JPS6224847B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6224847B2 JPS6224847B2 JP53089686A JP8968678A JPS6224847B2 JP S6224847 B2 JPS6224847 B2 JP S6224847B2 JP 53089686 A JP53089686 A JP 53089686A JP 8968678 A JP8968678 A JP 8968678A JP S6224847 B2 JPS6224847 B2 JP S6224847B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- recording medium
- head
- magnetic recording
- magnetoresistive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 6
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気抵抗効果型ヘツドにかかり、再生
動作における波長応答性を改善し、短波長から長
波長ににわたつて良好な特性をもつた磁気抵抗効
果型ヘツドを提供しようとするものである。
動作における波長応答性を改善し、短波長から長
波長ににわたつて良好な特性をもつた磁気抵抗効
果型ヘツドを提供しようとするものである。
一般に使用されているコイル型の磁気ヘツドに
おいては、その再生出力電圧は磁気記録媒体と磁
気ヘツドとの相対速度に比例するため、磁気記録
媒体を低速度で移動させると、十分な大きさの再
生出力電圧が得られないという問題がある。この
ような問題点を解決するヘツドの一とつとして、
磁気抵抗効果型ヘツド（以下MRヘツドという）
が注目されている。これは、磁気記録媒体との相
対移動速度が非常に遅くても、十分な再生出力電
圧を得ることができるという可能性をもつてい
る。ところが、低速度で再生しようとすると、必
要周波数帯域が一定であれば記録波長が短くな
り、そのため、短波長信号を再生することのでき
るMRヘツドが必要になる。
おいては、その再生出力電圧は磁気記録媒体と磁
気ヘツドとの相対速度に比例するため、磁気記録
媒体を低速度で移動させると、十分な大きさの再
生出力電圧が得られないという問題がある。この
ような問題点を解決するヘツドの一とつとして、
磁気抵抗効果型ヘツド（以下MRヘツドという）
が注目されている。これは、磁気記録媒体との相
対移動速度が非常に遅くても、十分な再生出力電
圧を得ることができるという可能性をもつてい
る。ところが、低速度で再生しようとすると、必
要周波数帯域が一定であれば記録波長が短くな
り、そのため、短波長信号を再生することのでき
るMRヘツドが必要になる。
また、磁気抵抗効果素子（以下MR素子とい
う）は、磁界によつて比抵抗が数％程度変化する
ものであるが、磁界がある一定値以上になると比
抵抗が変化しなくなるという性質をもつている。
かかる飽和現象は、MRヘツドをアナログ信号の
再生に使用するとき、大きな問題となる。
う）は、磁界によつて比抵抗が数％程度変化する
ものであるが、磁界がある一定値以上になると比
抵抗が変化しなくなるという性質をもつている。
かかる飽和現象は、MRヘツドをアナログ信号の
再生に使用するとき、大きな問題となる。
本発明にかかるMRヘツドは、MR素子を非磁
性層を介して高透磁率部材で挾持した構造におい
て、MR素子と高透磁率部材の表面間距離を、磁
気記録媒体上での記録波長とを関係づけて規制す
ることにより、上述の問題点を解決したものであ
る。
性層を介して高透磁率部材で挾持した構造におい
て、MR素子と高透磁率部材の表面間距離を、磁
気記録媒体上での記録波長とを関係づけて規制す
ることにより、上述の問題点を解決したものであ
る。
以下、その詳細について図面を用いて説明す
る。
る。
第１図は、MRヘツドの要部の構造の一例を示
す。図ａは斜視図、図ｂは断面図である。図にお
いて、１はMR素子で、その両端に電極２，２′
がそれぞれ接続されている。これら構造体は非磁
性層を介して高透磁率材料からなるシールド体
３，３′で挾持されている。４，４′はギヤツプ、
５は磁気記録媒体である。
す。図ａは斜視図、図ｂは断面図である。図にお
いて、１はMR素子で、その両端に電極２，２′
がそれぞれ接続されている。これら構造体は非磁
性層を介して高透磁率材料からなるシールド体
３，３′で挾持されている。４，４′はギヤツプ、
５は磁気記録媒体である。
このようなMRヘツドにおいて、その特性長ｗp
を次式で定義する。
を次式で定義する。
ｗp＝√２ ……(1)
ただし、ｔ：MR素子１の厚さ
ｇ：MR素子１とシールド体３，３′との表面
間距離すなわちギヤツプ４，４′の長さ μ：MR素子１の透磁率 MR素子１の巾ｗをｗpで正規化したときのMR
素子１の利用効率ηは、第２図に示すとおりにな
る。図から明らかなとおり、ｗ／ｗp＞１のとき
ηは急激に低下する。これは、MR素子１の巾ｗ
が大きくなると、信号磁界によるMR素子１の比
抵抗の変化はその磁気記録媒体５側の先端部分に
のみ限られ、それよりも遠い奥部分ではほとんど
比抵抗の変化がなく、全体としてみたとき、信号
磁界による比抵抗の変化が少なくなることを示し
ている。
間距離すなわちギヤツプ４，４′の長さ μ：MR素子１の透磁率 MR素子１の巾ｗをｗpで正規化したときのMR
素子１の利用効率ηは、第２図に示すとおりにな
る。図から明らかなとおり、ｗ／ｗp＞１のとき
ηは急激に低下する。これは、MR素子１の巾ｗ
が大きくなると、信号磁界によるMR素子１の比
抵抗の変化はその磁気記録媒体５側の先端部分に
のみ限られ、それよりも遠い奥部分ではほとんど
比抵抗の変化がなく、全体としてみたとき、信号
磁界による比抵抗の変化が少なくなることを示し
ている。
MRヘツドの特性長ｗpは(1)式で示すようにμ，
ｇ，ｔによつて変化する。一方、MR素子１とシ
ールド体３，３′との距離ｇは、ギヤツプ長であ
り、このｇをパラメータとしたときの、波長λと
応答性との関係を第３図に示す。この図から明ら
かなとおり、短波長再生のためにはｇを短くして
やる必要がある。たとえば、λ＝１μｍの信号を
再生するときには、ｇを１μｍより十分に小さく
しなければならない。
ｇ，ｔによつて変化する。一方、MR素子１とシ
ールド体３，３′との距離ｇは、ギヤツプ長であ
り、このｇをパラメータとしたときの、波長λと
応答性との関係を第３図に示す。この図から明ら
かなとおり、短波長再生のためにはｇを短くして
やる必要がある。たとえば、λ＝１μｍの信号を
再生するときには、ｇを１μｍより十分に小さく
しなければならない。
ところが、ｇの値を小さくすると、(1)式からわ
かるように、ｗpも小さくなる。したがつてMR素
子１の巾を一定にすると、ｗ／ｗpが大きくなつ
て、ηが低下することになる。
かるように、ｗpも小さくなる。したがつてMR素
子１の巾を一定にすると、ｗ／ｗpが大きくなつ
て、ηが低下することになる。
第４図にμ＝103、ｔ＝400Å、ｗ＝10μｍのと
きのｇ／λと応答効率Ｇ（λ）との関係を示す。
これから明らかなとおり、ｇ／λの値が0.2〜0.7
の範囲内にあるとき、Ｇ（λ）は大きな値をと
り、その範囲外ではMR素子１のｗにかかわら
ず、急激にＧ（λ）が小さくなる。すなわち、
ｇ／λが0.2〜0.7の範囲外にあるとき、効率のよ
いMRヘツドを構成することができない。ここで
は、パラメータとしてｗについてのみ示している
が、μやｔをパラメータとしたときも同じ傾向が
認められ、最短波長に対する最適ギヤツプ長の範
囲は実質的に同じである。MR素子１となる磁性
薄膜のμが上記値の上下10桁以上も変化すること
はなく、ｔについても上記値の1/2以下、２倍以
上変化させると、磁気特性やその安定性の点で好
ましくない。一方、ｗに関しても上記値の1/2以
下になると、磁気記録媒体との摺動で摩耗しやす
くなり、逆に２倍以上にするとηが低下してしま
う。このようなことから、上述のパラメータでの
検討で実際上十分である。
きのｇ／λと応答効率Ｇ（λ）との関係を示す。
これから明らかなとおり、ｇ／λの値が0.2〜0.7
の範囲内にあるとき、Ｇ（λ）は大きな値をと
り、その範囲外ではMR素子１のｗにかかわら
ず、急激にＧ（λ）が小さくなる。すなわち、
ｇ／λが0.2〜0.7の範囲外にあるとき、効率のよ
いMRヘツドを構成することができない。ここで
は、パラメータとしてｗについてのみ示している
が、μやｔをパラメータとしたときも同じ傾向が
認められ、最短波長に対する最適ギヤツプ長の範
囲は実質的に同じである。MR素子１となる磁性
薄膜のμが上記値の上下10桁以上も変化すること
はなく、ｔについても上記値の1/2以下、２倍以
上変化させると、磁気特性やその安定性の点で好
ましくない。一方、ｗに関しても上記値の1/2以
下になると、磁気記録媒体との摺動で摩耗しやす
くなり、逆に２倍以上にするとηが低下してしま
う。このようなことから、上述のパラメータでの
検討で実際上十分である。
MR素子の磁気的な飽和に関しては、その磁気
記録媒体側の先端部分での磁束密度が最大となる
ため、磁気記録媒体からなる信号磁束でMR素子
の先端部分が飽和しないような構成とする必要が
ある。MR素子の先端部分の飽和度αは、磁気記
録媒体の残留磁束密度をＢr、素子の磁束飽和密
度をＢsとすると、磁気記録媒体からの磁界が最
大となる波長では、次式で与えられる。
記録媒体側の先端部分での磁束密度が最大となる
ため、磁気記録媒体からなる信号磁束でMR素子
の先端部分が飽和しないような構成とする必要が
ある。MR素子の先端部分の飽和度αは、磁気記
録媒体の残留磁束密度をＢr、素子の磁束飽和密
度をＢsとすると、磁気記録媒体からの磁界が最
大となる波長では、次式で与えられる。
α＝Ｂr・ｇ／Ｂs・ｔ ……(2)
MR素子先端部分で磁気的な飽和が生じると、
再生波形に歪が発生する。これを避けるために
は、α≦１にする必要があり、 ｇ／ｔ≦Ｂs／Ｂr ……(3) としなければならない。実際のMRヘツドの波長
応答特性は、磁気記録媒体の厚さがδ＝５μｍの
ときに第５図のとおりであり、波長λ＝10μｍで
磁気記録媒体からの磁界が最大となつて、ここで
MR素子が磁気的に飽和してしまうおそれがあ
る。MR素子と磁気記録媒体との間に距離ｄだけ
のスペースがあると、分離損失を生じ、磁界は低
下する。ただ、実際の構成ではｄ＞0.2μｍであ
り、MR素子の磁気的な飽和を考える場合には、
(3)式で十分である。たとえば、Ｂr＝1KG、Ｂs＝
10KGとすると、ｇ／ｔ≦10となる。短波長信号
の再生のみであれば、MR素子の磁気的な飽和に
ついて考慮する必要性はないが、アナログ的に広
い範囲にわたつて、波形歪が少なく、波長応答性
のよい再生をする上で、上述のような配慮をする
ことが望ましい。
再生波形に歪が発生する。これを避けるために
は、α≦１にする必要があり、 ｇ／ｔ≦Ｂs／Ｂr ……(3) としなければならない。実際のMRヘツドの波長
応答特性は、磁気記録媒体の厚さがδ＝５μｍの
ときに第５図のとおりであり、波長λ＝10μｍで
磁気記録媒体からの磁界が最大となつて、ここで
MR素子が磁気的に飽和してしまうおそれがあ
る。MR素子と磁気記録媒体との間に距離ｄだけ
のスペースがあると、分離損失を生じ、磁界は低
下する。ただ、実際の構成ではｄ＞0.2μｍであ
り、MR素子の磁気的な飽和を考える場合には、
(3)式で十分である。たとえば、Ｂr＝1KG、Ｂs＝
10KGとすると、ｇ／ｔ≦10となる。短波長信号
の再生のみであれば、MR素子の磁気的な飽和に
ついて考慮する必要性はないが、アナログ的に広
い範囲にわたつて、波形歪が少なく、波長応答性
のよい再生をする上で、上述のような配慮をする
ことが望ましい。
第１図は本発明にかかる磁気抵抗効果型ヘツド
の原理的な構造を示し、同図ａは要部分解斜視
図、同図ｂは要部断面図である。第２図は磁気抵
抗効果素子の利用効率を示す図、第３図はシール
ド型磁気抵抗効果型磁気ヘツドのギヤツプ長に対
するギヤツプ損失特性を示す図、第４図は同じく
ギヤツプ長に対する応答特性を示す図、第５図は
同じく波長応答特性を示す図である。 １……磁気抵抗効果素子、２，２′……電極、
３，３′……シールド体、４，４′……ギヤツプ、
５……磁気記録媒体。
の原理的な構造を示し、同図ａは要部分解斜視
図、同図ｂは要部断面図である。第２図は磁気抵
抗効果素子の利用効率を示す図、第３図はシール
ド型磁気抵抗効果型磁気ヘツドのギヤツプ長に対
するギヤツプ損失特性を示す図、第４図は同じく
ギヤツプ長に対する応答特性を示す図、第５図は
同じく波長応答特性を示す図である。 １……磁気抵抗効果素子、２，２′……電極、
３，３′……シールド体、４，４′……ギヤツプ、
５……磁気記録媒体。
Claims (1)
- １ 磁気抵抗効果素子を非磁性層を介して高透磁
率部材で挾持してなり、磁気抵抗効果素子と高透
磁率材料からなるシールド体の表面間距離と前記
磁気抵抗効果素子の厚さとの比の値が、前記磁気
抵抗効果素子の飽和磁束密度と磁気記録媒体の残
留磁束密度との比の値以下であることを特徴とす
る磁気抵抗効果型ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8968678A JPS5517853A (en) | 1978-07-21 | 1978-07-21 | Magnetresistance effect head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8968678A JPS5517853A (en) | 1978-07-21 | 1978-07-21 | Magnetresistance effect head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5517853A JPS5517853A (en) | 1980-02-07 |
| JPS6224847B2 true JPS6224847B2 (ja) | 1987-05-30 |
Family
ID=13977642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8968678A Granted JPS5517853A (en) | 1978-07-21 | 1978-07-21 | Magnetresistance effect head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5517853A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5921129U (ja) * | 1982-07-30 | 1984-02-08 | 株式会社不二越 | クラツチレリ−ズ軸受用ハブ |
| JPH034831Y2 (ja) * | 1985-01-22 | 1991-02-07 | ||
| FR2579703B1 (fr) * | 1985-03-27 | 1989-06-09 | Valeo | Butee de debrayage, notamment pour vehicule automobile |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5059023A (ja) * | 1973-09-20 | 1975-05-22 |
-
1978
- 1978-07-21 JP JP8968678A patent/JPS5517853A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5059023A (ja) * | 1973-09-20 | 1975-05-22 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5517853A (en) | 1980-02-07 |
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