JPS62256226A - 無電解ＮｉＰめつきの前処理方法 - Google Patents
無電解ＮｉＰめつきの前処理方法Info
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- JPS62256226A JPS62256226A JP24548885A JP24548885A JPS62256226A JP S62256226 A JPS62256226 A JP S62256226A JP 24548885 A JP24548885 A JP 24548885A JP 24548885 A JP24548885 A JP 24548885A JP S62256226 A JPS62256226 A JP S62256226A
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- zincate
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- aluminum substrate
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Links
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は５表面平滑性が優れたＮＩＰめっき付磁気ディ
スク用アルミニウム基板（以下、アルミニウム基板とい
う）の製造方法に係わる。
スク用アルミニウム基板（以下、アルミニウム基板とい
う）の製造方法に係わる。
磁気ディスクは、ランダム・アクセス可能なコンピュー
タ周辺記録装置として広く普及している。特にアル５ニ
ウム上板上に磁性層を設けたリジッド・ディスクは、プ
ラスチックを基板とするフロッピーディスクと較べ、記
録密度が高く、アクセスに要する時間が短かい等の特長
がある。
タ周辺記録装置として広く普及している。特にアル５ニ
ウム上板上に磁性層を設けたリジッド・ディスクは、プ
ラスチックを基板とするフロッピーディスクと較べ、記
録密度が高く、アクセスに要する時間が短かい等の特長
がある。
近年、磁気ディスク装置の小型化、高密度化の傾向は著
しい。高密度化に伴ない、磁性媒体は従来の塗付型に代
わり、めっき磁性膜を用いるめっき型ディスク、スパッ
タ磁性膜を用いるスパッタ型ディスク等の薄膜磁性媒体
を用いるものが開発されて来ている。これら薄膜媒体を
用いた磁気ディスクでは磁性媒体膜の厚さが非常に薄い
のでめっき膜付アルミニウム基板の表面平滑度が十分で
ないと平滑な磁性媒体膜をうろことが難しいので、アル
ミニウム基板に対して特に表面平滑度での要求が従来に
なく厳しくなって来ている。無電解ＮＩＰめっき付アル
ミニウム基板に対してもこの様な要求がなされている。
しい。高密度化に伴ない、磁性媒体は従来の塗付型に代
わり、めっき磁性膜を用いるめっき型ディスク、スパッ
タ磁性膜を用いるスパッタ型ディスク等の薄膜磁性媒体
を用いるものが開発されて来ている。これら薄膜媒体を
用いた磁気ディスクでは磁性媒体膜の厚さが非常に薄い
のでめっき膜付アルミニウム基板の表面平滑度が十分で
ないと平滑な磁性媒体膜をうろことが難しいので、アル
ミニウム基板に対して特に表面平滑度での要求が従来に
なく厳しくなって来ている。無電解ＮＩＰめっき付アル
ミニウム基板に対してもこの様な要求がなされている。
通常、アル５ニウム上への無電解ＮＩＦめっきは脱脂１
表面エツチング処理、ジンケート（亜鉛置換）処理次い
でＮ ｉ Ｐめっき処理がなされている。本来的にＮＩ
Ｐめっき膜のアルミニウムヘの密着性がよくないために
、従来からアルミニウム素地を粗面化した上でジンケー
ト処理を行ってその密着性を向上させている。粗面化し
たアルミニウム素地酢めつき膜表面の平滑性への影響を
小さくするためにめっき膜を厚目に形成し、さらにその
表面を研磨して平滑面をうる方法がとられている。しか
し、この方法ｒ１研磨量が多く不経済である。めっきは
極力薄くシ、研磨量も少くすることが望ましく、その為
には。
表面エツチング処理、ジンケート（亜鉛置換）処理次い
でＮ ｉ Ｐめっき処理がなされている。本来的にＮＩ
Ｐめっき膜のアルミニウムヘの密着性がよくないために
、従来からアルミニウム素地を粗面化した上でジンケー
ト処理を行ってその密着性を向上させている。粗面化し
たアルミニウム素地酢めつき膜表面の平滑性への影響を
小さくするためにめっき膜を厚目に形成し、さらにその
表面を研磨して平滑面をうる方法がとられている。しか
し、この方法ｒ１研磨量が多く不経済である。めっきは
極力薄くシ、研磨量も少くすることが望ましく、その為
には。
めっき前の表面がなるべく平滑である必要がある。
ＮＩＰめっきを施したアルミニウム基板で、効率的に平
滑な研磨面を優る為には、平滑なめっき面を優る必要が
あり、このためには、前処理後でめっ＾前のアル＜ ニ
ウム基板面が平滑でなければならない。アルミニウム材
料の純度を高めることが酸やアルカリによる前処理で表
面が著しく侵されないようにするのに、−！た酸、アル
カリの処理が均一になさせるのに有効であることが知ら
れＣいる。即ちアルミニウム基板材としては従来５０８
６合金等が用いられて来たが。
滑な研磨面を優る為には、平滑なめっき面を優る必要が
あり、このためには、前処理後でめっ＾前のアル＜ ニ
ウム基板面が平滑でなければならない。アルミニウム材
料の純度を高めることが酸やアルカリによる前処理で表
面が著しく侵されないようにするのに、−！た酸、アル
カリの処理が均一になさせるのに有効であることが知ら
れＣいる。即ちアルミニウム基板材としては従来５０８
６合金等が用いられて来たが。
純ａ６ｆ９９．９１以上のアルミニウムに必要最少限の
合金成分（Ｍｇ等）を添加したものが用いられるように
なって来ている。
合金成分（Ｍｇ等）を添加したものが用いられるように
なって来ている。
ところで、無電解ＮＩＰめっきの前処理工程でアルミニ
ウム基板表面で発生する表面ムラの主原因はジンケート
処理にある。ジンケート処理では、アルカリ＃贋が２０
０〜３００ｆ、８ と比較的高い為、アルミニウム素地
は侵食される。特に問題なのは、均一に侵食されるとと
が難かしいことである。ジンケート処理前の水洗により
。
ウム基板表面で発生する表面ムラの主原因はジンケート
処理にある。ジンケート処理では、アルカリ＃贋が２０
０〜３００ｆ、８ と比較的高い為、アルミニウム素地
は侵食される。特に問題なのは、均一に侵食されるとと
が難かしいことである。ジンケート処理前の水洗により
。
被処理アルミニウム基板異面には水の膜が形成されてい
る。これを、ジンケート浴に浸漬すると、ジンケート浴
は比較的粘性が高いため、アルミニウム基板表面の水と
容易には混合せず。
る。これを、ジンケート浴に浸漬すると、ジンケート浴
は比較的粘性が高いため、アルミニウム基板表面の水と
容易には混合せず。
従ってアルミニウム基板面とジンケート浴とは不均一に
接することになる。ジンケート浴と水とは次第に混合し
て、アルミニウム基板表面は完全にアルカリ浴と接する
ととになるが、１れまでの間挿々な濃度のジンケート浴
に接し九アルミニウム基板表面はアルカリ濃度の違いに
よってエツチングのされ方が異なってしまう。とりわけ
薄まったジンケート浴に接したアルオニウム基板の表面
では、亜鉛置換が十分に行われないために十分な亜鉛被
覆がなされず、アルカリによるエツチングのみが先行、
その結果、めっき後１局部的に表面が粗れて白っばくな
る原因となっている。
接することになる。ジンケート浴と水とは次第に混合し
て、アルミニウム基板表面は完全にアルカリ浴と接する
ととになるが、１れまでの間挿々な濃度のジンケート浴
に接し九アルミニウム基板表面はアルカリ濃度の違いに
よってエツチングのされ方が異なってしまう。とりわけ
薄まったジンケート浴に接したアルオニウム基板の表面
では、亜鉛置換が十分に行われないために十分な亜鉛被
覆がなされず、アルカリによるエツチングのみが先行、
その結果、めっき後１局部的に表面が粗れて白っばくな
る原因となっている。
更に亜鉛置換が起ったにしても微細、且つ均一にはなら
ず、ノジ凰−ル形成の原因となる粗大で不均一な亜鉛析
出が生ずると考えられる。
ず、ノジ凰−ル形成の原因となる粗大で不均一な亜鉛析
出が生ずると考えられる。
従って、均一なジンケート処理を行うことが、 ＮＩＰ
めっき付アル１＝ウム基板で平滑な表面を得る上で重要
なことである。
めっき付アル１＝ウム基板で平滑な表面を得る上で重要
なことである。
本発明者等は鋭意研究した結果、アルミニウム基板を超
音波を加えながら、ジンケート処理をすることＫより、
上記問題点が解決することを見いだし本発明を完成した
。
音波を加えながら、ジンケート処理をすることＫより、
上記問題点が解決することを見いだし本発明を完成した
。
〔問題点を解決するための手段及び作用〕本発明は磁気
ディスク用アルミニウムｍ板の無電解ＮＩＰめっき処理
における画処理方法であって、前記アルミニウム基板を
超音波を印加しながらジンケート処理をすることを時機
とするものである。
ディスク用アルミニウムｍ板の無電解ＮＩＰめっき処理
における画処理方法であって、前記アルミニウム基板を
超音波を印加しながらジンケート処理をすることを時機
とするものである。
脱脂、表面エツチングは通常の方法によって行えばよく
０次いでジンケート処理を行う。ジンケート処理は超音
波を加える以外は通常の方法で行えばよい。
０次いでジンケート処理を行う。ジンケート処理は超音
波を加える以外は通常の方法で行えばよい。
超音波の振動子は、ジンケート槽内のどこに配置しても
良いが、アルミニウム基板各々に均一に作用することが
望ましいため、アルミニウム基板に平行な方向に配置す
るのが好ましい。
良いが、アルミニウム基板各々に均一に作用することが
望ましいため、アルミニウム基板に平行な方向に配置す
るのが好ましい。
振動はジンケート浴を介して伝わる為に振動子とアルミ
ニウム基板との距離は特に問題とはならないが、各アル
オニウム基板に均一に振動が作用することが望ましい。
ニウム基板との距離は特に問題とはならないが、各アル
オニウム基板に均一に振動が作用することが望ましい。
超音波振動の出力は、５０１楢で１００〜１００ＯＷ程
度、好ましくは３００〜６００Ｗであるが、槽容量に応
じて出力を増減するのが好ましい。出力が小さすぎると
ジンケート面の平滑化及び均一化の効果が不十分となり
、また大きすぎるとキャビテーシヨンを起して、アルさ
ニウム基板表面に傷を付けることがあるので好ましくな
い。
度、好ましくは３００〜６００Ｗであるが、槽容量に応
じて出力を増減するのが好ましい。出力が小さすぎると
ジンケート面の平滑化及び均一化の効果が不十分となり
、また大きすぎるとキャビテーシヨンを起して、アルさ
ニウム基板表面に傷を付けることがあるので好ましくな
い。
なお、ジンケート処理において、アルミニウム基板表面
に付着している洗浄水とジンケート浴との混合が、超音
波振動をジンケート槽に印加することＫよって、改善さ
れるものと考えられる。また、ジンケート槽へ超音波が
印加されることによって亜鉛置換が促進され、アルミニ
ウム基板異面の多くの個所で亜鉛置換反応が同時に起る
ために亜鉛粒子が粗大化することなく、微細な亜鉛粒子
の置換層が形成されるものと考えられる。
に付着している洗浄水とジンケート浴との混合が、超音
波振動をジンケート槽に印加することＫよって、改善さ
れるものと考えられる。また、ジンケート槽へ超音波が
印加されることによって亜鉛置換が促進され、アルミニ
ウム基板異面の多くの個所で亜鉛置換反応が同時に起る
ために亜鉛粒子が粗大化することなく、微細な亜鉛粒子
の置換層が形成されるものと考えられる。
ジンケート処理を施したアルミニウム基板は無＠解ＮＩ
Ｐメッキ槽に入れてＮｉＰめつき膜が形成される。無電
解ＮｉＰめっき処理は通常の方法によって行えばよい。
Ｐメッキ槽に入れてＮｉＰめつき膜が形成される。無電
解ＮｉＰめっき処理は通常の方法によって行えばよい。
なお、ジンケート処理は１回のみでもよいが。
複数回繰り返えしてもよく１通常２回実施するのが好ま
しい。ジンケート処理を複数回行うと色はジンケート処
理をジンケート処理との間で水洗および酸浴への浸漬処
理を行う。通常、浸漬処理に用いる浴は硝酸、硫酸また
はそれらの混酸浴である。この浸漬処理によってアルミ
ニウム基板の表面に形成された亜鉛層の一部は溶解除去
されることになる。
しい。ジンケート処理を複数回行うと色はジンケート処
理をジンケート処理との間で水洗および酸浴への浸漬処
理を行う。通常、浸漬処理に用いる浴は硝酸、硫酸また
はそれらの混酸浴である。この浸漬処理によってアルミ
ニウム基板の表面に形成された亜鉛層の一部は溶解除去
されることになる。
なお、超音波の印加はジンケート処理毎に行うのが好ま
しい。
しい。
磁気ディスク用アルξニウム基板に平滑かつ均一な亜鉛
置換層を形成することが可能となり、その結果、平滑性
の高い薄膜のＮＩＰめっきのアルミニウム基板がえられ
るようになる。捷た９研磨によって平滑面をだすために
厚目のめっき膜を形成する必要がなくなるので経済的で
ある。
置換層を形成することが可能となり、その結果、平滑性
の高い薄膜のＮＩＰめっきのアルミニウム基板がえられ
るようになる。捷た９研磨によって平滑面をだすために
厚目のめっき膜を形成する必要がなくなるので経済的で
ある。
直径５，２５インチ厚さ１．９０四のＡ／−４−Ｍｇ合
合金製磁気ディスク用アル−ニウム基板自公転係を含む
混酸浴に６０秒浸漬しアルミニウム基板異面をエツチン
グした。水洗の後引続いてジンケート処理を３０秒行っ
た。ジンケート処理槽は１１０００ＬＸ５００ＷＸ７０
０Ｈで液深５５０冒である。ジンケート処理浴はジャパ
ンメタルフィニシング社のアルモンＥＮを２倍に希釈し
て用いた。浴温は２ｆｉ〜３０°０に管理した。ジンケ
ート槽底面上に平板型（約４００Ｌｘ８００Ｗｘ５０”
ｗ＋）の超音波振動子をほぼ等間隔に３ケ配置し、上向
きに超音波を発生させ友。個々の超音波振動子線出力ｓ
ｏｏｗ、その周波数は４０に＆である。ジンケート処理
終了後込やかにエア攪拌を行う水洗槽にて十分圧水洗を
行った。さらに、 ８０４ＨＮＯ１浴に３０秒浸漬し
、再ひ同一の処理槽にてジンケート処理を１５秒間行つ
次。
合金製磁気ディスク用アル−ニウム基板自公転係を含む
混酸浴に６０秒浸漬しアルミニウム基板異面をエツチン
グした。水洗の後引続いてジンケート処理を３０秒行っ
た。ジンケート処理槽は１１０００ＬＸ５００ＷＸ７０
０Ｈで液深５５０冒である。ジンケート処理浴はジャパ
ンメタルフィニシング社のアルモンＥＮを２倍に希釈し
て用いた。浴温は２ｆｉ〜３０°０に管理した。ジンケ
ート槽底面上に平板型（約４００Ｌｘ８００Ｗｘ５０”
ｗ＋）の超音波振動子をほぼ等間隔に３ケ配置し、上向
きに超音波を発生させ友。個々の超音波振動子線出力ｓ
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終了後込やかにエア攪拌を行う水洗槽にて十分圧水洗を
行った。さらに、 ８０４ＨＮＯ１浴に３０秒浸漬し
、再ひ同一の処理槽にてジンケート処理を１５秒間行つ
次。
その後、ジャパンメタルフィニシング社の無電解めっき
浴Ａ４２２ を用い、浴温８５’Ｏ，ＰＨ４，８に調整
しため−）自槽に浸漬し、２時間１５分で約２０μ賜の
ＮｌＰめっき膜を得た。めっき面は全面光沢が有り、光
面が粗れて白っぽくなる現象は発生しなかった。
浴Ａ４２２ を用い、浴温８５’Ｏ，ＰＨ４，８に調整
しため−）自槽に浸漬し、２時間１５分で約２０μ賜の
ＮｌＰめっき膜を得た。めっき面は全面光沢が有り、光
面が粗れて白っぽくなる現象は発生しなかった。
超音波を加えなかつた以外は実施例と同じ条件で実施し
た。アルばニウム基板の表面はジンケート処理後光面ム
ラを生じており、めっｔ！！後は局部的に光面が粗れて
白っほくなった。
た。アルばニウム基板の表面はジンケート処理後光面ム
ラを生じており、めっｔ！！後は局部的に光面が粗れて
白っほくなった。
第１図および第２図は従来法で実施した時。
ＮＩＰめっき付アル＜ニウム基板表面を示めす。
（イ）無電解ＮＩＰめっき付アルミニウム基板（ロ）
光面が粗れて白っげく見える部分特 許 出 願 人
８残塗１士 ツタしツクス冴１図 瞬２． Ｉ］ 手続補正書防式） ％式％ １、事件の表示 昭和６０年特 許 願第２４５４８８号２、発明の名称 無電解ＮｉＰめっきの前処理方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人（代表者）住 所
〒１０８ 東京都港区三田３丁目１３番１２号昭和６
２年３月３１日（発送日：昭和６２年４月２３日）補正
の□ 以 上
光面が粗れて白っげく見える部分特 許 出 願 人
８残塗１士 ツタしツクス冴１図 瞬２． Ｉ］ 手続補正書防式） ％式％ １、事件の表示 昭和６０年特 許 願第２４５４８８号２、発明の名称 無電解ＮｉＰめっきの前処理方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人（代表者）住 所
〒１０８ 東京都港区三田３丁目１３番１２号昭和６
２年３月３１日（発送日：昭和６２年４月２３日）補正
の□ 以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 磁気ディスク用アルミニウム基板の無電解 ＮＩＰめっき処理における前処理方法であって、前記ア
ルミニウム基板を超音波を印加しながらジンケート処理
することを特徴とする無電解ＮＩＰめっきの前処理方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24548885A JPS62256226A (ja) | 1985-11-01 | 1985-11-01 | 無電解ＮｉＰめつきの前処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24548885A JPS62256226A (ja) | 1985-11-01 | 1985-11-01 | 無電解ＮｉＰめつきの前処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62256226A true JPS62256226A (ja) | 1987-11-07 |
Family
ID=17134404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24548885A Pending JPS62256226A (ja) | 1985-11-01 | 1985-11-01 | 無電解ＮｉＰめつきの前処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62256226A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5200272A (en) * | 1988-04-29 | 1993-04-06 | Miles Inc. | Process for metallizing substrate surfaces |
| KR100389258B1 (ko) * | 2000-12-22 | 2003-06-25 | 학교법인 한양학원 | 초음파 교반을 수반한 실리콘 웨이퍼의 알루미늄 패드에 대한 징케이트 처리방법 |
-
1985
- 1985-11-01 JP JP24548885A patent/JPS62256226A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR100389258B1 (ko) * | 2000-12-22 | 2003-06-25 | 학교법인 한양학원 | 초음파 교반을 수반한 실리콘 웨이퍼의 알루미늄 패드에 대한 징케이트 처리방법 |
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