JPS6224939B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は半導体ウエーハ中にｐ型領域を形成す
る方法に関するもので、更に詳しく言えば、固体
の酸化アルミニウムを拡散源として使用する開管
式アルミニウム拡散法に関する。 アルミニウムは、半導体材料とりわけシリコン
中にｐ型領域を形成するための不純物として幾つ
かの利点を有することが知られている。シリコン
中におけるアルミニウムの拡散係数はガリウムの
場合の３倍であり、またホウ素の場合の５倍であ
る。現在公知の他のｐ型不純物に比べ、アルミニ
ウムはシリコン格子の中に良く適合する。高い降
服電圧を得るために深部の接合が要求される大電
力半導体デバイスの場合には、多大の費用がかか
るにもかかわらず、閉管式拡散法によつてアルミ
ニウム拡散が行われてきた。しかも、かかる方法
によれば比較的低い表面不純物濃度しか得られな
かつた。このように得られる表面不純物濃度が低
い点に関しては、拡散環境中における酸素の存在
が少なくとも原因の一つを成すものと信じられて
きた。石英製拡散管の内面をアルミニウム被覆す
れば、より高い表面不純物濃度が達成されるとい
う主張もなされた。しかしながら、閉管式拡散法
は多くの時間および経費を要するものである。す
なわち、各回の拡散サイクルに先立つて拡散管を
排気して密閉しなければならず、しかも拡散サイ
クル中の高温や拡散管の開放が原因で拡散管の変
形や破損が起こるためにそれの反復使用が不可能
である場合が多い。このように、閉管式拡散法は
開管式拡散法に比べて多くの経費を要することが
知られている。 それ故、早い拡散速度や優れた電気的および物
理的特性という利点を保持しながら閉管式拡散法
の幾つかの欠点を除去できるようなアルミニウム
拡散源を用いた開管式拡散法が得られれば望まし
いわけである。 また、特定の位置に限局されたｐ型領域の形成
ばかりでなく、半導体ウエーハ中にｐ型ブランケ
ツトすなわち全域にわたるｐ型領域を形成するこ
とも所望される。かかる領域を得るために役立つ
通常の方法では、ガリウム―ゲルマニウムやその
他のｐ型不純物が使用される。ところでシリコン
用の公知のｐ型不純物には、アルミニウムを除
き、いずれもが深い拡散を達成するためにかなり
の時間を要するという欠点がある。たとえば、75
μｍの厚さを持つたｐ型層を形成するためには、
ガリウムを1250℃で48時間にわたつて拡散させな
ければならない。しかるにアルミニウムを用いれ
ば、同じ厚さの層を形成するための所要時間は僅
か16時間であり、かつまた顕著な機械的および電
気的利点も得られるのである。 言うまでもないが、標的ウエーハの表面に直接
接触していない供給源から半導体（特にシリコ
ン）のウエーハ中にアルミニウムを拡散させるた
めには、拡散を妨げる効果のある酸素がたとえ少
量でも存在しないようにする必要があると一貫し
て信じられてきた。なぜなら、特に拡散のために
通常使用される高温の下では、アルミニウムが極
めて酸化され易い物質であることが知られている
からである。このように拡散環境から酸素を排除
する必要があつたため、アルミニウム拡散のため
に密閉された拡散管を使用することが長い間にわ
たつて行われてきた。ところが近年に至り、開管
式アルミニウム拡散法が開発された。その成功
は、少なくとも部分的には、極めて低い割合の酸
素を含むがその他の点ではアルミニウムに対して
不活性なガス流を拡散管中に流すことに起因して
いる。このようなわけで、いかなる形態のものに
せよ、酸化アルミニウムがアルミニウム拡散用の
拡散源として役立つという発見は全く意外で驚く
べきことなのである。 さて本発明は、半導体材料中にｐ型領域を形成
するために開放拡散管の内部に酸化アルミニウム
をアルミニウム拡散源として使用することに関す
るものである。本発明の好適な一実施態様に従え
ば、円板又はウエーハの形で酸化アルミニウムが
開放拡散管の内部に配置される。そこでは、酸化
アルミニウム製の拡散源ウエーハの間に標的ウエ
ーハが配置され、そして不活性ガス流が供給され
る。現時点において好適な不活性ガス流は90％の
アルゴンおよび10％の水素から成るものである。
このような方法によれば、１〜５×10¹⁷原子／cm³
程度の表面不純物濃度が一貫して得られる。本発
明では、特に切断したままの表面を有する、極め
て高い純度の単結晶サフアイヤの円板又はウエー
ハを拡散源ウエーハとして使用しながら開管式ア
ルミニウム拡散法が実施される。なお、研摩した
サフアイヤのウエーハを用いると、切断したまま
のサフアイヤのウエーハを用いて得られるような
満足すべき結果が得られない場合もあることが判
明した。 意外にも、酸化アルミニウムを用いた開管式ア
ルミニウム拡散法に従つて製造された半導体装置
の内部におけるキヤリヤの高レベル注入寿命は従
来のｐ型領域形成方法によつて得られるものより
顕著に長いことが判明した。また、この開管式ア
ルミニウム拡散法は少ない経費および早い速度並
びに結晶格子中における低い残留応力という利点
をもたらすばかりでなく、最終的な半導体装置中
において優れた電気的特性をも与えるのである。 本発明の現時点において好適な一実施態様に従
えば、形成されるｐ型領域の表面不純物濃度の均
一性は拡散源ウエーハおよび標的ウエーハ用とし
て適切な支持体を選定することによつて向上す
る。すなわち、後述のごとき耐火性材料の支持体
が特に良好な結果をもたらすことが判明してい
る。 添付の図面を参照しながら以下の説明を読め
ば、本発明は一層良く理解されよう。 先ず第１図を見ると、複数の拡散源ウエーハ１
０および標的ウエーハ１２がウエーハ支持体すな
わちボート１４の中に配置されている。ボートに
より、かかるウエーハは拡散管１６の内部におい
て互いに離隔しながら直立した状態に維持され
る。また、拡散管１６は加熱素子１８によつて表
わされる拡散炉の内部に配置されている。酸化ア
ルミニウム製の拡散源ウエーハ１０は、高純度の
アルミナセラミツク（酸化アルミニウムセラミツ
ク）および単結晶のサフアイヤから作つた。酸化
アルミニウムセラミツクを拡散源ウエーハとして
使用する場合、それの純度は少なくとも99.8％好
ましくは少くとも99.9％以上であることを要す
る。かかる酸化アルミニウムセラミツクのウエー
ハは米国コロラド州ゴーデン市所在のクアス・ポ
ースリン社（Coors Porcelain Company）から
入手することができる。本発明で用いるサフアイ
ヤのウエーハはユニオン・カーバイド社から入手
することができる。 酸化アルミニウムを拡散源として使用する本発
明の開管式アルミニウム拡散法は約1000〜1250℃
の温度下で実施し得ることが判明している。とは
言え、比較的短かい拡散時間および改善された性
能並びに満足すべき表面不純物濃度を得るために
は、約1200℃の温度下で拡散を行うことが好まし
い。現時点においては拡散源ウエーハおよび標的
ウエーハを第１図に示されるごとくボートの中に
互いに離隔した状態で交互に配置することが好ま
しいが、所望ならば拡散源ウエーハおよび標的ウ
エーハを石英板上に交互に積重ね、そしてそれら
を拡散管の内部へ直接に装入してもよい。とは言
え、かかる積重ね方式に従つて拡散を行う場合に
酸化アルミニウム製の拡散源ウエーハを石英板上
に直接に配置すると、石英板は拡散過程中に破損
し易いことが認められている。また、本発明に従
つて拡散源としてサフアイヤを使用する場合、ラ
ツプ仕上や研摩仕上を施すことなく切断したまま
の状態で使用することが好ましい。研摩仕上した
サフアイヤのウエーハを使用したところ、拡散に
より得られた標的ウエーハの表面不純物濃度は低
く、表面にｎ型の反転層が形成されることもあつ
た。また、このようなサフアイヤのウエーハとシ
リコンの標的ウエーハが共に侵食されて、表面損
傷の問題が生じた。しかし、切断したままのサフ
アイヤのウエーハを使用したところ、驚いたこと
に（理由は判明しないが）表面損傷が生ぜず、約
２×10¹⁷原子／cm³程度の表面不純物濃度が一貫し
て得られた。 酸化アルミニウムセラミツクが拡散源として使
用される場合には、少なくとも99.9％の純度を有
するセラミツク円板又はウエーハを使用すること
が好ましく、このような純度の円板を使用すれ
ば、それより低い純度の酸化アルミニウム円板を
使用した場合に比べて高レベル注入寿命の向上が
得られることが判明している。 拡散源ウエーハおよび標的ウエーハを（接触は
しないが）互いに近接した状態で配置することが
好ましいけれども、本発明は拡散源ウエーハと標
的ウエーハの間隔が大きい場合でも良好な結果を
もたらすことが判明した。たとえば、125ミル程
度の間隔を使用しながら１〜５×10⁷原子／cm³程
度の不純物濃度を得ることができた。当業者にと
つては自明のごとく、多数のウエーハを同時に処
理することが出来るので、拡散源ウエーハと標的
ウエーハとの間隔を小さくするほど経済性の向上
が得られることは言うまでもない。 従来技術によれば、開管式アルミニウム拡散法
においてシリコン製の拡散管およびシリコン製の
ボートを使用することにある種の利点が認められ
ている。しかるに本発明においては、かかるシリ
コン製装置の使用は避けることが好ましいことが
わかつた。 参考例として、６群のシリコンウエーハが相次
いで処理された。６回の拡散サイクルを通じ、純
度99.9％の同じ酸化アルミニウムセラミツク円板
又はウエーハが拡散源として使用された。各回の
拡散サイクルは1200℃で20時間の時間で実施され
た。直径100mmの開放拡散管中には、10％の水素
を含んだアルゴンから成る不活性ガス流が毎分２
の流量で供給された。なお、不活性ガスの流量
は特に臨界的なものではないことが判明してい
る。とは言え、現時点においては少なくとも
10ml／cm²／分とりわけ約10〜30ml／cm²／分の流
量を使用することが好ましい。こうして得られた
結果を下記の表に要約して示す。

【表】 このように、表面不純物濃度および拡散の深さ
に関し極めて一貫した結果の得られることがわか
ろう。更にまた、前述のごとく、上記装置に対し
て平均して約20マイクロ秒という極めて好ましい
寿命特性も得られる。 次の第２図は、本発明の幾つかの実施態様に従
つて得られる表面不純物濃度の一貫性の度合いを
示すグラフである。縦軸には原子／cm³単位の表面
不純物濃度が対数目盛で表わされ、また横軸には
同じ拡散源ウエーハを用いて行われた処理の回数
が表わされている。図中には２組の曲線が示され
ている。曲線２２および２４は、100％アルゴン
ガス流を毎分２の流量で供給しながら行う拡散
処理において本発明によるサフアイヤと参考例と
しての酸化アルミニウムセラミツクの拡散源ウエ
ーハを夫々使用した場合に該当するものである。
また曲線２６および２８は、10％の水素を含んだ
アルゴンガス流を供給しながら行う拡散処理にお
いて本発明によるサフアイヤおよび参考例として
の酸化アルミニウムセラミツクの拡散源ウエーハ
を使用した場合にそれぞれ該当するものである。
第２図のグラフを見ればわかる通り、不活性ガス
流中に10％の水素が存在する場合は、純粋なアル
ゴンを使用した場合に比べ、複数回の拡散サイク
ルにわたつて得られる最終表面不純物濃度の安定
性が実質的に向上する。目下のところ、水素の存
在は酸化アルミニウムセラミツクを使用する拡散
処理にとつてはより有益であるように思われる。
水素は得られる表面不純物濃度を多少低下させる
が、拡散源ウエーハ（拡散源）の反復使用に際し
て一貫した結果が得られるという利点をもたら
す。しかし、酸化アルミニウムセラミツクの場合
ほどには反復使用の影響を受けないサフアイヤの
場合には、水素の使用はそれほど重要であるとは
思われない。なお、酸化アルミニウムセラミツク
は拡散処理における使用回数が増すにつれ次第に
一貫した結果をもたらす傾向を示すことがわか
る。このような使用につれての拡散源ウエーハの
安定化は、不活性ガス流中における水素の使用に
は無関係のようである。従つて所望ならば、拡散
サイクルでの使用に先立ち、酸化アルミニウム製
の拡散源ウエーハに対してたとえば少なくとも
1000℃の温度下で20時間以上にわたり予めエージ
ングを施すことによつて水素使用の必要性を低減
または排除することができるものと考えられる。 次の第３図は、酸化アルミニウムセラミツクお
よび本発明によるサフアイヤの拡散源ウエーハに
関して標的ウエーハの表面不純物濃度と拡散温度
との関係を示すグラフである。拡散温度に対する
表面不純物濃度の顕著な依存性が明確に認められ
る。この依存性は、拡散時間に対する最終表面不
純物濃度の依存性よりも遥かに顕著であるように
思われる。このように表面不純物濃度が拡散時間
に比較的に依存しないで拡散温度に著しく依存す
る結果、複数回の拡散サイクルにわたつて一貫し
た表面不純物濃度を得ることができるのである。 本発明の現時点において好適な一実施態様に従
えば、上記の拡散処理において耐火ボートを使用
することにより極めて良好な結果が得られる。た
とえば、窒化アルミニウム、炭化シリコン、窒化
シリコンおよび酸化アルミニウムを上記のごとき
拡散源ウエーハおよび標的ウエーハ用の支持体す
なわちボートの形成材料として使用した場合に極
めて良好な結果が得られるのである。かかる改善
が達成される理由は、石英製ボートの場合に見ら
れるような標的ウエーハとボートとの接触領域付
近における表面不純物濃度の低下傾向が排除され
ることにあると思われる。かかる耐火性ボートの
使用によれば、標的ウエーハの全域にわたつて一
層均一な表面不純物濃度が得られることになる。 更に、本発明に従つて形成されるｐ型領域に関
して高度の一様性を確保するためには、拡散源ウ
エーハおよび標的ウエーハを包囲しかつそれ自体
が補助拡散源として役立つような構造物（ボー
ト）をウエーハ支持体として使用することが好ま
しい場合もある。それ故、本発明は第４および５
図に示されるような管状酸化アルミニウム支持体
（好ましくは酸化アルミニウムセラミツク支持
体）の使用をも包含する。 ここで第４図を見ると、上方部分３２およびそ
れと協働する下方部分３４から成るウエーハ支持
体３０が示されている。かかる支持体３０は、拡
散源ウエーハ１０および標的ウエーハ１２に対す
る支持体をもたらすと同時に、拡散処理時には補
助拡散源として役立つ。開放拡散管１６の内部に
おいて安定して配置されるよう、支持体３０には
平坦部３６が設けられている。また、拡散源ウエ
ーハおよび標的ウエーハを互いに離隔しながら直
立した状態に支持するため、支持体３０の少なく
とも下方部分３４には複数の溝が設けられてい
る。図示の支持体３０は上方部分３２および下方
部分３４のいずれにも溝を有するが、所望なら
ば、上方部分３２を図示の場合よりやや大きくし
て拡散源ウエーハおよび標的ウエーハの上端との
接触を避けることもできる。そうすれば、溝を設
ける必要がなくなることは言うまでもない。 酸化アルミニウムセラミツクおよびサフアイヤ
の拡散源ウエーハの厚さは臨界的ではないと信じ
られる。とは言え、約40ミルの厚さを持つた酸化
アルミニウムセラミツク円板又はウエーハを使用
すれば良好な結果が得られることが判明してお
り、しかも機械的強度が十分であるため複数回の
反復使用に際して過度の破損が起こることもな
い。本発明のサフアイヤ円板又はウエーハの場合
にはそれよりやや薄いものが使用可能であつて、
18ミルの厚さで良好な結果が得られる。前述の通
り、サフアイヤ円板は研摩を施さずに切断したま
まの状態で使用される。 本発明に基づくアルミニウム拡散後に引続いて
拡散処理を実施すれば、寿命（ライフタイム）が
更に実質的な改善を示すことも認められている。
一実施例について述べれば、アルミニウム拡散の
みの完了後に測定された寿命は約５マイクロ秒で
あつた。引続いて1200℃で12時間、三塩化ホスホ
リル（POCl₃）拡散を行つたところ、寿命は約20
マイクロ秒に増加した。更にまた、たとえばホウ
素ペイントを用いたゲツタリングによつてそれ以
上の改善を達成することもできる。その結果とし
て得られる寿命は23〜37マイクロ秒であつて、こ
れは極めて望ましいものである。 高い表面不純物濃度を持つた深いｐ型領域の形
成が所望されることも少なくない。酸化アルミニ
ウムを拡散源として使用しただけでも、比較的短
かい時間で深い拡散が達成され、かつ各種の用途
にとつて十分な表面不純物濃度が得られる。とは
言え、ある種の装置では一層良好なキヤリヤ注入
を達成するため、あるいはオーム接触電極を取付
けるための一層良好な表面を得るため、一層高い
表面不純物濃度が所望されることがある。 従つて本発明には、アルミニウムおよびホウ素
をシリコンウエーハ中へ同時に拡散させることに
よつて50μｍ程度またはそれ以上の深い拡散およ
び10¹⁸原子／cm³以上の表面不純物濃度を共に達成
する方法もまた包含される。概して言えば、深い
拡散は拡散係数の大きいアルミニウムに帰因させ
得る一方、高い表面不純物濃度はホウ素によつて
与えられる。 本発明に基づき開放拡散管の内部においてホウ
素およびアルミニウムを同時に拡散させるために
は、上記のごとき酸化アルミニウム製の拡散源ウ
エーハと共に窒化ホウ素製のウエーハ支持体を使
用しさえすればよい。使用するウエーハ支持体の
形態は単純な４レール式のボートであつてもよい
し、あるいは第４および５図に示されたような構
造物であつてもよいが、後者の方が好ましい。 第６図は、上記のごとくにしてホウ素およびア
ルミニウムの同時拡散を施した標的ウエーハに関
し、不純物濃度を深さの関数として示したグラフ
である。かかる拡散は直径４インチの拡散管の内
部において1200℃で20時間にわたり行われた。な
お、拡散管中には10％の水素を含んだアルゴンが
毎分２の流量で供給された。所望ならば、前述
のごとくに水素を省くこともできる。 アルミニウムの単独使用によつて得られること
が期待される表面不純物濃度は約２〜５×10¹⁷原
子／cm³であるのに対し、ホウ素およびアルミニウ
ムの併用によれば約５×10¹⁹原子／cm³の表面不純
物濃度の得られることがわかる。しかも、上記の
ごときアルミニウム拡散に固有の深さも同時に達
成されるのである。こうして形成された不純物領
域は、アルミニウム拡散に起因する高い降服電圧
特性とホウ素によつて得られた高い表面不純物濃
度に起因する良好なキヤリヤ注入特性に基づく順
方向電圧降下とが組合わされる結果、大電力半導
体装置用として特に適している。その上、開放拡
散管の内部において従来使用されてきたものに比
べて拡散源ウエーハが実質的に長持ちするため、
これらの特性を安価に得ることが出来る。 本発明を有利に実施することができるようにす
るため、本発明の好適な実施態様を一層具体的に
述べておこう。半導体の標的ウエーハおよび酸化
アルミニウム製の拡散源ウエーハを交互に配置さ
れた状態で支持するためのウエーハ支持体すなわ
ちボートを用意する。拡散時における汚染を防止
するため、公知のごとくにしてボートの清浄操作
を行う。そのためには、当業者にとつて公知の方
法を使用すれば十分であることが判明している。
たとえば、先ず水酸化アンモニウムと過酸化水素
との沸騰混液（約50：50）中で脱脂し、次に室温
のフツ化水素中でエツチングし、それから更に必
要ならば沸騰王水中で清浄処理すればよい。他
方、純度99.9％の酸化アルミニウムセラミツクの
拡散源ウエーハの清浄操作として、約100℃のク
ロム酸混液（95％硫酸（H₂SO₄）および５％飽和
重クロム酸ナトリウム（Na₂Cr₂O₇））中で約10分
間にわたつて清浄処理する。洗滌後、清浄な酸化
アルミニウムのウエーハを水酸化アンモニウムと
過酸化水素との沸騰混液中で清浄処理し、沸騰王
水中で清浄処理し、それから洗滌する。かかる酸
化アルミニウムのウエーハをボートの一つ置きの
溝穴に装着し、そして600〜650℃に予熱されかつ
毎分２の100％アルゴンガス流の供給された直
径100mmの石英製開放拡散管の内部に装入配置す
る。装入後、温度を1200℃に上昇させかつアルゴ
ンガス流に10％の水素を添加する。酸化アルミニ
ウムのウエーハを予め処理するため、1200℃で約
50時間にわたつて加熱し、次いで約600〜650℃ま
で徐冷する。その後、ボートを取出すが、その際
には清浄な環境が確保されるように注意すべきで
ある。なお、部分的に閉鎖されかつ乾燥窒素でパ
ージされた石英製の容器内にボートを取出すよう
にすれば便利である。かかる容器はしばしば「ホ
ワイト・エレフアント（white elephant）」と呼
ばれる。 次に、シリコン製の標的ウエーハの清浄操作と
して、水酸化アンモニウム中で処理し、王水中で
処理し、それから洗滌する。かかる標的ウエーハ
をボートのあいている場所に装着することによ
り、酸化アルミニウムのウエーハと交互に配置さ
れるようにする。かかるボートを600〜650℃の拡
散管の内部に挿入し、そして温度を所望の拡散温
度にまでゆつくりと上昇させる。拡散源ウエーハ
および標的ウエーハへの熱衝撃を避けるため、そ
してまた良好な装置特性を得るため、ボートの加
熱および冷却は１〜10℃／分の速度で行うことが
好ましい。 以上、若干の好適な実施態様に関連して本発明
を詳細に説明したが、本発明の精神および範囲か
ら逸脱することなく形態や細部に様々な変更が可
能であることは当業者にとつて自明であろう。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のアルミニウム拡散法の実施時
における標的ウエーハおよび拡散源ウエーハの配
置例を示す略図、第２図は本発明に従つて処理さ
れた複数の標的ウエーハにおいて見られる表面不
純物濃度の変動を示すグラフ、第３図は標的ウエ
ーハの表面不純物濃度を拡散温度の関数として示
すグラフ、第４図は本発明に基づく別種のウエー
ハ支持体の側面図、第５図は第４図のウエーハ支
持体の断面図、そして第６図は本発明に従つてホ
ウ素およびアルミニウムの同時拡散を行つた場合
における不純物濃度を深さの関数として示すグラ
フである。 図中、１０は拡散源ウエーハ、２は標的ウエー
ハ、１４はボート、１６は拡散管、１８は加熱素
子、３０は別種のウエーハ支持体、３２は上方部
分、そして３４は下方部分を表わす。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 半導体中にアルミニウムを拡散させる方法に
   おいて、（ａ）拡散管の内部に半導体標的を配置
   し、（ｂ）切断したままの表面を有する単結晶サ
   フアイヤ製の酸化アルミニウム拡散源ウエーハを
   前記拡散管の内部に配置し、次いで（ｃ）1000℃
   を越える温度に前記拡散管を加熱する諸工程を有
   することを特徴とする方法。 ２ 前記拡散管中にアルゴンガス流が供給され
   る、特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３ 前記アルゴンガス流が前記拡散管の横断面積
   １cm²当り毎分約10mlを越える流量で供給され
   る、特許請求の範囲第２項記載の方法。 ４ 前記アルゴンガス流が水素を含有する、特許
   請求の範囲第２または３項記載の方法。 ５ 前記アルゴンガス流の流量が約10〜30ml／
   cm²／分である、特許請求の範囲第２乃至４項のい
   ずれか１項に記載の方法。 ６ 前記アルゴンガス流が約10％の水素を含有す
   る、特許請求の範囲第４項記載の方法。 ７ （ａ）酸化アルミニウム製のウエーハ支持体
   を用意し、（ｂ）複数の酸化アルミニウム拡散源
   ウエーハを互いに離隔した状態で前記支持体中に
   配置し、（ｃ）複数のシリコン標的ウエーハを前
   記支持体中の前記拡散源ウエーハの間に配置し、
   次いで（ｄ）前記支持体、前記拡散源ウエーハお
   よび前記標的ウエーハをアルゴン雰囲気の開放拡
   散管の中でかつ前記標的ウエーハ中へアルミニウ
   ム原子を拡散させるのに十分な温度に加熱して、
   前記標的ウエーハの表面全域にわたつて実質的に
   均一な拡散を行う、酸化アルミニウム拡散源から
   ｎ型シリコンウエーハ中に一様なｐ型領域を形成
   する特許請求の範囲第１項記載の方法。 ８ 前記支持体が前記拡散源ウエーハ及び標的ウ
   エーハを囲む上方部分および下方部分から成る管
   状態であり、かつ前記下方部分が前記拡散源ウエ
   ーハおよび前記標的ウエーハを互いに離隔しなが
   ら直立した状態に支持するための溝を有し、前記
   管状体が補助拡散源として作用して前記標的ウエ
   ーハとりわけその縁端部への拡散の均一性を向上
   させる、特許請求の範囲第７項記載の方法。 ９ （ａ）窒化ホウ素製のウエーハ支持体を用意
   し、（ｂ）複数の酸化アルミニウム拡散源ウエー
   ハを前記支持体中に配置し、（ｃ）複数のシリコ
   ンの標的ウエーハを前記拡散源ウエーハに近接し
   て配置し、次いで（ｄ）前記酸化アルミニウムか
   らアルミニウムおよび前記窒化ホウ素からホウ素
   を前記標的ウエーハ中へ同時に拡散させるため
   1000℃より高い温度に前記支持体、前記拡散源ウ
   エーハおよび前記標的ウエーハを加熱し、もつ
   て、高い表面不純物濃度を持つた高電圧用の深い
   ｐ型領域をシリコンウエーハ中に形成する特許請
   求の範囲第１項記載の方法。 １０ 前記加熱が不活性ガス流の供給された開放
   拡散管の内部において行われる、特許請求の範囲
   第９項記載の方法。 １１ 前記不活性ガス流がアルゴンガスから成
   る、特許請求の範囲第１０項記載の方法。 １２ 前記不活性ガス流が約10％の水素ガスを含
   有する、特許請求の範囲第１１項記載の方法。 １３ 前記支持体が上方部分および下方部分から
   成る管状体でありかつ前記管状体が前記拡散源ウ
   エーハおよび前記標的ウエーハを実質的に包囲す
   る、特許請求の範囲第１１項記載の方法。