JPS62262026A - アクテイブマトリクスパネル - Google Patents
アクテイブマトリクスパネルInfo
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- JPS62262026A JPS62262026A JP61104162A JP10416286A JPS62262026A JP S62262026 A JPS62262026 A JP S62262026A JP 61104162 A JP61104162 A JP 61104162A JP 10416286 A JP10416286 A JP 10416286A JP S62262026 A JPS62262026 A JP S62262026A
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- Japan
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- conductive film
- insulating
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- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアクティブマトリクスパネル２）奪取に関する
。
。
（従来技術〕
従来■アクティブマトリクスパネルｏ＊ａｈ雪日経エレ
クトロニクス １９８９年９月１０ＥＩ号ｎｏ、 ３５
１ ！’、２１１−２４０ ”に示されるようなもＯ
であった。厄２図はアクティブマトリクスパネルＤ画素
部分の乎面図の列である。 １１はＴνＴ、１２は走査
線でありＴＰ’！’のゲート鳳甑も兼ねル、 １３７’
；ｍｆ−／ｉ 、 １４ｔｌｌｌＢｉｌＥ［Ｉｉｉ、
１５ｉ！’ｒ Ｆ Ｔ Ｏドレイン部と画素Ｘｔ＝との
間０コンタクトホール、 １６はＴＦＴυンース部とデ
ータ線と１２）ルＩＤコンタクトホールである。第３図
はアクティブマトリクスパネルＣ）！？面図Ｏ列であり
％２１及び２２は絶縁基板、おはＴＩ’Ｔ■ソース邸、
ドレイン部、チャネル部で材料としてはポリシリコンや
アモルファスシリコン等９ｉ用＾られる。２４はゲート
絶縁膜。
クトロニクス １９８９年９月１０ＥＩ号ｎｏ、 ３５
１ ！’、２１１−２４０ ”に示されるようなもＯ
であった。厄２図はアクティブマトリクスパネルＤ画素
部分の乎面図の列である。 １１はＴνＴ、１２は走査
線でありＴＰ’！’のゲート鳳甑も兼ねル、 １３７’
；ｍｆ−／ｉ 、 １４ｔｌｌｌＢｉｌＥ［Ｉｉｉ、
１５ｉ！’ｒ Ｆ Ｔ Ｏドレイン部と画素Ｘｔ＝との
間０コンタクトホール、 １６はＴＦＴυンース部とデ
ータ線と１２）ルＩＤコンタクトホールである。第３図
はアクティブマトリクスパネルＣ）！？面図Ｏ列であり
％２１及び２２は絶縁基板、おはＴＩ’Ｔ■ソース邸、
ドレイン部、チャネル部で材料としてはポリシリコンや
アモルファスシリコン等９ｉ用＾られる。２４はゲート
絶縁膜。
２５はグー）４瓶、謳は層間絶縁膜、ｎは画素電属。
２８は共通！！甑、３１は共通電属端子で、四は共通重
匝脂と共ａ１甑端子３１１２）間■導通をとるためυ全
翼部％３０は上下２りＯ基板ｔ−数μ倶Ｏ？！間を床り
て固定する空間保持部、３２はζＯ空間に封入された液
晶である。こｒ）液晶ｉｔ画素冠甑ごと共通１駆るとＯ
関ｒＤＹｊ＆界により駆動される。
匝脂と共ａ１甑端子３１１２）間■導通をとるためυ全
翼部％３０は上下２りＯ基板ｔ−数μ倶Ｏ？！間を床り
て固定する空間保持部、３２はζＯ空間に封入された液
晶である。こｒ）液晶ｉｔ画素冠甑ごと共通１駆るとＯ
関ｒＤＹｊ＆界により駆動される。
前述Ｏ従来技術においては、＠２図０画素電極１４以外
り部分Ｏ液晶を駆動できないため１画素電甑相互間％あ
るＶ−ｈはｉ！ｉｉ素電認とデータ線０間に１７０よう
な丁き間を生じる。こＯ友めこのすき間から元がもれて
しまい。
り部分Ｏ液晶を駆動できないため１画素電甑相互間％あ
るＶ−ｈはｉ！ｉｉ素電認とデータ線０間に１７０よう
な丁き間を生じる。こＯ友めこのすき間から元がもれて
しまい。
Ｕ）コントラスト比を大きくすることができなめ。
と＾う問題点を生じる。まな、第３図りようＶＣ絶縁基
板上に能動素子が配Ｉｔされて＾る友め、（２）静電気
によって素子が破壊されやすく、（２）外部からの電気
的なノイズを受けやすい。
板上に能動素子が配Ｉｔされて＾る友め、（２）静電気
によって素子が破壊されやすく、（２）外部からの電気
的なノイズを受けやすい。
と＾う問題点を生じる。
さらに、ＴＦＴ７）ｇ４＠工桿Ｖｃおいてイオン打込み
を行なう場合、打込まれたイオン（よりてＴ７Ｔが帯電
し、版部的に電荷が集中し。
を行なう場合、打込まれたイオン（よりてＴ７Ｔが帯電
し、版部的に電荷が集中し。
（４） ’！’ Ｐ Ｔ Ｃ）￥ｊ性■不均−性や不良
を招く。
を招く。
という問題点を生じる９画素■Ｔ１τ■特注が不均一く
なりたり、不良を生じたりすると１画素ムラやｕｈｉ索
欠陥となり画質を著しく低下させる。
なりたり、不良を生じたりすると１画素ムラやｕｈｉ索
欠陥となり画質を著しく低下させる。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもυで、そ
の目的とするところは、コントラスト比を大きくするこ
とができ、かつ外部からＯ１！気的なノイズや静電気を
しゃ断し、かつイオン打込みにおけるＴＰＴへのダメー
ジをなくすようなアクティブマトリクスパネルの縞ａを
提供するととろくある。
の目的とするところは、コントラスト比を大きくするこ
とができ、かつ外部からＯ１！気的なノイズや静電気を
しゃ断し、かつイオン打込みにおけるＴＰＴへのダメー
ジをなくすようなアクティブマトリクスパネルの縞ａを
提供するととろくある。
本発明Ｏアクティブマトリクスパネルハ、絶縁基板上に
格子状またはストライプ状０不透明な導１！膜甲１＆：
形成し、導直膜中Ｏとに絶縁膜乙を形成し、絶Ｒ膜乙り
上に走査線、データ線、ＴＦＴアレイ及び１ｉ１１ｉ索
ｘｉを形成し、かつ前記データ線と前記画素！層間ある
いは前記画素電層間相互に生しるすき間の一部または全
部を前記導１１！！甲θ上く配置し九ことを特徴とする
。
格子状またはストライプ状０不透明な導１！膜甲１＆：
形成し、導直膜中Ｏとに絶縁膜乙を形成し、絶Ｒ膜乙り
上に走査線、データ線、ＴＦＴアレイ及び１ｉ１１ｉ索
ｘｉを形成し、かつ前記データ線と前記画素！層間ある
いは前記画素電層間相互に生しるすき間の一部または全
部を前記導１１！！甲θ上く配置し九ことを特徴とする
。
本発明υ上記■酵成によれば１画素電甑相互間、あるｖ
ｈμ画素電険とデータ線０間■すき間からもれる光をし
ゃ断することができ、コントラスト比を大きくすること
ができる。また、アクティブマトリクス素子が共通ｗＬ
腫と導電模とで静電しゃ蔽されるため、静電気によって
素子が破壊されたり。
ｈμ画素電険とデータ線０間■すき間からもれる光をし
ゃ断することができ、コントラスト比を大きくすること
ができる。また、アクティブマトリクス素子が共通ｗＬ
腫と導電模とで静電しゃ蔽されるため、静電気によって
素子が破壊されたり。
外部からＯ電気的なノイズを受けることもない。
さらに、イオン打込み時には、基板表面■大部分が同−
飄位となるため、ＴＦＴへＯダメージｔ＋Ｕらすことが
できる。
飄位となるため、ＴＦＴへＯダメージｔ＋Ｕらすことが
できる。
第１図は本発明■一実施例を示すアクティブマトリクス
パネルＯモ面図である。１はポリシリコンやアモルファ
スシリコン等からなるＴＦＴ 、 ２は走査線でありＴ
ＰＴのゲートな臣も兼ねる。３はデータ線、４は画素電
甑、５μＴＰＴ７）ドレイン部と１ＩＩｉ１素電幽とＤ
間■コンタクトホール、６はＴＰＴＯソース部とデータ
線と■間■コンタクトホールである。８は遮光層であり
、−素電躯４とデータ線３と０間、及び画素電甑相互間
■すき間７からもｔＬる元を遮断する。これによってコ
ントラスト比を大きくすることができる。
パネルＯモ面図である。１はポリシリコンやアモルファ
スシリコン等からなるＴＦＴ 、 ２は走査線でありＴ
ＰＴのゲートな臣も兼ねる。３はデータ線、４は画素電
甑、５μＴＰＴ７）ドレイン部と１ＩＩｉ１素電幽とＤ
間■コンタクトホール、６はＴＰＴＯソース部とデータ
線と■間■コンタクトホールである。８は遮光層であり
、−素電躯４とデータ線３と０間、及び画素電甑相互間
■すき間７からもｔＬる元を遮断する。これによってコ
ントラスト比を大きくすることができる。
次に、こＯアクティブマトリクスパネル７）製造方法を
第３図Ｏ断面図金用いて説明する。まず絶縁基板４１上
に不透明な導！註りある膜５３をデポジットし％第１図
８７）ように格子状Ｏ形状とし。
第３図Ｏ断面図金用いて説明する。まず絶縁基板４１上
に不透明な導！註りある膜５３をデポジットし％第１図
８７）ように格子状Ｏ形状とし。
遮光ｒ−となす９画素１甑相互Ｏｆき間がちょうど走査
線７）Ｊ：ＶＣくる場合ＶＣは、画素１嵐とデータ載■
丁き間Ｏみ倉覆うような縦ストライプ状■遮元層にして
もよ＾、遮光１ｍ Ｃ）材料としては、以後０袈醒プロ
セスにおいても溶解すること■な−もυｔ−選ぶ音便が
あり、’Ｌ’Ｆ’ｒＯ材料にポリシリコンを用いる場合
には、高融点金属やポリシリコン等が上げらｔＬる９次
に、こ■遮光１−５３とに絶縁ｊ幻５４ｔ−形成する。
線７）Ｊ：ＶＣくる場合ＶＣは、画素１嵐とデータ載■
丁き間Ｏみ倉覆うような縦ストライプ状■遮元層にして
もよ＾、遮光１ｍ Ｃ）材料としては、以後０袈醒プロ
セスにおいても溶解すること■な−もυｔ−選ぶ音便が
あり、’Ｌ’Ｆ’ｒＯ材料にポリシリコンを用いる場合
には、高融点金属やポリシリコン等が上げらｔＬる９次
に、こ■遮光１−５３とに絶縁ｊ幻５４ｔ−形成する。
そして通常Ｏ工程に従い、４３゜ポリシリコンまたはア
モルファスシリコン停から成るＴ？ＴＱチャネル部倉形
成し、そυ上にゲート絶瞭１１１１４４．ゲート！！隠
４５を形成する。イオン打込みくよりソース部及びドレ
イン部を形成し、絶１１ Ｉ ４６で仇＾コンタクトホ
ールを開口し、透明導電＠４７ｔ−デポジットする。ζ
りしてできたアクティブマトリクス基板と数μ漢の空間
を介して、対向基板を対面゛させ、空間保持剤５０を用
ｉで固定する。対向基板はｅ＆１基板４２ Ｊ： Ｋ透
明導電膜からなる共ｉＪｌ亀１４８を形成したも０であ
り、さらにζＯ共通Ｗ、瓢とにカラーフィルタを配置す
るとフルカラー表示も可能である。２りＯ基板り間に液
晶犯を封入するとアクティブマトリクスパネルとなる。
モルファスシリコン停から成るＴ？ＴＱチャネル部倉形
成し、そυ上にゲート絶瞭１１１１４４．ゲート！！隠
４５を形成する。イオン打込みくよりソース部及びドレ
イン部を形成し、絶１１ Ｉ ４６で仇＾コンタクトホ
ールを開口し、透明導電＠４７ｔ−デポジットする。ζ
りしてできたアクティブマトリクス基板と数μ漢の空間
を介して、対向基板を対面゛させ、空間保持剤５０を用
ｉで固定する。対向基板はｅ＆１基板４２ Ｊ： Ｋ透
明導電膜からなる共ｉＪｌ亀１４８を形成したも０であ
り、さらにζＯ共通Ｗ、瓢とにカラーフィルタを配置す
るとフルカラー表示も可能である。２りＯ基板り間に液
晶犯を封入するとアクティブマトリクスパネルとなる。
共通＊に４８は４９■ような導体を通して５１ｃ１端子
部と導通をとると同時に、遮光Ａ１１ｓｓとも導通をと
る。これにより常に共通［論柘と遮光層５３が同Ｉ！位
となり、アクティブマトリクス素子は靜重しや蔽される
ことになる。
部と導通をとると同時に、遮光Ａ１１ｓｓとも導通をと
る。これにより常に共通［論柘と遮光層５３が同Ｉ！位
となり、アクティブマトリクス素子は靜重しや蔽される
ことになる。
〔発＃３υ効果〕
本発明は以下に述べるような効果を有している。
まず、［１図に示７！５に、画素電極Ｏ周辺部が遮光さ
れるためコントラスト比が増大する。他υ遮光手段とし
ては、対向電属とに遮光層を形成する方法もあるが、こ
の場合にはパネルを組立てる際Ｏ位伍ずれや熱くよる膨
張等で遮光層が画素電属に：対してずれる町１１１！性
が大きい１本発明υ購造ではアクティブマトリクス基板
とに遮光＠を形成するため、このような心配もなく、遮
光ｒ−を必要最少限の面積（おさえることができ、開口
率も大きくとれる。さらく、こＯ遮光層はτＩＦ’ｒＱ
チャネル部を鋭うことができ、光り−ク電流をおさえる
効果も持っている。
れるためコントラスト比が増大する。他υ遮光手段とし
ては、対向電属とに遮光層を形成する方法もあるが、こ
の場合にはパネルを組立てる際Ｏ位伍ずれや熱くよる膨
張等で遮光層が画素電属に：対してずれる町１１１！性
が大きい１本発明υ購造ではアクティブマトリクス基板
とに遮光＠を形成するため、このような心配もなく、遮
光ｒ−を必要最少限の面積（おさえることができ、開口
率も大きくとれる。さらく、こＯ遮光層はτＩＦ’ｒＱ
チャネル部を鋭うことができ、光り−ク電流をおさえる
効果も持っている。
次に、−４図に示すように遮光層５３と共通電甑絽とで
アクティブマトリクス素子は静電しや薮されている。従
りて靜亀気によつて素子が破壊される心配もなく、外部
から１２）！気的なノイズ■影響もなくなる１次とえは
バックライトに螢ｙｔ燈を用いる場合に、螢元燈Ｑノイ
ズが表示画面に影響を与えるようなことはなくなる。
アクティブマトリクス素子は静電しや薮されている。従
りて靜亀気によつて素子が破壊される心配もなく、外部
から１２）！気的なノイズ■影響もなくなる１次とえは
バックライトに螢ｙｔ燈を用いる場合に、螢元燈Ｑノイ
ズが表示画面に影響を与えるようなことはなくなる。
また、製散工様にかいてイオン打込みを行なう際、アク
ティブマトリクス基板Ｑ大部分を同一電位に保つことが
でき、極部的な電荷Ｏ集中を避けることかでき、τ１Ｔ
Ｏ不良やＷＩ性の不均一性を減らすことができる。
ティブマトリクス基板Ｑ大部分を同一電位に保つことが
でき、極部的な電荷Ｏ集中を避けることかでき、τ１Ｔ
Ｏ不良やＷＩ性の不均一性を減らすことができる。
以上述べたように本発明によれば、前述Ｏ４り■問題点
を解決することができ％表示品質、信頼ｌｊ１歩留まり
Ｏ向上したアクティブマトリクスパネルを実現できる。
を解決することができ％表示品質、信頼ｌｊ１歩留まり
Ｏ向上したアクティブマトリクスパネルを実現できる。
図（ｋｉＯ簡単な説明
鎮１図は本発明υアクティブマトリクス／＜ネルＤ画素
部分Ｏ〒面図。
部分Ｏ〒面図。
槙２図は従来■アクティブマトリクス−Ｐ（ネルＯ１ｔ
ＩｗＡ部分υ乎面図。
ＩｗＡ部分υ乎面図。
第３図は従来■アクティブマトリクスパネルの断面寵。
第４図は本発明のアクティブマトリクスＩ（ネルυ断面
図。
図。
８．５３・・・遮光層
５４・・・ｅ１１絶縁ｆ−
以上
出願人 セイコーエプソン床式会肚 贋頽）第２図
Claims (1)
- 第１の絶縁基板上に設けられた、走査線群、データ線群
、及び前記走査線及びデータ線の支点に設けられた薄膜
トランジスタ（以下ＴＦＴと略記）アレイによって画素
電極を駆動し、共通電極を有する第２の絶縁基板を第１
の絶縁基板と数μｍの空間を介して対向させ、前記画素
電極と前記共通電極との間の電界で液晶を駆動して成る
アクティブマトリクスパネルにおいて、第１の絶縁基板
上に格子状またはストライプ状の不透明な導電膜甲を形
成し、導電膜甲の上に絶縁膜乙を形成し、絶縁膜乙の上
に前記走査線、前記データ線、前記ＴＦＴアレイ及び前
記画素電極を形成し、かつ前記データ線と前記画素電極
間あるいは前記画素電極間相互に生じるすき間の一部ま
たは全部を前記導電膜甲の上に配置したことを特徴とす
るアクティブマトリクスパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61104162A JPS62262026A (ja) | 1986-05-07 | 1986-05-07 | アクテイブマトリクスパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61104162A JPS62262026A (ja) | 1986-05-07 | 1986-05-07 | アクテイブマトリクスパネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62262026A true JPS62262026A (ja) | 1987-11-14 |
Family
ID=14373360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61104162A Pending JPS62262026A (ja) | 1986-05-07 | 1986-05-07 | アクテイブマトリクスパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62262026A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0337625A (ja) * | 1989-07-04 | 1991-02-19 | Sharp Corp | アクティブマトリクス表示装置 |
| KR100492642B1 (ko) * | 1996-02-20 | 2005-09-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액티브매트릭스표시장치및그제조방법 |
| JP2009512987A (ja) * | 2005-10-21 | 2009-03-26 | ローム アンド ハース デンマーク ファイナンス エーエス | 面発光光源を用いるバックライト |
-
1986
- 1986-05-07 JP JP61104162A patent/JPS62262026A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0337625A (ja) * | 1989-07-04 | 1991-02-19 | Sharp Corp | アクティブマトリクス表示装置 |
| KR100492642B1 (ko) * | 1996-02-20 | 2005-09-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액티브매트릭스표시장치및그제조방법 |
| JP2009512987A (ja) * | 2005-10-21 | 2009-03-26 | ローム アンド ハース デンマーク ファイナンス エーエス | 面発光光源を用いるバックライト |
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