JPS59151455A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS59151455A JPS59151455A JP58024723A JP2472383A JPS59151455A JP S59151455 A JPS59151455 A JP S59151455A JP 58024723 A JP58024723 A JP 58024723A JP 2472383 A JP2472383 A JP 2472383A JP S59151455 A JPS59151455 A JP S59151455A
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- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 26
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
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- 230000037452 priming Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
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- 241000220317 Rosa Species 0.000 description 1
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- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は固体撮像装Nに係り、特KA/D変換機、
構を有する固体撮像装置に関する。
構を有する固体撮像装置に関する。
第1図は、外界の光画像信号(アナログ信号)6を取込
んでディジタル信号に変換し、これを信号処理するシス
テムの一般的な構成を示したものである。図中、lは固
体撮像装置などの光電変換装置(光センサ)、2は前置
処理装置、3はA/D変換装置、4は信号処理装置、5
は外部出力装置(コントローラ、CRT等)である。
んでディジタル信号に変換し、これを信号処理するシス
テムの一般的な構成を示したものである。図中、lは固
体撮像装置などの光電変換装置(光センサ)、2は前置
処理装置、3はA/D変換装置、4は信号処理装置、5
は外部出力装置(コントローラ、CRT等)である。
このようなシステムは、ディジタル信号処理を行うので
信号処理装置養のIC化が比較的容易にでき、小型で多
機能なシステムが構成できる。また、入力信号が1度デ
ィジタル信号化されてしまうと、信号処理の過程で混入
する雑音はほとんど無視できるので、信号対雑音比(S
/N比)は、ディジタル信号化される前の段階の装置、
すなわち光センサ(光電変換装置)1.前置処理装置2
゜A/D変換装置3によってほぼ決定される。このため
、これらの装置忙は特別な注意が払われて新しい装置が
開発されている。小型のシステムを作るKは前記信号処
理装置養の他、他の装置もIC化する必要があることを
考慮すると、光センサ1として固体撮像装置を用いるこ
とが適当である。
信号処理装置養のIC化が比較的容易にでき、小型で多
機能なシステムが構成できる。また、入力信号が1度デ
ィジタル信号化されてしまうと、信号処理の過程で混入
する雑音はほとんど無視できるので、信号対雑音比(S
/N比)は、ディジタル信号化される前の段階の装置、
すなわち光センサ(光電変換装置)1.前置処理装置2
゜A/D変換装置3によってほぼ決定される。このため
、これらの装置忙は特別な注意が払われて新しい装置が
開発されている。小型のシステムを作るKは前記信号処
理装置養の他、他の装置もIC化する必要があることを
考慮すると、光センサ1として固体撮像装置を用いるこ
とが適当である。
第2図は、第1図に示した構成のシステムにおいて、光
センサlとして固体撮像装置を用いた場合の、前置処理
装置2.A/D変換装置3までの段階の具体的な回路ブ
ロック構成を示したものである。図中、11はホトダイ
オード、12は垂直読出しゲートで、これらが2次元状
に配列されて受光部アレー13を形成している。14は
受光部アレー13の行の選択を順次行う垂直のシフトレ
ジスタ、16は信号を伝達する垂直信号線、 15は
行単位で読出された信号を順次出力側へ送り出すマルチ
プレクサであって、これらを含む破線1′の領域が第1
図の光センサ1に対応している。2′は前置増幅装置、
3はA/D変換装置である。なお、ここでは前置処理装
置2として前置増幅装置2′を設けであるが、他に周波
数フィルタなどをこの部分に付けることもある。
センサlとして固体撮像装置を用いた場合の、前置処理
装置2.A/D変換装置3までの段階の具体的な回路ブ
ロック構成を示したものである。図中、11はホトダイ
オード、12は垂直読出しゲートで、これらが2次元状
に配列されて受光部アレー13を形成している。14は
受光部アレー13の行の選択を順次行う垂直のシフトレ
ジスタ、16は信号を伝達する垂直信号線、 15は
行単位で読出された信号を順次出力側へ送り出すマルチ
プレクサであって、これらを含む破線1′の領域が第1
図の光センサ1に対応している。2′は前置増幅装置、
3はA/D変換装置である。なお、ここでは前置処理装
置2として前置増幅装置2′を設けであるが、他に周波
数フィルタなどをこの部分に付けることもある。
マルチプレクサ1δとして電荷転送素子を用いるような
固体撮像装置(例えば、実願昭54−51 QQ 、
I BEE Digestof Technica/
Papers ofIEDM、pp538.1977な
どに例が示されている)を用いれば、前置増幅装置2′
の段階までは固体撮像装置1′と一体化することが容易
である。
固体撮像装置(例えば、実願昭54−51 QQ 、
I BEE Digestof Technica/
Papers ofIEDM、pp538.1977な
どに例が示されている)を用いれば、前置増幅装置2′
の段階までは固体撮像装置1′と一体化することが容易
である。
しかし、第2図に示された構成では、マルチプレクサ1
5から出される信号はビデオ信号であるので帯域&薫一
般に数MHz以上であり、これをサンプリングしてA/
D変換するためには変換装置としては少なくとも信号帯
域の2倍のレートの処理速度が必要であり、約lQMH
z程度ないしそれ以上の変換速度のA/D変換装置が必
要とされる。このため、A/D変換装置3は、大規模(
数−以上)で、消費電力の大きい(数100mW以上)
ものとなり、独立した装装置としなければならない。
5から出される信号はビデオ信号であるので帯域&薫一
般に数MHz以上であり、これをサンプリングしてA/
D変換するためには変換装置としては少なくとも信号帯
域の2倍のレートの処理速度が必要であり、約lQMH
z程度ないしそれ以上の変換速度のA/D変換装置が必
要とされる。このため、A/D変換装置3は、大規模(
数−以上)で、消費電力の大きい(数100mW以上)
ものとなり、独立した装装置としなければならない。
もし、A/D変換装置3を固体撮像装置1′や前置処理
装置2とともに1チツプ上に形成することができれば、
システム全体の小型化や応用範囲の拡大にはかりしれな
い効果があり、1チツプの信号処理システムなどの実現
に向けて大きな1歩をふみ出すことができる。
装置2とともに1チツプ上に形成することができれば、
システム全体の小型化や応用範囲の拡大にはかりしれな
い効果があり、1チツプの信号処理システムなどの実現
に向けて大きな1歩をふみ出すことができる。
本発明は上記の如き事情を背景として成されたものであ
り、その目的は、A/D変換機構を固体撮像素子と同一
チップ上に形成した固体撮像装置を提供するととKある
。
り、その目的は、A/D変換機構を固体撮像素子と同一
チップ上に形成した固体撮像装置を提供するととKある
。
上記目的を達成するため、本発明は、単一基板上に一次
元または二次元状に配列された複数個のホトダイオード
、該ホトダイオードの選択を行う垂直スイッチ群、前記
ホトダイオードから得られる信号を伝達する複数列の垂
直信号読出し部を具備した固体撮像装置において、前記
垂直信号読出し部の各列または複数列対応K A/D変
換機構を複数設け、光画像信号を並列処理するととkよ
り十分なA/D変換時間を作り、前記A/D変換機構の
小電力化、小型化を図ることにより前記単一基板上に前
記A/D変換機構を形成したことを特徴とする。
元または二次元状に配列された複数個のホトダイオード
、該ホトダイオードの選択を行う垂直スイッチ群、前記
ホトダイオードから得られる信号を伝達する複数列の垂
直信号読出し部を具備した固体撮像装置において、前記
垂直信号読出し部の各列または複数列対応K A/D変
換機構を複数設け、光画像信号を並列処理するととkよ
り十分なA/D変換時間を作り、前記A/D変換機構の
小電力化、小型化を図ることにより前記単一基板上に前
記A/D変換機構を形成したことを特徴とする。
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第3図は本発明の第1の実施例における構成図である。
図中118〜lidはホトダイオード、 12は垂直
読出しゲートであり、これらが2次元状に配列されて受
光部アレー13を形成している。
読出しゲートであり、これらが2次元状に配列されて受
光部アレー13を形成している。
163〜16dは信号を伝達する垂直信号線、19は垂
直の選択線、14は行の選択を順次行う垂直のシフトレ
ジスタ、173〜17dは垂直信号線163〜16d上
の信号電荷をいわゆる「呼び水転送」などによって取出
す機能をもつバッファ、3a〜3dはA/D変換機構、
15はマルチプレクサ、18は出力端子である。
直の選択線、14は行の選択を順次行う垂直のシフトレ
ジスタ、173〜17dは垂直信号線163〜16d上
の信号電荷をいわゆる「呼び水転送」などによって取出
す機能をもつバッファ、3a〜3dはA/D変換機構、
15はマルチプレクサ、18は出力端子である。
第4図は第3図に示した固体撮像装置内の各部分の波形
図の例である。以下、第3図および第4図を用いて動作
を説明する。
図の例である。以下、第3図および第4図を用いて動作
を説明する。
図中20は垂直シフトレジスタ14から出力された行の
選択パルスであり、今、たとえば垂直の選択i!19を
選択したとする。これにより、光画像信号(信号電荷)
がホトダイオードlla〜lldから対応する垂直信号
線168〜16dへそれぞれ伝えられ、例えば21a〜
21dのような波形がそれぞれ対応する垂直信号線16
8〜16d上に現われる。
選択パルスであり、今、たとえば垂直の選択i!19を
選択したとする。これにより、光画像信号(信号電荷)
がホトダイオードlla〜lldから対応する垂直信号
線168〜16dへそれぞれ伝えられ、例えば21a〜
21dのような波形がそれぞれ対応する垂直信号線16
8〜16d上に現われる。
前記呼び水転送などによってこれらの信号はそれぞれ対
応するバッファ178〜17dに転送される。
応するバッファ178〜17dに転送される。
このとき信号はそれぞれ22a〜22dのように等制約
に電圧増幅される。これらの信号を各々A/D変換機構
3 a 〜3 dでA/D変換すると、23aA、23
aB〜23dA、 23dBに波形を示すように、ディ
ジタル信号にそれぞれ変換される。ただし、ここでは簡
単のために2ビツト(4レベル)のディジタル化を例に
とっている(実際の画像情報処理では、白黒2値の系で
ない限り6〜8ビット以上必要なことが多い)。ここで
、例えば23aA、23aBは、増幅された信号22a
(アナログ信号)をディジタ(2ビツト)化したときの
波形を示すものであって、ここでは末尾の符号Aが上位
ビット、Bが下位ビットに対応していることを示してい
る。すなわち、アナログ信号22aは、(10)なるデ
ィジタル信号(バイナリ−)に変換される。23 a
A。
に電圧増幅される。これらの信号を各々A/D変換機構
3 a 〜3 dでA/D変換すると、23aA、23
aB〜23dA、 23dBに波形を示すように、ディ
ジタル信号にそれぞれ変換される。ただし、ここでは簡
単のために2ビツト(4レベル)のディジタル化を例に
とっている(実際の画像情報処理では、白黒2値の系で
ない限り6〜8ビット以上必要なことが多い)。ここで
、例えば23aA、23aBは、増幅された信号22a
(アナログ信号)をディジタ(2ビツト)化したときの
波形を示すものであって、ここでは末尾の符号Aが上位
ビット、Bが下位ビットに対応していることを示してい
る。すなわち、アナログ信号22aは、(10)なるデ
ィジタル信号(バイナリ−)に変換される。23 a
A。
23aBはA/D変換機構22aでディジタル化されて
ホールドされている信号波形であり、以下、23bA。
ホールドされている信号波形であり、以下、23bA。
23bB ; 23cA、23cB ; 23dA、2
3dBはそれぞれ23b、 23c 、 23dに対応
している。
3dBはそれぞれ23b、 23c 、 23dに対応
している。
マルチプレクサ15において、タイミングパルス25に
合わせてこれらのディジタル信号を順次読出す。2(l
示したように、23aA、 23aB (10)9次に
23bA、23bB (11)のように出力される。こ
の場合、2ビツトなので出力端子は2本(上位ビットと
下位ビット)で、各々24A、 24Bのように出力が
得られる。なお、28は時刻の経過方向を示している。
合わせてこれらのディジタル信号を順次読出す。2(l
示したように、23aA、 23aB (10)9次に
23bA、23bB (11)のように出力される。こ
の場合、2ビツトなので出力端子は2本(上位ビットと
下位ビット)で、各々24A、 24Bのように出力が
得られる。なお、28は時刻の経過方向を示している。
ここで、A/D変換された出力をホールドしておいてマ
ルチプレクサ15から順次読出すので、垂直読出しゲー
ト12を介しての読出しからA/D変換までの過程(垂
直読出し:第6図26に示した時間)を、マルチプレク
サ15による1行前の信号の読出しく水平読出し:第6
図27に示した時間)と並行して行うこともできる。従
って、1水平読出し期間(たとえば、NTSC標準方式
では約63μs)を上記A/D変換までの過程として用
いることができるので、A/D変換機構3a〜3dとし
ては3 Q KHz〜1QQKHz程度の中速の変換速
度を持つものでよく、これはMO8IC技術によって小
規模に実現でき、多数並置することも無理なく行える。
ルチプレクサ15から順次読出すので、垂直読出しゲー
ト12を介しての読出しからA/D変換までの過程(垂
直読出し:第6図26に示した時間)を、マルチプレク
サ15による1行前の信号の読出しく水平読出し:第6
図27に示した時間)と並行して行うこともできる。従
って、1水平読出し期間(たとえば、NTSC標準方式
では約63μs)を上記A/D変換までの過程として用
いることができるので、A/D変換機構3a〜3dとし
ては3 Q KHz〜1QQKHz程度の中速の変換速
度を持つものでよく、これはMO8IC技術によって小
規模に実現でき、多数並置することも無理なく行える。
又、少ない消費電力で駆動できる。
第5図は木登−に係る第2の実施例を示す図である。第
3図に示した実施例との差異は、第6図においてはマル
チプレクサ15がなく、各A/D変換機構3a〜3dか
らそれぞれ°並列に出力端子30a〜30dが出ている
点であり、他の点は全く同様である。
3図に示した実施例との差異は、第6図においてはマル
チプレクサ15がなく、各A/D変換機構3a〜3dか
らそれぞれ°並列に出力端子30a〜30dが出ている
点であり、他の点は全く同様である。
第6図は、第5図に示した固体撮像装置の内部の波形を
示し、図中、20121a〜21dl 22a 〜22
d 、 23aA : 23aB〜23dA : 23
dBは第4図におけると同様の波形である。ただし、A
/D変換変換−ホールドた出力23aA : 23aB
〜23dA : 23dBは、タイミングパルス32
によって、同時に出力端子30a−30dからそれぞれ
出力される(31aA : 31aB 〜31dA :
31dB )。 ゛第5図に示した第2の実
施例によれば、次に続く信号処理装置(第1図4)で、
1行の画像情報の並列入力が可能になり、信号処理装置
4での処理が容易になるという利点がある。と<K、後
段の信号処理装置4を同一チップ上に搭載するようなと
きには、固体撮像装置の出力端子数が多くともパッケー
ジの出力ピンの数を増やす必要がない第7図は、本発明
に係る第3の実施例を示す。
示し、図中、20121a〜21dl 22a 〜22
d 、 23aA : 23aB〜23dA : 23
dBは第4図におけると同様の波形である。ただし、A
/D変換変換−ホールドた出力23aA : 23aB
〜23dA : 23dBは、タイミングパルス32
によって、同時に出力端子30a−30dからそれぞれ
出力される(31aA : 31aB 〜31dA :
31dB )。 ゛第5図に示した第2の実
施例によれば、次に続く信号処理装置(第1図4)で、
1行の画像情報の並列入力が可能になり、信号処理装置
4での処理が容易になるという利点がある。と<K、後
段の信号処理装置4を同一チップ上に搭載するようなと
きには、固体撮像装置の出力端子数が多くともパッケー
ジの出力ピンの数を増やす必要がない第7図は、本発明
に係る第3の実施例を示す。
図中、13は受光部アレー(この図では、ホトダイオー
ド、垂直読出しゲートは省略しである)。
ド、垂直読出しゲートは省略しである)。
14は垂直シフルジスタ、19は垂直の選択線。
163〜168は垂直信号線、 17a−178はバ
ッファ。
ッファ。
33は複数(この場合4本)の垂直信号線168〜16
81c対応して、これらの間をスーツチングするスイッ
チ部、3はA/D変換機構、15はマルチプレクサ、“
18は出力端子である。
81c対応して、これらの間をスーツチングするスイッ
チ部、3はA/D変換機構、15はマルチプレクサ、“
18は出力端子である。
第7図におい七、たとえば、スイッチ部33aは4夕O
の電属信号線168〜16dからのバッファ出力178
〜17dを順次選択する。この連続した選択に対応して
A/D変換機構3からディジタル化した出力がマルチプ
レクサ15に順次送られる。マルチプレクサ15では、
4列のディジタル出力がそろってから、これを順次出力
端子18へ送る。
の電属信号線168〜16dからのバッファ出力178
〜17dを順次選択する。この連続した選択に対応して
A/D変換機構3からディジタル化した出力がマルチプ
レクサ15に順次送られる。マルチプレクサ15では、
4列のディジタル出力がそろってから、これを順次出力
端子18へ送る。
゛第8図は、第7図に示し箋固体撮像装置内の波形を水
子ものであ名。第d′図尾おいては、第4図や第6゛図
に示しhi5′な行め撫択パルス20.および垂直信号
線16上の波形図は省略しである。
子ものであ名。第d′図尾おいては、第4図や第6゛図
に示しhi5′な行め撫択パルス20.および垂直信号
線16上の波形図は省略しである。
垂直信号線16a −163に対応したバッファ17a
〜17gにおいて、信号は、例えば348〜34hのよ
5に各々増幅される。このうち、例えば348〜34d
は、スイッチ部33a Kよって順次切換えられてA/
D変換機構3aでA/D変換される。このため、ディジ
タル化された信号は、35aA : 35aB〜35d
A : 35dBのように連続的に出力されて、それぞ
れ別個にホールドされる。34e〜34hも同様にスイ
ッチ33b kよって切換えられ、A/D変換機構3b
でA/D変換され、35eA : 35eB 〜35h
A : 35hBのようにそれぞれ別個に順次ホールド
される。これら、ホールドされている出力を、マルチプ
レクサ15で、水平の読出しタイミングパルス37IC
よって出力端子18から順次読出す。このときの読出し
波形は36A 、 36Bのようになる。すなわち、3
5aA : 35aB 〜35hA : 35hB K
それぞれ対応するディジタル信号(10)、(11)、
(01)。
〜17gにおいて、信号は、例えば348〜34hのよ
5に各々増幅される。このうち、例えば348〜34d
は、スイッチ部33a Kよって順次切換えられてA/
D変換機構3aでA/D変換される。このため、ディジ
タル化された信号は、35aA : 35aB〜35d
A : 35dBのように連続的に出力されて、それぞ
れ別個にホールドされる。34e〜34hも同様にスイ
ッチ33b kよって切換えられ、A/D変換機構3b
でA/D変換され、35eA : 35eB 〜35h
A : 35hBのようにそれぞれ別個に順次ホールド
される。これら、ホールドされている出力を、マルチプ
レクサ15で、水平の読出しタイミングパルス37IC
よって出力端子18から順次読出す。このときの読出し
波形は36A 、 36Bのようになる。すなわち、3
5aA : 35aB 〜35hA : 35hB K
それぞれ対応するディジタル信号(10)、(11)、
(01)。
(11)、(11)、(10)、(00)、(11)が
順次読出される。なお、上記説明では、1第7図の右端
から8本分の垂直信号線168〜16hについて言及し
たが、他の部分でも同様に処理される。
順次読出される。なお、上記説明では、1第7図の右端
から8本分の垂直信号線168〜16hについて言及し
たが、他の部分でも同様に処理される。
第7図忙示した実施例によれば、A/D変換機構を各垂
直信号線に個別に対応させて設けることなく、複数列の
垂直信号線対応に1組ずつ割当てるので、チップ上の横
(水平)方向に面積上の余裕が十分とれ、A/D変換機
構の設計が容易になり、分解能の高いものも設げること
が可能になる。
直信号線に個別に対応させて設けることなく、複数列の
垂直信号線対応に1組ずつ割当てるので、チップ上の横
(水平)方向に面積上の余裕が十分とれ、A/D変換機
構の設計が容易になり、分解能の高いものも設げること
が可能になる。
ここで第3図、および第7図の実施例における出力端子
18は、ディジタル情報を1ビツトずつ出力する構造で
もよいが、第2の実施例に示したように、1画素分のデ
ィジタル情報を並列に(同時に)出力すると、後段の信
号処理装置養への情報伝送速度がおそくてもよいので、
伝送が容易になる。
18は、ディジタル情報を1ビツトずつ出力する構造で
もよいが、第2の実施例に示したように、1画素分のデ
ィジタル情報を並列に(同時に)出力すると、後段の信
号処理装置養への情報伝送速度がおそくてもよいので、
伝送が容易になる。
なお、上記第1.第2.および第3の実施例中の受光部
アレー13としては、前記したMO8形以外に、インタ
ライン形やフレームトランスファ形などのCCD形等の
ものであってもよいことは 1もちろんのことであ
り、また、2次元アレーに限定されるものでなく、1次
元アレーであってもよい。受光部アレー13がCCD形
であるときには、前記した呼び水転送は不要になる。
アレー13としては、前記したMO8形以外に、インタ
ライン形やフレームトランスファ形などのCCD形等の
ものであってもよいことは 1もちろんのことであ
り、また、2次元アレーに限定されるものでなく、1次
元アレーであってもよい。受光部アレー13がCCD形
であるときには、前記した呼び水転送は不要になる。
さ?に、第3.5,7図の動作説明忙用いた波型図9.
第4.6.8図はこれに限定されるものでなく、他の駆
動方法により得られる波形であってもよいことはもちろ
んのことである。
第4.6.8図はこれに限定されるものでなく、他の駆
動方法により得られる波形であってもよいことはもちろ
んのことである。
以上説明したように、本発明によれば、固体撮像装置の
垂直信号読出し部に対応させて複数個のA/D変換機構
を設け、画像信号を行方向に並列処理するととkよりビ
デオ!号という本来高速の信号を十分な変換時間の中で
処理でき、従って前記A/fi)変換機構は小電力、小
型化でき、当該A/D変換機構を前記固体撮像装置と同
一基板上に形成することができる。
垂直信号読出し部に対応させて複数個のA/D変換機構
を設け、画像信号を行方向に並列処理するととkよりビ
デオ!号という本来高速の信号を十分な変換時間の中で
処理でき、従って前記A/fi)変換機構は小電力、小
型化でき、当該A/D変換機構を前記固体撮像装置と同
一基板上に形成することができる。
第1図は光画像情報の一般的な処理システムを示す図、
第2図は固体撮像装置による光画像情報の処理システム
の構成図、第3図は本発明の第1の実施例を示す図、第
4図は第3図の装置内の波形を例示した図、第5図は本
発明の第2の実施例を示す図、第6図は第5図の装置内
の波形を例示した図、第7図は本発明の第3の実施例を
示す図、第8図は第7図の装置内の波形を例示した図で
ある。 3、3a 〜3 d : A/D変換機構、11a〜1
1d:ホトダイオード、12:垂直読出しゲート、13
:受光部アレー、14=垂直シフトレジスタ、15:マ
ルチプレクサ、16a〜16d:垂直信号線、17a
〜17d’ :バラフッ、18:出力端子第 1
図 第 2 図 第 3 図 5 第 4 図 第 5 図 30d 30c 30b 30a 第 6 図 21a 1b−u− 21cm−一− 21d]−「−一 2C−L− 32−」L 第 7 図 5
第2図は固体撮像装置による光画像情報の処理システム
の構成図、第3図は本発明の第1の実施例を示す図、第
4図は第3図の装置内の波形を例示した図、第5図は本
発明の第2の実施例を示す図、第6図は第5図の装置内
の波形を例示した図、第7図は本発明の第3の実施例を
示す図、第8図は第7図の装置内の波形を例示した図で
ある。 3、3a 〜3 d : A/D変換機構、11a〜1
1d:ホトダイオード、12:垂直読出しゲート、13
:受光部アレー、14=垂直シフトレジスタ、15:マ
ルチプレクサ、16a〜16d:垂直信号線、17a
〜17d’ :バラフッ、18:出力端子第 1
図 第 2 図 第 3 図 5 第 4 図 第 5 図 30d 30c 30b 30a 第 6 図 21a 1b−u− 21cm−一− 21d]−「−一 2C−L− 32−」L 第 7 図 5
Claims (1)
- (1)単一基板上に一次元または、二次元状に配列され
た複数個のホトダイオード、該ホトダイオードの選択を
行う垂直スイッチ群、前記ホトダイオードから得られる
信号を伝達する複数列の垂直信号読出し部を具備した固
体撮像装置において、前記単一基板上に、前記垂直信号
読出し部の各列または複数列対応にA/D変換機構を設
けたことを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58024723A JPS59151455A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58024723A JPS59151455A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59151455A true JPS59151455A (ja) | 1984-08-29 |
Family
ID=12146074
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58024723A Pending JPS59151455A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59151455A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62154981A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-09 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
JP2004015701A (ja) * | 2002-06-11 | 2004-01-15 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその制御方法 |
WO2005109864A1 (ja) * | 2004-05-10 | 2005-11-17 | Hamamatsu Photonics K.K. | センサ装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5632880A (en) * | 1979-08-27 | 1981-04-02 | Hitachi Ltd | Picture recorder |
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JPS5789377A (en) * | 1980-11-25 | 1982-06-03 | Fujitsu Ltd | Read system for two-dimensional solid image pickup device |
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-
1983
- 1983-02-18 JP JP58024723A patent/JPS59151455A/ja active Pending
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US9154714B2 (en) | 2002-06-11 | 2015-10-06 | Sony Corporation | Solid-state image pickup device and control method thereof |
US9648258B2 (en) | 2002-06-11 | 2017-05-09 | Sony Corporation | Solid-state image pickup device and control method thereof |
US10986296B2 (en) | 2002-06-11 | 2021-04-20 | Sony Corporation | Solid-state image pickup device and control method thereof |
WO2005109864A1 (ja) * | 2004-05-10 | 2005-11-17 | Hamamatsu Photonics K.K. | センサ装置 |
US7956917B2 (en) | 2004-05-10 | 2011-06-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | Sensor apparatus |
US8379128B2 (en) | 2004-05-10 | 2013-02-19 | Hamamatsu Photonics K.K. | Sensor apparatus |
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