JPS62272631A - 歪発生回路 - Google Patents

歪発生回路

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JPS62272631A
JPS62272631A JP61116462A JP11646286A JPS62272631A JP S62272631 A JPS62272631 A JP S62272631A JP 61116462 A JP61116462 A JP 61116462A JP 11646286 A JP11646286 A JP 11646286A JP S62272631 A JPS62272631 A JP S62272631A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
amplifier
input terminal
signal
operational amplifier
distortion
Prior art date
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Pending
Application number
JP61116462A
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English (en)
Inventor
Akihiko Ichikawa
明彦 市川
Tsutomu Fukugahara
福川原 勤
Kazuyoshi Shimizu
和義 清水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPS62272631A publication Critical patent/JPS62272631A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 〔概要〕 本発明は、非直線素子として電界効果トランジスタを用
いた歪発生回路において、任意の歪量を発生させるため
、電界効果トランジスタのドレイン・ソース間に入力信
号をn倍したものを加え、電界効果トランジスタのゲー
トに入力信号をm倍したものを加えるようにしたもので
ある。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電界効果トランジスタ(以下F B ’rと
称する)を用いた歪発生回路に関するものである。
第3図は一例のLEDの駆動電流と光出力パワーの関係
を示す図である。同図において横軸は、駆動電流、縦i
は光出力パワーを示す。
第4図は一例の非直線特性を有する素子としての、FE
Tのドレイン・ソース間電圧とドレイン・ソース間電流
の関係を示す図である。同図において横軸は、I・レイ
ン・ソース間電圧、縦軸はトレイン・ソース間電流を示
す。
光通信の光源として使用される発光ダイオード(以下L
 E Dと称する)は、駆動電流と光出力パワーとの間
に第3図に示す特性を有し、駆動電流の増大とともに特
性が直線からはずれ、出力光パワーが飽和する。
このため、該LEDを駆動する場合、出力に歪が発生す
る事がある。
この歪を打ち消すために、LEDの駆動回路に、第4図
に示すような非直線特性を有する素子を使用した、第5
図に一例を示す歪発生回路が使用されるが、その歪発生
量は任意に変えられるものである事が望ましい。
〔従来の技術〕
第5図は従来例の歪発生回路の構成を示す図である。
第5図において、演算増幅器lのプラスの入力端子aに
アナログの映像、又は音声信号が入力される。
同演算増幅器1の出力電圧を、抵抗R1を介してフィー
ドハックして得られる点pの電圧が、同演算増幅器1の
マイナスの入力端子すに加えられる。
上記の点pは、可変抵抗Rv、及びFET2のドレイン
に接続され、該可変抵抗Rνの他端、及び該FET2の
ソースは接地される。
そして、該可変抵抗Rνの中間の可動端子qがFET2
のゲートに接続される。
上述のFET2のドレイン・ソース間電流1dsは、ド
レイン・ソース間電圧Vds、ゲート・ソース間電圧V
gsを用いて、次式で表される。
−−一 ■ ここで、C,、C,は定数である。
第5図の歪発生回路の入力電圧をVin、出力電圧をV
outとする。
演算増幅器1の性質から、そのプラスの入力端子aとマ
イナスの入力端子すの電位は等しくなる。
このため、 Vd5= Vin、  −−一 ■ が得られる。
可変抵抗Rvにより、ドレイン・ソース間電圧Vdsの
m倍(0=m≦1)の電圧をゲートに加えるとすると、 Vgs=mVds=mVin、(0=m≦1)−一■と
なる。
FET2のインピーダンスRdsに対し、Rv >>R
ds、  J  >>Rdsとすると、Vout 〜−
I dsRf−m−■ となる。
■〜■弐より Vout  〜CI   Rf(C2Vin+ f(m
)  Vin   )−m−■ となる。
である。
したがって、可変抵抗Rvによりゲートへの帰還量を変
える(0=m≦1)事により、発生ずる二次中の極性と
量を変える事が出来る。
0式において、f (m)は二次中の発生量を示す。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら上述の従来例における歪発生回路において
は、可変抵抗Rvによりf (m)は−172から1/
2まで変化するが、それ以外の値をとる事が出来ない。
即ち、従来例の歪発生回路においては、発生する歪量が
極めて限定されるという問題点があった。
〔問題点を解決するだめの手段〕
上記問題点iよ、入力信号を二つに分岐し、−力をn倍
の減衰器又は増幅器を介して演算増幅器のプラスの入力
端子に接続し、他方をm倍の減衰器、又は増幅器を介し
て非直線特性を有する素子に人力し、その出力を上記の
演算増幅器のマイナスの入力端子に接続し、同演算増幅
器のマイナスの入力端子と、同演算増幅器の出力端子間
に抵抗を接続するようにした本発明の歪発生回路によっ
て解決される。
〔作用〕
本発明によれば、入力信号(Vin)を二つに分岐し、
一方をn倍の増幅器、又は減衰器を介して、nVinと
なった電圧を演算増幅器のプラスの入力端子に加える。
そして同演算増幅器のマイナスの入力端子には、非直線
特性を有する素子の出力電圧(Voとする)を加える。
同演算増幅器は、プラスの入力端子とマイナスの入力端
子が等しくなる性質を有するため5.結局Vo−nVi
nとなる。
一方、入力信号を二つに分岐したもう一方の入力は、m
倍の増幅器、又は減衰器を介して、mVinとなった電
圧を上記の非直線特性を有する素子に加える。
この非直線特性を有する素子は、その出力電流(ioと
する)が、その入力端子(mVin)と出力電圧(Vo
 = n Vin)の−次と二次の項から成りたってお
り、かつ、演算増幅器の出力電圧(Vout)と非直線
特性を有する素子の出力電流(I o)が比例の関係に
あるため、結局出力電圧(Vout)は、非直線特性を
有する素子の入力電圧(m V in)と、その出力電
圧(nVin)の−次と二次の項の結合した式から成り
、歪量を発生ずる事になる。
更に、n、mに対応する素子が能動素子の場合、その増
幅作用によりn、mの制約がなくなるため、歪発生量の
変域は極めて大きくなる。
〔実施例〕
第1図は本発明の原理図である。
第2図は本発明の実施例の歪発生回路の構成を示す図で
ある。
企図を通じて同一符号は同一対象物を示す。
第1図の原理図において、非直線特性を有する素子人の
入力電圧をVgs、出力電圧をVds、出力電流をId
sとする。
従来例で使用した式、 Ids=CI((Vgs−C))Vds−↓Vds’1
において、 Vds=nVin V(Hs=mVin Vout  〜−IdsRz となるため、 Vout  =CIRfn  (CIVin+  f 
 (nX m)V+n   )が得られる。
ここに、 である。
この結果、n、mに対応する素子が受動素子で構成され
る場合、0〈n≦1.0≦m≦1よりf (n、、m)
の変域は、 となり、マイナス方向の歪発生量が従来の倍となる。
更に、n、mに対応する素子が能動素子で構成される場
合、その増幅作用によりn、mの制約がなくなるため、
f (n、 m)の変域は極めて大きくなる。
次に第2図の実施例について説明する。
アナログ入力の映像信号、又は音声信号が分岐されて、
一方は低tKR+  を介して演算増幅器1のプラスの
入力端子aに入力される。
同人力端子aと、アース間には抵抗Rユが接続されてい
る。
この結果、演算増幅器lのプラスの入力端子aには、 p。
に■↑にユ に減衰した信号が入力される事になる。
他方、分岐されたもう一方の人力信号は、増幅器6のプ
ラスの入力端子Cに入力される。
同増幅器6のマイナスの入力端子dとアース間には、可
変抵抗Rvlが接続され、又、同人力端子dと同増幅器
6の出力の間には、抵抗R3が接続される。
ここでも、増幅器6のプラスとマイナスの入力端子の電
圧が等しいという増幅器6の性質から、増幅器6の利得
mは、 と求められる。
このため、可変抵抗Rν1により、mの値を大幅ば、上
式のmに類似の式が得られ、nの値を大幅に変える事が
出来る。
この結果、FET2の歪発生量を任意に変える事が可能
となり、−各種光通信用のLEDの歪補償を行う事が出
来る。
〔発明の効果〕
以上説明のように本発明による歪発生回路によれば、F
 E ”I’のドレイン・ソース間に入力信号をn倍し
たものを加え、FETのゲートに入力信号をm倍したも
のを加える事により、任意の歪量を発生させる事が出来
、各種光通信用のLEDの歪補償を十分に行う事が出来
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の原理ブロック図、 第2図は本発明の実施例の歪発生回路の構成を示すブロ
ック図、 第3図は一例のLEDの駆動電流と光出力パワーの関係
を示す特性図、 第4図は一例の非直線特性を有する素子としての、FE
Tのドレイン・ソース間電圧 とドレイン・ソース間電流の関係を示 す特性図、 第5図は従来例の歪発生回路の構成を示すブロック図で
ある。 図において ■は演算増幅器、2はFET、 3は分岐部、 4は利得、又は減衰量がn倍の増幅器、又は減衰器、 5は利得、又は減衰量がm倍の増幅器、又は減衰器、 6は増幅器、 Aは非直線特性を有する素子 を示す。 茎2 目 、駆動室−”rL

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)入力信号を二つに分岐し、一方をn倍の減衰器、
    又は増幅器(4)を介して演算増幅器のプラスの入力端
    子に接続し、 他方をm倍の減衰器、又は増幅器(5)を介して非直線
    特性を有する素子(A)に入力し、 その出力を上記の演算増幅器のマイナスの入力端子に接
    続し、 上記の演算増幅器のマイナスの入力端子と、同演算増幅
    器の出力端子間に抵抗を接続した事を特徴とする歪発生
    回路。
  2. (2)前記非直線特性を有する素子(A)はゲートを入
    力とし、ドレインを出力とし、ソースを接地した電界効
    果トランジスタである事を特徴とする特許請求の範囲第
    1項記載の歪発生回路。
JP61116462A 1986-05-20 1986-05-20 歪発生回路 Pending JPS62272631A (ja)

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JP61116462A JPS62272631A (ja) 1986-05-20 1986-05-20 歪発生回路

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JPS62272631A true JPS62272631A (ja) 1987-11-26

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ID=14687710

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5168175A (en) * 1990-02-21 1992-12-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor integrated circuit using junction field effect transistor as current control element

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5883445A (ja) * 1981-11-12 1983-05-19 Nec Corp 歪補償回路
JPS5890788A (ja) * 1981-11-25 1983-05-30 Nec Corp 半導体発光ダイオ−ドの駆動装置

Patent Citations (2)

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