JPS5883445A - 歪補償回路 - Google Patents
歪補償回路Info
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- JPS5883445A JPS5883445A JP56180301A JP18030181A JPS5883445A JP S5883445 A JPS5883445 A JP S5883445A JP 56180301 A JP56180301 A JP 56180301A JP 18030181 A JP18030181 A JP 18030181A JP S5883445 A JPS5883445 A JP S5883445A
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- Japan
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- control voltage
- resistor
- amplifier
- signal
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
- H04B10/501—Structural aspects
- H04B10/502—LED transmitters
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- H04B—TRANSMISSION
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- H04B10/50—Transmitters
- H04B10/58—Compensation for non-linear transmitter output
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- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Cable Transmission Systems, Equalization Of Radio And Reduction Of Echo (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光通信装置に用いられる光送信装置の歪補償回
路の改良に関するものである。
路の改良に関するものである。
発光ダイオードや半導体レーチなどの光源用デバイスを
用いてアナログ信号伝送用光送信装置を構成する場合、
光源用デバイスの発生する歪が大きくてそのままでは良
好なアナログ信号伝送特性を得ることはむづか１い。そ
こでこの歪特性を補償するために負帰還法、フィードフ
ォワード法。
用いてアナログ信号伝送用光送信装置を構成する場合、
光源用デバイスの発生する歪が大きくてそのままでは良
好なアナログ信号伝送特性を得ることはむづか１い。そ
こでこの歪特性を補償するために負帰還法、フィードフ
ォワード法。
およびプリディストーション法等が用いられているが、
負帰還法は帰還ルーノの伝達時間による制限からその取
り扱える周波数範囲が狭く、またフィー１フオワード法
は回路が複雑になるという欠点があるだめ、最近では３
番目のプリディストーション法が比較的よく用いられて
いる。これは光源の発生する歪をノリディストーション
回路と呼ばれる非線形回路で発生した歪で打ち消すよう
に構成したものである。しかしながらこの方式において
は、あとに詳しく説明するが、正確な補償をするには回
路規模が大きくなり、非線形特性の調整が調整箇所が多
い上調整方法が難かしく、又歪補償特性の温度特性を良
くすることが難かしかった。
負帰還法は帰還ルーノの伝達時間による制限からその取
り扱える周波数範囲が狭く、またフィー１フオワード法
は回路が複雑になるという欠点があるだめ、最近では３
番目のプリディストーション法が比較的よく用いられて
いる。これは光源の発生する歪をノリディストーション
回路と呼ばれる非線形回路で発生した歪で打ち消すよう
に構成したものである。しかしながらこの方式において
は、あとに詳しく説明するが、正確な補償をするには回
路規模が大きくなり、非線形特性の調整が調整箇所が多
い上調整方法が難かしく、又歪補償特性の温度特性を良
くすることが難かしかった。
したがって本発明の目的は回路規模が大とならず、調整
が簡単で、而も周囲温度の変化に対して安定な特性を有
する歪補償回路を得上うとするものである。
が簡単で、而も周囲温度の変化に対して安定な特性を有
する歪補償回路を得上うとするものである。
本発明によれば発光ダイオード、半導体レーザなどの光
源デバイスで電気信号を光信号に変換する際に該光源デ
バイスで発生する歪成分を補償するだめの歪補償回路に
おいて、前記電気信号を入力信号とし、前記光源デバイ
スを駆動するだめの信号を出力信号とし、さらに帰還量
で増幅度が決まるように構成されている帰還形増幅器と
、前記帰還量を与える回路中に、制御電圧の変化による
ドレイン・ソース間抵抗の変化が前記帰還量の変化とな
名ように配置された電界効果トランジスタと、前記制御
電圧を与える１制御電圧発生回路とを有することを特徴
とする歪補償回路が得られる。
源デバイスで電気信号を光信号に変換する際に該光源デ
バイスで発生する歪成分を補償するだめの歪補償回路に
おいて、前記電気信号を入力信号とし、前記光源デバイ
スを駆動するだめの信号を出力信号とし、さらに帰還量
で増幅度が決まるように構成されている帰還形増幅器と
、前記帰還量を与える回路中に、制御電圧の変化による
ドレイン・ソース間抵抗の変化が前記帰還量の変化とな
名ように配置された電界効果トランジスタと、前記制御
電圧を与える１制御電圧発生回路とを有することを特徴
とする歪補償回路が得られる。
任丑赴長畏Ｅ±士云愈章＝雪＝オ＃＃キキ坤芋Ｉシ；
次に図面を参照して詳細に説明する。
−ド（ＬＥＤ ） １と、信号Ｓを入力して動作するト
ランジスタ２と９発光ダイオード１の発生する歪を補償
する非線形回路３とを有しており、而してこの非線形回
路３はこの場合３個の可変抵抗４と。
ランジスタ２と９発光ダイオード１の発生する歪を補償
する非線形回路３とを有しており、而してこの非線形回
路３はこの場合３個の可変抵抗４と。
３個のダイオード５と、３個のバイアス電源６と。
固定抵抗７とから成っている。Ｂは発光ダイオード１の
バイアス電源である。
バイアス電源である。
上記の構成において、非線形回路３の非線形特性は可変
抵抗４およびバイアス電源６のそれぞれの値を調整する
ことにより、ある程度希望する特性にすることができる
が、この非線形回路が折れ線近似とよばれる近似方法を
とっているために。
抵抗４およびバイアス電源６のそれぞれの値を調整する
ことにより、ある程度希望する特性にすることができる
が、この非線形回路が折れ線近似とよばれる近似方法を
とっているために。
正確な歪補償には可変抵抗、ダイオード、バイアス電源
からなる直列回路をなるべく多くして折れ−線の数を増
やす必要がある。また１品種毎に、さらには同一品種で
も単体毎に異なる非線形特性をもつ光源デバイスにこの
回路を適用するだめには。
からなる直列回路をなるべく多くして折れ−線の数を増
やす必要がある。また１品種毎に、さらには同一品種で
も単体毎に異なる非線形特性をもつ光源デバイスにこの
回路を適用するだめには。
６の電圧を変えて調整しなおす必要がある。
上記のようなことから従来の回路では、先に簡単に説明
したが９次のような欠点があった。すなわち正確な補償
をするには回路規模が大きくなり。
したが９次のような欠点があった。すなわち正確な補償
をするには回路規模が大きくなり。
又非線形特性の調整をするための隅整箇所が多くて調整
方法がむづかしく、更に、 ＬＥＤの歪特性が温度で変
イヒするので、補償回路の非線形特性を温度によって正
確に変化させることが調整箇所が多過ぎるために困難で
あって、歪補償特性の温度特性を良くすることがむづか
しかったのであるー。
方法がむづかしく、更に、 ＬＥＤの歪特性が温度で変
イヒするので、補償回路の非線形特性を温度によって正
確に変化させることが調整箇所が多過ぎるために困難で
あって、歪補償特性の温度特性を良くすることがむづか
しかったのであるー。
第２図は本発明第１の実施例の回路構成をあられした図
である。入力信号Ｓは増幅器１１で増幅され、抵抗１２
を通してＬＥＤ １３に加えられる。
である。入力信号Ｓは増幅器１１で増幅され、抵抗１２
を通してＬＥＤ １３に加えられる。
ＬＥＤ １３は抵抗１４を通してバイアス電流Ｂが加え
られている。増幅器１１の出力端子から抵抗値がＲ１め
抵抗（これをＲ１であられす、以下同様）の接続された
負側の入力端子へは、一方は抵抗Ｒ２を通し他方は抵抗
Ｒ３と電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）１５の直列回路
を通して信号が帰還されているため、この段での増幅度
Ａは、負帰還増幅器′の増幅度の計算方法により。
られている。増幅器１１の出力端子から抵抗値がＲ１め
抵抗（これをＲ１であられす、以下同様）の接続された
負側の入力端子へは、一方は抵抗Ｒ２を通し他方は抵抗
Ｒ３と電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）１５の直列回路
を通して信号が帰還されているため、この段での増幅度
Ａは、負帰還増幅器′の増幅度の計算方法により。
となる。ただしｒはＰＥＴ １５のドレイン・ソース間
抵抗値である。ところでＦＥＴのドレイン・ソース間抵
抗ｒｌ’（ダートに加えられた制御電圧ｖｃによってほ
ぼ決定するが、ソース・ドレイン間電圧によっても多少
変化する。すなわち、ＦＥＴ１５を抵抗値ｒの抵抗体と
見だとき、端子電圧により抵抗値が変化する。これは抵
抗Ｒ３とＦＥＴ１５の直列回路の電流。
抵抗値である。ところでＦＥＴのドレイン・ソース間抵
抗ｒｌ’（ダートに加えられた制御電圧ｖｃによってほ
ぼ決定するが、ソース・ドレイン間電圧によっても多少
変化する。すなわち、ＦＥＴ１５を抵抗値ｒの抵抗体と
見だとき、端子電圧により抵抗値が変化する。これは抵
抗Ｒ３とＦＥＴ１５の直列回路の電流。
電圧特性が非線形性をもっていることを意味する。
したがって前述した第２図の中の帰還増幅器の増幅度も
、前記の増幅度の式にしだがって非線形を示すことにな
る。
、前記の増幅度の式にしだがって非線形を示すことにな
る。
第３図は上記の帰還増幅器にビデオ信号ＶＳを通し、そ
の信号レベルと歪補償（ＤＧ）特性を信号ＶＳのレベル
を０（黒に相当）から実用上の最大工面（白に相当）ま
で変えて測定した結果を示す。図から分るように、ＦＥ
Ｔ１５の非線形性のために右上がりのＤＧ特性が実現さ
れている。なお、このＤＧ特性は制御電圧ｖｃの値で変
えることができ、Ｖｃ＝５Ｖの非線形特性のない状態か
らＶ。＝２ＶのＤＧ特性が４チとなる状態まで、広い範
囲をカバーできる。このため９本実施例の回路は右下が
りの■特性をもつ多くの品種の光源デバイスの歪補償回
路として有効である。
の信号レベルと歪補償（ＤＧ）特性を信号ＶＳのレベル
を０（黒に相当）から実用上の最大工面（白に相当）ま
で変えて測定した結果を示す。図から分るように、ＦＥ
Ｔ１５の非線形性のために右上がりのＤＧ特性が実現さ
れている。なお、このＤＧ特性は制御電圧ｖｃの値で変
えることができ、Ｖｃ＝５Ｖの非線形特性のない状態か
らＶ。＝２ＶのＤＧ特性が４チとなる状態まで、広い範
囲をカバーできる。このため９本実施例の回路は右下が
りの■特性をもつ多くの品種の光源デバイスの歪補償回
路として有効である。
第４図は本発明第２の実施例の構成を示した図であり、
第２図と同じ部品には同じ参照数字を付してちる。図か
ら分るように、第２図で増幅器１１の出力端子と入力端
子間に挿入されていたＦＥＴ １５と抵抗Ｒ３の直列回
路が、この場合入力端子と接地を接続する枝路にＦＥＴ
１５と抵抗Ｒ４の直列回路として挿入されている。た
だし抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ４の抵抗値は゛必ずしも等しくは
ない。この構成における負帰還増幅器が非線形特性を示
す理由は、第２図の場合と同じく、負帰還量が非線形性
をもつことにいにより、第２図と第３図ではちょうど逆
極性の非線形特性を示す。これを第３図に示したＤＧ特
性で比較すると、第２図のＤＧ特性が右上すなのに対し
、第４図のＤＧ特性は右下がりになっている。このため
、この実施例の回路はＤＧ特性が右上がりを示す光源デ
バイスの歪補償に有効である。
第２図と同じ部品には同じ参照数字を付してちる。図か
ら分るように、第２図で増幅器１１の出力端子と入力端
子間に挿入されていたＦＥＴ １５と抵抗Ｒ３の直列回
路が、この場合入力端子と接地を接続する枝路にＦＥＴ
１５と抵抗Ｒ４の直列回路として挿入されている。た
だし抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ４の抵抗値は゛必ずしも等しくは
ない。この構成における負帰還増幅器が非線形特性を示
す理由は、第２図の場合と同じく、負帰還量が非線形性
をもつことにいにより、第２図と第３図ではちょうど逆
極性の非線形特性を示す。これを第３図に示したＤＧ特
性で比較すると、第２図のＤＧ特性が右上すなのに対し
、第４図のＤＧ特性は右下がりになっている。このため
、この実施例の回路はＤＧ特性が右上がりを示す光源デ
バイスの歪補償に有効である。
第５図は本発明第３の実施例の構成をあられした図であ
る。第１．第２の実施例では帰還敬に非線形性を持たせ
るために抵抗Ｒ１あるいは抵抗Ｒ２に並列に非線形回路
を接続したが、この第３の実施例ではこれを抵抗Ｒ５と
抵抗Ｒ６とＦＥＴ１５の直列回路による分圧回路によシ
行っている。なお２本実施例の回路はＤＧ特性の傾きが
第２の実施例の場合と同じく右下りの特性を示すことか
ら、右上りのＤＧ特性をもつ光源デバイスの歪補償に有
効である。
る。第１．第２の実施例では帰還敬に非線形性を持たせ
るために抵抗Ｒ１あるいは抵抗Ｒ２に並列に非線形回路
を接続したが、この第３の実施例ではこれを抵抗Ｒ５と
抵抗Ｒ６とＦＥＴ１５の直列回路による分圧回路によシ
行っている。なお２本実施例の回路はＤＧ特性の傾きが
第２の実施例の場合と同じく右下りの特性を示すことか
ら、右上りのＤＧ特性をもつ光源デバイスの歪補償に有
効である。
前述した第１から第３の実施例では、帰還増幅器の帰還
回路にＦＥＴを用いて非線形性をもたせることによ＃）
ＬＥＤと反対の歪特性を作っているが、これは従来の回
路に比較して回路構成が簡単であり。
回路にＦＥＴを用いて非線形性をもたせることによ＃）
ＬＥＤと反対の歪特性を作っているが、これは従来の回
路に比較して回路構成が簡単であり。
又調整箇所が少く、而も多品種の光源デバイスの歪補償
に適用する際もＦｇＴのダート電圧を変えるだけで済む
ので簡単である。
に適用する際もＦｇＴのダート電圧を変えるだけで済む
ので簡単である。
またＬＥＤの歪特性は一般に温度によって変化するが１
本発明の回路ではＦＥＴの制御電圧を変えることにより
簡単にＤＧ特性を変化することができるため。
本発明の回路ではＦＥＴの制御電圧を変えることにより
簡単にＤＧ特性を変化することができるため。
この電圧を温度に応じて変化させることにより広い温度
範囲にわたる歪補償が実現できる。−−ｉヒ第６図はこ
のだめの制御電圧発生回路の１例を示す図である。これ
は、電圧Ｂを抵抗１６とサーミスター７で分割し、増幅
器１８で増幅して制御電圧Ｖを得るものである。すなわ
ちサーミスタの温度特性を適当に選ぶことにより、制御
電圧■。をＤＧのイ直が所望の大きさになるように変化
させるととができる。
範囲にわたる歪補償が実現できる。−−ｉヒ第６図はこ
のだめの制御電圧発生回路の１例を示す図である。これ
は、電圧Ｂを抵抗１６とサーミスター７で分割し、増幅
器１８で増幅して制御電圧Ｖを得るものである。すなわ
ちサーミスタの温度特性を適当に選ぶことにより、制御
電圧■。をＤＧのイ直が所望の大きさになるように変化
させるととができる。
以上述べたように本発明は構成が簡単で且つ調整しやす
い歪補償回路であり、さらに、温度特性のすぐれた歪補
償回路を提供する。このため、たとえばビデオ信号等の
アナログ信号用光送信装置を小形化でき、多品種の光源
デバイスに対応できる歪補償回路をもつ光送信装置を構
成でき、更に温度特性のすぐれた。低歪特性の光送信装
置を提供することができる。
い歪補償回路であり、さらに、温度特性のすぐれた歪補
償回路を提供する。このため、たとえばビデオ信号等の
アナログ信号用光送信装置を小形化でき、多品種の光源
デバイスに対応できる歪補償回路をもつ光送信装置を構
成でき、更に温度特性のすぐれた。低歪特性の光送信装
置を提供することができる。
第１図は従来の歪補償回路の構成をあられした図、第２
図は本発明の第１の実施例の構成をあられした図、第３
図は第１の実施例の歪補償特性を示しだ図、第４図およ
び第５図は本発明の第２および第３の実施例の構成をそ
れぞれあられした口笛６図は歪補償回路に用いられるＦ
ＥＴの制御電圧を発生する回路め構成の一例を示した図
である。 記号の説明：１１は増幅器、１２は抵抗、１３はＬＥＤ
、１５はＦＥＴ、１７はサーミスタ、１８は増幅器、Ｒ
４−Ｒ６は抵抗（値）、ｒはＦＥＴ １５のドレイン・
ノース間抵抗、ｖｃは制御電圧制御電圧をそれぞれあら
れしている。
図は本発明の第１の実施例の構成をあられした図、第３
図は第１の実施例の歪補償特性を示しだ図、第４図およ
び第５図は本発明の第２および第３の実施例の構成をそ
れぞれあられした口笛６図は歪補償回路に用いられるＦ
ＥＴの制御電圧を発生する回路め構成の一例を示した図
である。 記号の説明：１１は増幅器、１２は抵抗、１３はＬＥＤ
、１５はＦＥＴ、１７はサーミスタ、１８は増幅器、Ｒ
４−Ｒ６は抵抗（値）、ｒはＦＥＴ １５のドレイン・
ノース間抵抗、ｖｃは制御電圧制御電圧をそれぞれあら
れしている。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 発光ダイオード、半導体レーザなどの光源デバイ
スで電気信号を光信号に変換する際に該光源デバイスで
発生する歪成分を補償するだめの歪補償回路において、
前記電気信号を入力信号とし。 前記光源デバイスを駆動するだめの信号を出力信号とし
、さらに帰還量で増幅度が決まるように構成されている
帰還形増幅器と、前記帰還量を与える回路中に、制御電
圧の変化によるドレイン・ソース間抵抗の変化が前記帰
還量の変化となるように配置された電界効果トランジス
タと。 前記制御電圧を与える制御電圧発生回路とを有すること
を特徴とする歪補償回路。 ２、前記制御電圧が周囲温度と共に変化するような制御
電圧であることを特徴とする特許請求の範囲第１項の歪
補償回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56180301A JPS5883445A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 歪補償回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56180301A JPS5883445A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 歪補償回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5883445A true JPS5883445A (ja) | 1983-05-19 |
| JPS626376B2 JPS626376B2 (ja) | 1987-02-10 |
Family
ID=16080804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56180301A Granted JPS5883445A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 歪補償回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5883445A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59207755A (ja) * | 1983-04-27 | 1984-11-24 | エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン | 光送信機 |
| JPS60150845U (ja) * | 1984-03-17 | 1985-10-07 | ソニー株式会社 | 光通信用発光ダイオ−ドの非線形歪補償回路 |
| JPS62272631A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-26 | Fujitsu Ltd | 歪発生回路 |
-
1981
- 1981-11-12 JP JP56180301A patent/JPS5883445A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59207755A (ja) * | 1983-04-27 | 1984-11-24 | エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン | 光送信機 |
| JPH0473656B2 (ja) * | 1983-04-27 | 1992-11-24 | ||
| JPS60150845U (ja) * | 1984-03-17 | 1985-10-07 | ソニー株式会社 | 光通信用発光ダイオ−ドの非線形歪補償回路 |
| JPS62272631A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-26 | Fujitsu Ltd | 歪発生回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS626376B2 (ja) | 1987-02-10 |
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