JPS622509B2 - - Google Patents
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- JPS622509B2 JPS622509B2 JP55166230A JP16623080A JPS622509B2 JP S622509 B2 JPS622509 B2 JP S622509B2 JP 55166230 A JP55166230 A JP 55166230A JP 16623080 A JP16623080 A JP 16623080A JP S622509 B2 JPS622509 B2 JP S622509B2
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 16
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000003909 pattern recognition Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/713—Transfer or readout registers; Split readout registers or multiple readout registers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
本発明は2次元固体撮像装置に関するものであ
る。 2次元撮像装置のうち、近年極めて顕著な注目
を集めているものに電荷注入形の2次元固体撮像
装置(Charge Injection Device:以下CIDと略
称する)がある。このCIDは第1図に見られるご
とく、それぞれ10V、20V程度の電圧が印加され
る一対の絶縁電極2X,2Yからなる画素1を絶
縁膜で覆われた半導体基板上に2次元的に配設し
たものである。その受光面50上に投影された結
像光の光励起から生じる半導体基板内電荷4は、
まず電極2Y直下の電位の井戸(以下単に井戸と
略記する)3b中に蓄積される。しかるのちに垂
直方向のシフトレジスタ20からの電圧操作によ
つてY母線に接続された電極2Y直下の井戸をい
つせいに消滅せしめるならば、該電荷4は電極2
X直下の井戸3aへ一挙に移され、この時の状態
は第1図中の3段目の画素群に見ることができ
る。この電荷4が移された瞬間に電極2X上には
イメージ電荷が発生し、該イメージ電荷はX母線
と電子スイツチ11,12,13,14を介して
検出増幅器7の出力端子に読み出される。ここで
10は水平方向のシフトレジスタ、9は各画素の
電極2Xに電圧VSを印加するリセツトスイツ
チ、X1〜X4,Y1〜Y4はそれぞれX母線群および
Y母線群を表す。 該CIDの1フレームの撮像が終われば、前述し
た光励起によつて生じた電荷を保有している井戸
を消滅せしめる。かくすれば該電荷は基板中に注
入されて消滅するから次の1フレームの撮像に備
えて作られる新たな井戸の中には、改めて光励起
による電荷が蓄積される。 こうしたことから、以下では前記電極2Yを蓄
積電極と、また電極2Xを検出電極と呼ぶことに
する。そしてまたこうした第1図に示したCIDの
受光面50は実際には縦横の各母線と一体化して
作られる。このために前記母線X1〜X4を縦母
線、また母線Y1〜Y4を横母線と呼ぶことにす
る。 上記のごとき2次元固体撮像装置たるCIDでは
検出増幅器(センスアンプ)7をはじめとする周
辺回路を同一基板上に一体化して形成することも
できるのであるが、この検出増幅器7の周波数応
答性には限界があり、たとえばその上限は1MHz
の値に止まる。このことは、該検出増幅器によつ
ては1μsecより短時間の信号読み出しが困難で
あることを意味し、CIDの高速駆動は第1図のご
とき構成によつては不可能であることになる。 CIDの高速読み出しを実現するためには第2図
aに示すごとく各画素中の検出電極2Xを横方向
に並列つないだ横母線Y1,Y2,Y3………Yoのそ
れぞれに検出増幅器A1,A2,A3………Aoを接続
し、該検出増幅器群の各出力に受光面50中にお
ける縦1列分の画素群からの信号電荷を並列に出
力せしめるという方法が考えられる。しかし比較
的大きな面積を占有する上記検出増幅器を多数受
光面50と同一基板上に配設するならば、検出増
幅器アレイの占める面積の方が受光面50よりも
大きくなつてしまい小型化が困難となる上に配線
が輻湊し、リード線数が画素数よりも多くなつて
しまうという欠点がある。 そこで考えられるのが第2図bに示したごとく
横母線Y1,Y2,Y3………Yoをマルチプレクサ3
0に接続して該母線群の切替え操作を行わせた
後、その出力を単一の検出増幅器A0でシリアル
に読み出すという方法である。この方法はマルチ
プレクサ30が単なるスイツチであつて大きな面
積を占有しないという点から、CIDの小型化とい
う問題を解決するものであるが、検出増幅器A0
を用いてシリアル読み出しを行わねばならないと
いう点から、前記したように高速駆動の面で問題
が生じる。ただし第2図b中における40は、マ
ルチプレクサ30を制御するアドレスカウンタで
ある。 上記のような問題を解決する構成として第3図
aに示したようなマルチプレクサを複数個用い、
各横母線Y11〜Y15までを第1のマルチプレクサ3
0aに、また各横母線Y21〜Y25までを第2のマル
チプレクサ30bに、それぞれ接続し、上記第
1、第2のマルチプレクサ30a,30bをそれ
ぞれ第1の検出増幅器A10ならびに第2の検出増
幅器A20につないで、信号電荷を両検出増幅器
A10,A20に分担させて読み出すことが考えられ
る。この方式によれば検出増幅器に要求される応
答性は検出増幅器したがつてマルチプレクサの逆
数だけ楽になる上に小型化の点も満足するように
思われるが、たとえば並列に読み出される画素が
Y11母線につながものとY21母線につながるものと
なり、その間Y12,Y13,Y14,Y15およびY22,
Y23,Y24,Y25の各母線につながる各画素の電荷
は読み出されないことになる。同様にY12母線に
つながるものとY22母線につながるものとが並列
に読み出されると、その間Y13,Y14,Y15,Y11お
よびY23,Y24,Y25,Y21の各母線につながる画素
の電荷は読み出さないということが起こり、受光
面50中の読み出されるべき画素に間隔が開いて
しまつて、そのために再生画像の画質が損われて
しまうという欠点がある。 このために互いに間隔を置かず、隣り同志の母
線につながる画素を一まとめにして並列にかつ順
序立てて読み出すことが理想的であり、たとえ
ば、Y11,Y12,Y13なる母線につながる各画素を
一度並列に読み出し、次にY14,Y15,Y21なる母
線につながる各画素を一度に並列に読み出して次
にはY22,Y23,Y24つながる各画素を一度に並列
に読み出すということをすれば、事実上この読み
出し方式は通常のXY走査における線幅を太くし
て読み出したものと同様となり、再生画質を損う
ことはない。 すなわち一度に並列に読み出す母線(画素)を
互いに隣接するもの同志とすることは再生画質の
維持上重要なことである。 本発明はこうした点に鑑みてなされたもので各
検出電極から読み出すべき画素電荷を伝える行ま
たは列方向の複数の母線をk個(k≧2)のマル
チプレクサで選択し、各マルチプレクサに対応し
て設けられた検出増幅器から信号を並列的に読み
出すようにした構成において、前記複数の母線の
うちk本おきに位置する母線を前記各マルチプレ
クサに順次接続し、互いに隣接する母線が選択さ
れるよう構成したことを特徴する2次元固体撮像
装置を提供せんとするものであつて以下図面を用
いて詳記する。 第3図bは本発明に係るCIDの信号電荷の読み
出し方法の基本的系統図を示したもので、これに
よれば複数のマルチプレクサ30a,30b,3
0cはセレクト入力端子S1,S2を備えたアドレス
カウンタ40によつて制御されるようになつてお
り、上記端子S1,S2への論理入力によつて選択さ
れるY母線の関係は次表に示す真理値表に従うこ
とは容易に理解される。
る。 2次元撮像装置のうち、近年極めて顕著な注目
を集めているものに電荷注入形の2次元固体撮像
装置(Charge Injection Device:以下CIDと略
称する)がある。このCIDは第1図に見られるご
とく、それぞれ10V、20V程度の電圧が印加され
る一対の絶縁電極2X,2Yからなる画素1を絶
縁膜で覆われた半導体基板上に2次元的に配設し
たものである。その受光面50上に投影された結
像光の光励起から生じる半導体基板内電荷4は、
まず電極2Y直下の電位の井戸(以下単に井戸と
略記する)3b中に蓄積される。しかるのちに垂
直方向のシフトレジスタ20からの電圧操作によ
つてY母線に接続された電極2Y直下の井戸をい
つせいに消滅せしめるならば、該電荷4は電極2
X直下の井戸3aへ一挙に移され、この時の状態
は第1図中の3段目の画素群に見ることができ
る。この電荷4が移された瞬間に電極2X上には
イメージ電荷が発生し、該イメージ電荷はX母線
と電子スイツチ11,12,13,14を介して
検出増幅器7の出力端子に読み出される。ここで
10は水平方向のシフトレジスタ、9は各画素の
電極2Xに電圧VSを印加するリセツトスイツ
チ、X1〜X4,Y1〜Y4はそれぞれX母線群および
Y母線群を表す。 該CIDの1フレームの撮像が終われば、前述し
た光励起によつて生じた電荷を保有している井戸
を消滅せしめる。かくすれば該電荷は基板中に注
入されて消滅するから次の1フレームの撮像に備
えて作られる新たな井戸の中には、改めて光励起
による電荷が蓄積される。 こうしたことから、以下では前記電極2Yを蓄
積電極と、また電極2Xを検出電極と呼ぶことに
する。そしてまたこうした第1図に示したCIDの
受光面50は実際には縦横の各母線と一体化して
作られる。このために前記母線X1〜X4を縦母
線、また母線Y1〜Y4を横母線と呼ぶことにす
る。 上記のごとき2次元固体撮像装置たるCIDでは
検出増幅器(センスアンプ)7をはじめとする周
辺回路を同一基板上に一体化して形成することも
できるのであるが、この検出増幅器7の周波数応
答性には限界があり、たとえばその上限は1MHz
の値に止まる。このことは、該検出増幅器によつ
ては1μsecより短時間の信号読み出しが困難で
あることを意味し、CIDの高速駆動は第1図のご
とき構成によつては不可能であることになる。 CIDの高速読み出しを実現するためには第2図
aに示すごとく各画素中の検出電極2Xを横方向
に並列つないだ横母線Y1,Y2,Y3………Yoのそ
れぞれに検出増幅器A1,A2,A3………Aoを接続
し、該検出増幅器群の各出力に受光面50中にお
ける縦1列分の画素群からの信号電荷を並列に出
力せしめるという方法が考えられる。しかし比較
的大きな面積を占有する上記検出増幅器を多数受
光面50と同一基板上に配設するならば、検出増
幅器アレイの占める面積の方が受光面50よりも
大きくなつてしまい小型化が困難となる上に配線
が輻湊し、リード線数が画素数よりも多くなつて
しまうという欠点がある。 そこで考えられるのが第2図bに示したごとく
横母線Y1,Y2,Y3………Yoをマルチプレクサ3
0に接続して該母線群の切替え操作を行わせた
後、その出力を単一の検出増幅器A0でシリアル
に読み出すという方法である。この方法はマルチ
プレクサ30が単なるスイツチであつて大きな面
積を占有しないという点から、CIDの小型化とい
う問題を解決するものであるが、検出増幅器A0
を用いてシリアル読み出しを行わねばならないと
いう点から、前記したように高速駆動の面で問題
が生じる。ただし第2図b中における40は、マ
ルチプレクサ30を制御するアドレスカウンタで
ある。 上記のような問題を解決する構成として第3図
aに示したようなマルチプレクサを複数個用い、
各横母線Y11〜Y15までを第1のマルチプレクサ3
0aに、また各横母線Y21〜Y25までを第2のマル
チプレクサ30bに、それぞれ接続し、上記第
1、第2のマルチプレクサ30a,30bをそれ
ぞれ第1の検出増幅器A10ならびに第2の検出増
幅器A20につないで、信号電荷を両検出増幅器
A10,A20に分担させて読み出すことが考えられ
る。この方式によれば検出増幅器に要求される応
答性は検出増幅器したがつてマルチプレクサの逆
数だけ楽になる上に小型化の点も満足するように
思われるが、たとえば並列に読み出される画素が
Y11母線につながものとY21母線につながるものと
なり、その間Y12,Y13,Y14,Y15およびY22,
Y23,Y24,Y25の各母線につながる各画素の電荷
は読み出されないことになる。同様にY12母線に
つながるものとY22母線につながるものとが並列
に読み出されると、その間Y13,Y14,Y15,Y11お
よびY23,Y24,Y25,Y21の各母線につながる画素
の電荷は読み出さないということが起こり、受光
面50中の読み出されるべき画素に間隔が開いて
しまつて、そのために再生画像の画質が損われて
しまうという欠点がある。 このために互いに間隔を置かず、隣り同志の母
線につながる画素を一まとめにして並列にかつ順
序立てて読み出すことが理想的であり、たとえ
ば、Y11,Y12,Y13なる母線につながる各画素を
一度並列に読み出し、次にY14,Y15,Y21なる母
線につながる各画素を一度に並列に読み出して次
にはY22,Y23,Y24つながる各画素を一度に並列
に読み出すということをすれば、事実上この読み
出し方式は通常のXY走査における線幅を太くし
て読み出したものと同様となり、再生画質を損う
ことはない。 すなわち一度に並列に読み出す母線(画素)を
互いに隣接するもの同志とすることは再生画質の
維持上重要なことである。 本発明はこうした点に鑑みてなされたもので各
検出電極から読み出すべき画素電荷を伝える行ま
たは列方向の複数の母線をk個(k≧2)のマル
チプレクサで選択し、各マルチプレクサに対応し
て設けられた検出増幅器から信号を並列的に読み
出すようにした構成において、前記複数の母線の
うちk本おきに位置する母線を前記各マルチプレ
クサに順次接続し、互いに隣接する母線が選択さ
れるよう構成したことを特徴する2次元固体撮像
装置を提供せんとするものであつて以下図面を用
いて詳記する。 第3図bは本発明に係るCIDの信号電荷の読み
出し方法の基本的系統図を示したもので、これに
よれば複数のマルチプレクサ30a,30b,3
0cはセレクト入力端子S1,S2を備えたアドレス
カウンタ40によつて制御されるようになつてお
り、上記端子S1,S2への論理入力によつて選択さ
れるY母線の関係は次表に示す真理値表に従うこ
とは容易に理解される。
【表】
すなわち、アドレスカウンタ40の入力端子
S1,S2に0、0なる入力が加えられると、マルチ
プレクサ30a,30b,30cの各第1入力線
がそれぞれ検出増幅器A10,A20,A30に接続され
るのでY11,Y12,Y13なる互いに隣接する母線が
選択され、入力端子S1,S2に0、1なる入力が加
えられるマルチプレクサ30a,30b,30c
の各第2入力線がそれぞれ検出増幅器A10,
A20,A30に接続されてY14,Y21,Y22なる互いに
隣接する母線が選択される。以下同様にしてS1,
S2に1、0が加わるとY23,Y24,Y31が選択さ
れ、1、1が加わればY32,Y33,Y34が選択され
る。こうして並列に読み出された信号電荷は各検
出増幅器A10,A20,A30の各出力端子OUT1,
OUT2,OUT3に同時に出力される。 第4図は本発明に係るCIDの実際の系統図であ
つて、前記第3図a,bと同一部位には同一符号
を付す。同図ではマルチプレクサ30a,30
b,30cの内容をやや詳しくスイツチ用電界効
果トランジスタ(以下スイツチ用MOSTと略称
する)Q11〜Q14、およびQ21,Q22………、なら
びにQ31,Q32………で示すと共に検出増幅器
A10,A20,A30がたとえば電荷増幅器で形成され
ていることを示しているが、SW1,SW2,SW3は
上記電荷増幅器の帰還容量のリセツトスイツチ用
MOSTである。該リセツトスイツチ用の各
MOSTのゲート端子は共通に接続されて端子2
6につながれているが、該端子26にはCID受光
面50のマトリツクス状に配設されている画素1
からの信号電荷を検出する直前に上記帰還容量中
に残留している電荷を消滅させるため、上記スイ
ツチ用MOSTを閉状態となす目的のリセツトス
イツチΦSが加えられる。また端子25は上記増
幅器の入力回路を介して横母線Y1,Y2,Y3……
…に電圧VSを印加するためのものである。また
マルチプレクサ中のどのスイツチ用MOSTが閉
じるかによつてどの横母線Y1,Y2,Y3………に
つながる画素1中の検出電極から信号電荷が読み
出されるかが決まるのであるが、このスイツチ用
MOSTの制御はバスライン31a,31b,3
1cを介してアドレスカウンタ40から送られる
指令信号によつて行われる。そして上記の指令信
号はアドレスカウンタ40の入力端子S1〜S6に加
えられるデイジタル信号によつて変化するので、
結局この入力端子S1〜S6に加わるデイジタル信号
とそれによつて選択される横母線との関係を表す
論理テーブルはたとえば次表のごとくなる。
S1,S2に0、0なる入力が加えられると、マルチ
プレクサ30a,30b,30cの各第1入力線
がそれぞれ検出増幅器A10,A20,A30に接続され
るのでY11,Y12,Y13なる互いに隣接する母線が
選択され、入力端子S1,S2に0、1なる入力が加
えられるマルチプレクサ30a,30b,30c
の各第2入力線がそれぞれ検出増幅器A10,
A20,A30に接続されてY14,Y21,Y22なる互いに
隣接する母線が選択される。以下同様にしてS1,
S2に1、0が加わるとY23,Y24,Y31が選択さ
れ、1、1が加わればY32,Y33,Y34が選択され
る。こうして並列に読み出された信号電荷は各検
出増幅器A10,A20,A30の各出力端子OUT1,
OUT2,OUT3に同時に出力される。 第4図は本発明に係るCIDの実際の系統図であ
つて、前記第3図a,bと同一部位には同一符号
を付す。同図ではマルチプレクサ30a,30
b,30cの内容をやや詳しくスイツチ用電界効
果トランジスタ(以下スイツチ用MOSTと略称
する)Q11〜Q14、およびQ21,Q22………、なら
びにQ31,Q32………で示すと共に検出増幅器
A10,A20,A30がたとえば電荷増幅器で形成され
ていることを示しているが、SW1,SW2,SW3は
上記電荷増幅器の帰還容量のリセツトスイツチ用
MOSTである。該リセツトスイツチ用の各
MOSTのゲート端子は共通に接続されて端子2
6につながれているが、該端子26にはCID受光
面50のマトリツクス状に配設されている画素1
からの信号電荷を検出する直前に上記帰還容量中
に残留している電荷を消滅させるため、上記スイ
ツチ用MOSTを閉状態となす目的のリセツトス
イツチΦSが加えられる。また端子25は上記増
幅器の入力回路を介して横母線Y1,Y2,Y3……
…に電圧VSを印加するためのものである。また
マルチプレクサ中のどのスイツチ用MOSTが閉
じるかによつてどの横母線Y1,Y2,Y3………に
つながる画素1中の検出電極から信号電荷が読み
出されるかが決まるのであるが、このスイツチ用
MOSTの制御はバスライン31a,31b,3
1cを介してアドレスカウンタ40から送られる
指令信号によつて行われる。そして上記の指令信
号はアドレスカウンタ40の入力端子S1〜S6に加
えられるデイジタル信号によつて変化するので、
結局この入力端子S1〜S6に加わるデイジタル信号
とそれによつて選択される横母線との関係を表す
論理テーブルはたとえば次表のごとくなる。
【表】
ここで各行のデイジタル信号で選択される横母
線はたがいに一部重畳している。たとえば、第1
行のデイジタル信号00000によつてY1,Y2,Y3が
同時選択されるが、このうちY2,Y3は第2行の
デイジタル信号010000によつても選択され、さら
に該第2行目のデイジタル信号で選択される
Y3,Y4は第3行目のデイジタル信号010100によ
つても選択される。 このような重畳選択には特に意味はなく各横1
行のデイジタル信号で隣接する数行の横母線が選
択されうることを示すために記したものである。
したがつてもし各横1行を重複選択せずに受光面
50をXY走査させようとするのならば、第1行
目のデイジタル信号00000の次には第4行目のデ
イジタル信号010101を端子S1〜S6に入力し、さら
にその次には第7行目のデイジタル信号101010を
導入すればよい。かくすれば第1行のデイジタル
信号でY1,Y2,Y3が選択され、その次の第2行
のデイジタル信号でY4,Y5,Y6が選択され、さ
らにそれに続くデイジタル信号でY7,Y8,Y9が
選択されるので上記した重複選択を起こさずに、
XY走査を行わせることができる。 ところで一般にパターン認識などの技法上から
見れば、一つの画像を形成する各画素の近接して
存在するもの同志は相関が高く、逆に隔離して存
在するもの同志は相関が低いという性質がある。
したがつて画像処理を行うにあたつては隣接する
画素の信号を取り出すことが重要であつて、こう
した目的に対しては上記テーブルのデイジタル信
号を任意の行から連続して加える方が都合がよい
場合もある。 なお、マルチプレクサの入力は、各群中の母線
数に必ずしも対応させる必要はなく、第5図のよ
うに各群中複数本の母線を同一のマルチプレクサ
に接続して前述したと同様の手法で並列読み出し
を行うことも可能である。 以上に述べた本発明に係る固体撮像装置によれ
ば、XY走査も可能であるし、重複読み出しも不
可能でなくなるために実用上多大の効果が期待で
きる。
線はたがいに一部重畳している。たとえば、第1
行のデイジタル信号00000によつてY1,Y2,Y3が
同時選択されるが、このうちY2,Y3は第2行の
デイジタル信号010000によつても選択され、さら
に該第2行目のデイジタル信号で選択される
Y3,Y4は第3行目のデイジタル信号010100によ
つても選択される。 このような重畳選択には特に意味はなく各横1
行のデイジタル信号で隣接する数行の横母線が選
択されうることを示すために記したものである。
したがつてもし各横1行を重複選択せずに受光面
50をXY走査させようとするのならば、第1行
目のデイジタル信号00000の次には第4行目のデ
イジタル信号010101を端子S1〜S6に入力し、さら
にその次には第7行目のデイジタル信号101010を
導入すればよい。かくすれば第1行のデイジタル
信号でY1,Y2,Y3が選択され、その次の第2行
のデイジタル信号でY4,Y5,Y6が選択され、さ
らにそれに続くデイジタル信号でY7,Y8,Y9が
選択されるので上記した重複選択を起こさずに、
XY走査を行わせることができる。 ところで一般にパターン認識などの技法上から
見れば、一つの画像を形成する各画素の近接して
存在するもの同志は相関が高く、逆に隔離して存
在するもの同志は相関が低いという性質がある。
したがつて画像処理を行うにあたつては隣接する
画素の信号を取り出すことが重要であつて、こう
した目的に対しては上記テーブルのデイジタル信
号を任意の行から連続して加える方が都合がよい
場合もある。 なお、マルチプレクサの入力は、各群中の母線
数に必ずしも対応させる必要はなく、第5図のよ
うに各群中複数本の母線を同一のマルチプレクサ
に接続して前述したと同様の手法で並列読み出し
を行うことも可能である。 以上に述べた本発明に係る固体撮像装置によれ
ば、XY走査も可能であるし、重複読み出しも不
可能でなくなるために実用上多大の効果が期待で
きる。
第1図は一般的なCIDの構造を示す図、第2図
aは各横母線にそれぞれ検出増幅器を接続してな
るCIDの信号電荷の並列読み出し方式を示す図、
第2図bは各横母線からの信号出力を、マルチプ
レクサを介して単一の検出増幅器で読み出す方式
を示す図、第3図aおよびbは複数のマルチプレ
クサにそれぞれれの検出増幅器を用いて信号電荷
を並列に読み出す方式を示す図、第4図は本発明
の実施例を示す図、また第5図は本発明の変形実
施例を示す図である。 1:画素、10:シフトレジスタ、25,2
6:端子、30a,30b,30c:マルチプレ
クサ、31a,31b,31c:バスライン、4
0:アドレスカウンタ、50:受光面、A10,
A20,A30:電荷増幅器、Q11〜Q14,Q21,Q22,
………Q31,Q32………:スイツチ用MOST、S1
〜S6:アドレスカウンタの端子。
aは各横母線にそれぞれ検出増幅器を接続してな
るCIDの信号電荷の並列読み出し方式を示す図、
第2図bは各横母線からの信号出力を、マルチプ
レクサを介して単一の検出増幅器で読み出す方式
を示す図、第3図aおよびbは複数のマルチプレ
クサにそれぞれれの検出増幅器を用いて信号電荷
を並列に読み出す方式を示す図、第4図は本発明
の実施例を示す図、また第5図は本発明の変形実
施例を示す図である。 1:画素、10:シフトレジスタ、25,2
6:端子、30a,30b,30c:マルチプレ
クサ、31a,31b,31c:バスライン、4
0:アドレスカウンタ、50:受光面、A10,
A20,A30:電荷増幅器、Q11〜Q14,Q21,Q22,
………Q31,Q32………:スイツチ用MOST、S1
〜S6:アドレスカウンタの端子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 半導体基板上に蓄積電極と検出電極とからな
る画素をマトリツクス状に配設し、該各電極から
画素電荷を読み出す行または列方向のどちらか一
方の複数の母線をk個(k≧2)のマルチプレク
サで選択し、各マルチプレクサに対応して設けら
れた検出増幅器から信号を並列的に読み出すよう
にした構成において、 前記複数の母線のうちk本おきに位置する母線
を前記各マルチプレクサに順次接続し、互いに隣
接する母線が選択されるよう構成したことを特徴
とする2次元固体撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55166230A JPS5789377A (en) | 1980-11-25 | 1980-11-25 | Read system for two-dimensional solid image pickup device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55166230A JPS5789377A (en) | 1980-11-25 | 1980-11-25 | Read system for two-dimensional solid image pickup device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5789377A JPS5789377A (en) | 1982-06-03 |
JPS622509B2 true JPS622509B2 (ja) | 1987-01-20 |
Family
ID=15827517
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP55166230A Granted JPS5789377A (en) | 1980-11-25 | 1980-11-25 | Read system for two-dimensional solid image pickup device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5789377A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59151455A (ja) * | 1983-02-18 | 1984-08-29 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
JPH0817462B2 (ja) * | 1993-06-28 | 1996-02-21 | キヤノン株式会社 | 信号処理装置 |
US5536932A (en) * | 1995-02-10 | 1996-07-16 | Xerox Corporation | Polysilicon multiplexer for two-dimensional image sensor arrays |
-
1980
- 1980-11-25 JP JP55166230A patent/JPS5789377A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5789377A (en) | 1982-06-03 |
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