JPS62256538A - デイジタル電気/光変換回路 - Google Patents
デイジタル電気/光変換回路Info
- Publication number
- JPS62256538A JPS62256538A JP61099908A JP9990886A JPS62256538A JP S62256538 A JPS62256538 A JP S62256538A JP 61099908 A JP61099908 A JP 61099908A JP 9990886 A JP9990886 A JP 9990886A JP S62256538 A JPS62256538 A JP S62256538A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- value
- amplitude
- voltage
- input terminal
- impulsive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 5
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Lasers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の目的
産業上の利用分野
本発明は、光通信システムや光応用の計測システムなど
で使用されるディジタル電気/光変換回路に関するもの
であり、特に、スイッチング・トランジスタの温度特性
を補償して光レベルの安定化を図ったディジタル電気/
光変換回路に関するものである。
で使用されるディジタル電気/光変換回路に関するもの
であり、特に、スイッチング・トランジスタの温度特性
を補償して光レベルの安定化を図ったディジタル電気/
光変換回路に関するものである。
従来の技術
光通信システムなどで使用されるディジタル電気/光変
換回路は、半導体発光素子とスイッチング・トランジス
タとを直流電源間に直列接続し、このスイッチング・ト
ランジスタの制御電極にバイアス電圧と信号電圧パルス
を印加してスイッチング・トランジスタを開閉すること
により半導体発光素子から光パルスを発生させる構成と
なっている。
換回路は、半導体発光素子とスイッチング・トランジス
タとを直流電源間に直列接続し、このスイッチング・ト
ランジスタの制御電極にバイアス電圧と信号電圧パルス
を印加してスイッチング・トランジスタを開閉すること
により半導体発光素子から光パルスを発生させる構成と
なっている。
すなわち、半導体発光素子としてレーザダイオードを使
用し、スイッチング・トランジスタとしてGaAs等高
速の電界効果トランジスタ(FET)を使用する場合を
例にとれば、第3図に示すように、レーザダイオード(
LD)とFET (S)とが接地電位と直流電源電圧(
V、)間に直列接続され、入力端子IN上の信号電圧が
FET (S)のゲートに供給される構成となっている
。なお、FET (S)のゲートには、抵抗器R8を介
してバイアス制御回路(VB)が印加される。
用し、スイッチング・トランジスタとしてGaAs等高
速の電界効果トランジスタ(FET)を使用する場合を
例にとれば、第3図に示すように、レーザダイオード(
LD)とFET (S)とが接地電位と直流電源電圧(
V、)間に直列接続され、入力端子IN上の信号電圧が
FET (S)のゲートに供給される構成となっている
。なお、FET (S)のゲートには、抵抗器R8を介
してバイアス制御回路(VB)が印加される。
発明が解決しようとする問題点
第3図に示した従来のディジタル電気/光変換回路では
、FETやレーザダイオードの動作特性が周囲温度など
の環境条件によって変化し、これに伴うレーザダイオー
ドからの発光レベルの変動によ°り伝送品質が変動する
という問題がある。
、FETやレーザダイオードの動作特性が周囲温度など
の環境条件によって変化し、これに伴うレーザダイオー
ドからの発光レベルの変動によ°り伝送品質が変動する
という問題がある。
すなわち、FETの場合については、第4図の特性図に
示すように、ゲート・ソース間電圧VaSとドレイン電
流■ゎとの関伜を示す■−■曲線が周囲温度の低下につ
れてAからBのように変化すると、一定振幅の信号電圧
パルスPムに基づく駆動電流パルスの振幅がP、からP
bに示すように低下する。これに伴い、レーザダイオー
ドからの発光レベルが低下してS/Nの劣化が生ずる。
示すように、ゲート・ソース間電圧VaSとドレイン電
流■ゎとの関伜を示す■−■曲線が周囲温度の低下につ
れてAからBのように変化すると、一定振幅の信号電圧
パルスPムに基づく駆動電流パルスの振幅がP、からP
bに示すように低下する。これに伴い、レーザダイオー
ドからの発光レベルが低下してS/Nの劣化が生ずる。
発明の構成
問題点を解決するための手段
本発明のディジタル電気/光変換回路は、スイッチング
・トランジスタに流れる電流の振幅の平均値と信号電圧
の振幅の平均値との比を一定値に保つ方向にスイッチン
グ・トランジスタの制御電極に印加するバイアス電圧値
を制御するバイアス制御回路を備えることにより、温度
変化などに伴う駆動電流振幅の変化をバイアス値の制御
によって相殺し、光レベルを安定化するように構成され
ている。
・トランジスタに流れる電流の振幅の平均値と信号電圧
の振幅の平均値との比を一定値に保つ方向にスイッチン
グ・トランジスタの制御電極に印加するバイアス電圧値
を制御するバイアス制御回路を備えることにより、温度
変化などに伴う駆動電流振幅の変化をバイアス値の制御
によって相殺し、光レベルを安定化するように構成され
ている。
以下、本発明の作用を実施例と共に詳細に説明する。
実施例
第1図は、本発明の一実施例のディジタル電気/光変換
回路の構成を示す回路図である。
回路の構成を示す回路図である。
このディジタル電気/光変換回路は、接地電位と直流電
源電圧V、との間に直列接続されたレーザダイオード(
LD)と、FET (S)と、バイアス制御回路10と
を備えている。
源電圧V、との間に直列接続されたレーザダイオード(
LD)と、FET (S)と、バイアス制御回路10と
を備えている。
バイアス制御回路lOは、抵抗器R,、R及び、 コン
デンサCから構成される駆動電流平均値検出回路11と
、演算増幅器12と、入力端子13とから構成されてい
る。
デンサCから構成される駆動電流平均値検出回路11と
、演算増幅器12と、入力端子13とから構成されてい
る。
演算増幅器12の非反転入力端子に接続される入力端子
13には、入力端子INに出現する信号電圧の振幅の平
均値に等しい電圧値が、図示しない前段の波形整形回路
などから供給される。
13には、入力端子INに出現する信号電圧の振幅の平
均値に等しい電圧値が、図示しない前段の波形整形回路
などから供給される。
F、ET(S)は、入力端子INに供給される信号電圧
によって開閉され、これに伴うパルス状の駆動電流がレ
ーザダイオード(L、D ”)に流れ、ここからパルス
状の光信号が出力される。この駆動電流の振幅値と抵抗
器R8の積に等しい振幅値を有するパルス状の電圧が抵
抗器R3とRとの接続ノードNに出現する。この接続ノ
ードN上のパルス状の電圧値は、抵抗RとコンデンサC
とで構成される積分回路によって時間平均値に変換され
、演算増幅器12の反転入力端子に供給される。抵抗器
Rs、RとコンデンサCの素子定数は、標準周囲温度に
おける上記積分回路の出力電圧値が入力端子13に供給
される電圧値に等しくなるように設定される。
によって開閉され、これに伴うパルス状の駆動電流がレ
ーザダイオード(L、D ”)に流れ、ここからパルス
状の光信号が出力される。この駆動電流の振幅値と抵抗
器R8の積に等しい振幅値を有するパルス状の電圧が抵
抗器R3とRとの接続ノードNに出現する。この接続ノ
ードN上のパルス状の電圧値は、抵抗RとコンデンサC
とで構成される積分回路によって時間平均値に変換され
、演算増幅器12の反転入力端子に供給される。抵抗器
Rs、RとコンデンサCの素子定数は、標準周囲温度に
おける上記積分回路の出力電圧値が入力端子13に供給
される電圧値に等しくなるように設定される。
第2図の特性図に示すように、FET (S)のゲート
・ソース間電圧VG3とドレイン電流I0との関係が標
準周囲温度のもとて曲線Aに示すようなものであるとす
れば、バイアス電圧V、に重畳されてゲート電極に印加
される信号電圧P、に基づき波形P、の駆動電流が発生
する。この後、周囲温度の低下に伴ってFET (S)
のV−1特性が曲線Bのように変化したものとする。こ
の場合、仮にバイアス電圧V、の制御が行われないもの
とすれば、波形P、で示すように振幅の減少した駆動電
流が発生することになる。
・ソース間電圧VG3とドレイン電流I0との関係が標
準周囲温度のもとて曲線Aに示すようなものであるとす
れば、バイアス電圧V、に重畳されてゲート電極に印加
される信号電圧P、に基づき波形P、の駆動電流が発生
する。この後、周囲温度の低下に伴ってFET (S)
のV−1特性が曲線Bのように変化したものとする。こ
の場合、仮にバイアス電圧V、の制御が行われないもの
とすれば、波形P、で示すように振幅の減少した駆動電
流が発生することになる。
し゛かしながら、第1図の回路においては、FET (
S)のV−1特性の変化に伴って駆動電流の振幅値、従
ってその時間平均値が低下の傾向を示すと、演算増幅器
12の出力端子からゲート電極に印加される負のバイア
ス値が、第2図の■、゛に示すように浅くなり、波形P
i゛で例示するような電圧値がゲート電極に印加される
。この結果、駆動電流の波形は標準周囲温度のもとにお
けるP。
S)のV−1特性の変化に伴って駆動電流の振幅値、従
ってその時間平均値が低下の傾向を示すと、演算増幅器
12の出力端子からゲート電極に印加される負のバイア
ス値が、第2図の■、゛に示すように浅くなり、波形P
i゛で例示するような電圧値がゲート電極に印加される
。この結果、駆動電流の波形は標準周囲温度のもとにお
けるP。
に等しくなる。
以上、前段の波形整形回路などから入力端子13に信号
電圧の振幅の平均値を受ける構成を例示したが、そのよ
うな適当な回路が存在しない装置では、入力端子INに
供給される信号電圧のモニタ値を平均化する回路を付加
し、その平均出力を演算増幅器の非反転入力端子に供給
するように構成すればよい。
電圧の振幅の平均値を受ける構成を例示したが、そのよ
うな適当な回路が存在しない装置では、入力端子INに
供給される信号電圧のモニタ値を平均化する回路を付加
し、その平均出力を演算増幅器の非反転入力端子に供給
するように構成すればよい。
また、半導体発光素子としてレーザダイオードを使用す
る場合を例示したが、これに代えて発光ダイオードなど
他の半導体発光素子を使用することもできる。
る場合を例示したが、これに代えて発光ダイオードなど
他の半導体発光素子を使用することもできる。
また、スイッチング・トランジスタとしてFETを使用
する構成を例示したが、これに代えてバイポーラ・トラ
ンジスタを使用する構成としてもよい。
する構成を例示したが、これに代えてバイポーラ・トラ
ンジスタを使用する構成としてもよい。
第1図は本発明の一実施例のディジタル電気/光変換回
路の構成を示す回路図、第2図は第1図の回路の作用を
説明するための特性図、第3図は従来のディジタル電気
/光変換回路の構成を示す回路図、第4図は第3図の回
路の作用と問題点を説明するための特性図である。 LD・・レーザダイオード(半導体発光素子)、S・・
FET (スイッチング・トランジスタ)、10・・バ
イアス制御回路、11・・駆動電流平均値検出回路、1
2・・演算増幅器、13・・信号電圧の振幅の平均値に
等しい電圧を受ける入力端子。
路の構成を示す回路図、第2図は第1図の回路の作用を
説明するための特性図、第3図は従来のディジタル電気
/光変換回路の構成を示す回路図、第4図は第3図の回
路の作用と問題点を説明するための特性図である。 LD・・レーザダイオード(半導体発光素子)、S・・
FET (スイッチング・トランジスタ)、10・・バ
イアス制御回路、11・・駆動電流平均値検出回路、1
2・・演算増幅器、13・・信号電圧の振幅の平均値に
等しい電圧を受ける入力端子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体発光素子とスイッチング・トランジスタとを直流
電源間に直列接続し、このスイッチング・トランジスタ
の制御電極にバイアス電圧と信号電圧パルスを印加して
スイッチング・トランジスタを開閉することにより半導
体発光素子から光パルスを発生させるディジタル電気/
光変換回路において、 前記スイッチング・トランジスタに流れる電流の振幅の
平均値と前記信号電圧の振幅の平均値との比を一定値に
保つ方向に前記バイアス電圧の値を制御するバイアス制
御回路を備えたことを特徴とするディジタル電気/光変
換回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61099908A JPS62256538A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | デイジタル電気/光変換回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61099908A JPS62256538A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | デイジタル電気/光変換回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62256538A true JPS62256538A (ja) | 1987-11-09 |
Family
ID=14259877
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61099908A Pending JPS62256538A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | デイジタル電気/光変換回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62256538A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2505562A (en) * | 2013-08-01 | 2014-03-05 | Iconic Sound Ltd | Transmitter for fibre optic transmission in which a single input signal is transmitted using two LEDs on respective fibre cores |
-
1986
- 1986-04-30 JP JP61099908A patent/JPS62256538A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2505562A (en) * | 2013-08-01 | 2014-03-05 | Iconic Sound Ltd | Transmitter for fibre optic transmission in which a single input signal is transmitted using two LEDs on respective fibre cores |
GB2505562B (en) * | 2013-08-01 | 2014-08-13 | Iconic Sound Ltd | Light emission circuit |
EP2833568A1 (en) * | 2013-08-01 | 2015-02-04 | Iconic Sound Limited | Light Emission Circuit |
US9258064B2 (en) | 2013-08-01 | 2016-02-09 | Iconic Sound Limited | Light emission circuit |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6144360B2 (ja) | ||
KR0136875B1 (ko) | 전압-전류 변환기 | |
KR20210014079A (ko) | 기준 전압 회로 | |
EP0268345B1 (en) | Matching current source | |
JPH07321392A (ja) | レーザダイオードの自動温度制御回路及びこれを用いた電気/光信号変換ユニット | |
US20040160277A1 (en) | Voltage-to-current converter | |
US5781061A (en) | Current mirror circuit and signal processing circuit having improved resistance to current output terminal voltage variation | |
US4580294A (en) | Optical transmitter | |
US4308504A (en) | Direct-coupled amplifier circuit with DC output offset regulation | |
JPS62256538A (ja) | デイジタル電気/光変換回路 | |
JPH0149026B2 (ja) | ||
JP2705169B2 (ja) | 定電流供給回路 | |
JPH05129706A (ja) | 半導体レーザ駆動制御回路 | |
JPH06169225A (ja) | 電圧電流変換回路 | |
KR100438979B1 (ko) | 아날로그 전류 출력 회로 | |
JPH01251682A (ja) | 光半導体素子駆動回路 | |
JP2866271B2 (ja) | 半導体レーザの安定化装置 | |
JPH07229928A (ja) | 電流検出装置 | |
JPH0349410Y2 (ja) | ||
JPS5816622B2 (ja) | Led非直線補償回路 | |
JPH0191484A (ja) | 発光素子駆動回路 | |
JPH05274050A (ja) | 定電流/定電圧回路 | |
JP3320439B2 (ja) | 出力動作点自動補償回路 | |
KR880001930Y1 (ko) | 아날로그 제어신호 인터페이스회로 | |
JPH0644118Y2 (ja) | 発光素子バイアスモニター回路 |