JPS62247526A - 位置合せマ−ク - Google Patents
位置合せマ−クInfo
- Publication number
- JPS62247526A JPS62247526A JP61090919A JP9091986A JPS62247526A JP S62247526 A JPS62247526 A JP S62247526A JP 61090919 A JP61090919 A JP 61090919A JP 9091986 A JP9091986 A JP 9091986A JP S62247526 A JPS62247526 A JP S62247526A
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- alignment
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- bare wafer
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- Pending
Links
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の製造工程におけろパターン形
成工程中のマスク合せ用位置合せマークに関するもので
ある。
成工程中のマスク合せ用位置合せマークに関するもので
ある。
第２図は従来の位置きせマークの断面図であり、図にお
いて、１は基板、１１）は前記基板１に形成された位置
合せマーク、２は前記基板１上に形成されたフォトレジ
スｌ−膜で、これはその他Ｌ・リコン酸化設、シリコン
窒化膜、ポリシリコン膜、シリサイド膜、あるいはアル
ミニウム膜等の膜が形成される。３は入射光、４ば反射
光である。
いて、１は基板、１１）は前記基板１に形成された位置
合せマーク、２は前記基板１上に形成されたフォトレジ
スｌ−膜で、これはその他Ｌ・リコン酸化設、シリコン
窒化膜、ポリシリコン膜、シリサイド膜、あるいはアル
ミニウム膜等の膜が形成される。３は入射光、４ば反射
光である。
上記マスク合せ用の位置合せマークｌ ｂを使用し、マ
ーク部の反射光４をフォトカブラにて検出し、マーク位
置を精度よ（検知するには、マーク部と非マーク部の反
射光量差、すなオ）＋３コシ）・ラストを十分大きくす
る必要がある。そのため、位置合せマーク１ｂを凸形状
または凹形状にして、その表面にフォＩ・レジスト膜２
が塗布されて一般に露光装置等で検出され、所望のパタ
ーンを縮小投影または等倍投影で露光されている。
ーク部の反射光４をフォトカブラにて検出し、マーク位
置を精度よ（検知するには、マーク部と非マーク部の反
射光量差、すなオ）＋３コシ）・ラストを十分大きくす
る必要がある。そのため、位置合せマーク１ｂを凸形状
または凹形状にして、その表面にフォＩ・レジスト膜２
が塗布されて一般に露光装置等で検出され、所望のパタ
ーンを縮小投影または等倍投影で露光されている。
従来の位置合せマーク１ｂの作成方法としては、基板１
上にフ第１・レジスト膜２を塗布し、所望の位置合せマ
ーク１ｂのパターンを露光現像して、反応性イオンエツ
チングで異方性エツチングを行って形成する。
上にフ第１・レジスト膜２を塗布し、所望の位置合せマ
ーク１ｂのパターンを露光現像して、反応性イオンエツ
チングで異方性エツチングを行って形成する。
従来の位置合せマーク１ｂは、上記のように形成されて
いるので、フオＩ・レジスＩ−Ｍ ２の厚さが位置合せ
マーク１ｂ上で、光線の波長λの定在波が発生ずるｎλ
の大きさであった場合には、コントラスト 十分精度のよいマスク合せが困難である等の問題点があ
った。
いるので、フオＩ・レジスＩ−Ｍ ２の厚さが位置合せ
マーク１ｂ上で、光線の波長λの定在波が発生ずるｎλ
の大きさであった場合には、コントラスト 十分精度のよいマスク合せが困難である等の問題点があ
った。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、基板上に形成されろフ第１・レジスト膜等
の膜厚の如何にかかわらず位置合せマーク上には一個所
のみしか定在波の発生がなく、コノトラスト のよいマスク合せができる位置合せマークを得ることを
目的とする。
れたもので、基板上に形成されろフ第１・レジスト膜等
の膜厚の如何にかかわらず位置合せマーク上には一個所
のみしか定在波の発生がなく、コノトラスト のよいマスク合せができる位置合せマークを得ることを
目的とする。
この発明に係る位置合せマークは、基板に形成されろ位
置合せマークの底部を深さ方向に傾斜をつけて形成した
ものである。
置合せマークの底部を深さ方向に傾斜をつけて形成した
ものである。
この発明においては、基板に形成された位置合せマーク
の底面が傾斜していることにより、露光装置の光線の波
長λの定在波が発生ずる大きさのフ７ｒ１・Ｉ７ジスト
膜厚になっても、位ｉａ合せマーク上では、定在波はほ
んの一部でしか発生せず、マーク部と非７−り部のコノ
トラスト 〔実施例〕 第【図はこの発明の一実施例を示す位置合せマークの断
面図である。第１図において、１は基板、１ｕはこの基
板１に形成された位置合せマークで、この弐曲は深さ方
向に傾斜している。２は前記基板１上に塗１１ｊされた
フォトレジスト光、４は反射光である。
の底面が傾斜していることにより、露光装置の光線の波
長λの定在波が発生ずる大きさのフ７ｒ１・Ｉ７ジスト
膜厚になっても、位ｉａ合せマーク上では、定在波はほ
んの一部でしか発生せず、マーク部と非７−り部のコノ
トラスト 〔実施例〕 第【図はこの発明の一実施例を示す位置合せマークの断
面図である。第１図において、１は基板、１ｕはこの基
板１に形成された位置合せマークで、この弐曲は深さ方
向に傾斜している。２は前記基板１上に塗１１ｊされた
フォトレジスト光、４は反射光である。
この位置合せマーク１ａの形成方法としては、基板１が
ベアウェハの状態にある時、フォーカスイオンビームで
、ガリウムイオンＧａ＋に加速電圧１００ＫｅＶ で
反応性ガスＳＦ，をウェハ表面に吹き付けながらアンス
トエツチングする。この時、深さ形状を右から左へと次
第に浅くしてい（。つまり、スキャン時間を次第に短く
していくことにより深さ方向の制御を行うことができる
。
ベアウェハの状態にある時、フォーカスイオンビームで
、ガリウムイオンＧａ＋に加速電圧１００ＫｅＶ で
反応性ガスＳＦ，をウェハ表面に吹き付けながらアンス
トエツチングする。この時、深さ形状を右から左へと次
第に浅くしてい（。つまり、スキャン時間を次第に短く
していくことにより深さ方向の制御を行うことができる
。
これにより、所望の位置へ位置合せマーク１ａが形成さ
れる。
れる。
次に、反応性イオンビームを用いた場合、ウェハを、例
えば３０度に傾斜させて、ＳＦ６とＡｒの混合ガスをＥ
ＣＲ型またはカウフマン型のイオン源でプラズマを発生
させ、引き出しグリッドでイオンを加速させ、ウェハへ
照射することにより、深さ方向に傾斜させた底面を形成
する。
えば３０度に傾斜させて、ＳＦ６とＡｒの混合ガスをＥ
ＣＲ型またはカウフマン型のイオン源でプラズマを発生
させ、引き出しグリッドでイオンを加速させ、ウェハへ
照射することにより、深さ方向に傾斜させた底面を形成
する。
この発明は以上説明したとおり、位置合せマークの底面
を深さ方向に傾斜させた構造としたので、フォトＬ・シ
スト膜等の膜厚によって光線の定在波が起こる時でも、
定在波の発生は１個所ですみ、したがって、定在波に影
響を受けることなく、精度よくマスクパターンの位置合
せができる利点力ｉ得られる。
を深さ方向に傾斜させた構造としたので、フォトＬ・シ
スト膜等の膜厚によって光線の定在波が起こる時でも、
定在波の発生は１個所ですみ、したがって、定在波に影
響を受けることなく、精度よくマスクパターンの位置合
せができる利点力ｉ得られる。
第１図はこの発明の一実施例を示す位置合せマークの断
面図、第２図は従来の位置合せマークを示す断面図であ
る。 図において、１は基板、２はフォトレジスト３は入射光
、４は反射光である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
面図、第２図は従来の位置合せマークを示す断面図であ
る。 図において、１は基板、２はフォトレジスト３は入射光
、４は反射光である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (3)
- （１）マスクパターンの転写・露光工程の位置合せに用
いられる基板上に形成された位置合せマークにおいて、
前記位置合せマークの底部を深さ方向に傾斜せしめたこ
とを特徴とする位置合せマーク。 - （２）位置合せマークの底部の傾斜は、基板がベアウエ
ハ状態である時、フォーカスイオンビームを用いて形成
したものである特許請求の範囲第（１）項記載の位置合
せマーク。 - （３）位置合せマークの底部の傾斜は、基板を傾斜させ
て、反応性イオンビームでエッチングにより形成したも
のである特許請求の範囲第（１）項記載の位置合せマー
ク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61090919A JPS62247526A (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | 位置合せマ−ク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61090919A JPS62247526A (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | 位置合せマ−ク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62247526A true JPS62247526A (ja) | 1987-10-28 |
Family
ID=14011832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61090919A Pending JPS62247526A (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | 位置合せマ−ク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62247526A (ja) |
-
1986
- 1986-04-18 JP JP61090919A patent/JPS62247526A/ja active Pending
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