JPS62256405A - サ−ジ吸収器の製造方法 - Google Patents
サ−ジ吸収器の製造方法Info
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- JPS62256405A JPS62256405A JP9961286A JP9961286A JPS62256405A JP S62256405 A JPS62256405 A JP S62256405A JP 9961286 A JP9961286 A JP 9961286A JP 9961286 A JP9961286 A JP 9961286A JP S62256405 A JPS62256405 A JP S62256405A
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- varistor
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- electrodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、IC(集積回路)を始めとする半導体素子を
静電気放電、圧電素子衝撃時・くルス電圧などの低いエ
ネルギーをもった異常高電圧から保護するだめのサージ
吸収器の製造方法に関するものである。
静電気放電、圧電素子衝撃時・くルス電圧などの低いエ
ネルギーをもった異常高電圧から保護するだめのサージ
吸収器の製造方法に関するものである。
従来の技術
近年、電子機器の小型化に伴い、IC及びLSI(大規
模集積回路)化が進んでいる。これらの半導体素子は優
れた機能をもつ反面、静電気などのパルス状異常電圧に
対して極めて敏感であり、そのため電子機器の誤動作を
招いたり、半導体素子自体が破壊に至ることもある。従
って、電子機器の信頼性確保、向上の観点からも、半導
体素子のサージ電圧対策は極めて重要である。
模集積回路)化が進んでいる。これらの半導体素子は優
れた機能をもつ反面、静電気などのパルス状異常電圧に
対して極めて敏感であり、そのため電子機器の誤動作を
招いたり、半導体素子自体が破壊に至ることもある。従
って、電子機器の信頼性確保、向上の観点からも、半導
体素子のサージ電圧対策は極めて重要である。
従来、これらの問題を解決する手段として用いられてい
るのが、第3図に示すサージ吸収器である。同図aは平
面図、同図すは正面図である。第3図において、1は酸
化亜鉛やチタン酸ストロチウムなどを主原料とする板状
のバリスタ、2及び3はバリスタ1の片面上に適宜の電
極間隔をもって分割形成された電極である。通常、電極
2,3は銀ペーストのスクリーン印刷後500〜800
°Cの焼付けによって形成されるが、その他アルミニウ
ム、ニッケル、クロム、金などの蒸着法、メ、ツキ法な
ども用いられる。ここで、tは電極2゜3間の電極間隔
であり、fは同様に電極2,3の対向電極長である。こ
のように形成されたサージ吸収器の電気端子はそれぞれ
電極2,3となるが、半田付けあるいはワイヤボンディ
ングなどで外部配線に接続されて用いられる。
るのが、第3図に示すサージ吸収器である。同図aは平
面図、同図すは正面図である。第3図において、1は酸
化亜鉛やチタン酸ストロチウムなどを主原料とする板状
のバリスタ、2及び3はバリスタ1の片面上に適宜の電
極間隔をもって分割形成された電極である。通常、電極
2,3は銀ペーストのスクリーン印刷後500〜800
°Cの焼付けによって形成されるが、その他アルミニウ
ム、ニッケル、クロム、金などの蒸着法、メ、ツキ法な
ども用いられる。ここで、tは電極2゜3間の電極間隔
であり、fは同様に電極2,3の対向電極長である。こ
のように形成されたサージ吸収器の電気端子はそれぞれ
電極2,3となるが、半田付けあるいはワイヤボンディ
ングなどで外部配線に接続されて用いられる。
次に、以上のように構成されたサージ吸収器の動作を説
明する。まず、バリスタ電圧はバリスタ1の厚みには関
係なく電極間隔距離tによって決まり、比例関係にある
。例えば、電極間隔距離tが0.2 ff1mではバリ
スタ電圧約1sVが得られ、距離tが1.0印以下では
γ6vが得られる特性となる。また、そのバリスタ特性
は対極面積の関係から、低電流領域においても高い非直
線特性を示す。
明する。まず、バリスタ電圧はバリスタ1の厚みには関
係なく電極間隔距離tによって決まり、比例関係にある
。例えば、電極間隔距離tが0.2 ff1mではバリ
スタ電圧約1sVが得られ、距離tが1.0印以下では
γ6vが得られる特性となる。また、そのバリスタ特性
は対極面積の関係から、低電流領域においても高い非直
線特性を示す。
また、サージ耐量は対向電極長Eに比例し、lを2倍に
すれば、バリスタ電圧を変えることなくサージ耐量を2
倍にすることができる。さらに、静電容量もその対極面
積から極めて小さなものであった。
すれば、バリスタ電圧を変えることなくサージ耐量を2
倍にすることができる。さらに、静電容量もその対極面
積から極めて小さなものであった。
発明が解決しようとする問題点
以上のような第3図に示される従来のサージ吸収器は、
そのバリスタ電圧が対向電極間距離によシ支配されるた
めに、対向電極の形成はその寸法において高い精度が要
求される。しかし、通常用いられるスクリーン印刷では
印刷時に発生する銀ペーストのにじみにより、その寸法
にバラツキが生じる。従って、この電極間隔距離tのバ
ラツキのために、バリスタ電圧にバラツキが生じるとい
う問題点があった。
そのバリスタ電圧が対向電極間距離によシ支配されるた
めに、対向電極の形成はその寸法において高い精度が要
求される。しかし、通常用いられるスクリーン印刷では
印刷時に発生する銀ペーストのにじみにより、その寸法
にバラツキが生じる。従って、この電極間隔距離tのバ
ラツキのために、バリスタ電圧にバラツキが生じるとい
う問題点があった。
本発明はこのような問題点を解決しようとするもので、
電極間隔距離のバラツキを低減することを目的とするも
のである。
電極間隔距離のバラツキを低減することを目的とするも
のである。
問題点を解決するための手段
本発明は前記問題点を解決するために、バリスタの片面
電極側の表面を10μm以下の表面粗さに研磨し、電極
印刷精度の向上をはかったものである。
電極側の表面を10μm以下の表面粗さに研磨し、電極
印刷精度の向上をはかったものである。
作用
本発明は前記した方法により、バリスタの片面電極側の
表面粗さを細かくし、電極印刷精度の向上をはかり、電
極間隔距離のバラツキを低減できることとなる。
表面粗さを細かくし、電極印刷精度の向上をはかり、電
極間隔距離のバラツキを低減できることとなる。
実施例
第1図a、bは本発明の一実施例によるサージ吸収器を
示す平面図と正面図であり、第1図a。
示す平面図と正面図であり、第1図a。
bにおいて、4は酸化亜鉛などを主原料とする板状のバ
リスタ、6及び6はバリスタ4の片面上に分割形成され
た電極、7は電極設置前に研磨されたバリスタ表面1
tは電極間隔距離、lは電極6゜6の対向電極長である
。
リスタ、6及び6はバリスタ4の片面上に分割形成され
た電極、7は電極設置前に研磨されたバリスタ表面1
tは電極間隔距離、lは電極6゜6の対向電極長である
。
第2図には表面粗さと電極間隔距離の関係を示している
。第2図において、横軸はバリスタ表面粗さを、縦軸は
電極間隔距離のバラツキ(標準偏差)σ。−1をそれぞ
れ示す。ここで、前述した第3図に示す従来のサージ吸
収器のバリスタ表面粗さは116μm程度であり、この
時の電極間隔距離のバラツキσn−+は16μm前後で
ある。そして、第2図より解るようにバリスタ表面粗さ
が10μmを超えた時1電極間隔距離のバラツキσn−
+はほぼ直線的に増加しており1表面粗さが10μm以
下であれば、バラツキσ。−4は6μm程度である。従
って1バリスタ表面粗さを10μm以下に研磨すれば、
電極間隔距離のバラツキσ。−5を671〜程度に低減
できるものである。
。第2図において、横軸はバリスタ表面粗さを、縦軸は
電極間隔距離のバラツキ(標準偏差)σ。−1をそれぞ
れ示す。ここで、前述した第3図に示す従来のサージ吸
収器のバリスタ表面粗さは116μm程度であり、この
時の電極間隔距離のバラツキσn−+は16μm前後で
ある。そして、第2図より解るようにバリスタ表面粗さ
が10μmを超えた時1電極間隔距離のバラツキσn−
+はほぼ直線的に増加しており1表面粗さが10μm以
下であれば、バラツキσ。−4は6μm程度である。従
って1バリスタ表面粗さを10μm以下に研磨すれば、
電極間隔距離のバラツキσ。−5を671〜程度に低減
できるものである。
第1図に示したサージ吸収器において、電極の設置され
るバリスタ表面7を、粒度#1500〜:#2000程
度の粗さの研磨剤で研磨することにより、その表面粗さ
を10μm以下にすることができる。この研磨されたバ
リスタ表面上に通常用いられるλgペーストのスクリー
ン印刷またはムl蒸着などを用いて、バラツキの低減さ
れた対向距離を有する電極を形成することができるもの
である。
るバリスタ表面7を、粒度#1500〜:#2000程
度の粗さの研磨剤で研磨することにより、その表面粗さ
を10μm以下にすることができる。この研磨されたバ
リスタ表面上に通常用いられるλgペーストのスクリー
ン印刷またはムl蒸着などを用いて、バラツキの低減さ
れた対向距離を有する電極を形成することができるもの
である。
発明の効果
以上のように、本発明によればサージ吸収器において電
極の設置されるバリスタ表面粗さを10μm以下に研磨
することによって、電極間隔距離のバラツキを低減する
という効果が得られ、バリスタ電圧のバラツキを抑制で
きることとなる。
極の設置されるバリスタ表面粗さを10μm以下に研磨
することによって、電極間隔距離のバラツキを低減する
という効果が得られ、バリスタ電圧のバラツキを抑制で
きることとなる。
第1図aは本発明の一実施例によるサージ吸収器を示す
平面図、同図すは同図&の正面図、第2図は本発明にお
いてバリスタ表面粗さと電極間隔距離のバラツキとの関
係を示す図、第3図aは従来のサージ吸収器を示す平面
図、同図すは同図aの正面図である。 4・・・・・・バリスタ、6.6・・・・・電極、7・
・・・・・バリスタ表面、t・・・・・・電極間隔距離
、e・・・・・・対向電極長。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名菓
1 図 4−・−バ
リスタ第2図 <b) 已mコーl
平面図、同図すは同図&の正面図、第2図は本発明にお
いてバリスタ表面粗さと電極間隔距離のバラツキとの関
係を示す図、第3図aは従来のサージ吸収器を示す平面
図、同図すは同図aの正面図である。 4・・・・・・バリスタ、6.6・・・・・電極、7・
・・・・・バリスタ表面、t・・・・・・電極間隔距離
、e・・・・・・対向電極長。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名菓
1 図 4−・−バ
リスタ第2図 <b) 已mコーl
Claims (1)
- 板状をなしたるバリスタの一平面上に複数分割された
電極を有し、前記分割電極間距離にて前記電極間バリス
タ電圧を設定するサージ吸収器の前記バリスタの片面電
極側の表面を10μm以下の表面粗さに研磨するように
したサージ吸収器の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9961286A JPS62256405A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | サ−ジ吸収器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9961286A JPS62256405A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | サ−ジ吸収器の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62256405A true JPS62256405A (ja) | 1987-11-09 |
Family
ID=14251917
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9961286A Pending JPS62256405A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | サ−ジ吸収器の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62256405A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59189604A (ja) * | 1983-04-13 | 1984-10-27 | 株式会社東芝 | 非直線抵抗体の製造方法 |
JPS60138902A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-23 | 富士電機株式会社 | フエイスボンデイング型電圧非直線抵抗磁器 |
-
1986
- 1986-04-30 JP JP9961286A patent/JPS62256405A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59189604A (ja) * | 1983-04-13 | 1984-10-27 | 株式会社東芝 | 非直線抵抗体の製造方法 |
JPS60138902A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-23 | 富士電機株式会社 | フエイスボンデイング型電圧非直線抵抗磁器 |
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