JPS62243339A - ウエハ搬送装置のオリフラ合わせ機構 - Google Patents
ウエハ搬送装置のオリフラ合わせ機構Info
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- JPS62243339A JPS62243339A JP8594486A JP8594486A JPS62243339A JP S62243339 A JPS62243339 A JP S62243339A JP 8594486 A JP8594486 A JP 8594486A JP 8594486 A JP8594486 A JP 8594486A JP S62243339 A JPS62243339 A JP S62243339A
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- JP
- Japan
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- wafer
- orientation flat
- flat portion
- sensor
- base
- Prior art date
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- Pending
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- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 8
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 33
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、rc検査用金属顕微鏡へ半導体ウニハを搬送
するウェハ搬送装置のオリフラ合わせ機構に係り、特に
、ウェハを一定方向に位置合わせする時のパーティクル
付着防止に好適なウェハ搬送装置のオリフラ合わせ機構
に関する。
するウェハ搬送装置のオリフラ合わせ機構に係り、特に
、ウェハを一定方向に位置合わせする時のパーティクル
付着防止に好適なウェハ搬送装置のオリフラ合わせ機構
に関する。
従来のウェハ搬送装置のオリフラ合わせ機構では、第2
図(a)に示す反射型フォトセンサを使用し、センサ1
から発光されたビーム2の反射ビーム3を検知する方式
のものと、第2図(b)に示す透過型フォトセンサ2個
を使用し、センサ4とセンサ5からのビーム6とビーム
7のANDを検知する方式であった。
図(a)に示す反射型フォトセンサを使用し、センサ1
から発光されたビーム2の反射ビーム3を検知する方式
のものと、第2図(b)に示す透過型フォトセンサ2個
を使用し、センサ4とセンサ5からのビーム6とビーム
7のANDを検知する方式であった。
上記従来技術の第1図(a)に示す反射型フォトセンサ
を使用したものは、半導体ウェハ製造工程の相違から生
じる半導体ウェハの反射率の差異により、被検体が限定
され、工程ごとの質品検査が不可能の場合もある。
を使用したものは、半導体ウェハ製造工程の相違から生
じる半導体ウェハの反射率の差異により、被検体が限定
され、工程ごとの質品検査が不可能の場合もある。
また、従来技術の第1図(b)に示す透過型フォトセン
サを2個使用したものは、センサ固定板がウェハ上面に
オーバーハングするため、パーティクルが、ウェハ上面
に付着する恐れがあった。
サを2個使用したものは、センサ固定板がウェハ上面に
オーバーハングするため、パーティクルが、ウェハ上面
に付着する恐れがあった。
本発明の目的は、クリーン度100クラスの半導体ウェ
ハ製造工程の品質検査に於いて、総ての工程の半導体ウ
ェハを検知でき、半導体ウェハへのパーティクルの付着
を防止する構造にすることにある。
ハ製造工程の品質検査に於いて、総ての工程の半導体ウ
ェハを検知でき、半導体ウェハへのパーティクルの付着
を防止する構造にすることにある。
上記目的を達成するためには、半導体ウェハの反射率の
差異を克復し、反射率に関係のない透過型フォトセンサ
にすることにより達成される。また、半導体ウェハ上面
へのパーティクルの付着を防止するために、センサの設
置場所を半導体ウェハ上面からはずし、尚且つ、オリフ
ラを検知できる場所に設置することにより達成される。
差異を克復し、反射率に関係のない透過型フォトセンサ
にすることにより達成される。また、半導体ウェハ上面
へのパーティクルの付着を防止するために、センサの設
置場所を半導体ウェハ上面からはずし、尚且つ、オリフ
ラを検知できる場所に設置することにより達成される。
ウェハ搬送装置のオリフラ合わせ機構は、軸に心合わせ
した後の半導体ウェハを、回転台の上に真空吸着させ、
同軸駆動機によって回転させられる。
した後の半導体ウェハを、回転台の上に真空吸着させ、
同軸駆動機によって回転させられる。
透過型フォトセンサは、ビーム上を、半導体ウェハの弧
の部分が通過している時は、遮断されているが、弦の部
分、つまり、オリフラが通過すると、ビームがつながる
ので、その入力信号により、回転駆動機を制御させるこ
とによって、回転を停止させオリフラの位置合わせを行
う。それによって、半導体ウェハは、確実に停止し、半
導体ウェハ上方に構造物のない機構になっているためク
リーンエアーが一様に半導体上面を流れ、パーティクル
の付着を困難にしている。
の部分が通過している時は、遮断されているが、弦の部
分、つまり、オリフラが通過すると、ビームがつながる
ので、その入力信号により、回転駆動機を制御させるこ
とによって、回転を停止させオリフラの位置合わせを行
う。それによって、半導体ウェハは、確実に停止し、半
導体ウェハ上方に構造物のない機構になっているためク
リーンエアーが一様に半導体上面を流れ、パーティクル
の付着を困難にしている。
以下、本発明の実施例を第1図により説明する。
透過型センサ1は、支柱2に取付けられ、半導体ウェハ
3は、回転台4に乗っている。このような状態で、半導
体ウェハ3を、回転台4に真空吸着させ、確実に吸着し
たことを、真空弁5と回転台4との間の配管部6に設置
した圧力センサ7で確認し、次に回転駆動機8を回転さ
せる。透過型センサ1のビーム9は、最初、半導体ウェ
ハ3の弧の部暖10に遮断されているが、回転が進むに
つれて、半導体ウェハ3の弦の部分(オリフラ)11が
、ビーム9上を通過する時に、ビーム9は。
3は、回転台4に乗っている。このような状態で、半導
体ウェハ3を、回転台4に真空吸着させ、確実に吸着し
たことを、真空弁5と回転台4との間の配管部6に設置
した圧力センサ7で確認し、次に回転駆動機8を回転さ
せる。透過型センサ1のビーム9は、最初、半導体ウェ
ハ3の弧の部暖10に遮断されているが、回転が進むに
つれて、半導体ウェハ3の弦の部分(オリフラ)11が
、ビーム9上を通過する時に、ビーム9は。
投光器と受光器の間で一直線になり、入力信号12が出
る。その入力信号12を制御部13に入力し、その出力
で回転駆動機8の回転を制御し、停止させる。
る。その入力信号12を制御部13に入力し、その出力
で回転駆動機8の回転を制御し、停止させる。
本実施例によれば、どんな種類の半導体ウェハでも確実
に定位置で停止させられる効果がある。
に定位置で停止させられる効果がある。
本−明によれば、材料および製造工程の相違より生じる
反射率の差異のある半導体ウェハでも、直接ビーム光を
検知する方式なので確実に検知し高精度にオリフラ合わ
せを行うことができるとい、−う効果を有する。また、
半導体ウェハ上面バ、じ・、 飄 4、や)まな構造物がないため、クリーンエアが、半導
体ウェハ上面を一様に流れるため、パーティクルの付着
を極少にする効果を有する。
反射率の差異のある半導体ウェハでも、直接ビーム光を
検知する方式なので確実に検知し高精度にオリフラ合わ
せを行うことができるとい、−う効果を有する。また、
半導体ウェハ上面バ、じ・、 飄 4、や)まな構造物がないため、クリーンエアが、半導
体ウェハ上面を一様に流れるため、パーティクルの付着
を極少にする効果を有する。
第1図(a)は本発明の実施例の概略図、第1図(b)
はP矢視図、第2図(a)は従来の技術の反射型フォト
センサの使用例を示す図、第2図(b)は透過型フォト
センサの使用例を示す図である。 1・・・透過型センサ、2・・・支柱、3・・・半導体
ウェハ、4・・・回転台、5・・・真空弁、6・・・配
管部、7・・・圧力センサ、8・・・回転駆動機、9・
・・ビーム、10・・・弧の部分、11・・・弦の部分
、12・・・入力信号、13・・・制御部。
はP矢視図、第2図(a)は従来の技術の反射型フォト
センサの使用例を示す図、第2図(b)は透過型フォト
センサの使用例を示す図である。 1・・・透過型センサ、2・・・支柱、3・・・半導体
ウェハ、4・・・回転台、5・・・真空弁、6・・・配
管部、7・・・圧力センサ、8・・・回転駆動機、9・
・・ビーム、10・・・弧の部分、11・・・弦の部分
、12・・・入力信号、13・・・制御部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、半導体ウェハのオリフラ部を検出するために透過型
フォトセンサを使用し、そのビームをオリフラの一定幅
内を通過するような角度に傾斜させて使用することによ
り、ウェハ上面に構造物がなくなり、クリーンエアがウ
ェハ上をスムーズに流れることができ、ウェハ表面への
パーティクルの付着を防止することができることを特徴
とするウェハ搬送装置のオリフラ合わせ機構。 2、特許請求の範囲第1項に於いて、ウェハの搬送状態
をリアルタイムで観察し、メインテナンスを容易にした
ことを特徴とするウェハ搬送装置のオリフラ合わせ機構
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8594486A JPS62243339A (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | ウエハ搬送装置のオリフラ合わせ機構 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8594486A JPS62243339A (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | ウエハ搬送装置のオリフラ合わせ機構 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62243339A true JPS62243339A (ja) | 1987-10-23 |
Family
ID=13872869
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8594486A Pending JPS62243339A (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | ウエハ搬送装置のオリフラ合わせ機構 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62243339A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6162008A (en) * | 1999-06-08 | 2000-12-19 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Wafer orientation sensor |
US6489626B2 (en) | 2000-04-07 | 2002-12-03 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Wafer orientation sensor for GaAs wafers |
WO2019084260A1 (en) * | 2017-10-25 | 2019-05-02 | Axcelis Technologies, Inc. | ADJUSTABLE SENSITIVITY MULTI-RECEIVER, MULTI-WAVE LENGTH, LOW-ANGLE SENSITIVITY ALIGNMENT SENSOR FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EQUIPMENT |
-
1986
- 1986-04-16 JP JP8594486A patent/JPS62243339A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6162008A (en) * | 1999-06-08 | 2000-12-19 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Wafer orientation sensor |
US6489626B2 (en) | 2000-04-07 | 2002-12-03 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Wafer orientation sensor for GaAs wafers |
WO2019084260A1 (en) * | 2017-10-25 | 2019-05-02 | Axcelis Technologies, Inc. | ADJUSTABLE SENSITIVITY MULTI-RECEIVER, MULTI-WAVE LENGTH, LOW-ANGLE SENSITIVITY ALIGNMENT SENSOR FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EQUIPMENT |
US10794694B2 (en) | 2017-10-25 | 2020-10-06 | Axcelis Technologies, Inc. | Shallow angle, multi-wavelength, multi-receiver, adjustable sensitivity aligner sensor for semiconductor manufacturing equipment |
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