JPH048852B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH048852B2 JPH048852B2 JP22812583A JP22812583A JPH048852B2 JP H048852 B2 JPH048852 B2 JP H048852B2 JP 22812583 A JP22812583 A JP 22812583A JP 22812583 A JP22812583 A JP 22812583A JP H048852 B2 JPH048852 B2 JP H048852B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- film
- thin film
- magnetization
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 64
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 35
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 35
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 24
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 23
- 230000008859 change Effects 0.000 description 13
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 13
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜技術分野＞
本発明はパーマロイ等からなる強磁性薄膜の磁
気抵抗効果を応用して磁気記録媒体に記録された
信号の検出を行なう薄膜磁気ヘツドに関する。
気抵抗効果を応用して磁気記録媒体に記録された
信号の検出を行なう薄膜磁気ヘツドに関する。
＜従来技術＞
従来、強磁性薄膜の磁気抵抗効果を応用してな
る薄膜磁気ヘツドは、一般に多用されるバルク型
の磁気ヘツドと比較して多くの利点があることが
知られている。即ち薄膜磁気ヘツドは磁気記録媒
体に記録された信号磁界を受け、これを抵抗変化
による電圧変化として取り出すものであるので磁
気記録媒体の移送速度に依存せずに信号再生で
き、高出力であるという利点を有する。
る薄膜磁気ヘツドは、一般に多用されるバルク型
の磁気ヘツドと比較して多くの利点があることが
知られている。即ち薄膜磁気ヘツドは磁気記録媒
体に記録された信号磁界を受け、これを抵抗変化
による電圧変化として取り出すものであるので磁
気記録媒体の移送速度に依存せずに信号再生で
き、高出力であるという利点を有する。
しかし、一方でこの薄膜磁気ヘツドに於いては
磁気抵抗効果素子（パーマロイ膜）特有のバルク
ハウゼンジヤンプ、ヒステリシスによつて再生出
力のノイズや歪が生じ、これが大きな問題となつ
ていた。
磁気抵抗効果素子（パーマロイ膜）特有のバルク
ハウゼンジヤンプ、ヒステリシスによつて再生出
力のノイズや歪が生じ、これが大きな問題となつ
ていた。
今、第４図に示す如き薄膜磁気ヘツドについて
考える。同図で１はパーマロイ膜からなる磁気抵
抗効果素子、２は電流供給用リードである。又、
３は信号磁界印加方向であつて、４は磁気抵抗効
果素子１の磁化容易軸方向である。この磁化容易
軸方向４に直交する方向が磁化困難軸方向であ
る。ｌはトラツク幅であり、ｔは素子厚、ｗは素
子巾である。ここで、ｌ＝90μｍ、ｔ＝500Å、
ｗ＝30μｍとし、信号磁界印加方向３から外部磁
界を印加しながら抵抗変化率ΔR／Ｒを測定した
結果を第５図に示す。又、その時の素子１内での
磁区（ドメイン）の動きを第６図に示す。第５図
に於て外部磁界を０から増加させて同図の点
（飽和点）に達した後で外部磁界を減少させて同
図の13.2Oeの所で磁区（ドメイン）を観察し
た所、第６図ａに示す如くであつた。即ち磁区
（ドメイン）が４つに分裂していた。同図で５は
磁区を、６は磁化ベクトルを、７は磁壁を夫々示
している。即ち第５図の抵抗変化率曲線における
飽和点の1/2程度ですでに多磁区状態を示す。そ
して各磁区５は第６図ａに示す如く磁化の向きを
交互に変えたバツクリングドメイン構造となつて
いる。次に第５図に於て磁気抵抗効果素子１に付
与する外部磁界を減少させていくと抵抗の値が
からに移る、所謂バルクハウゼンジヤンプが発
生する。これは外部磁界の減少によつて第６図ａ
の中央の２つの磁区（ドメイン）が１つに合体し
て、第６図ｂの如くBlochライン（又はBlochポ
イント）８を境にして左右で磁化の向きが面に対
して垂直方向に逆転する状態になり、この状態か
ら同図のBlochライン（又はBlochポイント）８
が外部磁界の減少とともに左へ高速で移動する為
に生ずるものである。この移動の結果磁区（ドメ
イン）の状態は第６図ｃの如くなる。
考える。同図で１はパーマロイ膜からなる磁気抵
抗効果素子、２は電流供給用リードである。又、
３は信号磁界印加方向であつて、４は磁気抵抗効
果素子１の磁化容易軸方向である。この磁化容易
軸方向４に直交する方向が磁化困難軸方向であ
る。ｌはトラツク幅であり、ｔは素子厚、ｗは素
子巾である。ここで、ｌ＝90μｍ、ｔ＝500Å、
ｗ＝30μｍとし、信号磁界印加方向３から外部磁
界を印加しながら抵抗変化率ΔR／Ｒを測定した
結果を第５図に示す。又、その時の素子１内での
磁区（ドメイン）の動きを第６図に示す。第５図
に於て外部磁界を０から増加させて同図の点
（飽和点）に達した後で外部磁界を減少させて同
図の13.2Oeの所で磁区（ドメイン）を観察し
た所、第６図ａに示す如くであつた。即ち磁区
（ドメイン）が４つに分裂していた。同図で５は
磁区を、６は磁化ベクトルを、７は磁壁を夫々示
している。即ち第５図の抵抗変化率曲線における
飽和点の1/2程度ですでに多磁区状態を示す。そ
して各磁区５は第６図ａに示す如く磁化の向きを
交互に変えたバツクリングドメイン構造となつて
いる。次に第５図に於て磁気抵抗効果素子１に付
与する外部磁界を減少させていくと抵抗の値が
からに移る、所謂バルクハウゼンジヤンプが発
生する。これは外部磁界の減少によつて第６図ａ
の中央の２つの磁区（ドメイン）が１つに合体し
て、第６図ｂの如くBlochライン（又はBlochポ
イント）８を境にして左右で磁化の向きが面に対
して垂直方向に逆転する状態になり、この状態か
ら同図のBlochライン（又はBlochポイント）８
が外部磁界の減少とともに左へ高速で移動する為
に生ずるものである。この移動の結果磁区（ドメ
イン）の状態は第６図ｃの如くなる。
以上の様に磁気抵抗効果素子のバルクハウゼン
ジヤンプは素子内で一旦分裂した磁区が合体する
過程で発生するBlochラインの運動によつて発生
するものである。このバルクハウゼンジヤンプに
よるノイズは高密度磁気記録媒体の再生用の薄膜
磁気ヘツドに於いて特に大きな問題となる。何故
ならば記録トラツク密度を上げ高密度とする為に
トラツク幅ｌを小さくすれば素子巾ｗの値には限
界があるのでｗ／ｌ（アスペクトレシオ）が１に
近づきその結果磁区分裂が生じ易くなるからであ
る。
ジヤンプは素子内で一旦分裂した磁区が合体する
過程で発生するBlochラインの運動によつて発生
するものである。このバルクハウゼンジヤンプに
よるノイズは高密度磁気記録媒体の再生用の薄膜
磁気ヘツドに於いて特に大きな問題となる。何故
ならば記録トラツク密度を上げ高密度とする為に
トラツク幅ｌを小さくすれば素子巾ｗの値には限
界があるのでｗ／ｌ（アスペクトレシオ）が１に
近づきその結果磁区分裂が生じ易くなるからであ
る。
＜目的＞
本発明は以上の従来点に鑑みてなされたもので
あり、バルクハウゼンジヤンプを極度に減少せし
め得る薄膜磁気ヘツドを提供することを目的とす
るものである。
あり、バルクハウゼンジヤンプを極度に減少せし
め得る薄膜磁気ヘツドを提供することを目的とす
るものである。
＜実施例＞
以下本発明に係る薄膜磁気ヘツドの一実施例に
ついて図面を用いて詳細に説明を行なう。第１図
ａは本発明に係る薄膜磁気ヘツドの一実施例の外
観斜視図、同図ｂはその平面図を示す。
ついて図面を用いて詳細に説明を行なう。第１図
ａは本発明に係る薄膜磁気ヘツドの一実施例の外
観斜視図、同図ｂはその平面図を示す。
同図で９はNi81％・Fe19％のパーマロイ薄膜
（磁気抵抗効果素子）であり、膜厚は500Åであ
る。１０は電流供給用リードである。上記パーマ
ロイ薄膜９の上には保磁力500〜700OeのCoP電
着膜１２が被着される。この膜厚は1000Åであ
る。このCoP電着膜１２の形状は同図に示す様に
長方形状のパーマロイ薄膜９の長手方向に対して
斜め方向（角度が30°〜60°程度）にストライプ
状のパターンとして形成される。１１が信号磁界
印加方向である。上記の如くパーマロイ薄膜９に
CoP電着膜１２が直接被着され複合膜となつた個
所は相互の磁化を平行にしようとする磁気結合力
（強磁性交換結合と称される）が生じ、複合膜は
全体として１つの高保持力磁性薄膜として動作す
る。この実施例の複合膜の個所は保磁力200〜
500Oeのハード膜となる。この為信号磁界が与え
られても複合膜の個所の磁化は動かない。又、パ
ーマロイ薄膜９の露出した個所１３（以下MRセ
グメントと言う。）の形状はその巾をｄ、セグメ
ント長さをｑとするとその比ｄ／ｑ（この値はア
スペクトレシオに対応する。）が１より充分小さ
くされる。この実施例の場合、トラツク幅ｌ≒
50μｍ、素子巾ｗ＝10μｍの時、MRセグメント１
３の巾ｄを1μｍ程度とするとｄ／ｑ＜0.1となり
１より充分小さくなる。この処置によりMRセグ
メント１３では磁区分裂しにくくなり単磁区とし
て動作する。又、MRセグメント１３とMRセグ
メント１３との間に複合膜となつた個所が存在す
るが、この複合膜の個所はハード膜となる為、各
MRセグメント１３，１３，…は夫々独立したソ
フト膜として動作する。一般に薄膜磁気ヘツドに
於いて磁気抵抗効果素子の抵抗変化はその磁化ベ
クトルとセンス電流ベクトルの内積の２乗に比例
するので、公知の様に線型応答特性を得る為にバ
イアス磁界を付与していた。上記実施例の薄膜磁
気ヘツドでは上記複合膜によつてMRセグメント
１３，１３，…にバイアス磁界を付与するもので
あり、このバイアス磁界によつて線型応答特性を
得ている。
（磁気抵抗効果素子）であり、膜厚は500Åであ
る。１０は電流供給用リードである。上記パーマ
ロイ薄膜９の上には保磁力500〜700OeのCoP電
着膜１２が被着される。この膜厚は1000Åであ
る。このCoP電着膜１２の形状は同図に示す様に
長方形状のパーマロイ薄膜９の長手方向に対して
斜め方向（角度が30°〜60°程度）にストライプ
状のパターンとして形成される。１１が信号磁界
印加方向である。上記の如くパーマロイ薄膜９に
CoP電着膜１２が直接被着され複合膜となつた個
所は相互の磁化を平行にしようとする磁気結合力
（強磁性交換結合と称される）が生じ、複合膜は
全体として１つの高保持力磁性薄膜として動作す
る。この実施例の複合膜の個所は保磁力200〜
500Oeのハード膜となる。この為信号磁界が与え
られても複合膜の個所の磁化は動かない。又、パ
ーマロイ薄膜９の露出した個所１３（以下MRセ
グメントと言う。）の形状はその巾をｄ、セグメ
ント長さをｑとするとその比ｄ／ｑ（この値はア
スペクトレシオに対応する。）が１より充分小さ
くされる。この実施例の場合、トラツク幅ｌ≒
50μｍ、素子巾ｗ＝10μｍの時、MRセグメント１
３の巾ｄを1μｍ程度とするとｄ／ｑ＜0.1となり
１より充分小さくなる。この処置によりMRセグ
メント１３では磁区分裂しにくくなり単磁区とし
て動作する。又、MRセグメント１３とMRセグ
メント１３との間に複合膜となつた個所が存在す
るが、この複合膜の個所はハード膜となる為、各
MRセグメント１３，１３，…は夫々独立したソ
フト膜として動作する。一般に薄膜磁気ヘツドに
於いて磁気抵抗効果素子の抵抗変化はその磁化ベ
クトルとセンス電流ベクトルの内積の２乗に比例
するので、公知の様に線型応答特性を得る為にバ
イアス磁界を付与していた。上記実施例の薄膜磁
気ヘツドでは上記複合膜によつてMRセグメント
１３，１３，…にバイアス磁界を付与するもので
あり、このバイアス磁界によつて線型応答特性を
得ている。
次に上記複合膜に対する着磁の２つの方法につ
いて説明する。
いて説明する。
第２図ａに複合膜に対する着磁の第１の方法を
説明する為の説明図を示す。同図において９はパ
ーマロイ薄膜、１２はCoP電着膜、１３はMRセ
グメントである。パーマロイ薄膜９とCoP電着膜
１２との複合膜は30°〜60°程度の角度を有する
ストライプ形状を構成する。この複合膜に対する
着磁方向は矢印１４の方向即ち上記ストライプに
対して平行方向であり、上記複合膜の保磁力より
大きい外部磁界を印加することで着磁が行なわれ
る。尚、この時複合膜の先端には、の磁化が
生じ、この磁化、によつて破線矢印１５方向
の磁界が発生し、この発生磁界によつてMRセグ
メント１３の磁化が乱される虞れがある。この為
複合膜の巾（CoP電着膜１２の巾）はMRセグメ
ント１３より充分小さくする必要がある。
説明する為の説明図を示す。同図において９はパ
ーマロイ薄膜、１２はCoP電着膜、１３はMRセ
グメントである。パーマロイ薄膜９とCoP電着膜
１２との複合膜は30°〜60°程度の角度を有する
ストライプ形状を構成する。この複合膜に対する
着磁方向は矢印１４の方向即ち上記ストライプに
対して平行方向であり、上記複合膜の保磁力より
大きい外部磁界を印加することで着磁が行なわれ
る。尚、この時複合膜の先端には、の磁化が
生じ、この磁化、によつて破線矢印１５方向
の磁界が発生し、この発生磁界によつてMRセグ
メント１３の磁化が乱される虞れがある。この為
複合膜の巾（CoP電着膜１２の巾）はMRセグメ
ント１３より充分小さくする必要がある。
以上の薄膜磁気ヘツドに於いて矢印１６方向か
ら正方向に信号磁界が印加されるとMRセグメン
ト１３内での磁化とセンス電流１７との間の角度
が90°に近づくので抵抗が減少し、負方向に信号
磁界が印加されるとMRセグメント１３内での磁
化とセンス電流１７との間の角度が180°に近づく
ので抵抗が増加する。この薄膜磁気ヘツドの磁界
−抵抗変化曲線を第２図ｂに示す。同図に示す如
く磁界−抵抗変化曲線は線型応答特性を示した。
ら正方向に信号磁界が印加されるとMRセグメン
ト１３内での磁化とセンス電流１７との間の角度
が90°に近づくので抵抗が減少し、負方向に信号
磁界が印加されるとMRセグメント１３内での磁
化とセンス電流１７との間の角度が180°に近づく
ので抵抗が増加する。この薄膜磁気ヘツドの磁界
−抵抗変化曲線を第２図ｂに示す。同図に示す如
く磁界−抵抗変化曲線は線型応答特性を示した。
又、第３図ａに複合膜に対する着磁の第２の方
法を説明する為の説明図を示す。同図において構
造は第２図ａと同様の構造である。複合膜に対す
る着磁方向は矢印１８の方向即ち複合膜の角度
（45°〜60°程度とした。）に対して補角をなす角度
の方向であり、その角度で上記複合膜の保磁力よ
り大きい外部磁界を印加することで行なわれる。
この時複合膜のエツジ部分には、の磁化が生
じ、この磁化、によつて破線矢印１９の磁界
が複合膜の着磁方向と同方向に発生するが、この
磁界はMRセグメント１３に対するバイアス磁界
として作用する。この第２の方向によれば複合膜
のエツジ部分の磁化による発生磁界１９によつて
MRセグメント１３の磁化が乱される虞れがな
い。
法を説明する為の説明図を示す。同図において構
造は第２図ａと同様の構造である。複合膜に対す
る着磁方向は矢印１８の方向即ち複合膜の角度
（45°〜60°程度とした。）に対して補角をなす角度
の方向であり、その角度で上記複合膜の保磁力よ
り大きい外部磁界を印加することで行なわれる。
この時複合膜のエツジ部分には、の磁化が生
じ、この磁化、によつて破線矢印１９の磁界
が複合膜の着磁方向と同方向に発生するが、この
磁界はMRセグメント１３に対するバイアス磁界
として作用する。この第２の方向によれば複合膜
のエツジ部分の磁化による発生磁界１９によつて
MRセグメント１３の磁化が乱される虞れがな
い。
以上の薄膜磁気ヘツドに於いて矢印２０方向か
ら正方向に信号磁界が印加されるとMRセグメン
ト１３内での磁化とセンス電流２１との間の角度
が90°に近づくので抵抗が減少し、負方向に信号
磁界が印加されるとMRセグメント１３内での磁
化とセンス電流２１との間の角度が180°に近づく
ので抵抗が増加する。この薄膜磁気ヘツドの磁界
−抵抗変化曲線を第３図ｂに示す。同図に示す如
く、磁界−抵抗変化曲線は信号磁界が０の近傍で
線型応答特性を示した。
ら正方向に信号磁界が印加されるとMRセグメン
ト１３内での磁化とセンス電流２１との間の角度
が90°に近づくので抵抗が減少し、負方向に信号
磁界が印加されるとMRセグメント１３内での磁
化とセンス電流２１との間の角度が180°に近づく
ので抵抗が増加する。この薄膜磁気ヘツドの磁界
−抵抗変化曲線を第３図ｂに示す。同図に示す如
く、磁界−抵抗変化曲線は信号磁界が０の近傍で
線型応答特性を示した。
以上の実施例ではパーマロイ薄膜９の上にCoP
電着膜１２を形成したが、パーマロイ薄膜９の下
にCoP電着膜１２を形成する構造としても良い。
電着膜１２を形成したが、パーマロイ薄膜９の下
にCoP電着膜１２を形成する構造としても良い。
＜効果＞
本発明によれば磁区の分裂が生じ難く、バルク
ハウゼンジヤンプノイズの小さい薄膜磁気ヘツド
を得ることができるものである。
ハウゼンジヤンプノイズの小さい薄膜磁気ヘツド
を得ることができるものである。
第１図ａは本発明に係る薄膜磁気ヘツドの一実
施例の外観斜視図、同図ｂはその平面図、第２図
ａは複合膜に対する着磁の第１の方法を説明する
為の説明図、同図ｂはその薄膜磁気ヘツドの磁界
−抵抗変化曲線を示すグラフ図、第３図ａは複合
膜に対する着磁の第２の方法を説明する為の説明
図、同図ｂはその薄膜磁気ヘツドの磁界−抵抗変
化曲線を示すグラフ図、第４図は従来の薄膜磁気
ヘツドの外観斜視図、第５図はその抵抗変化率の
測定グラフ図、第６図はその素子内の磁区の動き
を示す説明図である。 図中、１：磁気抵抗効果素子、２：電流供給用
リード、３：信号磁界印加方向、４：磁化容易軸
方向、５：磁区、６：磁化ベクトル、７：磁壁、
８：Blochライン、９：パーマロイ薄膜、１０：
電流供給用リード、１１：信号磁界印加方向、１
２：CoP電着膜、１３：MRセグメント。
施例の外観斜視図、同図ｂはその平面図、第２図
ａは複合膜に対する着磁の第１の方法を説明する
為の説明図、同図ｂはその薄膜磁気ヘツドの磁界
−抵抗変化曲線を示すグラフ図、第３図ａは複合
膜に対する着磁の第２の方法を説明する為の説明
図、同図ｂはその薄膜磁気ヘツドの磁界−抵抗変
化曲線を示すグラフ図、第４図は従来の薄膜磁気
ヘツドの外観斜視図、第５図はその抵抗変化率の
測定グラフ図、第６図はその素子内の磁区の動き
を示す説明図である。 図中、１：磁気抵抗効果素子、２：電流供給用
リード、３：信号磁界印加方向、４：磁化容易軸
方向、５：磁区、６：磁化ベクトル、７：磁壁、
８：Blochライン、９：パーマロイ薄膜、１０：
電流供給用リード、１１：信号磁界印加方向、１
２：CoP電着膜、１３：MRセグメント。
Claims (1)
- １ 長方形状の磁気抵抗効果素子の表面に、その
長手方向に対して斜方向に複数の帯状の高保磁力
強磁性薄膜を平行状に被着したことを特徴とする
薄膜磁気ヘツド。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22812583A JPS60119618A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 薄膜磁気ヘッド |
| US06/577,389 US4639806A (en) | 1983-09-09 | 1984-02-06 | Thin film magnetic head having a magnetized ferromagnetic film on the MR element |
| DE19843404273 DE3404273A1 (de) | 1983-09-09 | 1984-02-08 | Duennfilm-magnetkopf |
| GB08403588A GB2146482B (en) | 1983-09-09 | 1984-02-10 | Thin film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22812583A JPS60119618A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60119618A JPS60119618A (ja) | 1985-06-27 |
| JPH048852B2 true JPH048852B2 (ja) | 1992-02-18 |
Family
ID=16871601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22812583A Granted JPS60119618A (ja) | 1983-09-09 | 1983-11-30 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60119618A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2724014B2 (ja) * | 1990-01-25 | 1998-03-09 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| JP2857286B2 (ja) * | 1991-09-27 | 1999-02-17 | シャープ株式会社 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
| US5737156A (en) * | 1993-11-08 | 1998-04-07 | Seagate Technology, Inc. | Barberpole MR sensor having interleaved permanent magnet and magnetoresistive segments |
| JP2000099924A (ja) * | 1998-09-18 | 2000-04-07 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 磁気再生ヘッド |
-
1983
- 1983-11-30 JP JP22812583A patent/JPS60119618A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60119618A (ja) | 1985-06-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5768066A (en) | Magnetoresistive head having an antiferromagnetic layer interposed between first and second magnetoresistive elements | |
| US5406433A (en) | Dual magnetoresistive head for reproducing very narrow track width short wavelength data | |
| US5402292A (en) | Magnetoresistance effect type thin film magnetic head using high coercion films | |
| JPH08185612A (ja) | Ｍｒヘッドおよびその製造方法 | |
| US4547824A (en) | Dual biasing for integrated inductive MR head | |
| JP2790811B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JP3377710B2 (ja) | 磁気抵抗装置および磁気センサ | |
| US4286299A (en) | Magnetic head assembly for recording or reproducing vertically magnetized records | |
| US5581427A (en) | Peak enhanced magnetoresistive read transducer | |
| US6583970B1 (en) | Magnetoresistive head device incorporating joints between magnetoresistive layer and sense current conductors | |
| JPH048852B2 (ja) | ||
| JPH0256713A (ja) | 磁気抵抗効果型再生ヘッド | |
| JP2980043B2 (ja) | 磁気ヘッド及び磁気記録再生方法 | |
| JP3120012B2 (ja) | 磁気センサとそれを用いた磁気記録再生ヘッドおよび磁気記録再生装置 | |
| JPH10302203A (ja) | 垂直磁気記録装置 | |
| JPS61134913A (ja) | 磁気抵抗型薄膜ヘツド | |
| JPH08203032A (ja) | 磁気抵抗効果再生ヘッド | |
| JPS5987612A (ja) | 垂直磁気記録方式 | |
| JP3565925B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JPH0333924Y2 (ja) | ||
| JPH026490Y2 (ja) | ||
| JPS63129511A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド | |
| JPS6134577Y2 (ja) | ||
| JP2583851B2 (ja) | 磁気抵抗型磁気ヘツド | |
| JPS61253620A (ja) | 磁気抵抗効果ヘツド |