JPS62260818A - エポキシ樹脂組成物 - Google Patents

エポキシ樹脂組成物

Info

Publication number
JPS62260818A
JPS62260818A JP10381386A JP10381386A JPS62260818A JP S62260818 A JPS62260818 A JP S62260818A JP 10381386 A JP10381386 A JP 10381386A JP 10381386 A JP10381386 A JP 10381386A JP S62260818 A JPS62260818 A JP S62260818A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
softening point
epoxy resin
moisture resistance
silicone
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10381386A
Other languages
English (en)
Inventor
Makoto Yamagata
誠 山縣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority to JP10381386A priority Critical patent/JPS62260818A/ja
Publication of JPS62260818A publication Critical patent/JPS62260818A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、熱衝撃を受けた場合の耐クラツク性や、耐湿
性に優れる半導体封止用低応力エポキシ樹脂組成物に係
わるものである。
〔従来技術〕
近年、半導体関連技術の進歩はめざましく、LSIの集
積度はどんどん向上し、それに伴い配線の微細化とチッ
プサイズの大型化が進んでいる。
この傾向は樹脂封止LSIのアルミ配線変形、/ζツシ
ペーションクラック、樹脂クラックなどの故障を深刻化
させた。これらの問題の解決の為に、現在、半導体対土
用樹脂の低応力化が強く求められている。
従来から、低応力エポキシ樹脂組成物を得る為に、合成
ゴムを添加したシ、□エポキシ樹脂、硬化剤等に反応さ
せることが検討されて来た。(特開昭60−31251
、特開昭60−8315)しかしながら、最近の実装技
術の進歩によシ半・導体は、半田づけ作業時などに、非
常な高温(たとえば半田温度は約260℃)に晒された
りするようになった。このように常温から非常な高温ま
た常温というこれまでになかった熱衝撃に半導体が晒さ
れるようになった為、これまでの低応力エポキシ樹脂組
成物では樹脂クラック、耐湿性の劣化を防ぐことが、で
きなくなった。
現在、半導体対土用樹脂に求められているのは、このよ
うな高温から低温までに耐えるような低応力化である。
又、これまでに熱可塑性樹脂を用いる例(特開昭61−
21125)は提案されているが、用いられる熱可塑性
樹脂は軟化点65℃〜100’C程度のピリエチレン、
ぼりプロピレン、ポリスチレン等でこれらは成形時に溶
出し、外観に重大な不良を起こしたシ、突発的な耐湿性
の初期不良(R1粍不良を起こるより非常に短期間に数
チの不良を起こす現象)を防止することができない。
〔発明の目的〕
本発明は、従来非常な高温(たとえば#−FB温度は約
260℃)に晒された場合、樹脂クラック、耐湿性の劣
化を防ぐことができなかった半導体封止用樹脂のこれら
の欠点を改良し、現在の市場レベルで求められる、即ち
、実用的製品の開発を目的として研究した結果、軟化点
が150℃以上の熱可塑性樹脂と、オルガノ41Jシロ
キサン類を併せて用いることによシ、目的とする成形性
、耐湿性に優れ、かつ、非常な高温(たとえば半日温度
は約260℃)に晒された場合などの熱衝撃後の耐クラ
ツク性、耐湿性に優れる低応力エポキシ樹脂組成物が得
られることを見い出したものである。
〔発明の構成〕 本発明は、軟化点が150℃以上の熱可塑性樹脂を1〜
10重f%含み、かつオルガノピリシロキサン類を0.
1〜10重量%含むことを特徴とする、エポキシ樹脂、
硬化剤、硬化促進剤、シリカ充填剤等よシなるエポキシ
樹脂組成物である。
本発明において用いられるエポキシ樹脂としては、ビス
フェノール人工が!キシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹
脂、脂環式エポキシ樹脂等のタイプを使用し、これらの
エポキシ樹脂は単独で使用しても、二種以上混合して使
用してもよい。
硬化剤としては多塩基性カルボン酸無水物を単独もしく
は、二種以上混合して使用する。これらの例としては無
水フタル酸、無水へキサヒドロフタル酸、無水テトラヒ
ドロフタル酸、無水コハク厳、無水マレイン散等がある
。あるいは硬化剤として、フェノールノボラック樹脂を
使用してもよい。また硬化剤のニーキシ樹脂に配合する
量は、1エゴキシ当量に対して、0.5〜1.2当量が
望ましく、それ以外では成形性に重大な欠陥を起こす事
がある。
硬化促進剤としては ■第3級アミン又この誘導体 トリメチルアミン、トリエチルアミン、2.3.4.6
.7.8.9.10−オクタハイドロ−ピラミド(1,
2−a)アゼピン等又は、これらの第4アンモニウム塩 ■有機ホスフィン化合物 (aJ 第1 % M 2 、J 3ホスフィン:オク
チルホスフィン、ジフェニルホスフィン、ブチルフェニ
ルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフ
ェニルホスフィン等、 (b)有機第3ホスフインとπ結合を有する化合物のベ
メイン型付加物:無水マレイン散−トリフェニルホスフ
ィン付加物、チオイソシアネート−トリフェニルホスフ
ィン付加物、ジアゾジ7ユニルメタンートリフェニルホ
スフィン付加物等、(c)有機ホス* 二fy ムm 
二(gsPcH2g)Φcte 。
(LA3PEt 3” Ie、  (d3PEt Je
Bree tc■二角二角ルアルミニウム化 合物) At(OR)3[、R: H、アルキル基、ア
リール基、アリール基含有炭化水素基〕:アルミニウム
イソプロゴキシド、アルミニウムn−ブトキシド、アル
ミニウムtett−ブトキシド、アルミニウム5ec−
ブチレート、アルミニウムベンゾエート等、(b)アル
ミニウムのβジケトン錯体(アルミニウムキレート)ニ
アルミニウムアセチルアセトナト、アルミニウムトリプ
ルオロアセチルアセトナト、アルミニウムインクフルオ
ロアセチルアセトナト等、 ■チタン化合物 ブチルチタネート、チタン白等、 ■酸 類 ノぞラドルエンスルホン酸 等をあげることができる。
軟化点が150℃以上の熱可塑性樹脂としては、軟化点
が150〜260℃である事が望ましく、例えば、高密
度ピリエチレン、ヒリメチルRンテン、ピリエチレンテ
レフタレート、ヒリプチレンテレフタレート、ピリアリ
レート、ピリカーボネート、?リフェニレンオキサイド
、ポリフエニレンサルファイド、?リアミド、目?リス
ルホン、ピリエーテルエーテルケトン、ピリイミド、は
リアミドイミド、−リアミノビスマレイミド、フッ素樹
脂といった一般名を挙げることができる。
軟化点が150℃未満だと、加工時や耐湿性計画時に溶
出し離型不良や回路不良といった問題を起こす。逆に2
60℃を超えると熱衝撃の吸収効果がなくなる。特に望
ましい軟化点の範囲は180〜230℃である。添加量
としては1〜10重量俤であることが必要である。1チ
未満では熱衝撃吸収効果が発揮されない。逆に10チを
超えると熱可塑性樹脂としての性質が強くなシすぎ半田
浸漬時に溶出し外観不良を起こしたシ耐湿性が極端に劣
化する。
このような熱可塑性樹脂は、通常成形特程度の高温域迄
は固体であシ、成形性、耐湿性に悪影響を及ぼさないが
、半田浸漬等の高温域で溶融し、半田時ストレスの吸収
にのみ有効である。
オルガノピリシロキサン類とは、シリコーンオイル、シ
リコーンレジン、シリコーンゴム、及ヒ、それらの変性
品、誘導体を言う。
これらオルガノピリシロキサンはケイ素−酸素−ケイ素
結合の柔軟性によって、熱硬化性樹脂のガラス転移温度
以下で発生する応力を吸出する為に用いる、オルガノピ
リシロキサン類のガラス転移温度は一100℃以下であ
シこの様な低温域から常温、更に熱硬化性樹脂のガラス
転移温度以下の高温迄の非常に広範な温度域で応力を吸
出する事ができる。添加量は0.1〜10重量チである
ことが必要で0.14未満であると応力吸収効果がなく
なシ、10重量%以上であると耐湿性の劣化が見られる
本発明によると、オルガノピリシロキサンを用いる事に
よシ低温からニーキシ樹脂のガラス転移温度迄の低応力
化がはかれ、かつ軟化点150℃以上の熱可塑性樹脂を
併せて用いる事により、半田浸漬等の工lキシ樹脂のガ
ラス転移温度以上の、非常な高温に及ぶ熱衝撃にも耐え
る事ができる。
〔発明の効果〕
このように本発明は、成形性、耐湿性(特に半田浸漬等
の熱衝撃後の耐湿性)に優れ、かつ、あらゆる熱衝撃を
受けた場合の耐クラツク性等にすぐれる低応カニはキシ
樹脂組成物を得る事ができる。特に、半導体封止用途で
は、今後ますますプラスチックノZツケージ化が予想さ
れ、ノζツケージが表面実装型になる程、耐湿性、あら
ゆる熱衝撃に耐える低応力化が要求される様になってい
る。
このような今日において、本発明の産業的意味役割は非
常に大である。
〔実施例〕
以下、半導体封止用成形材料での検討例で説明する。例
で用いた部は全て重量部である。本発明による実施例は
従来の技術による比較例に比べ成形性・耐湿性・耐クラ
ツク性等の点で優れておシ工業的に利用できる高付加価
値を有している。
検討例 溶融シリカ(n森製)100部に、シランカップリング
剤(A−187日本ユニカー裂)を0.5部、ニーキシ
樹脂20 ! (EOCN−1020日本化薬製)1硬
化剤10部(フェノールノボラック住人ベークライトM
)、硬化促進剤(スミキュアD住人化学製)0.2部、
離型剤(ヘキス)Eヘキストジャノζン)0.5部、顔
料(カーボン電気化学展)0.3部、下記の熱可塑性樹
脂X部、オルガノ、f +)シロキサ71部を表−1の
配合に従って混合後コニーダーで混練し工1キシ樹脂組
成物を得た。これらの樹脂の特性及び模擬ICの特性に
関する評価結果を表−1に示す。
表1よシ明らかなように、本発明に従う実施例では、比
較例に比べ抜群の効果のあることがわかる。
熱可塑性樹脂 1、ポリエステルカーボネート 軟化点160℃2、ピ
リサルホン       軟化点190℃3、〆リエー
テルスルホン   軟化点220℃4、ポリエチレン 
      軟化点 80℃オルガノゴリピリキサン A、シリコーンオイル (SH200)−レシリコーン表) B、メチルビニル系シリコーン生ゴム (SH410)−レシリコーン製) 成形性 硬化性: JISK6911 成形性 型汚れ: 16p DIP金型(60cau 
)で1000100O連続成形後成形品の 外観を目視判定する汚れ数/総 数=60 耐湿性ニアルミ模擬素子(TEG )を封止した16p
DIPを135℃、100q6の条件で1000hr保
管しアルミ腐蝕による不良数/総数で判定 半日後耐湿性: TEGを封止した16p SOPを2
60℃の半田浴に10秒浸漬後125 tl:100%300hr放置しアルミ腐蝕による不良
数/総数で判定 半田後クラック: 6 X 6 mmTEGを封止した
529 FPを260℃の半田浴に10秒浸 漬した時に発生するクラック不 頁数/総数で判定 TCT:4xB門TEGを封止した16p DIPに一
65℃(30分) 150℃(30分)の熱衝撃を10
00サイクル与えた時に発生するクラック不良数/総数
で判定 TST : 4X8簡TEGを封止した16p DIP
に一196℃(2分)150℃(2分)の熱衝撃 を100サイクル与えた時に発生するクラック不良数/
総数で判定

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 軟化点が150℃以上の熱可塑性樹脂を1〜10重量%
    含み、かつオルガノポリシロキサン類を0.1〜10重
    量%含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
JP10381386A 1986-05-08 1986-05-08 エポキシ樹脂組成物 Pending JPS62260818A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10381386A JPS62260818A (ja) 1986-05-08 1986-05-08 エポキシ樹脂組成物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10381386A JPS62260818A (ja) 1986-05-08 1986-05-08 エポキシ樹脂組成物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62260818A true JPS62260818A (ja) 1987-11-13

Family

ID=14363843

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10381386A Pending JPS62260818A (ja) 1986-05-08 1986-05-08 エポキシ樹脂組成物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62260818A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0234657A (ja) * 1988-07-22 1990-02-05 Matsushita Electric Works Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0234657A (ja) * 1988-07-22 1990-02-05 Matsushita Electric Works Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH0515744B2 (ja) * 1988-07-22 1993-03-02 Matsushita Electric Works Ltd

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6297306B1 (en) Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device
JPH06345847A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH0618985B2 (ja) エポキシ樹脂組成物
JP2004292706A (ja) 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置
JP3240861B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPS62260818A (ja) エポキシ樹脂組成物
JPH06287273A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP3481452B2 (ja) 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた光半導体装置
JPH01105562A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2867471B2 (ja) 樹脂組成物
KR100250770B1 (ko) 내습성과 접착성이 개선된 반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물
JPH0733429B2 (ja) エポキシ樹脂組成物
KR0158716B1 (ko) 광반도체용 에폭시 수지조성물
JP3353847B2 (ja) 半導体封止用樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置
JPS6356515A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP2002097344A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPS62260815A (ja) エポキシ樹脂組成物
JP3008981B2 (ja) エポキシ樹脂組成物
JP3451666B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH05262961A (ja) 熱硬化性樹脂組成物及び硬化物
JPH02218736A (ja) エポキシ系樹脂組成物
JPS62260816A (ja) エポキシ樹脂組成物
JPH0621152B2 (ja) 封止用樹脂組成物
JPH02855B2 (ja)
JP2812173B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置