である。
膜抵抗器の断面図、第２図はその上面図である。
図中、１はアルミナ基板、２はＮｉ−Ｃｒ抵抗皮膜層、
４は半導体酸化金属皮膜層であるＳｎドープのＩｎ２Ｏ
３層、５は金属電極層であるＣｕ電極である。
４は半導体酸化金属皮膜層であるＳｎドープのＩｎ２Ｏ
３層、５は金属電極層であるＣｕ電極である。
以上の構成により成る本実施例の金属皮膜抵抗器の製造
工程を第３図を参照して以下に説明する。
工程を第３図を参照して以下に説明する。
まず第１工程において、アルミナ基板１上にＮｉ−Ｃｒ
抵抗皮膜層２を蒸着により形成する。続く第２工程にお
いて、該Ｎｉ−Ｃｒ抵抗皮膜層２上の電極形成部分に、
ＳｎドープのＩｎ２Ｏ３層４を蒸着により形成する。次
に第３工程において、高熱下において熱処理を行ない、
エージング処理を行なう。これにより抵抗器の安定性が
高まり、出荷後の経時変化を最小限に抑えることができ
る。しかも、電極形成部を半導体酸化金属皮膜層４で形
成してあるため、当該熱処理においても従来の抵抗皮膜
上に生ずる酸化膜による電極部の接触抵抗の変化（増
加）等が発生することもない。この第３工程が終了する
と、次の第４工程でＩｎ２Ｏ３層４上にＣｕ電極５を形
成して金属皮膜抵抗器の製造を終了する。このＣｕ電極
５は熱処理工程終了後に形成されるため、熱による酸化
等も全く発生することがない。従つてこの様にして形成
された電極部は小さな接触抵抗しか持たず、低抵抗域の
抵抗器においても十分使用できるものであり、又、Ａｕ
等の高価な貴金属を使用することもなく、安価に作るこ
とができる。
抵抗皮膜層２を蒸着により形成する。続く第２工程にお
いて、該Ｎｉ−Ｃｒ抵抗皮膜層２上の電極形成部分に、
ＳｎドープのＩｎ２Ｏ３層４を蒸着により形成する。次
に第３工程において、高熱下において熱処理を行ない、
エージング処理を行なう。これにより抵抗器の安定性が
高まり、出荷後の経時変化を最小限に抑えることができ
る。しかも、電極形成部を半導体酸化金属皮膜層４で形
成してあるため、当該熱処理においても従来の抵抗皮膜
上に生ずる酸化膜による電極部の接触抵抗の変化（増
加）等が発生することもない。この第３工程が終了する
と、次の第４工程でＩｎ２Ｏ３層４上にＣｕ電極５を形
成して金属皮膜抵抗器の製造を終了する。このＣｕ電極
５は熱処理工程終了後に形成されるため、熱による酸化
等も全く発生することがない。従つてこの様にして形成
された電極部は小さな接触抵抗しか持たず、低抵抗域の
抵抗器においても十分使用できるものであり、又、Ａｕ
等の高価な貴金属を使用することもなく、安価に作るこ
とができる。
また、以上の説明においては半導体酸化金属皮膜層４を
Ｉｎ２Ｏ３により形成したが、他の半導体酸化金属の材
料により皮膜層を形成しても良いことはもちろんであ
る。
Ｉｎ２Ｏ３により形成したが、他の半導体酸化金属の材
料により皮膜層を形成しても良いことはもちろんであ
る。
［発明の効果］ 以上説明した様に本発明によれば、安価に低抵抗におい
ても良好な安定性を有する金属皮膜抵抗器を提供でき
る。
ても良好な安定性を有する金属皮膜抵抗器を提供でき
る。
第１図は本発明に係る一実施例の断面図、 第２図は本実施例の上面図、 第３図は本実施例の製造工程図、 第４図は従来の金属皮膜抵抗器の断面図である。 図中、１……アルミナ基板、２……Ｎｉ−Ｃｒ抵抗皮
膜、３……Ａｕ電極、４……Ｉｎ２Ｏ３半導体酸化金属
皮膜層、５……Ｃｕ電極である。
膜、３……Ａｕ電極、４……Ｉｎ２Ｏ３半導体酸化金属
皮膜層、５……Ｃｕ電極である。
Claims (3)
- 【請求項１】金属抵抗皮膜層と、該金属抵抗皮膜層の両
端部近傍上に導電性酸化金属皮膜層を形成し、さらに該
導電性酸化金属皮膜層上に金属電極層を形成した電極を
備えることを特徴とする金属皮膜抵抗器。 - 【請求項２】導電性酸化金属皮膜層を酸化インジウムで
形成することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
金属皮膜抵抗器。 - 【請求項３】基材上に金属抵抗皮膜層を形成する第１の
工程と、該第１の工程に続き該金属抵抗皮膜層の両端部
近傍上に導電性酸化金属皮膜層を形成する第２の工程
と、該第２の工程に続き、該形成品に熱処理を行なうエ
ージング工程と、該エージング工程に続き前記導電性酸
化金属皮膜層上に金属電極層を形成する第３の工程より
成る金属皮膜抵抗器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61106762A JPH0616441B2 (ja) | 1986-05-12 | 1986-05-12 | 金属皮膜抵抗器及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61106762A JPH0616441B2 (ja) | 1986-05-12 | 1986-05-12 | 金属皮膜抵抗器及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62263604A JPS62263604A (ja) | 1987-11-16 |
| JPH0616441B2 true JPH0616441B2 (ja) | 1994-03-02 |
Family
ID=14441915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61106762A Expired - Lifetime JPH0616441B2 (ja) | 1986-05-12 | 1986-05-12 | 金属皮膜抵抗器及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0616441B2 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS518597A (ja) * | 1974-07-10 | 1976-01-23 | Taisei Denshi Kk | Tainetsuseikinzokuhakumakuteikotaitanshino seizohoho |
| JPS5155991A (ja) * | 1974-11-08 | 1976-05-17 | Taisei Denshi Kk | Kinzokuhakumakuteikokino seizohoho |
| JPS51134894A (en) * | 1975-05-16 | 1976-11-22 | Taisei Denshi Kk | Manufacturing method of metallic film resistor |
| JPS5346656A (en) * | 1976-10-12 | 1978-04-26 | Koa Denko | Metallfilm variable resistor |
| JPS61288401A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-18 | 株式会社村田製作所 | 薄膜抵抗体 |
-
1986
- 1986-05-12 JP JP61106762A patent/JPH0616441B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS518597A (ja) * | 1974-07-10 | 1976-01-23 | Taisei Denshi Kk | Tainetsuseikinzokuhakumakuteikotaitanshino seizohoho |
| JPS5155991A (ja) * | 1974-11-08 | 1976-05-17 | Taisei Denshi Kk | Kinzokuhakumakuteikokino seizohoho |
| JPS51134894A (en) * | 1975-05-16 | 1976-11-22 | Taisei Denshi Kk | Manufacturing method of metallic film resistor |
| JPS5346656A (en) * | 1976-10-12 | 1978-04-26 | Koa Denko | Metallfilm variable resistor |
| JPS61288401A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-18 | 株式会社村田製作所 | 薄膜抵抗体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62263604A (ja) | 1987-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4434544A (en) | Multilayer circuit and process for manufacturing the same | |
| JP2000022105A5 (ja) | ||
| JPH0616441B2 (ja) | 金属皮膜抵抗器及びその製造方法 | |
| US4161431A (en) | Process for producing thin film resistor | |
| JPS62224002A (ja) | 薄膜チツプ抵抗体の製法 | |
| JPS6012762B2 (ja) | 耐熱性金属薄膜抵抗体端子の製造方法 | |
| JPH0346961B2 (ja) | ||
| JPS6311991B2 (ja) | ||
| JPS63187601A (ja) | 厚膜回路板およびその製法 | |
| JP2001023856A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JPH06151124A (ja) | 薄膜抵抗体の製造方法 | |
| JPS62202753A (ja) | 薄膜型サ−マルヘツド | |
| JPS637441B2 (ja) | ||
| JPS62169301A (ja) | 厚膜抵抗体の温度係数調整方法 | |
| JPS62281306A (ja) | 混成集積回路の製造方法 | |
| JPH06163814A (ja) | 薄膜抵抗体の形成方法 | |
| JPH05182808A (ja) | 固定皮膜抵抗器 | |
| JPH07106102A (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
| JPH0523042B2 (ja) | ||
| JPS6193647A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04275401A (ja) | 白金抵抗体およびその製造方法 | |
| JPS6041252A (ja) | 混成集積回路の製造方法 | |
| JP2001303257A (ja) | 薄膜製造方法及び薄膜白金温度センサの製造方法 | |
| JPS59225556A (ja) | 混成集積回路の製造方法 | |
| JPH03165515A (ja) | コンタクトの形成方法 |