JPS62256615A

JPS62256615A - 反応射出成形装置

Info

Publication number: JPS62256615A
Application number: JP61100655A
Authority: JP
Inventors: Kazuo Nishikawa; 和夫西川
Original assignee: Mazda Motor Corp
Current assignee: Mazda Motor Corp
Priority date: 1986-04-30
Filing date: 1986-04-30
Publication date: 1987-11-09

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、例えばポリオール系溶液とイソシアネート系
溶液とをミキシングヘッド内で混合させた後、ゲートか
ら金型のキャビティ内に射出し、２液を反応硬化させる
ようにした反応射出成形装置に関するものである。

［従来技術］第７図に示すように、イソシアネートとフレオンとから
なるＡ液を調合タンクｌ入内で調合した後、ケミカルタ
ンク２Ａ内に貯溜する一方、ポリオールと架橋剤と触媒
にガラス繊維を加えて調合タンクＩＢ内において調合し
た後、これをＢ液としてケミカルタンク２Ｂ内に貯溜し
ておき、射出成形時には、２つの押し出しシリンダ３Ａ
、３Ｂによりミキシングヘッド４に送り込み、ミキシン
グヘッド４内において混合させて、混合液を一対の金型
５，６で形成されるキャビティ７内にゲートを介して注
入し、金型温度を反応硬化に必要な温度に保持して、反
応硬化させるようにした反応射出成形装置は従来よりよ
く知られている。

ところで、この１１Ｍ成形においては、ゲートに連なる
キャビティの入口部分に位置する成形品の表面に、ピン
ホールが発生するといった問題がある。

この発生機構について考えると、第８図に示すように、
材料の反応は、ゲート８から注入された材料の外表面が
金型５，６から熱を受けることによって開始されてごく
薄いスキンＲ９を生じ、これが時間とともに厚くなり、
最終的に内部が発泡して、反応が終了する。このスキン
層９の形成初期は、強度が低く、特にゲート８に連続す
るキャビティ７の入口部１０付近はその内側を多量の材
料が高速で流れるため、物理的にスキン層９が削られて
、十分な厚みを有するスキン層９が形成されない間に発
泡反応が生じて、ピンホールが形成されるものと考えら
れる。このようなピンホールの発生は、とりわけガラス
繊維を強化材として混入する場合には、ガラス繊維によ
ってスキン層がより大きく削られるため、より一層大き
な問題となる。

このピンホール対策として、全体の型温を上げる、ある
いは触媒量を増加することによってスキン層の形成速度
を十分速くすることが考えられるが、その場合には、全
体の反応速度が上がりすぎるため、材料の流れが阻害さ
れて、シンクマークや欠肉を生じるといった新たな不具
合を生ずる。

［発明の目的］本発明の目的は、ゲート付近に発生しうるピンホールを
確実に防＋ｌ：、することができる反応射出成形装置を
堤供することである。

［発明の構成］このため、本発明は、２液を混合して所定温度に保たれ
た成形型のゲートからキャビティ内に射出して、反応硬
化させるようにした反応射出成形装置において、キャビ
ティを構成する成形型のゲート付近に、射出初期、混合
液を成形型の型温より高い温度に加熱する加熱手段を設
けたことを特徴としている。

し発明の効果］本発明によれば、ピンホール発生部となるゲート付近を
他の部分より高温に保持するようにして、ゲート付近の
スキン層形成を促進するようにしたので、この部分のピ
ンホールの発生を確実に防止することができ、しかも全
体の溶液の流動性や反応性には何ら悪影響を与えること
がない。

［実施例］以下、本発明の実施例について具体的に説明する。

く第１実施例〉第１図に示すように、注入ゲート８に連続するキャビテ
ィ７の入口部ｌＯを上型５との間で形成する下型６には
、下型６を所定の型温に保持するａＬＲ熱媒通路Ｉｔ、
・・・、１１とは別に、小径の急速昇温用熱媒通路１２
．・・・、１２をピンホールが発生しやすい所定の範囲
にわたって設け、上記温調熱媒通路１１．・・・、１１
には、第１の型温調機１３から熱媒を供給する一方、急
速昇温用熱媒通路＋２゜・・・、１２には、第２の型温
調機１４から熱媒を供給するようにし、これによって注
入ゲート８に続くキャビティ７の人口部ＩＯの温度を注
入初期に他の部分の温度より、例えば１５℃程度高くな
るように設定する。

（イ）ＲＩＭ原料ＡｅＬ・・・カルボジイミド変性ＭＤＩ　　（ＮＧＯ含
有率２９％）　９７重量部；発泡剤（フロン−１１）３
重量部Ｂ液・・・ポリプロピレングリコール（分子ｆｉ５００
０）９０重量部；エチレングリコール　１０重量部；触
媒（ジブデルチンジラウレート）　　０．２ｆ［１１部
；ミルドガラス繊維　２０重量部（ロ）型温調ピンホール発生部位、即ち注入ゲートに連続する入口部
分の型温を、第２図に示すように、注入の開始から約６
秒間は通常部分の型温７０℃に対して１５℃だけ高い温
度（８５℃）に保持し、その後６秒から１０秒までの間
で徐々に温度を低下させ、１０秒後以降は通常部位の型
温と同じ７０℃に保持する。そして、約６０秒後に離型
する。

以上の型温調の制御の結果、成形品の入口部１０に位置
する部位にピンホールの発生は見られなかった。

く第２実施例〉第３図に示すように、この実施例では、注入ゲート８に
続く入口部１０に高周波発振装置Ｉ５を用いた高周波加
熱装置１６を配置する。この加熱装置は、例えば３φ程
度の銅管１７．・・、１７を併設し、これを絶縁体より
なるケースＩ８で密封したものであって、鋼管１７．・
・・、１７は高周波発振装置１５に接続しておく。この
高周波発振装置１５としては、例えば発振周波数４．　
ＯＯＫＨｚ、出力５ＫＷ程度のものを用いることができ
る。もちろん下型６には、前述したと同様、型温を制御
するためのｆＡ調調熱連通路１１・・・、１１が適当な
間隔で配置され、型温調機１３から熱媒が供給される。

そして、この実施例では、人口部ｌＯに相当する部分の
温調熱媒通路１１．・・・、１１の配列ピッチを他の部
分より小さく設定して、もともとの加熱能力を入口部１
０において高くしておく。

（イ）ＲＩＭ原料Ａ液・・・プレポリマー変性ＭＤＩ　　（ＮＧＯ含有率
２２．８％）　１００重量部Ｂ液・・・ポリプロピレングリコール（分子ｆｆ１６０
００）９０重量部；エチレングリコール　１０重量部；
触媒（ジブデルチンジラウレート）　０．３重量部（ロ
）型温調第４図に示すように、入口部ＩＯの型温は、最初８０℃
となるように高周波発振装置を約１．５秒間発振させ、
その後徐々に低下させて、注入が終了する約４秒後に通
常の型温７０℃まで低下させる。

この場合にも、入口部１０におけるピンホールの発生は
何ら観察されなかった。

〈第３実施例〉　　　　　　　′ 第５図に示す型構造では、第３図の場合と同様、高周波
発振装置１５に接続された高周波加熱装置２０を入口部
１０を形成する下型キャビテイ面に直接にはめ込んで構
成する。この場合には、第５図の円Ａで示す部分拡大図
に示すように、絶縁体２１内に約３φの銅管２２を埋め
込み、これを非磁性体製金属シート２３でカバーしたも
のであって、上記の銅管２２．・・・、２２は第２実施
例と同様の高周波発振装置１５に接続する一方、この銅
管２２、・・・、２２を第２の型ｆＡ調機１４にも接続
して、温調熱媒による温調と高周波加熱とを平行して行
なえるようにした構成としている。なお、この場合には
、第１の型温調機１３に接続される下型の温調熱媒通路
Ｉ１．・・・、１１は、等ピッチ配列とする。

（イ）ＲＩＭ原料Ａ液・・・カルボジイミド変性ＭＤＩ（ＮＣ○含有率２
９％）　９７重量部；発泡剤（フロン−１１）３重量部Ｂ液・・・ポリプロピレングリコール（分子ｆｆ１４０
００）８０重量部；　１．４−ブタンジオール　２０重
量部；触媒ｌ（ジブチルチンジラウレート）０．１重量
部；触媒２（トリエチレンジアミン）０．１重量部；磁
性体（Ｎｉ、Ｇｏなど）を表面にコーティング（例えば
スパッタリングによる］、たミルドガラス繊維　４０重
量部（ロ）型温調第６図に示すように、注入が開始されると、高周波発振
装置をオンして、高周波発振を約２秒間行なわせ、最初
型温７０°Ｃに保持した入口温度を約ｌＯ°Ｃ程度上昇
させ、約２秒後に高周波発振を停止させ、他の部分の型
温か約４秒後に７０℃に達するタイミングで人口部を７
０℃まで低下さ＋」・る。なお、注入時間は約３秒であ
る。

この実施例においては、強化ガラス繊維とじて用いたミ
ルドガラス繊維表面の磁性体が、磁化フィラーとして作
用して、高周波誘導加熱の原理によって効率よく加熱さ
れる。したがって、他の部分の型温は、例えば注入開始
時４０℃程度から徐々に上昇させることができ、温調精
度が容易化される。

なお、この実施例においても、ピンホールは何ら観測さ
れなかった。

以上のように、本発明においては、注入ゲートに連続す
るキャビティの入口部の温度を他の部分に比して高温に
保持することができる加熱手段を設けることによって、
混合溶液の注入時、入口部でのスキン層を早期に形成す
ることができるため、ピンホールの発生を確実に防止す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１実施例にかかる金型人口部の断面
図、第２図は第１実施例における型温調方式を示すダイ
ヤグラム、第３図は本発明の第２実施例にかかる金型入
口部の断面図、第４図は第２実施例における型温調方式
を示すダイヤグラム、第５図は本発明の第３実施例にか
かる金型入口部の断面図、第６図は第３実施例における
型温ＪＭ方式を示すダイヤグラム、第７図は反応射出成
形装置の全体概略説明図、第８図は反応射出成形におけ
るピンホール発生機構を説明するための金型入口部の断
面図である。５．６・・・成形型、７・・・キャビティ、８−ゲート
、１０・・・入口部、１１．・・・、１１・・・温調熱
媒通路、１２、・・・、１２・・・急速昇温用熱媒通路
、１３．１４・・・型温調機、１６．２０・・・高周波加熱装置。特　許　出　願　人　　マツダ株式会社代　理　人　弁
理士　前出　葆ほか２名第１３第２１１ｆｆｉ

Claims

【特許請求の範囲】

（１）２液を混合して所定温度に保たれた成形型のゲー
トからキャビティ内に射出して、反応硬化させるように
した反応射出成形装置において、キャビティを構成する
成形型のゲート付近に、射出初期、混合液を成形型の型
温より高い温度に加熱する加熱手段を設けたことを特徴
とする反応射出成形装置。