JPS62246122A - 磁気記録媒体 - Google Patents
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- JPS62246122A JPS62246122A JP9044786A JP9044786A JPS62246122A JP S62246122 A JPS62246122 A JP S62246122A JP 9044786 A JP9044786 A JP 9044786A JP 9044786 A JP9044786 A JP 9044786A JP S62246122 A JPS62246122 A JP S62246122A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、磁気テープ、磁気ディスクなどの磁気記録媒
体に適したもので、とくに回転ヘッド型ビデオテープレ
コーダーに最適の磁気記録媒体に関するものである。
体に適したもので、とくに回転ヘッド型ビデオテープレ
コーダーに最適の磁気記録媒体に関するものである。
従来の技術
］バルト、ニッケル、鉄またはそれらを主成分とする合
金を真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング
などの真空製脱去によりポリエステルフィルム、ポリイ
ミドフィルムなどの高分子フィルムや非磁性金属薄板な
どから成る基板上に形成して成る強磁性金属薄膜型磁気
記録媒体は、従来の塗布型磁気記録媒体に比べて記録密
度を飛躍的に向上せしめることが可能であるが、この高
密度化のだめには、（（ａ気記録媒体の表面を極力平担
化して磁気ヘッド、磁気記録媒体間のスペーシングロス
金極力減少せしめることが必要である。
金を真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング
などの真空製脱去によりポリエステルフィルム、ポリイ
ミドフィルムなどの高分子フィルムや非磁性金属薄板な
どから成る基板上に形成して成る強磁性金属薄膜型磁気
記録媒体は、従来の塗布型磁気記録媒体に比べて記録密
度を飛躍的に向上せしめることが可能であるが、この高
密度化のだめには、（（ａ気記録媒体の表面を極力平担
化して磁気ヘッド、磁気記録媒体間のスペーシングロス
金極力減少せしめることが必要である。
しかし、表面全平坦化しすぎるとヘッドタッチ、走行性
に支障をきたすため表面を微細に粗面化すると同時に各
種有機ｍ剤を含む表面被覆を設けることばよりこれ全解
決する必要がある。従来、このような有機滑剤として、
各種の脂肪酸、脂肪酸エステル、脂肪酸アミド、シリコ
ンオイル、フッ素オイル等が単独、あるいは種々複合さ
れた形で使用さ、Ｉしてきた。
に支障をきたすため表面を微細に粗面化すると同時に各
種有機ｍ剤を含む表面被覆を設けることばよりこれ全解
決する必要がある。従来、このような有機滑剤として、
各種の脂肪酸、脂肪酸エステル、脂肪酸アミド、シリコ
ンオイル、フッ素オイル等が単独、あるいは種々複合さ
れた形で使用さ、Ｉしてきた。
発明が解決しようとする問題点
上記の各種有機滑剤を使用した媒体は、スチル再生寿命
において、常温〜高温（Ｉ０〜３０’Ｃ）下にお・いて
は通常３０分以上の寿命を有するが、気温が６°Ｃ以下
になると寿命が３０分以下、ときには数分以下に低下す
ることが本発明者らの検討の結果間らかになった。
において、常温〜高温（Ｉ０〜３０’Ｃ）下にお・いて
は通常３０分以上の寿命を有するが、気温が６°Ｃ以下
になると寿命が３０分以下、ときには数分以下に低下す
ることが本発明者らの検討の結果間らかになった。
問題点を解決するだめの手段
本発明は、特定の含フッ素有機燐化合物を含む薄膜を酸
素を含む強磁性金属薄刃莫上に形成せしめたことを特徴
とする磁気記録媒体に関するものであり、上記有機燐化
合物薄層と強磁性層表面の酸化層とでもって前記問題を
解決したものである。
素を含む強磁性金属薄刃莫上に形成せしめたことを特徴
とする磁気記録媒体に関するものであり、上記有機燐化
合物薄層と強磁性層表面の酸化層とでもって前記問題を
解決したものである。
なお、上記有機燐化合物とは下記一般式（Ｉ）で示さＪ
Ｌるものである。
Ｌるものである。
一般式（Ｉ）：
［Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３のうちの少なくとも１個以上は炭素
数３以上のフロロアルキル末端を１個以上有するフロロ
アルキル誘導体残基であり、かつ、Ｒ４，Ｒ２，Ｒ３の
うちの上記以外のものがフェニル基まだは炭素数８以上
の脂肪族アルキル基である。
数３以上のフロロアルキル末端を１個以上有するフロロ
アルキル誘導体残基であり、かつ、Ｒ４，Ｒ２，Ｒ３の
うちの上記以外のものがフェニル基まだは炭素数８以上
の脂肪族アルキル基である。
ｋ、ｅ、ｍおよびｎはそれぞれ０または１の整数を表わ
し、ｋ、ｌ、ｍおよびｎのうちの少なくとも１個以上は
１である。
し、ｋ、ｌ、ｍおよびｎのうちの少なくとも１個以上は
１である。
ｗ、ｘ、ｙおよびＺはそれぞれ硫黄まだは酸素原子を表
わし、しかも、それらの係数であるｅ 、 ｍ 、 ｎ
およびＰが１であるもののうちの少なくとも１個以上は
硫黄原子である。〕作 用 以上のように構成すると、有機燐化合物中のフロロアル
キル基のもつ安定した滑性作用と燐原子・硫黄原子のも
つ強磁性層表面への強い反応力との相乗効果により、低
温下におけるスチル再生寿命を向上せしめるものである
。なお、使用する有機燐化合物中に脂肪族アルキル基が
含まれる場合にはとくにその効果が顕著に現われる。
わし、しかも、それらの係数であるｅ 、 ｍ 、 ｎ
およびＰが１であるもののうちの少なくとも１個以上は
硫黄原子である。〕作 用 以上のように構成すると、有機燐化合物中のフロロアル
キル基のもつ安定した滑性作用と燐原子・硫黄原子のも
つ強磁性層表面への強い反応力との相乗効果により、低
温下におけるスチル再生寿命を向上せしめるものである
。なお、使用する有機燐化合物中に脂肪族アルキル基が
含まれる場合にはとくにその効果が顕著に現われる。
実施例
図は本発明の実施例における磁気記録媒体の基本構成を
示す拡大断面図である。図において、１は基板、２は強
磁性金属薄膜、３は表面被覆層である。表面被覆層３は
、前記の特定有機燐化合物を含む薄層で形成される。
示す拡大断面図である。図において、１は基板、２は強
磁性金属薄膜、３は表面被覆層である。表面被覆層３は
、前記の特定有機燐化合物を含む薄層で形成される。
本発明に使用する前記の特定有機燐化合物としては、前
記一般式中のＲ１，Ｒ２，Ｒ３成分の中の７０ロアルキ
ル読導体残基として、たとえばＣｎＦ２ｎ＋１（ＣＨ２
）、ｎ− ＨＣＦ２（ＣＦ２）２ｎ（ＣＨ２）ｆｌｌ−ＣｎＦ２ｎ
＋１Ｓｏ２Ｎ（ＣＨ２）ｍ−ＣｎＦ２ｎ＋１０ＯＮ（Ｃ
Ｈ２）ｍ− ＣｎＨ２ｎ−１００Ｎ（ＣＨ２） （ただしｎ＝３〜２０．ｍ＝１〜１０．ＲはＨ，ＣＨ３
またはＣ２Ｈ３） また、脂肪族アルキル基として、たとえばＣｎＨ２ｎ＋
１− ＣｎＨ２ｎ−１− ＣｎＨ２ｎ−３− （ただしｎ＝８〜３０） 等がある。
記一般式中のＲ１，Ｒ２，Ｒ３成分の中の７０ロアルキ
ル読導体残基として、たとえばＣｎＦ２ｎ＋１（ＣＨ２
）、ｎ− ＨＣＦ２（ＣＦ２）２ｎ（ＣＨ２）ｆｌｌ−ＣｎＦ２ｎ
＋１Ｓｏ２Ｎ（ＣＨ２）ｍ−ＣｎＦ２ｎ＋１０ＯＮ（Ｃ
Ｈ２）ｍ− ＣｎＨ２ｎ−１００Ｎ（ＣＨ２） （ただしｎ＝３〜２０．ｍ＝１〜１０．ＲはＨ，ＣＨ３
またはＣ２Ｈ３） また、脂肪族アルキル基として、たとえばＣｎＨ２ｎ＋
１− ＣｎＨ２ｎ−１− ＣｎＨ２ｎ−３− （ただしｎ＝８〜３０） 等がある。
フロロアルキル基としては、炭素数３以上、さらに好徒
しくは６以上の直鎖または分岐バー７０ロアルキル基、
まだは炭素数３以」二、さらに好ましくは５以上の末端
炭素に水素原子を１個有する直鎖フロ１コアルキル基（
たとえば、 ＨＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−）が適しており、
炭素数が２以下の場合にはスチル寿命が短かくなる。
しくは６以上の直鎖または分岐バー７０ロアルキル基、
まだは炭素数３以」二、さらに好ましくは５以上の末端
炭素に水素原子を１個有する直鎖フロ１コアルキル基（
たとえば、 ＨＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−）が適しており、
炭素数が２以下の場合にはスチル寿命が短かくなる。
脂肪族アルキル残基としては、炭素数８以上、さらに好
ましくは１０以上の直鎖まだは分岐アルキル基が適して
いる。前記一般式におけるＲ１．Ｒ２゜Ｒ３のうちの少
なくとも１個以上は、上記フロロアルキル誘導体残基で
あることが必要で、フロロアルキル誘導体残基がゼロの
場合にはスチル寿命が極端に低下する。また、Ｒ１，Ｒ
２，Ｒ３のうちの１１１、■または２個の脂肪族アルキ
ル基であることが望ましい。Ｒ４，Ｒ２，Ｒ３のいずれ
も脂肪族アルキル基でない場合は、脂肪族アルキル基が
存在する場合に比べてスチル寿命は若干低い値となる。
ましくは１０以上の直鎖まだは分岐アルキル基が適して
いる。前記一般式におけるＲ１．Ｒ２゜Ｒ３のうちの少
なくとも１個以上は、上記フロロアルキル誘導体残基で
あることが必要で、フロロアルキル誘導体残基がゼロの
場合にはスチル寿命が極端に低下する。また、Ｒ１，Ｒ
２，Ｒ３のうちの１１１、■または２個の脂肪族アルキ
ル基であることが望ましい。Ｒ４，Ｒ２，Ｒ３のいずれ
も脂肪族アルキル基でない場合は、脂肪族アルキル基が
存在する場合に比べてスチル寿命は若干低い値となる。
強磁性金属薄膜上には前記有機燐化合物を、表面１ ｍ
’当りｏ、ｔ 〜６ｏｏｍｇ、さらに好ましくは０．５
〜２００Ｉｎ（ｌの割合でそれぞれ単独、あるいは他の
滑剤、防ｊｉ！７剤、 ］Ｉ／）脂等との複合体として
薄層状に存在せしめるのが良い。まだ、それらを存在せ
しめる方法としては、強磁性金属薄膜表面に直接塗布、
あるいは蒸着する方法以外に磁気記録ｌＴ４．！：体の
表面に塗布あるいは蒸着せしめておき、磁気記録媒体の
ＪＪ’ｊ層（捲回）時に強磁性金属薄膜表面へ転写せし
める方法も可能である。
’当りｏ、ｔ 〜６ｏｏｍｇ、さらに好ましくは０．５
〜２００Ｉｎ（ｌの割合でそれぞれ単独、あるいは他の
滑剤、防ｊｉ！７剤、 ］Ｉ／）脂等との複合体として
薄層状に存在せしめるのが良い。まだ、それらを存在せ
しめる方法としては、強磁性金属薄膜表面に直接塗布、
あるいは蒸着する方法以外に磁気記録ｌＴ４．！：体の
表面に塗布あるいは蒸着せしめておき、磁気記録媒体の
ＪＪ’ｊ層（捲回）時に強磁性金属薄膜表面へ転写せし
める方法も可能である。
強磁性金属薄膜としては、例えば斜め蒸着あるいは平面
蒸着法にて形成されるＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅ等を主体とする
金属薄膜、それらの合金を主体とする金属薄膜（例えば
ＣｏＮｉ、ＣｏＣｒ等）であって製膜時の雰囲気ガスを
酸素ガスが支配的となる雰囲気としたときて得られる酸
素を含むものが適当である。酸素の含有量としては０強
磁性金属に対する原子数比で少なくとも３係以上、好ま
しくは６％以上が適当である。３％以下であると１．低
温でのスチル寿命改善効果が得られ難い。
蒸着法にて形成されるＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅ等を主体とする
金属薄膜、それらの合金を主体とする金属薄膜（例えば
ＣｏＮｉ、ＣｏＣｒ等）であって製膜時の雰囲気ガスを
酸素ガスが支配的となる雰囲気としたときて得られる酸
素を含むものが適当である。酸素の含有量としては０強
磁性金属に対する原子数比で少なくとも３係以上、好ま
しくは６％以上が適当である。３％以下であると１．低
温でのスチル寿命改善効果が得られ難い。
強磁性金属薄膜を形成すべき基板としては、巨視的には
表面平滑度良好であり、かつ、微細な突起を有するもの
が適当で、たとえば、表面に、高さ５０〜６００人で１
ｍｎ？当り平均１×１０〜１０８個の波状あるいは山
伏突起を有するポリエステルフィルムは、とくに好まし
いものである。
表面平滑度良好であり、かつ、微細な突起を有するもの
が適当で、たとえば、表面に、高さ５０〜６００人で１
ｍｎ？当り平均１×１０〜１０８個の波状あるいは山
伏突起を有するポリエステルフィルムは、とくに好まし
いものである。
また、重合触媒残香に起因する微粒子をほとんト含まな
いポリエステルフィルムの表面に延伸製膜途上で増粘剤
を含む変性シリコーンエマルジョン液を塗布硬化させる
ことにより得られた波状案起（高さ１００人密度１×１
０６個）を形成せしめたものの上に連続真空層め蒸着法
によりＣｏＮｉ強磁性金属薄膜（Ｎｉ＝２０％、膜厚１
ｏ００人）１微量の酸素の存在下で形成せしめた。皮膜
中の酸素含量は原子数比で５係であった。この試料ｆ：
Ａとする。
いポリエステルフィルムの表面に延伸製膜途上で増粘剤
を含む変性シリコーンエマルジョン液を塗布硬化させる
ことにより得られた波状案起（高さ１００人密度１×１
０６個）を形成せしめたものの上に連続真空層め蒸着法
によりＣｏＮｉ強磁性金属薄膜（Ｎｉ＝２０％、膜厚１
ｏ００人）１微量の酸素の存在下で形成せしめた。皮膜
中の酸素含量は原子数比で５係であった。この試料ｆ：
Ａとする。
ポリエステルフィルム内に添加されたシリカ微粒子によ
る勾配のゆるやかな粒状突起（平均高さ７０人、平均直
径１μｙｅＬ）が表面１００μｍ１尚り数個存在し、し
かも重合触媒残香に起因する微粒子により比較的大きな
突起（［−極力低減せしめたポリエステルフィルムの表
面に直径１６０人のシリカコロイド粒子を核とし、紫外
線硬化エポキシ樹脂を結合剤とする急峻な山伏突起’Ｑ
ＩＸ１０ 個形成ぜしめた基板上に上記と同様の条件
でＣｏＮｉ膜（Ｎｉ＝２０４．膜厚１０００人、酸素含
量７係）を形成せしめたものをＢとする。また、比較例
としてＢにおいて蒸着時に酸素の導入を行なわなかった
もの（Ｂにおいて酸素含量のみ２俤以下としたもの）を
Ｃとする。これらの蒸着膜上にあらかじめ合成試作した
各種の有機化合物溶液を塗布し薄層を形成させたのち所
定幅に切断して磁気テープを作り、これらを−６°Ｃ中
で試作ビデオデツキに掛けてスチル再生特性を測定した
。スチル再生寿命は、出力が初期値に対して１ｏｄＢ低
下するまでの時間とした。これらの結果を次表にまとめ
て記す。
る勾配のゆるやかな粒状突起（平均高さ７０人、平均直
径１μｙｅＬ）が表面１００μｍ１尚り数個存在し、し
かも重合触媒残香に起因する微粒子により比較的大きな
突起（［−極力低減せしめたポリエステルフィルムの表
面に直径１６０人のシリカコロイド粒子を核とし、紫外
線硬化エポキシ樹脂を結合剤とする急峻な山伏突起’Ｑ
ＩＸ１０ 個形成ぜしめた基板上に上記と同様の条件
でＣｏＮｉ膜（Ｎｉ＝２０４．膜厚１０００人、酸素含
量７係）を形成せしめたものをＢとする。また、比較例
としてＢにおいて蒸着時に酸素の導入を行なわなかった
もの（Ｂにおいて酸素含量のみ２俤以下としたもの）を
Ｃとする。これらの蒸着膜上にあらかじめ合成試作した
各種の有機化合物溶液を塗布し薄層を形成させたのち所
定幅に切断して磁気テープを作り、これらを−６°Ｃ中
で試作ビデオデツキに掛けてスチル再生特性を測定した
。スチル再生寿命は、出力が初期値に対して１ｏｄＢ低
下するまでの時間とした。これらの結果を次表にまとめ
て記す。
なお、比較例として
磁性膜の酸素含量の低いもの・・・・・・・・・比較例
１３フロロアルキル基のないもの・・・・・・・・・比
較例１４，１６．１６を加えている。
１３フロロアルキル基のないもの・・・・・・・・・比
較例１４，１６．１６を加えている。
発明の効果
以上の結果から明らかなように本発明の磁気記録媒体は
、低温におけるスチル再生寿命が長く、かつ安定してい
るため工業的価値の非常に高いものである。
、低温におけるスチル再生寿命が長く、かつ安定してい
るため工業的価値の非常に高いものである。
図は本発明の実施例に係る磁気記録媒体の拡大断面図で
ある。 １・・・・・・基板、２・・・・・・強磁性金属薄膜、
３・・・・・・表面被覆層。
ある。 １・・・・・・基板、２・・・・・・強磁性金属薄膜、
３・・・・・・表面被覆層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下記一般式（ I ）で表わされる含フッ素有機燐化合物
を含む薄膜を酸素を含む強磁性金属薄膜上に形成せしめ
たことを特徴とする磁気記録媒体。 一般式（ I ）： ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３のうちの少なくとも１個以上
は炭素数３以上のフロロアルキル末端を１個以上有する
フロロアルキル誘導体残基であり、かつ、Ｒ＿１、Ｒ＿
２、Ｒ＿３のうちの上記以外のものが、フェニル基また
は炭素数８以上の脂肪族アルキル基である。 ｋ、ｌ、ｍおよびｎはそれぞれ０または１の整数を表わ
し、ｋ、ｌ、ｍおよびｎのうちの少なくとも１個以上は
１である。 Ｗ、Ｘ、ＹおよびＺはそれぞれ硫黄または酸素原子を表
わし、しかも、それらの係数であるｌ、ｍ、ｎおよびＰ
が１であるもののうちの少なくとも１個以上は硫黄原子
である。〕
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61090447A JPH071540B2 (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61090447A JPH071540B2 (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62246122A true JPS62246122A (ja) | 1987-10-27 |
| JPH071540B2 JPH071540B2 (ja) | 1995-01-11 |
Family
ID=13998869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61090447A Expired - Fee Related JPH071540B2 (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH071540B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61104320A (ja) * | 1984-10-22 | 1986-05-22 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
-
1986
- 1986-04-18 JP JP61090447A patent/JPH071540B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61104320A (ja) * | 1984-10-22 | 1986-05-22 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH071540B2 (ja) | 1995-01-11 |
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|---|---|---|---|
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