JPS62256445A - キヤピラリツ−ル - Google Patents
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- JPS62256445A JPS62256445A JP61099704A JP9970486A JPS62256445A JP S62256445 A JPS62256445 A JP S62256445A JP 61099704 A JP61099704 A JP 61099704A JP 9970486 A JP9970486 A JP 9970486A JP S62256445 A JPS62256445 A JP S62256445A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 235000008429 bread Nutrition 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の目的)
(産業上の利用分野)
本発明はキャピラリツールに係り、特にボールボンディ
ングにより半導体デツプの電極にバンプを形成するため
のキレピラリツールに関する。
ングにより半導体デツプの電極にバンプを形成するため
のキレピラリツールに関する。
(従来の技術)
従来、゛ボールボンディングを用いてバンプを形成する
場合は、半導体チップの上面に形成された電極上に、キ
ャピラリの先端からの金属ワイヤを、ボンディングして
金属ボールを形成し、上記キャピラリを平行移動させた
り、1tv動させて上記金属ワイVと金属ボールとの境
界部分に応力集中や金属疲労を生じさせ、その後にクラ
ンパで金属ワイヤを把持してキャピラリを上昇さぼるこ
とにより、上記応力集中部分で金属ワイヤを切断してバ
ンプを形成するようにしている。
場合は、半導体チップの上面に形成された電極上に、キ
ャピラリの先端からの金属ワイヤを、ボンディングして
金属ボールを形成し、上記キャピラリを平行移動させた
り、1tv動させて上記金属ワイVと金属ボールとの境
界部分に応力集中や金属疲労を生じさせ、その後にクラ
ンパで金属ワイヤを把持してキャピラリを上昇さぼるこ
とにより、上記応力集中部分で金属ワイヤを切断してバ
ンプを形成するようにしている。
第3図は従来のキャピラリを示したもので、4゜ヤビラ
リ1の中心軸上には、金属ワイヤが導通される孔部2が
形成され、この孔部2の下方部分は、安定して金属ボー
ルを形成するために下方に向かって拡がるテーバ状に形
成されている。
リ1の中心軸上には、金属ワイヤが導通される孔部2が
形成され、この孔部2の下方部分は、安定して金属ボー
ルを形成するために下方に向かって拡がるテーバ状に形
成されている。
(発明が解決しようとする問題点)
上記キャピラリ1の場合、孔部2の最小内径部Rがキャ
ピラリ1の中心軸と平行に形成されているため、金属ワ
イヤと金属ボールとの境界部分に応力集中を招く切欠き
ゃ金属疲労を効果的にかつ安定して形成することができ
ないという問題を有している。
ピラリ1の中心軸と平行に形成されているため、金属ワ
イヤと金属ボールとの境界部分に応力集中を招く切欠き
ゃ金属疲労を効果的にかつ安定して形成することができ
ないという問題を有している。
本発明は上記した点に鑑みてなされたもので、ボンディ
ングした金属ボールと金属ワイVとの境界部分に効果的
にかつ安定して応力集中のための切欠き等を形成し、安
定したバンプを形成することのできるキャピラリツール
を提供することを目的とするものである。
ングした金属ボールと金属ワイVとの境界部分に効果的
にかつ安定して応力集中のための切欠き等を形成し、安
定したバンプを形成することのできるキャピラリツール
を提供することを目的とするものである。
(問題点を解決するだめの手段)
上記目的を達成するため本発明に係るキャピラリツール
は、金属ワイヤが導通される孔部の最小内径部に内方に
突出づるエツジを周設して構成されている。
は、金属ワイヤが導通される孔部の最小内径部に内方に
突出づるエツジを周設して構成されている。
く作 用)
本発明は、上記エツジによりキャピラリツールを揺動あ
るいは振動させたときに金属ワイヤに切欠きを形成する
ことができ、効果的に応力集中1を図り金属ワイψをV
J断することができる。
るいは振動させたときに金属ワイヤに切欠きを形成する
ことができ、効果的に応力集中1を図り金属ワイψをV
J断することができる。
(実施例)
以下、本発明の実施例を第1図および第2図を参照して
説明する。
説明する。
第1図は本発明の一実施例を示したもので、キャピラリ
1の孔部2の最小内径部最下端部には、内方に突出する
エツジ3が周設されており、このエツジ3は、その下面
が中心軸と直角に形成されるとともに、その上面が上方
に傾斜したテーパ状に形成されている。
1の孔部2の最小内径部最下端部には、内方に突出する
エツジ3が周設されており、このエツジ3は、その下面
が中心軸と直角に形成されるとともに、その上面が上方
に傾斜したテーパ状に形成されている。
第2図は上記第1図に示すキャピラリツールを用いて半
導体チップの電極上にバンプを形成する手段を示したも
ので、キャピラリ1を下降させ、ボンディングにより半
導体チップ4の電極5上に金属ボール6を熱圧着あるい
は超音波圧着により圧着する。次に、キャピラリ1のボ
ンディング荷重を抜いた状態で、キャピラリ1を半導体
デツプ4の素子面と平行に往復動させる。この往復動の
回数および移動1は、金属ワイヤ8の品種等に応じて任
意に設定することができ、さらに、往復動ではなく振動
を与えるようにしてもよい。
導体チップの電極上にバンプを形成する手段を示したも
ので、キャピラリ1を下降させ、ボンディングにより半
導体チップ4の電極5上に金属ボール6を熱圧着あるい
は超音波圧着により圧着する。次に、キャピラリ1のボ
ンディング荷重を抜いた状態で、キャピラリ1を半導体
デツプ4の素子面と平行に往復動させる。この往復動の
回数および移動1は、金属ワイヤ8の品種等に応じて任
意に設定することができ、さらに、往復動ではなく振動
を与えるようにしてもよい。
そして、上記キャピラリ1の往復動により、金属ワイA
78と金属ボール6との境界部分に、エツジ3が衝接す
るので、その部分に応力集中による切欠きあるいは金属
疲労が発生する。その後、クランパ7を上方に移動させ
金属ワイA78に上方(Z軸方向)へ引張りを与えるこ
とにより、上記境界部分に生じた切欠き等の彰彎で、金
属ボール6と金属ワイヤ8とが切り離され、パン79が
形成される。
78と金属ボール6との境界部分に、エツジ3が衝接す
るので、その部分に応力集中による切欠きあるいは金属
疲労が発生する。その後、クランパ7を上方に移動させ
金属ワイA78に上方(Z軸方向)へ引張りを与えるこ
とにより、上記境界部分に生じた切欠き等の彰彎で、金
属ボール6と金属ワイヤ8とが切り離され、パン79が
形成される。
したがって、本実施例においては、上記エツジ3により
確実に切欠きを付けることができるので、金属ワイV8
を切断治具を用いることなく、一定の位置で切断するこ
とができ、安定したバンプ9を形成することが可能とな
る。
確実に切欠きを付けることができるので、金属ワイV8
を切断治具を用いることなく、一定の位置で切断するこ
とができ、安定したバンプ9を形成することが可能とな
る。
以上述べたように本発明に係るキャピラリツールは、金
属ワイA7が導通される孔部の最小内径部にエツジを設
け、このエツジにより金属ワイψに応力集中のための切
欠きを形成するようにしたので、金属ワイνを一定の位
置で切断することができ、安定したバンプを形成するこ
とができる等の効果を奏する。
属ワイA7が導通される孔部の最小内径部にエツジを設
け、このエツジにより金属ワイψに応力集中のための切
欠きを形成するようにしたので、金属ワイνを一定の位
置で切断することができ、安定したバンプを形成するこ
とができる等の効果を奏する。
第1図は本発明の一実施例を示す縦断面図、第2図は第
1図のキャピラリツールを用いてボールボンディングを
行なう場合の説明図、第3図は従来のキャピラリツール
を示す縦断面図である。 1・・・キャピラリツール、2・・・孔部、3・・・エ
ツジ。
1図のキャピラリツールを用いてボールボンディングを
行なう場合の説明図、第3図は従来のキャピラリツール
を示す縦断面図である。 1・・・キャピラリツール、2・・・孔部、3・・・エ
ツジ。
Claims (1)
- 半導体チップの電極にボールボンディングによりバンプ
を形成するためのキャピラリツールにおいて、キャピラ
リツールの金属ワイヤが導通される縦方向孔部の最小内
径部に、内方に突出するエッジを周設したことを特徴と
するキャピラリツール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61099704A JPS62256445A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | キヤピラリツ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61099704A JPS62256445A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | キヤピラリツ−ル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62256445A true JPS62256445A (ja) | 1987-11-09 |
Family
ID=14254447
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61099704A Pending JPS62256445A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | キヤピラリツ−ル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62256445A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0469943A (ja) * | 1990-07-10 | 1992-03-05 | Mitsubishi Electric Corp | キヤピラリチツプ |
EP0834919A3 (en) * | 1996-10-01 | 2000-02-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor element having a bump electrode |
US6165888A (en) * | 1997-10-02 | 2000-12-26 | Motorola, Inc. | Two step wire bond process |
FR2816757A1 (fr) * | 2000-11-16 | 2002-05-17 | Orient Semiconductor Elect Ltd | Procede de soudage de fils sur une bosse de plaquette |
-
1986
- 1986-04-30 JP JP61099704A patent/JPS62256445A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0469943A (ja) * | 1990-07-10 | 1992-03-05 | Mitsubishi Electric Corp | キヤピラリチツプ |
EP0834919A3 (en) * | 1996-10-01 | 2000-02-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor element having a bump electrode |
US6207549B1 (en) | 1996-10-01 | 2001-03-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of forming a ball bond using a bonding capillary |
EP1158579A1 (en) * | 1996-10-01 | 2001-11-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Wire bonding capillary for forming bump electrodes |
SG103272A1 (en) * | 1996-10-01 | 2004-04-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor element, semiconductor element fabricating method, semiconductor device, and semiconductor device fabricating method |
US6894387B2 (en) | 1996-10-01 | 2005-05-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor element having protruded bump electrodes |
US7071090B2 (en) | 1996-10-01 | 2006-07-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor element having protruded bump electrodes |
US6165888A (en) * | 1997-10-02 | 2000-12-26 | Motorola, Inc. | Two step wire bond process |
FR2816757A1 (fr) * | 2000-11-16 | 2002-05-17 | Orient Semiconductor Elect Ltd | Procede de soudage de fils sur une bosse de plaquette |
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