JPS62250742A - 返信信号発生回路 - Google Patents
返信信号発生回路Info
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- JPS62250742A JPS62250742A JP9531086A JP9531086A JPS62250742A JP S62250742 A JPS62250742 A JP S62250742A JP 9531086 A JP9531086 A JP 9531086A JP 9531086 A JP9531086 A JP 9531086A JP S62250742 A JPS62250742 A JP S62250742A
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- Selective Calling Equipment (AREA)
- Small-Scale Networks (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【技術分野〕
この発明は、トロリーバスダクト等の移動電路や配線ダ
クト等の導体を利用して親器と複数の端末器によってデ
ジタルサイクリック方式の信号伝送を行う遠隔多重伝送
装置の端末器内に設置される返信信号発生回路に関する
ものである。
クト等の導体を利用して親器と複数の端末器によってデ
ジタルサイクリック方式の信号伝送を行う遠隔多重伝送
装置の端末器内に設置される返信信号発生回路に関する
ものである。
この遠隔多重伝送装置における伝送方式は、サイクリッ
ク時分割方式である。これは、各端末器に固有アドレス
を与え、親器と各端末器とが順次サイクリックにパルス
信号を送受信する方式である。
ク時分割方式である。これは、各端末器に固有アドレス
を与え、親器と各端末器とが順次サイクリックにパルス
信号を送受信する方式である。
第２図によって説明すると、まず最初に親器Ｐは、端末
器ｌとの間で送受信を行い、つぎに端末器２との間で送
受信を行い、以下端末器３．４゜・・・・・・・・・、
Ｎ−１，Ｎとの間で順次送受信を行い、この１＆端末器
１，２．・・・・・・・・・、Ｎとの間で送受信を順次
行う、すなわち、この遠隔多重伝送装置は親Ｂｐと複数
の端末！１．２．・・・・・・・・・、Ｎとの間でサイ
クリックに時分割で信号伝送を行うことになる。
器ｌとの間で送受信を行い、つぎに端末器２との間で送
受信を行い、以下端末器３．４゜・・・・・・・・・、
Ｎ−１，Ｎとの間で順次送受信を行い、この１＆端末器
１，２．・・・・・・・・・、Ｎとの間で送受信を順次
行う、すなわち、この遠隔多重伝送装置は親Ｂｐと複数
の端末！１．２．・・・・・・・・・、Ｎとの間でサイ
クリックに時分割で信号伝送を行うことになる。
第３図に親器Ｐと端末器、例えば１のブロック図を示す
、この図において、Ｐｌは多重伝送処理回路、Ｐ２は多
重伝送出力回路、Ｐ３は多重伝送入力回路、Ｐ４は異常
検出回路、ＩＡは多重伝送処理回路、ＩＢは多重伝送検
出回路、ｌＣは返信信号発生回路、ＩＤはオン／オフ信
号入力回路、１Ｅはオン／オフ信号出力回路、ｌＦは異
常検出回路である。ＬＮは信号線である。
、この図において、Ｐｌは多重伝送処理回路、Ｐ２は多
重伝送出力回路、Ｐ３は多重伝送入力回路、Ｐ４は異常
検出回路、ＩＡは多重伝送処理回路、ＩＢは多重伝送検
出回路、ｌＣは返信信号発生回路、ＩＤはオン／オフ信
号入力回路、１Ｅはオン／オフ信号出力回路、ｌＦは異
常検出回路である。ＬＮは信号線である。
以下、この図に基づいて、親器Ｐがある一つの端末器１
と送受信をする場合の動作説明をする。
と送受信をする場合の動作説明をする。
多重伝送処理回路（マイクロコンピュータを含む）Ｐ＋
により、生成された端末器１への制御信号（監視信号）
は、多重伝送出力回路Ｐ２により、ある電圧のパルス信
号に変換され、またノイズ対策のための処理（例えばパ
ルスの立上り、立下りに傾斜をもたせる）が施されたの
ち信号線ＬＮに出力される。このパルス信号は、端末器
ｌの多重伝送検出回路ＩＢに入力され、変換後、多重伝
送処理回路ＩＡに入力される。多重伝送処理回路ＬＡは
、その信号が自端末器１の固有アドレスへの信号である
かどうかを判断する。一致した場合、制御信号であれば
、オン／オフ信号出力回路ｌＥにその制御内容を出力し
、オン／オフ信号出力回路ＩＢは、リレー、トランジス
タ等を駆動し、外部に出力する。
により、生成された端末器１への制御信号（監視信号）
は、多重伝送出力回路Ｐ２により、ある電圧のパルス信
号に変換され、またノイズ対策のための処理（例えばパ
ルスの立上り、立下りに傾斜をもたせる）が施されたの
ち信号線ＬＮに出力される。このパルス信号は、端末器
ｌの多重伝送検出回路ＩＢに入力され、変換後、多重伝
送処理回路ＩＡに入力される。多重伝送処理回路ＬＡは
、その信号が自端末器１の固有アドレスへの信号である
かどうかを判断する。一致した場合、制御信号であれば
、オン／オフ信号出力回路ｌＥにその制御内容を出力し
、オン／オフ信号出力回路ＩＢは、リレー、トランジス
タ等を駆動し、外部に出力する。
監視入力の場合は、外部からのオン／オフ情報をオン／
オフ信号入力回路ＩＤにより入力し、多重伝送処理回路
ＬＡに出力する。多重伝送処理回路ＩＡは、自らが行っ
た制御内容（オン／オフ信号出力回路ｌ已に出力した内
容）または監視内容（オン／オフ信号入力回路ｌＤより
入力した内容）を返信傷発生回路ＩＣにより電流パルス
信号として親器Ｐに返信する。親器Ｐは、この端末器１
からの電流パルス信号を多重伝送入力回路Ｐ３で入力し
、変換後、多重伝送処理回路ｐ、に出力する。
オフ信号入力回路ＩＤにより入力し、多重伝送処理回路
ＬＡに出力する。多重伝送処理回路ＩＡは、自らが行っ
た制御内容（オン／オフ信号出力回路ｌ已に出力した内
容）または監視内容（オン／オフ信号入力回路ｌＤより
入力した内容）を返信傷発生回路ＩＣにより電流パルス
信号として親器Ｐに返信する。親器Ｐは、この端末器１
からの電流パルス信号を多重伝送入力回路Ｐ３で入力し
、変換後、多重伝送処理回路ｐ、に出力する。
なお、返信期間は親器Ｐによって一対の信号線ｌＩ。
１２間に電圧が印加されている。
以上のようにして、親器Ｐは個々の端末器ｌ〜Ｎと送受
信を行う。
信を行う。
なお、親器Ｐの異常検出回路Ｐ４は、多重伝送処理回路
Ｐ３に入力された例えば端末器１からの異富（過電流返
信、信号線短絡等）を検出する。
Ｐ３に入力された例えば端末器１からの異富（過電流返
信、信号線短絡等）を検出する。
また、端末器ｌの異常検出回路ＩＦは、信号線ＬＮの短
絡、解放を検出する。また、信号線ＬＮを通して送る信
号電圧は６０〜２００ｖ程度である。
絡、解放を検出する。また、信号線ＬＮを通して送る信
号電圧は６０〜２００ｖ程度である。
上記のような遠隔多重伝送装置における端末器の返信信
号発生回路は、第４図に示すように、第３図における信
号線ＬＮを構成する２本の信号線１１、 １！２に端子
ｓｌ、ｓ２をそれぞれ接続した定電流スイッチ回路■と
、返信信号ＲＥＴのレベルに応じて定電流スイッチ回路
■をオン／オフさせる制御回路■とで構成される。
号発生回路は、第４図に示すように、第３図における信
号線ＬＮを構成する２本の信号線１１、 １！２に端子
ｓｌ、ｓ２をそれぞれ接続した定電流スイッチ回路■と
、返信信号ＲＥＴのレベルに応じて定電流スイッチ回路
■をオン／オフさせる制御回路■とで構成される。
上記返信信号発生回路において、定電流スイッチ回路！
は、ダイオードブリッジＤＢ、の直流端にＮＰＮトラン
ジスタからなるスイッチ素子ＴＲ。
は、ダイオードブリッジＤＢ、の直流端にＮＰＮトラン
ジスタからなるスイッチ素子ＴＲ。
および抵抗Ｒ１を直列に接続し、同じくダイオードブリ
ッジＤＢ、の直流端に抵抗Ｒ２およびツェナーダイオー
ドＺＤ、の直列回路を接続し、抵抗Ｒ２およびツェナー
ダイオードＺＤ、の接続点をスイッチ素子ＴＲ，のベー
スに接続し、ダイオードブリッジＤＢ、の交流端に端子
ｓ、、ｓ２を設けたものである。
ッジＤＢ、の直流端に抵抗Ｒ２およびツェナーダイオー
ドＺＤ、の直列回路を接続し、抵抗Ｒ２およびツェナー
ダイオードＺＤ、の接続点をスイッチ素子ＴＲ，のベー
スに接続し、ダイオードブリッジＤＢ、の交流端に端子
ｓ、、ｓ２を設けたものである。
制御回路■は、ダイオードブリッジＤＢ、の直流端に抵
抗Ｒ３およびフォトカブラＰＣＩのホトトランジスタＱ
、の直列回路を接続し、ツェナーダイオードＺＤ、にＮ
ＰＮ トランジスタＴＲ２を並列に接続し、抵抗Ｒ３と
ホトトランジスタＱ１の接続点をＮＰＮ トランジスタ
ＴＲ２のベースに接続した回路に加えて、電源電圧ｖＥ
が印加された端子Ｆに接続した抵抗Ｒ４とフォトカブラ
ＰＣ。
抗Ｒ３およびフォトカブラＰＣＩのホトトランジスタＱ
、の直列回路を接続し、ツェナーダイオードＺＤ、にＮ
ＰＮ トランジスタＴＲ２を並列に接続し、抵抗Ｒ３と
ホトトランジスタＱ１の接続点をＮＰＮ トランジスタ
ＴＲ２のベースに接続した回路に加えて、電源電圧ｖＥ
が印加された端子Ｆに接続した抵抗Ｒ４とフォトカブラ
ＰＣ。
の発光ダイオードＤ、とＮＰＮ トランジスタからなる
スイッチ素子ＴＲ３とを直列に接続し、返信信号ＲＥＴ
の入力端子已に抵抗Ｒ５の一端を接続し、抵抗Ｒ５の他
端をスイッチ素子Ｔ Ｒ、のベースに接続した回路を存
している。なお、スイッチ素子ＴＲ３のエミッタ側は接
地されている。
スイッチ素子ＴＲ３とを直列に接続し、返信信号ＲＥＴ
の入力端子已に抵抗Ｒ５の一端を接続し、抵抗Ｒ５の他
端をスイッチ素子Ｔ Ｒ、のベースに接続した回路を存
している。なお、スイッチ素子ＴＲ３のエミッタ側は接
地されている。
入力端子巳より入力された返信信号ＲＥＴが高レベルの
ときは、制御回路■のスイッチ素子ＴＲ３がオンとなり
、ホトカプラＰＣ宜の発光ダイオードＤ１が点灯してホ
トトランジスタＱ！がオンとなり、したがってＮＰＮ
トランジスタＴＲ２がオフとなり、スイッチ素子Ｔ Ｒ
＋が情動状態となり、スイッチ素子ＴＲ，とツェナーダ
イオードＺＤ。
ときは、制御回路■のスイッチ素子ＴＲ３がオンとなり
、ホトカプラＰＣ宜の発光ダイオードＤ１が点灯してホ
トトランジスタＱ！がオンとなり、したがってＮＰＮ
トランジスタＴＲ２がオフとなり、スイッチ素子Ｔ Ｒ
＋が情動状態となり、スイッチ素子ＴＲ，とツェナーダ
イオードＺＤ。
と抵抗Ｒ１とで定電流回路が形成され、定電流スイッチ
回路ＩにおけるダイオードブリッジＤＢ。
回路ＩにおけるダイオードブリッジＤＢ。
を経由して端子Ｓ、、Ｓ、、から信号線１．、 １２を
通じて返信信号ＲＦ、Ｔの高レベルに対応した返信信号
電流が親器Ｐへ流れる。
通じて返信信号ＲＦ、Ｔの高レベルに対応した返信信号
電流が親器Ｐへ流れる。
また、前記の返信信号ＲＥ ’ｒが低レベルのときは、
スイッチ素子ＴＲ，がオフとなるが、制御回路■のＮ
Ｐ Ｎ トランジスタＴＲ２がオンとなるため、抵抗Ｒ
２に電流が流れるから、定電流スイッチ回路■における
ダイオードブリッジＤＢＩを経由して、端子ｓｌ、ｓ２
から一対の信号線ｌ、。
スイッチ素子ＴＲ，がオフとなるが、制御回路■のＮ
Ｐ Ｎ トランジスタＴＲ２がオンとなるため、抵抗Ｒ
２に電流が流れるから、定電流スイッチ回路■における
ダイオードブリッジＤＢＩを経由して、端子ｓｌ、ｓ２
から一対の信号線ｌ、。
１２を通じて、低レベルの返信信号電流が親器Ｐへ流れ
る。この返信信号ＲＥＴが低レベルのときに流れる返信
信号電流は抵抗Ｒ２およびＮＰＮ トランジスタＴＲ２
で制約された値となる。
る。この返信信号ＲＥＴが低レベルのときに流れる返信
信号電流は抵抗Ｒ２およびＮＰＮ トランジスタＴＲ２
で制約された値となる。
このような従来の返信信号発生回路は、端末器における
多重伝送処理回路と信号線１．、ｚ、、とを絶縁するた
めにホトカプラＰＣ，を使用しているが、このホトカプ
ラＰＣ１は受光素子がホトトランジスタＱｌで構成され
ていたため、応答速度が遅いという問題があった。
多重伝送処理回路と信号線１．、ｚ、、とを絶縁するた
めにホトカプラＰＣ，を使用しているが、このホトカプ
ラＰＣ１は受光素子がホトトランジスタＱｌで構成され
ていたため、応答速度が遅いという問題があった。
この発明の目的は、応答速度の速い返信信号発生回路を
提供することである。
提供することである。
この発明の返信信号発生回路は、親器と各々異なる固有
アドレスが設定された複数の端末器とを一対の信号線で
接続し、 前記親器よりアドレス信号を含む送信信号を電圧信号と
して前記一対の信号線に送り出すとともに前記端末器で
は前記送信信号を受信し前記送信信号中のアドレス信号
と自己の固をアドレスとの一致に応答して返信信号を電
流信号として前記一対の信号線に送り出すように構成し
た遠隔多重伝送装置において、前記端末器内に設置され
る返信信号発生回路であって、 前記一対の信号線に一対の交流端をそれぞれ接続したダ
イオードブリッジと、このダイオードブリッジの正側直
流端に一端を接続した第１および第２の抵抗の直列回路
と、この第１および第２の抵抗の直列回路の他端にコレ
クタを接続し前記ダイオードブリフジの負側直流端にエ
ミッタを接続したＮＰＮ トランジスタと、前記第１お
よび第２の抵抗の接続点と前記ＮＰＮ トランジスタの
エミッタとの間に接続した事情コンデンサと、前記第１
および第２の抵抗の接続点と前記ＮＰＮトランジスタの
ベースとの間にホトダイオードを接続したホトカプラと
、このホトカプラの発光ダイオードと直列接続して返信
信号のレベルに応じてオンオフする第１のスイッチ素子
と、前記ダイオードブリフジの正側直流端および負側直
流端間に接続して前記ＮＰＮトランジスタのオンオフに
応答してスイッチングする第２のスイッチ素子とを備え
ている。
アドレスが設定された複数の端末器とを一対の信号線で
接続し、 前記親器よりアドレス信号を含む送信信号を電圧信号と
して前記一対の信号線に送り出すとともに前記端末器で
は前記送信信号を受信し前記送信信号中のアドレス信号
と自己の固をアドレスとの一致に応答して返信信号を電
流信号として前記一対の信号線に送り出すように構成し
た遠隔多重伝送装置において、前記端末器内に設置され
る返信信号発生回路であって、 前記一対の信号線に一対の交流端をそれぞれ接続したダ
イオードブリッジと、このダイオードブリッジの正側直
流端に一端を接続した第１および第２の抵抗の直列回路
と、この第１および第２の抵抗の直列回路の他端にコレ
クタを接続し前記ダイオードブリフジの負側直流端にエ
ミッタを接続したＮＰＮ トランジスタと、前記第１お
よび第２の抵抗の接続点と前記ＮＰＮ トランジスタの
エミッタとの間に接続した事情コンデンサと、前記第１
および第２の抵抗の接続点と前記ＮＰＮトランジスタの
ベースとの間にホトダイオードを接続したホトカプラと
、このホトカプラの発光ダイオードと直列接続して返信
信号のレベルに応じてオンオフする第１のスイッチ素子
と、前記ダイオードブリフジの正側直流端および負側直
流端間に接続して前記ＮＰＮトランジスタのオンオフに
応答してスイッチングする第２のスイッチ素子とを備え
ている。
この発明の返信信号発生回路によれば、絶縁用のホトカ
プラの受光素子としてホトダイオードを用いているため
、応答速度を早くすることができる。
プラの受光素子としてホトダイオードを用いているため
、応答速度を早くすることができる。
実施例
この発明の一実施例を第１図に基づいて説明する。この
返信信号発生回路は、親器と各々異なる固有アドレスが
設定された複数の端末器とを一対の信号線で接続し、 前記親器よりアドレス信号を含む送信信号を電圧信号と
して前記一対の信号線に送り出すとともに前記端末器で
は前記送信信号を受信し前記送信信号中のアドレス信号
と自己の固有アドレスとの一致に応答して返信信号を電
流信号として前記一対の信号線に送り出すように構成し
た遠隔多１伝送装置において、前記端末器内に設置され
る返信信号発生回路であって、 第１図に示すように、一対の信号線１．．１２に一対の
交流端をそれぞれ接続したダイオードブリッジＤＢ、と
、このダイオードブリッジＤＢ宜の正側直流端に一端を
接続した第１および第２の抵抗Ｒ？、Ｒ，の直列回路と
、この第１および第２の抵抗Ｒ７，Ｒ，の直列回路の他
端にコレクタを接続し前記ダイオードブリッジＤＢ、の
負側直流端にエミッタを接続したＮＰＮ トランジスタ
ＴＲ４と、前記第１および第２の抵抗Ｒ１，Ｒｇの接続
点と前記ＮＰＮ トランジスタＴＲ４のエミッタとの間
に接続した平滑コンデンサＣ１と、前記第１および第２
の抵抗Ｒ７，Ｒｅの接続点と前記ＮＰＮトランジスタＴ
Ｒ，のベースとの間にホトダイオードＤ３を接続したホ
トカプラＰＣ２と、このホトカプラＰＣ２の発光ダイオ
ードＤ２と直列接続して返信信号ＲＥＴのレベルに応じ
てオンオフするＮＰＮ トランジスタからなる第１のス
イッチ素子ＴＲ３と、前記ダイオードブリッジＤＢ。
返信信号発生回路は、親器と各々異なる固有アドレスが
設定された複数の端末器とを一対の信号線で接続し、 前記親器よりアドレス信号を含む送信信号を電圧信号と
して前記一対の信号線に送り出すとともに前記端末器で
は前記送信信号を受信し前記送信信号中のアドレス信号
と自己の固有アドレスとの一致に応答して返信信号を電
流信号として前記一対の信号線に送り出すように構成し
た遠隔多１伝送装置において、前記端末器内に設置され
る返信信号発生回路であって、 第１図に示すように、一対の信号線１．．１２に一対の
交流端をそれぞれ接続したダイオードブリッジＤＢ、と
、このダイオードブリッジＤＢ宜の正側直流端に一端を
接続した第１および第２の抵抗Ｒ？、Ｒ，の直列回路と
、この第１および第２の抵抗Ｒ７，Ｒ，の直列回路の他
端にコレクタを接続し前記ダイオードブリッジＤＢ、の
負側直流端にエミッタを接続したＮＰＮ トランジスタ
ＴＲ４と、前記第１および第２の抵抗Ｒ１，Ｒｇの接続
点と前記ＮＰＮ トランジスタＴＲ４のエミッタとの間
に接続した平滑コンデンサＣ１と、前記第１および第２
の抵抗Ｒ７，Ｒｅの接続点と前記ＮＰＮトランジスタＴ
Ｒ，のベースとの間にホトダイオードＤ３を接続したホ
トカプラＰＣ２と、このホトカプラＰＣ２の発光ダイオ
ードＤ２と直列接続して返信信号ＲＥＴのレベルに応じ
てオンオフするＮＰＮ トランジスタからなる第１のス
イッチ素子ＴＲ３と、前記ダイオードブリッジＤＢ。
の正側直流端および負側直流端間に接続して前記ＮＰＮ
トランジスタＴＲ４のオンオフに応答してスイッチン
グするＮＰＮ トランジスタからなる第２のスイッチ素
子ＴＲ，とを備えている。
トランジスタＴＲ４のオンオフに応答してスイッチン
グするＮＰＮ トランジスタからなる第２のスイッチ素
子ＴＲ，とを備えている。
この実施例における第４図の回路との相違点は、制御回
路■に代えて、制御回路ｎ′を用いたことであり、具体
的には、ホトトランジスタ型のホトカプラＰＣ，に代え
てＰＮホトダイオード型のホトカプラＰＣ２を用いたこ
と、およびホトカプラＰＣ２の受光素子であるホトダイ
オードＤ３を適正に動作させるための適正なバイアス電
圧を安定して与える抵抗Ｒ？、Ｒ，と平滑コンデンサＣ
１を設けたこと、およびホトダイオードＤ３に応答して
オンオフするＮＰＮ トランジスタＴＲ４を設けたこと
、およびスイッチ素子ＴＲ，のコレクタ側に抵抗Ｒ６を
介挿したことで、その他の構成は第４図と同じである。
路■に代えて、制御回路ｎ′を用いたことであり、具体
的には、ホトトランジスタ型のホトカプラＰＣ，に代え
てＰＮホトダイオード型のホトカプラＰＣ２を用いたこ
と、およびホトカプラＰＣ２の受光素子であるホトダイ
オードＤ３を適正に動作させるための適正なバイアス電
圧を安定して与える抵抗Ｒ？、Ｒ，と平滑コンデンサＣ
１を設けたこと、およびホトダイオードＤ３に応答して
オンオフするＮＰＮ トランジスタＴＲ４を設けたこと
、およびスイッチ素子ＴＲ，のコレクタ側に抵抗Ｒ６を
介挿したことで、その他の構成は第４図と同じである。
この回路においては、返信信号ＲＥＴが高レベルのとき
は、スイッチ素子ＴＲ３がオンとなってホトカプラＰＣ
２の発光ダイオードＤ２が点灯し、したがってホトダイ
オードＤ３が導通し、ＮＰＮトランジスタＴＲ，がオン
となり、ＮＰＮ トランジスタＴＲ２がオフとなる。一
方、返信信号ＲＥＴが低レベルのときは、スイッチ素子
ＴＲ３がオフで、発光ダイオードＤ２が消灯し、したが
ってホトダイオードＤ３が遮断し、ＮＰＮトランジスタ
ＴＲ４がオフで、ＮＰＮ トランジスタＴＲ２がオンと
なる。その他の動作は第４図と同様である。
は、スイッチ素子ＴＲ３がオンとなってホトカプラＰＣ
２の発光ダイオードＤ２が点灯し、したがってホトダイ
オードＤ３が導通し、ＮＰＮトランジスタＴＲ，がオン
となり、ＮＰＮ トランジスタＴＲ２がオフとなる。一
方、返信信号ＲＥＴが低レベルのときは、スイッチ素子
ＴＲ３がオフで、発光ダイオードＤ２が消灯し、したが
ってホトダイオードＤ３が遮断し、ＮＰＮトランジスタ
ＴＲ４がオフで、ＮＰＮ トランジスタＴＲ２がオンと
なる。その他の動作は第４図と同様である。
このように、受光素子としてホトダイオードＤ３を有す
るホトカプラＰＣ２を用いると、従来例のようにホトト
ランジスタＱ１を受光素子としてをするホトカプラＰＣ
，を用いるのに比べて応答速度を速くすることができる
。
るホトカプラＰＣ２を用いると、従来例のようにホトト
ランジスタＱ１を受光素子としてをするホトカプラＰＣ
，を用いるのに比べて応答速度を速くすることができる
。
また、ホトカプラＰＣ２のホトダイオードＤ３に抵抗Ｒ
？、Ｒ，で分圧し、かつ平滑コンデンサＣ１で平滑した
電圧をバイアス電圧として加えているので、バイアス電
圧を適正な値に設定できるとともに安定し、ホトカプラ
ＰＣ２の動作点の安定化が可能となり、良好なスイッチ
ング特性をＮＰＮトランジスタＴＲ４にもたせることが
できる。
？、Ｒ，で分圧し、かつ平滑コンデンサＣ１で平滑した
電圧をバイアス電圧として加えているので、バイアス電
圧を適正な値に設定できるとともに安定し、ホトカプラ
ＰＣ２の動作点の安定化が可能となり、良好なスイッチ
ング特性をＮＰＮトランジスタＴＲ４にもたせることが
できる。
また、一対の信号線１１．７＋２間に接続して返信信号
ＲＥＴのレベルに応じて定電流動作状態とオフ状態とに
切替わるスイッチ素子ＴＲ，のコレクタ側に抵抗Ｒ６を
直列介挿したため、スイッチ素子ＴＲ，が定電流動作状
態にある場合において、電力損失がスイッチ素子ＴＲ，
と抵抗Ｒ６とで分担され、スイッチ素子Ｔｉ１の発熱を
抑えることができ、しかも抵抗Ｒ６の発熱も少なく信頼
性を高めることができる。また、発熱箇所がスイッチ素
子ＴＲ，と抵抗Ｒ６とに分散され、各々の発熱量は少な
くなり、放熱対策を容易に行うことができる。
ＲＥＴのレベルに応じて定電流動作状態とオフ状態とに
切替わるスイッチ素子ＴＲ，のコレクタ側に抵抗Ｒ６を
直列介挿したため、スイッチ素子ＴＲ，が定電流動作状
態にある場合において、電力損失がスイッチ素子ＴＲ，
と抵抗Ｒ６とで分担され、スイッチ素子Ｔｉ１の発熱を
抑えることができ、しかも抵抗Ｒ６の発熱も少なく信頼
性を高めることができる。また、発熱箇所がスイッチ素
子ＴＲ，と抵抗Ｒ６とに分散され、各々の発熱量は少な
くなり、放熱対策を容易に行うことができる。
この結果、放熱フィン等の小形化を達成でき、また返信
信号発生回路を収容する筐体内の温度分布を意図的に調
整することができる。
信号発生回路を収容する筐体内の温度分布を意図的に調
整することができる。
ここで、スイッチ素子ＴＲ，であるトランジスタの発熱
が第４図の回路に比べて低減される点について説明する
。今、定電流スイッチ回路１．１′のダイオードブリッ
ジＤＢ、の直流端の電圧をＥ（Ｖ）とし、定電流スイッ
チ回路１．１’がｊＳ（Ａ）の定電流動作をするものと
すると、それぞれのスイッチ素子’ｒＲ，の消費電力は
、第４図の場合、 ＰＩ ａ−Ｅ×＋ｓ −ｌ５２ｘＲ１ となり、第１図の場合、 Ｐ２−ＥＸＩＳ−ＩＳ”ｘＲｌ−ＩＳ２ＸＲ６となり、
両回路の抵抗Ｒ１の抵抗値が同じ値であるなら、第１図
におけるスイッチ素子ＴＲ，の消費電力Ｐ２は、第４図
におけるスイッチ素子ＴＲ。
が第４図の回路に比べて低減される点について説明する
。今、定電流スイッチ回路１．１′のダイオードブリッ
ジＤＢ、の直流端の電圧をＥ（Ｖ）とし、定電流スイッ
チ回路１．１’がｊＳ（Ａ）の定電流動作をするものと
すると、それぞれのスイッチ素子’ｒＲ，の消費電力は
、第４図の場合、 ＰＩ ａ−Ｅ×＋ｓ −ｌ５２ｘＲ１ となり、第１図の場合、 Ｐ２−ＥＸＩＳ−ＩＳ”ｘＲｌ−ＩＳ２ＸＲ６となり、
両回路の抵抗Ｒ１の抵抗値が同じ値であるなら、第１図
におけるスイッチ素子ＴＲ，の消費電力Ｐ２は、第４図
におけるスイッチ素子ＴＲ。
の消費電力Ｐ１に比べ
１．２ＸＲ６
だけ少なくなり、したがって、第１図の回路の場合、第
４図の場合よりスイッチ素子’ｒ Ｒ、の発熱を低減す
ることができる。なお、スイッチ素子ＴＲ，における消
費電力の減少分は抵抗Ｒ６によって分担することになる
。
４図の場合よりスイッチ素子’ｒ Ｒ、の発熱を低減す
ることができる。なお、スイッチ素子ＴＲ，における消
費電力の減少分は抵抗Ｒ６によって分担することになる
。
なお、第１図では、抵抗Ｒ６は単一のものとして記載し
ているが、複数個の抵抗の直列または並列の合成回路体
であってもよい、この場合は抵抗の個数が増加するので
、発熱の箇所をさらに分散させることができ、放熱の面
で柔軟な回路設計を行うことができる。
ているが、複数個の抵抗の直列または並列の合成回路体
であってもよい、この場合は抵抗の個数が増加するので
、発熱の箇所をさらに分散させることができ、放熱の面
で柔軟な回路設計を行うことができる。
この発明の返信信号発生回路によれば、絶縁用のホトカ
プラの受光素子としてホトダイオードを用いているため
、応答速度を速くすることができる。
プラの受光素子としてホトダイオードを用いているため
、応答速度を速くすることができる。
第１図はこの発明の一実施例の回路図、第２図は遠隔多
重伝送装置の構成を示すブロック図、第３図は遠隔多重
伝送装置の親器と端末器の具体的なブロック図、第４図
は従来の返信信号発生回路の回路図である。 Ｐ・・・親器、ｌＮＮ・・・端末器、ＬＮ、１１＋、１
２・・・信号線、ＴＲ，・・・スイッチ素子、Ｃ１・・
・平滑コンデンサ、ＴＲ３・・・スイッチ素子、ＴＲ４
°°ＮＰＮトランジスタ、ＤＢ、・・・ダイオードブリ
ッジ、ＰＯ２・・・ホトカプラ、Ｄ２・・・発光ダイオ
ード、Ｄ３・・・ホトダイオード
重伝送装置の構成を示すブロック図、第３図は遠隔多重
伝送装置の親器と端末器の具体的なブロック図、第４図
は従来の返信信号発生回路の回路図である。 Ｐ・・・親器、ｌＮＮ・・・端末器、ＬＮ、１１＋、１
２・・・信号線、ＴＲ，・・・スイッチ素子、Ｃ１・・
・平滑コンデンサ、ＴＲ３・・・スイッチ素子、ＴＲ４
°°ＮＰＮトランジスタ、ＤＢ、・・・ダイオードブリ
ッジ、ＰＯ２・・・ホトカプラ、Ｄ２・・・発光ダイオ
ード、Ｄ３・・・ホトダイオード
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 親器と各々異なる固有アドレスが設定された複数の端末
器とを一対の信号線で接続し、 前記親器よりアドレス信号を含む送信信号を電圧信号と
して前記一対の信号線に送り出すとともに前記端末器で
は前記送信信号を受信し前記送信信号中のアドレス信号
と自己の固有アドレスとの一致に応答して返信信号を電
流信号として前記一対の信号線に送り出すように構成し
た遠隔多重伝送装置において、前記端末器内に設置され
る返信信号発生回路であって、 前記一対の信号線に一対の交流端をそれぞれ接続したダ
イオードブリッジと、このダイオードブリッジの正側直
流端に一端を接続した第１および第２の抵抗の直列回路
と、この第１および第２の抵抗の直列回路の他端にコレ
クタを接続し前記ダイオードブリッジの負側直流端にエ
ミッタを接続したＮＰＮトランジスタと、前記第１およ
び第２の抵抗の接続点と前記ＮＰＮトランジスタのエミ
ッタとの間に接続した平滑コンデンサと、前記第１およ
び第２の抵抗の接続点と前記ＮＰＮトランジスタのベー
スとの間にホトダイオードを接続したホトカプラと、こ
のホトカプラの発光ダイオードと直列接続して返信信号
のレベルに応じてオンオフする第１のスイッチ素子と、
前記ダイオードブリッジの正側直流端および負側直流端
間に接続して前記ＮＰＮトランジスタのオンオフに応答
してスイッチングする第２のスイッチ素子とを備えた返
信信号発生回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9531086A JPH0666786B2 (ja) | 1986-04-24 | 1986-04-24 | 返信信号発生回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9531086A JPH0666786B2 (ja) | 1986-04-24 | 1986-04-24 | 返信信号発生回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62250742A true JPS62250742A (ja) | 1987-10-31 |
| JPH0666786B2 JPH0666786B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=14134184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9531086A Expired - Lifetime JPH0666786B2 (ja) | 1986-04-24 | 1986-04-24 | 返信信号発生回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666786B2 (ja) |
-
1986
- 1986-04-24 JP JP9531086A patent/JPH0666786B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0666786B2 (ja) | 1994-08-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |