JPS62260815A - エポキシ樹脂組成物 - Google Patents

エポキシ樹脂組成物

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JPS62260815A
JPS62260815A JP10381486A JP10381486A JPS62260815A JP S62260815 A JPS62260815 A JP S62260815A JP 10381486 A JP10381486 A JP 10381486A JP 10381486 A JP10381486 A JP 10381486A JP S62260815 A JPS62260815 A JP S62260815A
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JP
Japan
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epoxy resin
softening point
moisture resistance
resin
stress
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Pending
Application number
JP10381486A
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English (en)
Inventor
Makoto Yamagata
誠 山縣
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Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、熱衝撃を受けた場合の耐クラツク性や、耐湿
性に優れる半導体封止用低応カエゴキシ樹脂組成物に係
わるものである。
〔従来技術〕
近年、半導体関連技術の進歩はめざましく、LSIの集
積度はどんどん向上し、それに伴い配線の微細化とチッ
プサイズの大型化が進んでいる。
この傾向は樹脂封止LSIのアルミ配線変形、ノクツシ
ペーションクランク、樹脂クラックなどの故障を深刻化
させた。これらの問題の解決の為に、現在、半導体封止
用樹脂の低応力化が強く求められている。
従来から、低応力エポキシ樹脂組成物を得る為に、合成
ゴムを添加したシ、エポキシ樹脂、硬化剤等に反応させ
ることが検討されて来た。(特開昭60−31251、
特開昭60−8315)しかしながら、最近の実装技術
の進歩によシ半導体は、半田づけ作業時などに、非常な
高温(たとえば半田温度は約260℃)に晒されたシす
るようKなった。このように常温から非常な高温また常
温というこれまでになかっだ熱衝撃に半導体が晒される
ようになった為、これまでの低応力エポキシ樹脂組成物
では樹脂クラック、耐湿性の劣化を防ぐことができなく
なった。
現在、半導体封止用樹脂に求められているのは、このよ
うな高温から低温までに耐えるような低応力化である。
又、これまでに熱可塑性樹脂を用いる例(特開昭61−
21125)は提案されているが、用いられる熱可塑性
樹脂は軟化点65℃〜100℃程度のダリエチレン、ダ
リプロピレン、コリスチレン等でこれらは成形時に溶出
し、外観に重大な不良を起こしたシ、突発的な耐湿性の
初期不良(摩耗不良を起こるより非常に短期間に数チの
不良を起こす現象)を防止することができない。
〔発明の目的〕
本発明は、従来非常な高温(たとえば半田温度は約26
0℃)に晒された場合、樹脂クラック、耐湿性の劣化を
防ぐことができなかった半導体封止用樹脂のこれらの欠
点を改良し、現在の市場レベルで求められる、即ち、実
用的製品の開発を目的として研究した結果、軟化点が1
50℃以上の熱可塑性樹脂と、分子内に不飽和炭素結合
を有する合成ゴム又はその誘導体を併せて用いることに
よシ、目的とする成形性、耐湿性に優れ、かつ、非常な
高温(たとえば半田温度は約260℃)に晒された場合
などの熱衝撃後の耐クラツク性、耐湿性に優れる低応力
エポキシ樹脂組成物が得られることを見い出したもので
ある。
〔発明の構成〕
本発明は、軟化点が150℃以上の熱可塑性樹脂を1〜
10重量%含み、かつ分子内に不飽和炭素結合を有する
合成ゴム、又は、その誘導体を0.1〜10重量%合む
ことを特徴とする、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤
、シリカ充填剤等よシなるエポキシ樹脂組成物である。
本発明において用いられるエポキシ樹脂としては、ビス
フェノールAエビキシ樹脂、ノボラック型エゴキシ樹脂
、脂環式エポキシ樹脂等のタイプを使用し、これらのエ
ポキシ樹脂は単独で使用しても、二種以上混合して使用
してもよい。
硬化剤としては多塩基性カルボン酸無水物を単独もしく
は、二種以上混合して使用する。これらの例としては無
水フタル酸、無水へキサヒドロフタル酸、無水テトラヒ
ドロフタル酸、無水コノ為り酸、無水マレイン酸等があ
る。あるいは硬化剤として、フェノールノボラック樹脂
を使用してもよい。また硬化剤のエポキシ樹脂に配合す
る量は、lエポキシ当量に対して、0.5〜1.2当量
が望ましく、それ以外では成形性に重大な欠陥を起こす
事がある。
硬化促進剤としては ■第3級アミン又この誘導体 トリメチルアミン、トリエチルアミン、2.3.4.6
.7.8.9.10−オクタノ\イドロービラミド(1
+2  a)アゼピン等又は、これらの第4アンモニウ
ム塩 ■有機ホスフィン化合物 (a) IX 1 、第2、第3ホスフィン:オクチル
ホスフィン、ジフェニルホスフィン、ブチルフェニルホ
スフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフェニ
ルホスフィン等、 (b)有機第3ホスフインとπ結合を有する化合物のベ
タイン型付加物:無水マレイン酸−トリフェニルホスフ
ィン付加物、チオイソシアネート−トリフェニルホスフ
ィン付加物、ジアゾジフェニルメタン−トリフェニルホ
スフィン付加物等(c)有機ホスホニウム塩: (g3
PCH2g )■C1e 。
(g3PEt )のIC)、 (a3PEt )” B
r9etc■有機アルミニウム化合物 (a) AA(OR)3 (R: H、7ルキル基、ア
リール基、アリール基含有炭化水素基〕:アルミニウム
イソプロゴキシド、アルミニウムn−ブトキシド、アル
ミニウムtert−ブトキシド、アルミニウム5ee−
ブチレート、アルミニウムベンゾエート等、(b)アル
ミニウムのβジケトン錯体(アルミニウムキレート)ニ
アルミニウムアセチルアセトナト、アルミニウムドリブ
ルオロアセチルアセトナト、アルミニウムぜンタフルオ
ロアセチルアセトナト等、 ■チタン化合物 ブチルチタネート、チタン白等、 ■醗類 ノ2ラドルエンスルホン酸 等をあげることができる。
軟化点が150℃以上の熱可塑性樹脂としては、軟化点
が150〜260℃である事が望ましく、例えば、高密
度ぎりエチレン、ぼりメチルへ?ンテン、コリエチレン
テレフタレート、目?リブチレンテレフタレート、ダリ
アリレート、ポリカーボネート、?リフェニレンオキサ
イド、ピリフェニレンサルファイド、ボリアミド、ピリ
スルホン、2リエーテルエーテルケトン、ピリイミド、
ピリアミドイミド、ピリアミノビスマレイミド、フッ素
樹脂といった一般名を挙げることができる。
軟化点が150℃未満だと、加工時や耐湿性評価時に溶
出し離型不良や回路不良といった問題を起こす。逆に2
60℃を超えると熱衝撃の吸収効果がなくなる。特に望
ましい軟化点の範囲は180〜230℃である。添加量
としては1〜10重量%であることが必要である。1チ
未満では熱衝撃吸収効果が発揮されない。逆に10%を
超えると熱可塑性樹脂としての性質が強くなシすぎ半田
浸漬時に溶出し外観不良を起こしたり耐湿性が極端に劣
化する。
このような熱可塑性樹脂は通常成形特程度の高温域迄は
固体であシ、成形性、耐湿性に悪影響を及ぼさないが、
半田浸漬時の高温域で溶融し、半田時ストレスの吸収に
のみ有効である。
骨格に不飽和二重結合を有する合成ゴムとは、ブタジェ
ンゴム、インプレンゴム、アクリロニトリルゴム及びこ
れらの共重合体や、末端や分子内にビニル基、水酸基、
カルボキシル基、アミン基、エポキシ基等の官能基を導
入した変性品のことを言う。
これら骨格に不飽和二重結合を有する合成ゴム、又は、
その訪導体(以下合成ゴム類と言う)はその立体構造上
の柔軟性によって、熱硬化性樹脂のガラス転移点以下で
発生する応力を吸収する事ができる。合成ゴム類のガラ
ス転移温度は一般に0℃以下であシこの様な低温域から
常温、更に熱硬化性樹脂のガラス転移点以下の高温迄の
非常に広範な温度域で応力を吸収する事ができる。添加
量d 0.1〜10!fチであることが必要で0.1チ
未満であると応力吸収効果がなくなり、10重i%以上
であると耐湿性の劣化が見られる。
本発明によると、合成ゴム類を用いる事によシ低温から
二重2キシ樹脂のガラス転移温度迄の低応力化がはかれ
、かつ軟化点150℃以上の熱可塑性樹脂を併せて用い
る事によシ、半田浸漬等のエポキシ樹脂のガラス転移温
度以上の、非常な高温に及ぶ熱衝撃にも耐える事ができ
る。
〔発明の効果〕
このように本発明は、成形性、耐湿性(特に半田浸漬等
の熱gi繋後の耐湿性)に優れ、かつ、あらゆる熱′!
5撃を受けた場合の耐クラツク性等にすぐれる低応力エ
ポキシ樹脂組成物を得る事ができる。特に、半導体封止
用途では、今後ますますプラスチックズッケージ化が予
想され、ズッケージが表面実装型になる程、耐湿性、あ
らゆる熱衝撃に耐える低応力化が要求される様になって
いる。
このような今日において、本発明の産業的意味役割は非
常に犬である。
〔実施例〕
以下、半導体封止用成形材料での検t・十例で説明する
。例で用いた部は全て重せ部である。本発明はよる実施
例は従来の技術による比較例に比べ成形性・耐湿性・坩
クラック性等の点で潰れておシ工業的に利用できる高付
加価−ンを有している。
検討例 溶融シリカ(部課製)100部に、シランカップリング
剤(A−187日本ユニカー製)を0.5部、工はキシ
樹脂20部(EOCN−1020日本化薬製)1硬化剤
10部(フェノールノボラック住友ベークライト製)、
硬化促進剤0.2部(スミキーアD住友化学)、離型剤
(L 5部(ヘキス)Eヘキストジャ、oン)、顔料0
.3部(カーボン電気化学)、下記の熱可塑性樹脂X部
、合成ゴム類y部を表−1の配合に従って混合後コニー
ダーで混練しエポキシ樹脂組成物を得た。これらの樹脂
の特性及び模$ICの特性に関する評価結果を表−1に
示す。
表1よシ明らかなように本発明に従う実施例では、比較
例に比べ抜群の効果のあることがわかる。
熱可塑性樹脂 1ポリエステルカーボネート 軟化点160℃2、ピリ
サルホン       軟化点190℃3、セリエーテ
ルスルホン   軟化点220℃4、セリエチレン  
     軟化点 80℃合成ゴム類 A、末端エゴキシ変性ポリブタジェン (R−45EFT’、出光石油化学製)B、末端カルボ
キシル変性ポリアクリロニトリルブタジェンゴム (CTBN 1300 X 8、宇部興産製)成形性 
硬化性: JISK6911 成形性 型汚れ: 16p DIP金型(60cau)
で1000shot連続成形後成形品の 外観を目視判定する汚れ数/総 数=60 耐湿性;アルミ模擬素子(TEG )を封止した16p
DIPを135℃、100%の条件で1000hr保管
しアルミ腐蝕による不良数/総数で判定 半日後耐湿性: TEGを封止した16p SOPを2
60℃の半田浴に10秒浸漬後125 ’C1001300hr放置しアルミ 腐蝕による不良数/総数で判定 半日後クラック:6×6鰭TEGを封止した52p F
Pを260℃の半田浴に10秒浸 漬した時に発生するクラック不 良数/a数で判定 T CT : 4 X 8 ttm TEGを封止した
16p DIPに一65’C(30分)−150℃(3
0分)の熱衝撃を1000サイクル与えた時に発生する
クラック不良数/総数で判定

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 軟化点が150℃以上の熱可塑性樹脂を1〜10重量%
    含み、かつ分子内に不飽和炭素結合を有する合成ゴム、
    又は、その誘導体を0.1〜10重量%合むことを特徴
    とするエポキシ樹脂組成物。
JP10381486A 1986-05-08 1986-05-08 エポキシ樹脂組成物 Pending JPS62260815A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03137153A (ja) * 1989-01-04 1991-06-11 Basf Corp 強化熱硬化性構造材料
JP2006282765A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03137153A (ja) * 1989-01-04 1991-06-11 Basf Corp 強化熱硬化性構造材料
JP2006282765A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4581793B2 (ja) * 2005-03-31 2010-11-17 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

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