JPS5816622B2 - Led非直線補償回路 - Google Patents

Led非直線補償回路

Info

Publication number
JPS5816622B2
JPS5816622B2 JP53028442A JP2844278A JPS5816622B2 JP S5816622 B2 JPS5816622 B2 JP S5816622B2 JP 53028442 A JP53028442 A JP 53028442A JP 2844278 A JP2844278 A JP 2844278A JP S5816622 B2 JPS5816622 B2 JP S5816622B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
led
nonlinear
compensation circuit
circuit
nonlinear compensation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP53028442A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS54121085A (en
Inventor
一雄 井口
務 福川原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP53028442A priority Critical patent/JPS5816622B2/ja
Publication of JPS54121085A publication Critical patent/JPS54121085A/ja
Publication of JPS5816622B2 publication Critical patent/JPS5816622B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/50Transmitters
    • H04B10/501Structural aspects
    • H04B10/502LED transmitters
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/50Transmitters
    • H04B10/58Compensation for non-linear transmitter output
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/10Controlling the intensity of the light
    • H05B45/14Controlling the intensity of the light using electrical feedback from LEDs or from LED modules

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)
  • Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は発光ダイオードLEDの非直線歪を非直線特性
の補償機能を有する電界効果トランジスタFETを用い
て補償したLED非直線補償回路に関するものである。
従来、LEDを用いた光通信方式で、アナログ信号等に
よる直線性を重視する通信においては、LEDの1駆動
電流対光出力特性の非直線歪が問題となる。
一般にLEDの非直線歪は2次歪が支配的であるため、
これを補償することにより、直線性の良い電気、光変換
が期待できる。
従来これらの補償回路をダイオードやトランジスタで実
現シようとするとかなり複雑な回路が必要である。
そこで本発明者等は最近発表された非直線特性補償用の
FETを利用することを考えたものである。
本発明の目的は非直線歪を補償する電界効果トランジス
タFETを用いたLED非直線補償回路を提供すること
である。
前記目的を達成するため、本発明のLED非直線補償回
路は発光ダイオードLEDの駆動電流回路またはその制
御回路に、ドレインソース間の微分抵抗変化により非直
線特性の補償機能を有するン電界効果トランジスタFE
Tを設け、前記LEDの非直線歪を補償させることを特
徴とするものである。
以下本発明を実施例につき詳述する。
第1図は本発明の実施例の構成を示す説明図でiある。
同図において、LEDを駆動するための制御信号が入力
端子1よりトランジスタ2のベースに入力し、コレクタ
出力回路より取出された信号を増幅器5とトランジスタ
6より成るLED駆動回路に入力してLED7を発光駆
動する。
この場ν合制御信号の増幅器2のコレクタに抵抗R1が
、エミッタに抵抗R2が設けられ、いわゆる直線形増幅
が行なわれると、このLED駆動回路で駆動されたLE
D7は2次歪がそのまま表われる。
この2次歪を補償するにはトランジスタ2の特性を逆の
非線形特1性とすることが必要である。
そのためエミッタ抵抗R2と並列にコンデンサを介して
ドレインソース間の微分抵抗の変化により補償特性を得
るFET3を接続して接地するものである。
第2図は第1図のFET3を拡大して示したもンので、
これに基き原理を説明する。
FET3はドレインソース間を抵抗4を介して接続し、
その分圧比に=0〜1の任意の点を取出してサブストレ
ート電極に接続すると、帰還と同様のゲートの制御効果
が得られる。
1 いま、第2図でドレインソース間電圧をVD、同電
流を■D、ドレインゲート間電圧をvG、ピンチオフ電
圧(電流0のVD)をvPとすれば、式(6)の第2項
は2次歪の補償項となり、これが増幅されて駆動電流に
含まれLEDの2次歪を補償することができ、結果とし
てLEDの直線形特性が得られる。
以上説明したように、本発明によれば、LEDの駆動電
流回路またはその制御回路にドレインノース間の微分抵
抗変化により非直線特性の補償機能をもたせたFETを
設けることにより、効果的にLEDの非直線歪を補償す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例の構成を示す説明図、第2図は
原理説明図であり、図中、1は入力端子、2.6はトラ
ンジスタ、3は電界効果トランジスタ、4は抵抗、5は
増幅器、7は発光ダイオードLEDを示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 発光ダイオード(LED)の駆動電流回路またはそ
    の制御回路に、ドレインソース間の微分抵抗変化により
    非直線特性の補償機能を有する電界効果トランジスタ(
    FET)を設け、前記LEDの非直線歪を補償させるこ
    とを特徴とするLED非直線補償回路。
JP53028442A 1978-03-13 1978-03-13 Led非直線補償回路 Expired JPS5816622B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP53028442A JPS5816622B2 (ja) 1978-03-13 1978-03-13 Led非直線補償回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP53028442A JPS5816622B2 (ja) 1978-03-13 1978-03-13 Led非直線補償回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS54121085A JPS54121085A (en) 1979-09-19
JPS5816622B2 true JPS5816622B2 (ja) 1983-04-01

Family

ID=12248782

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP53028442A Expired JPS5816622B2 (ja) 1978-03-13 1978-03-13 Led非直線補償回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5816622B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6066145U (ja) * 1983-10-14 1985-05-10 日本電気株式会社 歪補償回路を備えたled発光装置
JPS60204136A (ja) * 1984-03-28 1985-10-15 Nec Corp 光送信装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPS54121085A (en) 1979-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA1176322A (en) Biasing circuit for power amplifier
US4587495A (en) Cascode amplifier with an improved biasing arrangement
DE59402749D1 (de) Schaltungsanordnung mit einem Feldeffekttransistor
CA1115790A (en) Mos fet amplifier
GB1343329A (en) Amplifier using bipolar and field-effect transistors
US4471319A (en) FET Buffer amplifier with improved noise rejection
KR940020692A (ko) 집적 회로 증폭 장치(integrated circuit amplifier arrangements)
JPS5816622B2 (ja) Led非直線補償回路
US7576594B2 (en) Method and device for reducing influence of early effect
US4237426A (en) Transistor amplifier
JPH0620251B2 (ja) テレビジョン信号の階調補正回路
JPH0618300B2 (ja) ダ−リントントランジスタ装置
JPH0553317U (ja) 増幅器電源電圧切り換え回路
JP2705169B2 (ja) 定電流供給回路
JP2518320Y2 (ja) 接合形fet入力バッファ
US4626793A (en) Receiver amplifier for amplification of a photoelectric current
JPS5883445A (ja) 歪補償回路
CN214205470U (zh) 一种石油测井用宽温度范围工作的温度补偿线性放大电路
JPS6080317A (ja) マ−ク率変動補償回路
JPH0685556A (ja) 増幅器
JPH0149026B2 (ja)
JPH0136069B2 (ja)
JP2003029217A (ja) 光変調器駆動回路
JPH0254977A (ja) 半導体レーザ駆動回路
GB2303752A (en) Voltage follower bias circuit for GaAs FET