JPS62241332A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS62241332A JPS62241332A JP8482686A JP8482686A JPS62241332A JP S62241332 A JPS62241332 A JP S62241332A JP 8482686 A JP8482686 A JP 8482686A JP 8482686 A JP8482686 A JP 8482686A JP S62241332 A JPS62241332 A JP S62241332A
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は半導体装置の製造方法に関する。
（従来の技術）
周知のように半導体装置の製造工程の一つにフォトエツ
チングがある。これはたとえば絶縁膜たとえば酸化膜を
バターニングするようなとき、その表面にフォトレジス
トを膜状に塗布し、これにマスクをかけて露光してから
これを現像液の中に入れて現像する。
チングがある。これはたとえば絶縁膜たとえば酸化膜を
バターニングするようなとき、その表面にフォトレジス
トを膜状に塗布し、これにマスクをかけて露光してから
これを現像液の中に入れて現像する。
通常はこのあとフォトレジストを除去することによって
、フォトエツチング工程を終了するのであるが、半導体
装置の種類によっては先のフォトレジストを除去したあ
と、あるいは残された先のフォトレジストの膜の表面に
、更にフォトレジストの膜を形成してフォトエツチング
を施す必要のある場合がある。
、フォトエツチング工程を終了するのであるが、半導体
装置の種類によっては先のフォトレジストを除去したあ
と、あるいは残された先のフォトレジストの膜の表面に
、更にフォトレジストの膜を形成してフォトエツチング
を施す必要のある場合がある。
従来ではこのような場合、先のフォトレジストの膜の表
面に単に次の層のためのフォトレジストを塗布するにと
どまっていた。しかしこのように先のフォトレジストの
膜（第１層のフォトレジスト膜）の表面に次の層のため
のフォトレジストの膜（第２層のフォトレジストｌ１ｌ
）を塗布したとすると、第２層のフォトレジスト膜に含
まれている有機溶剤によって、前記第１Ｍのフォトレジ
スト膜の表面が溶解されてしまうことがある。
面に単に次の層のためのフォトレジストを塗布するにと
どまっていた。しかしこのように先のフォトレジストの
膜（第１層のフォトレジスト膜）の表面に次の層のため
のフォトレジストの膜（第２層のフォトレジストｌ１ｌ
）を塗布したとすると、第２層のフォトレジスト膜に含
まれている有機溶剤によって、前記第１Ｍのフォトレジ
スト膜の表面が溶解されてしまうことがある。
このような溶解現象が発生すると、第１層のフォトレジ
スト膜の基板に対する密着性が損われ、現像の際に剥離
してしまうことがある。このような剥離が発生すると、
次工程の拡散その他の処理に支障が生じ、所要の品質を
保証することができなくなってしまう。
スト膜の基板に対する密着性が損われ、現像の際に剥離
してしまうことがある。このような剥離が発生すると、
次工程の拡散その他の処理に支障が生じ、所要の品質を
保証することができなくなってしまう。
（発明が解決しようとする問題点）
この発明は半導体装置の製造過程において、第１層のフ
ォトレジスト膜の表面に、第２層のフォトレジスト膜を
形成する場合、その第２層のフォトレジスト膜によって
第１層のフォトレジスト膜が溶解してしまうようなこと
を確実に防止することを目的とする。
ォトレジスト膜の表面に、第２層のフォトレジスト膜を
形成する場合、その第２層のフォトレジスト膜によって
第１層のフォトレジスト膜が溶解してしまうようなこと
を確実に防止することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
この発明は第１層のフォトレジスト膜の表面に第２層の
フォトレジスト膜を形成するにあたり。
フォトレジスト膜を形成するにあたり。
第１層のフォトレジスト膜のためのフォトレジストとし
て、光分解形のポジ形フォトレジストを使用し、この第
１層のフォトレジスト膜を形成したあと、第２層のフォ
トレジスト膜を形成するのに先だって、第１層のフォト
レジスト膜の表面に。
て、光分解形のポジ形フォトレジストを使用し、この第
１層のフォトレジスト膜を形成したあと、第２層のフォ
トレジスト膜を形成するのに先だって、第１層のフォト
レジスト膜の表面に。
遠紫外線を照射してその表面で光架橋反応を起させて高
分子化した層を形成し、そのあと第２層のフォトレジス
ト膜を形成するようにしたことを特徴とする。
分子化した層を形成し、そのあと第２層のフォトレジス
ト膜を形成するようにしたことを特徴とする。
（作用）
光分解形のポジ形フォトレジストに遠紫外線を照射する
と、その照射領域において光架橋反応を生じ、これによ
ってその領域の表面で高分子化された層が形成されるよ
うになる。この高分子化層の存在のため、第２層のフォ
トレジスト膜を形成したとき、このフォトレジストに含
まれている有機溶剤が第１層のフォトレジスト膜に溶出
していくようなことは、これをもって確実に防止される
ようになる。そして第２層のフォトレジスト膜は第１層
のフォトレジスト膜の表面に良好に密着するようになる
。
と、その照射領域において光架橋反応を生じ、これによ
ってその領域の表面で高分子化された層が形成されるよ
うになる。この高分子化層の存在のため、第２層のフォ
トレジスト膜を形成したとき、このフォトレジストに含
まれている有機溶剤が第１層のフォトレジスト膜に溶出
していくようなことは、これをもって確実に防止される
ようになる。そして第２層のフォトレジスト膜は第１層
のフォトレジスト膜の表面に良好に密着するようになる
。
（実施例）
この発明の実施例を図によって説明する。図において１
は半導体基板で、ここではこの表面に形成されである酸
化膜などをフォトエツチングする場合について説明する
。最初に酸化膜の表面を通常のように所要のパターンに
したがって露光、現像する。
は半導体基板で、ここではこの表面に形成されである酸
化膜などをフォトエツチングする場合について説明する
。最初に酸化膜の表面を通常のように所要のパターンに
したがって露光、現像する。
具体的にはまず酸化膜の表面に第１層のフォトレジスト
膜２を形成する。このと−きのフォトレジストとしては
光分解型のポジ型フォトレジストを使用する。この種フ
ォトレジストとしては、たとえばフェノールノボラック
型ポジレジストが好適である。これをたとえば１．２μ
ｍ程度の厚さに塗布して前記したフォトレジスト膜２を
形成する（第１層図参照、）。
膜２を形成する。このと−きのフォトレジストとしては
光分解型のポジ型フォトレジストを使用する。この種フ
ォトレジストとしては、たとえばフェノールノボラック
型ポジレジストが好適である。これをたとえば１．２μ
ｍ程度の厚さに塗布して前記したフォトレジスト膜２を
形成する（第１層図参照、）。
ついで膜２の表面に所要のパターンのマスク３をあてが
い、紫外線などを照射して露光する（第２ＷＪ図参照、
）。このあとマスク３を取り除いてから現像すれば、膜
２は所要のパターンどおりにエツチングされるようにな
る（第３図参照、）。
い、紫外線などを照射して露光する（第２ＷＪ図参照、
）。このあとマスク３を取り除いてから現像すれば、膜
２は所要のパターンどおりにエツチングされるようにな
る（第３図参照、）。
このあと膜２の表面に、たとえば２５４ｎｍ付近の複合
波長の遠紫外線りを照射して、その表面で光架橋反応を
起させる。この反応によって照射領域に高分子化した層
４が形成されるようになる（第４図参照。）。ここで膜
２をポストベークしたあと、第２府のフォトレジスト膜
５を形成する。これは通常使用されるフォトレジストを
膜２の表面に厚さ１．２μ−程度に塗布することによっ
て形成する（第５図参照、）、このあと適当にプレベー
クする。
波長の遠紫外線りを照射して、その表面で光架橋反応を
起させる。この反応によって照射領域に高分子化した層
４が形成されるようになる（第４図参照。）。ここで膜
２をポストベークしたあと、第２府のフォトレジスト膜
５を形成する。これは通常使用されるフォトレジストを
膜２の表面に厚さ１．２μ−程度に塗布することによっ
て形成する（第５図参照、）、このあと適当にプレベー
クする。
しかしこのフォトレジストを膜２の表面に塗布しても、
高分子化された層４が介在しているため。
高分子化された層４が介在しているため。
このフォトレジストに含まれている有機溶剤が、膜２の
中に溶出するようなことは阻止される。なお層５は通常
どおりに所要のパターンにしたがって露光、現像される
ことはいうまでもない。
中に溶出するようなことは阻止される。なお層５は通常
どおりに所要のパターンにしたがって露光、現像される
ことはいうまでもない。
（発明の効果）
以上詳述したようにこの発明によれば、第１層のフォト
レジスト膜の表面に第２層のフォトレジスト膜を形成す
るにあたり、この第２層のフォトレジスト膜に含まれて
いる有機溶剤によって第１層のフォトレジスト膜が剥離
してしまうようなことは、これをもって確実に防止する
ことができるといった効果を奏する。
レジスト膜の表面に第２層のフォトレジスト膜を形成す
るにあたり、この第２層のフォトレジスト膜に含まれて
いる有機溶剤によって第１層のフォトレジスト膜が剥離
してしまうようなことは、これをもって確実に防止する
ことができるといった効果を奏する。
第１図乃至第５図はこの発明の実施例工程を示す断面図
である。 １・・・半導体基板、２・・・第１層のフォトレジスト
膜、３・・・マスク、４・・・高分子化した層、５・・
・第２層のフォトレジスト膜。
である。 １・・・半導体基板、２・・・第１層のフォトレジスト
膜、３・・・マスク、４・・・高分子化した層、５・・
・第２層のフォトレジスト膜。
Claims (1)
- 第１層のフォトレジスト膜の表面に第２層のフォトレジ
スト膜を形成する半導体装置の製造方法において、前記
第１層のフォトレジスト膜のためのフォトレジストとし
て、光分解形のポジ形フォトレジストを使用し、この第
１層のフォトレジスト膜を形成したあと、前記第１層の
フォトレジスト膜の表面に、遠紫外線を照射してその表
面で光架橋反応を起させて高分子化した層を形成し、そ
のあと前記第２層のフォトレジスト膜を形成するように
したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61084826A JP2589470B2 (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61084826A JP2589470B2 (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62241332A true JPS62241332A (ja) | 1987-10-22 |
| JP2589470B2 JP2589470B2 (ja) | 1997-03-12 |
Family
ID=13841564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61084826A Expired - Lifetime JP2589470B2 (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2589470B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51111072A (en) * | 1975-03-26 | 1976-10-01 | Hitachi Ltd | Photo etching method |
| JPS5223401A (en) * | 1975-08-15 | 1977-02-22 | Hitachi Ltd | Method of etching photography |
| JPS56111221A (en) * | 1980-01-25 | 1981-09-02 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Formation on mask for etching |
| JPS61102035A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-04-11 JP JP61084826A patent/JP2589470B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51111072A (en) * | 1975-03-26 | 1976-10-01 | Hitachi Ltd | Photo etching method |
| JPS5223401A (en) * | 1975-08-15 | 1977-02-22 | Hitachi Ltd | Method of etching photography |
| JPS56111221A (en) * | 1980-01-25 | 1981-09-02 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Formation on mask for etching |
| JPS61102035A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2589470B2 (ja) | 1997-03-12 |
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