JPS62143482A - アモルフアスシリコン太陽電池基板の製造法 - Google Patents
アモルフアスシリコン太陽電池基板の製造法Info
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- JPS62143482A JPS62143482A JP60284581A JP28458185A JPS62143482A JP S62143482 A JPS62143482 A JP S62143482A JP 60284581 A JP60284581 A JP 60284581A JP 28458185 A JP28458185 A JP 28458185A JP S62143482 A JPS62143482 A JP S62143482A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic Table
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は表面に微細な凹凸をＮｉめっきにより均一に形
成して、その表面にアモルファスシリコン（以下ａ−Ｓ
ｉと略記する）を蒸着したと％ａ−Ｓｉ層が凹凸になっ
て、入射光を表面で多重反射してエネルギー変換率を向
上させるようにしたａ−Ｓｉ太陽電池基板の製造法に関
する。
成して、その表面にアモルファスシリコン（以下ａ−Ｓ
ｉと略記する）を蒸着したと％ａ−Ｓｉ層が凹凸になっ
て、入射光を表面で多重反射してエネルギー変換率を向
上させるようにしたａ−Ｓｉ太陽電池基板の製造法に関
する。
（従来技術）
従来よ’）ａ−Ｓｉ太陽電池基板にはガラス製の基板と
ステンレス鋼板製の基板とが使用されているが、基板は
表面に１μｍ以内の薄いａ−５ｉ層を蒸着により均一か
つ連続的に形成できなければならないので、いずれも製
造の際表面が極めて平滑になるようにしている。例えば
ステンレス鋼板の場合は仕上げに電解研摩やバフ研摩を
施し鏡面仕上げにしている。
ステンレス鋼板製の基板とが使用されているが、基板は
表面に１μｍ以内の薄いａ−５ｉ層を蒸着により均一か
つ連続的に形成できなければならないので、いずれも製
造の際表面が極めて平滑になるようにしている。例えば
ステンレス鋼板の場合は仕上げに電解研摩やバフ研摩を
施し鏡面仕上げにしている。
しかし表面をこのように平滑にすると、蒸着により表面
にａ−Ｓｉ層を形成しても、ａ−Ｓｉ層表面も平滑にな
るため、入射光はその表面で１次反射しただけで、その
まま外部に反射されていってしまう。このため入射光を
有効に活用できず、エネルギー変換効率を向上させるこ
とができないものであった。
にａ−Ｓｉ層を形成しても、ａ−Ｓｉ層表面も平滑にな
るため、入射光はその表面で１次反射しただけで、その
まま外部に反射されていってしまう。このため入射光を
有効に活用できず、エネルギー変換効率を向上させるこ
とができないものであった。
（発明が解決しようとする問題点）
そこで本発明者らはステンレス鋼板製基板のエネルギー
変換効率を向上させる方法について種々検討した結果、
ステンレス鋼板表面に薄いａ−Ｓｉ層を均一かつ連続的
に蒸着することができる程度の凹凸を形成すれば、ａ−
Ｓｉを蒸着した場合ａ−Ｓｉ層表面も凹凸になり、入射
光がａ−Ｓｉ１表面で多重反射するので、有効に利用で
きることを見出したのである。
変換効率を向上させる方法について種々検討した結果、
ステンレス鋼板表面に薄いａ−Ｓｉ層を均一かつ連続的
に蒸着することができる程度の凹凸を形成すれば、ａ−
Ｓｉを蒸着した場合ａ−Ｓｉ層表面も凹凸になり、入射
光がａ−Ｓｉ１表面で多重反射するので、有効に利用で
きることを見出したのである。
しかしステンレス鋼板表面に凹凸を形成するのに従来一
般的に行なわれている電解エツチング法や機械研摩法を
適用したのでは微細な凹凸を均一に形成することができ
ず、薄いａ−Ｓｉ層を均一かつ連続的に蒸着することが
困難であることが判明した。例えば電解エツチング法に
よると、鋼中に介在物が存在する場合、介在物が優先的
に溶解されたり、脱落したりして、無敗の不定形ピット
が形成されるため、凹凸を均一にすることができず、か
つ炭化物のスマットも付着して、表面が汚れてしまう。
般的に行なわれている電解エツチング法や機械研摩法を
適用したのでは微細な凹凸を均一に形成することができ
ず、薄いａ−Ｓｉ層を均一かつ連続的に蒸着することが
困難であることが判明した。例えば電解エツチング法に
よると、鋼中に介在物が存在する場合、介在物が優先的
に溶解されたり、脱落したりして、無敗の不定形ピット
が形成されるため、凹凸を均一にすることができず、か
つ炭化物のスマットも付着して、表面が汚れてしまう。
また機械研摩法によると、凹凸が研摩剤粒度の混合割合
や研摩圧力により変化してしまうため、凹凸を均一にす
ることができず、しがも小さい粒度の研摩剤を使用する
にも限界があるため、あまり微細にすることができない
。このためａ−Ｓｉ層を形成しても従来の表面が平滑な
ものよりエネルギー変換効率が低下するばかりでなく、
変動ら大きいものであった。
や研摩圧力により変化してしまうため、凹凸を均一にす
ることができず、しがも小さい粒度の研摩剤を使用する
にも限界があるため、あまり微細にすることができない
。このためａ−Ｓｉ層を形成しても従来の表面が平滑な
ものよりエネルギー変換効率が低下するばかりでなく、
変動ら大きいものであった。
このため本発明者らは目的の凹凸を形成できる方法につ
いて検討した結果、ステンレス鋼板として表面が平滑な
ものを用いて、その表面に電気めっきを施す方法の適用
を試みたのである。すなわちステンレス鋼板の表面にめ
っき層表面が粗くなるめっきを施せば、鋼板表面に微細
な凹凸が均一に形成されるのではないかと推定したので
ある。本発明者らはかかる推定のらとに種々の金属をス
テンレス鋼板に電気めっきして検討した結果、無光沢旧
めっきを施せば、はぼ目的とする凹凸を形成できること
が判明した。
いて検討した結果、ステンレス鋼板として表面が平滑な
ものを用いて、その表面に電気めっきを施す方法の適用
を試みたのである。すなわちステンレス鋼板の表面にめ
っき層表面が粗くなるめっきを施せば、鋼板表面に微細
な凹凸が均一に形成されるのではないかと推定したので
ある。本発明者らはかかる推定のらとに種々の金属をス
テンレス鋼板に電気めっきして検討した結果、無光沢旧
めっきを施せば、はぼ目的とする凹凸を形成できること
が判明した。
添付図面はステンレス鋼板表面にＮｉめっきを施した基
板にａ−Ｓｉ層を形成したものの断面図を示したもので
、１がステンレス鋼板、２がこのステンレス鋼板１の表
面に電気めっきしたＮｉめっき層で、表面が凹凸になっ
ている。このように凹凸が形成された旧めっき層２の表
面にａ−Ｓｉを蒸着すると、ａ−Ｓｉ層３がその凹凸に
沿って形成される。
板にａ−Ｓｉ層を形成したものの断面図を示したもので
、１がステンレス鋼板、２がこのステンレス鋼板１の表
面に電気めっきしたＮｉめっき層で、表面が凹凸になっ
ている。このように凹凸が形成された旧めっき層２の表
面にａ−Ｓｉを蒸着すると、ａ−Ｓｉ層３がその凹凸に
沿って形成される。
従って入射光はａ−Ｓｉ層３の表面で多重反射し、エネ
ルギー変換効率は向上する。
ルギー変換効率は向上する。
しかしかかる旧めっきを従来の公知旧めっき浴で電気め
っきしたのでは電析粒の大きさがやや不揃いになり、従
来の基板よりエネルギー変換効率は向上するが、その向
上は約１８％が限界であった。
っきしたのでは電析粒の大きさがやや不揃いになり、従
来の基板よりエネルギー変換効率は向上するが、その向
上は約１８％が限界であった。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明はこのように従来の旧めっき浴でステンレス鋼板
に電気Ｎｉめっきを施して表面に凹凸を形成したのでは
太陽電池にした場合エネルギー変換効率に限界があった
ので、電析粒の大きさが揃って凹凸が均一微細になる電
気Ｎｉめっき方法によりエネルギー変換効率が１８％以
上になるａ −Ｓｉ太陽電池基板の製造法を提供するも
のである。
に電気Ｎｉめっきを施して表面に凹凸を形成したのでは
太陽電池にした場合エネルギー変換効率に限界があった
ので、電析粒の大きさが揃って凹凸が均一微細になる電
気Ｎｉめっき方法によりエネルギー変換効率が１８％以
上になるａ −Ｓｉ太陽電池基板の製造法を提供するも
のである。
（問題点を解決するための手段）
本発明者らは電析粒の大きさが揃って凹凸が均一微細に
なる電気旧めっき方法について種々検討した結果、従来
の公知Ｎｉめっき浴にＦ ｅ ”、Ｃａ′、Ｍ ｔｒ
２÷、＾１３＋、Ｃｒ”、Ｋｎ”、（： ｏ ２＋、Ｎ
ｏ”＋のうちの１種または２種以上を少量添加すればよ
いことを見出したのである。本発明はかかる知見に基づ
いてステンレス鋼板にＮｉめっきを施して表面粗さを形
成した基板を製造する際、ステンレス鋼板をＦｅ２＋、
（：１１２＋、Ｍｇ２′＋、＾！３＋、Ｃｒ ”、Ｍｎ
”、Ｆｅ２＋、ＭｏＱ＋の内の１種または２種以上を添
加した旧めっき浴で電気めっきしてエネルギー変換効率
が１８％以上の基板製造を可能にしたのである。
なる電気旧めっき方法について種々検討した結果、従来
の公知Ｎｉめっき浴にＦ ｅ ”、Ｃａ′、Ｍ ｔｒ
２÷、＾１３＋、Ｃｒ”、Ｋｎ”、（： ｏ ２＋、Ｎ
ｏ”＋のうちの１種または２種以上を少量添加すればよ
いことを見出したのである。本発明はかかる知見に基づ
いてステンレス鋼板にＮｉめっきを施して表面粗さを形
成した基板を製造する際、ステンレス鋼板をＦｅ２＋、
（：１１２＋、Ｍｇ２′＋、＾！３＋、Ｃｒ ”、Ｍｎ
”、Ｆｅ２＋、ＭｏＱ＋の内の１種または２種以上を添
加した旧めっき浴で電気めっきしてエネルギー変換効率
が１８％以上の基板製造を可能にしたのである。
ここで少量とは具体的に述べれば、Ｆｅ” ＝ ０．０
５−５９７に！、、Ｃａ” ＝ ０．０５−１９ ／ｅ
、 Ｍｇ２＋＝ ０．５−２０９／ｅ、＾ｌ” ＝０
．５−２０９／ｅ、 Ｃｒ” ＝Ｏ，１，−３９／ｅ％
Ｍｎ” ＝０．０５−３９７ｅ１Ｃｏ” ＝０．５−１
０９／ｅ、 Ｎｏ” ＝０．０５−２９７ｅ、〕ｍ囲テ
アル。添加量がこれらの範囲の下限未満であると電析粒
を揃える効果が少なく、上限を越えると添加効果が上限
でほぼ飽和してしまうため、添加が無意味となる。
５−５９７に！、、Ｃａ” ＝ ０．０５−１９ ／ｅ
、 Ｍｇ２＋＝ ０．５−２０９／ｅ、＾ｌ” ＝０
．５−２０９／ｅ、 Ｃｒ” ＝Ｏ，１，−３９／ｅ％
Ｍｎ” ＝０．０５−３９７ｅ１Ｃｏ” ＝０．５−１
０９／ｅ、 Ｎｏ” ＝０．０５−２９７ｅ、〕ｍ囲テ
アル。添加量がこれらの範囲の下限未満であると電析粒
を揃える効果が少なく、上限を越えると添加効果が上限
でほぼ飽和してしまうため、添加が無意味となる。
上記のよう、なイオンを添加したＮｉめっき浴でステン
レス鋼板に電気めっｂを施す場合、電析粒の大きさはめ
っき付着量の影響を受け、めっき付着量が少ないと電析
粒は小さくなり、めっき付着量が多い程大きくなる。一
方基板は電析粒の大トさを０．０１〜１．５μ焔の範囲
に、また表面粗さをＲｍａｘで０．０１〜０．６μｍの
範囲にするのが好ましい。これは電析粒および表面粗さ
が上記下限未満であると凹凸によるエネルギー変換効率
向上が認められず、上限を越えるとａ−Ｓｉを蒸着した
場合にａ−ＳｉＪイが均一かつ連続して形成されないた
めと思われるが、エネルギー変換効率は表面が滑らかな
従来の基板よりむしろ低下するからである。そこで電析
粒および表面粗さを上記の範囲にするめっき付着量の範
囲を求めてみると、片面当り４〜５０９／ｍ２にするれ
ばよいことが判明した。
レス鋼板に電気めっｂを施す場合、電析粒の大きさはめ
っき付着量の影響を受け、めっき付着量が少ないと電析
粒は小さくなり、めっき付着量が多い程大きくなる。一
方基板は電析粒の大トさを０．０１〜１．５μ焔の範囲
に、また表面粗さをＲｍａｘで０．０１〜０．６μｍの
範囲にするのが好ましい。これは電析粒および表面粗さ
が上記下限未満であると凹凸によるエネルギー変換効率
向上が認められず、上限を越えるとａ−Ｓｉを蒸着した
場合にａ−ＳｉＪイが均一かつ連続して形成されないた
めと思われるが、エネルギー変換効率は表面が滑らかな
従来の基板よりむしろ低下するからである。そこで電析
粒および表面粗さを上記の範囲にするめっき付着量の範
囲を求めてみると、片面当り４〜５０９／ｍ２にするれ
ばよいことが判明した。
本発明によれば基板めっき層の電析粒の大きさや表面粗
さは従来の基板に比べると大幅に改善されていて、めっ
き付着量が一定であれば、どの部位でも変化しない。
さは従来の基板に比べると大幅に改善されていて、めっ
き付着量が一定であれば、どの部位でも変化しない。
ところで電析粒は上記のようにめっき付着量の増加に伴
って大きくなるが、これは旧めっきをパルス電解により
行えば、通常の整流電解により行った場合の大！さの約
１７２〜１１５にすることができる。
って大きくなるが、これは旧めっきをパルス電解により
行えば、通常の整流電解により行った場合の大！さの約
１７２〜１１５にすることができる。
この場合大きさも揃うので、表面粗さの凹凸も均一微細
になり、高さも低くなるに のパルス電解は周期１〜１０−２秒、デユーティサイク
ル０．０２〜０．５の条件で行うのが好ましい。
になり、高さも低くなるに のパルス電解は周期１〜１０−２秒、デユーティサイク
ル０．０２〜０．５の条件で行うのが好ましい。
これは周期およびデユーティサイクルがそれぞれ１０−
２秒および０．０２より短い領域で電気めっきすれば、
電析粒をさらに小さくすることができるが、パルス電流
をこのような領域にするには高価なパルス電源を使用し
なければならず、表面粗さを確保するうえであまり小さ
くするのは問題があり、一方周期およびデユーティサイ
クルが１秒および０．０５より長い領域で電気めっきす
ると電析粒の微細化効果が認められないからである。
２秒および０．０２より短い領域で電気めっきすれば、
電析粒をさらに小さくすることができるが、パルス電流
をこのような領域にするには高価なパルス電源を使用し
なければならず、表面粗さを確保するうえであまり小さ
くするのは問題があり、一方周期およびデユーティサイ
クルが１秒および０．０５より長い領域で電気めっきす
ると電析粒の微細化効果が認められないからである。
本発明はステンレス鋼板であれば、鋼種に関係なく適用
できるものであり、また本発明により製造した基板がａ
−Ｓｉ蒸着までの保管中にめっき層が酸化されるようで
あれば、後処理を追加することも可能である。この場合
の後処理としては、Ｃｒめっきを電気めっきにより片面
当り０．０７〜４．０９／１１１２施すのが好ましい。
できるものであり、また本発明により製造した基板がａ
−Ｓｉ蒸着までの保管中にめっき層が酸化されるようで
あれば、後処理を追加することも可能である。この場合
の後処理としては、Ｃｒめっきを電気めっきにより片面
当り０．０７〜４．０９／１１１２施すのが好ましい。
以下実施例により本発明を説明する。
（実施例）
ブライト仕上げの５ＯＳ４３０ステンレス鋼板（０，２
ｔ×１００阿Ｘ １００Ｌａ＋ｍ）に通常のＮｉめっき
前処Ｊ’ｌ！ （ｍｌ ＩＩけ→酸洗→電解還元→旧ス
トライクめっき）を施した後、組成が硫酸ニッケル２４
０９／ｅ、塩化ニッケル４５９／ｅ−ホウ酸３０９１で
あるワット俗に第１表に示すようなイオンを添加して、
Ｎｉめっきを施し、その後超音波場水洗した。水洗後は
試料を十分乾燥した後、第２表に示す条件でプラズマＣ
ＶＤ法によりａ−６ｉ層を形成し、エネルギー変換効率
を測定した。なおエネルギー変換効率の測定は予めａ−
５ｉ層上に透明電導性膜（１０００λ程度）を被覆した
ものを被測定用サンプルに用い、入射エネルギーが１０
０ ｍｗ／ｃｎ＋２の光源にて入射光をＡ、Ｍ、１．５
にして行った。第３表にめっき層表面の形態とともにエ
ネルギー変換効率を示す。なお第１表の比較例１は旧め
っきを施さない従来の表面が平滑なステンレス鋼板製基
板である。
ｔ×１００阿Ｘ １００Ｌａ＋ｍ）に通常のＮｉめっき
前処Ｊ’ｌ！ （ｍｌ ＩＩけ→酸洗→電解還元→旧ス
トライクめっき）を施した後、組成が硫酸ニッケル２４
０９／ｅ、塩化ニッケル４５９／ｅ−ホウ酸３０９１で
あるワット俗に第１表に示すようなイオンを添加して、
Ｎｉめっきを施し、その後超音波場水洗した。水洗後は
試料を十分乾燥した後、第２表に示す条件でプラズマＣ
ＶＤ法によりａ−６ｉ層を形成し、エネルギー変換効率
を測定した。なおエネルギー変換効率の測定は予めａ−
５ｉ層上に透明電導性膜（１０００λ程度）を被覆した
ものを被測定用サンプルに用い、入射エネルギーが１０
０ ｍｗ／ｃｎ＋２の光源にて入射光をＡ、Ｍ、１．５
にして行った。第３表にめっき層表面の形態とともにエ
ネルギー変換効率を示す。なお第１表の比較例１は旧め
っきを施さない従来の表面が平滑なステンレス鋼板製基
板である。
第３表に示すごとく、本発明により製造した基板はＦｅ
”、Ｃａ２′＋、Ｍ ｇ ２十などのイオンを添加しな
いＮｉめっき浴を使用して製造したもののエネルギー変
換効率上限である１８％より向上する。
”、Ｃａ２′＋、Ｍ ｇ ２十などのイオンを添加しな
いＮｉめっき浴を使用して製造したもののエネルギー変
換効率上限である１８％より向上する。
（効果）
以上のごとく、本発明の方法によりステンレス製ａ−５
ｉ太陽電池基板を製造すれば旧めっき層が微細均一にな
るので、太陽電池にした場合エネルギー変換効率を従来
のも−のより１８％以上向上させることができる。
ｉ太陽電池基板を製造すれば旧めっき層が微細均一にな
るので、太陽電池にした場合エネルギー変換効率を従来
のも−のより１８％以上向上させることができる。
添付図面は本発明により製造する基板にａ−Ｓｉ層を形
成したものの断面図である。 １・・・ステンレス鋼板、２・・・Ｎｉめっき層、３・
・・ａ−Ｓｉ層
成したものの断面図である。 １・・・ステンレス鋼板、２・・・Ｎｉめっき層、３・
・・ａ−Ｓｉ層
Claims (11)
- （１）ステンレス鋼板にＮｉめっきを施して表面粗さを
形成した基板を製造する際、ステンレス鋼板をＦｅ＾２
＾＋、Ｃａ＾２＾＋、Ｍｇ＾２＾＋、Ａｌ＾３＾＋、Ｃ
ｒ＾３＾＋、Ｍｎ＾６＾＋、Ｃｏ＾２＾＋、Ｍｏ＾６＾
＋の内の１種または２種以上を添加したＮｉめっき浴で
電気めっきして製造することを特徴とするアモルファス
シリコン太陽電池基板の製造法。 - （２）Ｆｅ＾２＾＋の添加を０．０５〜５ｇ／ｌの範囲
にすることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
アモルファスシリコン太陽電池基板の製造法。 - （３）Ｃａ＾２＾＋の添加を０．０５〜１ｇ／ｌの範囲
にすることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
アモルファスシリコン太陽電池基板の製造法。 - （４）Ｍｇ＾２＾＋の添加を０．５〜２０ｇ／ｌの範囲
にすることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
アモルファスシリコン太陽電池基板の製造法。 - （５）Ａｌ＾３＾＋の添加を０．５〜２０ｇ／ｌの範囲
にすることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
アモルファスシリコン太陽電池基板の製造法。 - （６）Ｃｒ＾３＾＋の添加を０．１〜３ｇ／ｌの範囲に
することを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のア
モルファスシリコン太陽電池基板。 - （７）Ｍｎ＾６＾＋の添加を０．０５〜３ｇ／ｌの範囲
にすることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
アモルファスシリコン太陽電池基板の製造法。 - （８）Ｃｏ＾２＾＋の添加を０．５〜１０ｇ／ｌの範囲
にすることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
アモルファスシリコン太陽電池基板の製造法。 - （９）Ｍｏ＾６＾＋の添加を０．０５〜２ｇ／ｌの範囲
にすることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
アモルファスシリコン太陽電池基板の製造法。 - （１０）Ｎｉめっきをパルス電解にて周期１〜１０＾−
＾２秒、デューティサイクル０．０２〜０．５の条件で
行うことを特徴とする特許請求の範囲第１〜９項に記載
のいずれかのアモルファスシリコン太陽電池基板の製造
法。 - （１１）片面当り４〜５０ｇ／ｍ＾２のＮｉめっきを施
し、めっき層表面のＮｉ電析粒の大きさを０．０１〜１
．５μｍの範囲に、また表面粗さをＲｍａｘで０．０１
〜０．６μｍの範囲にすることを特徴とする特許請求の
範囲第１〜１０項に記載のいずれかのアモルファスシリ
コン太陽電池基板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60284581A JPS62143482A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | アモルフアスシリコン太陽電池基板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60284581A JPS62143482A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | アモルフアスシリコン太陽電池基板の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62143482A true JPS62143482A (ja) | 1987-06-26 |
| JPH0513389B2 JPH0513389B2 (ja) | 1993-02-22 |
Family
ID=17680310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60284581A Granted JPS62143482A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | アモルフアスシリコン太陽電池基板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62143482A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5986205A (en) * | 1996-09-05 | 1999-11-16 | Nisshin Steel Co., Ltd. | Stainless steel sheet and a substrate for a solar cell and manufacturing method thereof |
-
1985
- 1985-12-18 JP JP60284581A patent/JPS62143482A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5986205A (en) * | 1996-09-05 | 1999-11-16 | Nisshin Steel Co., Ltd. | Stainless steel sheet and a substrate for a solar cell and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0513389B2 (ja) | 1993-02-22 |
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