JPS6224125A - 光半導体測定装置 - Google Patents
光半導体測定装置Info
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- JPS6224125A JPS6224125A JP16472585A JP16472585A JPS6224125A JP S6224125 A JPS6224125 A JP S6224125A JP 16472585 A JP16472585 A JP 16472585A JP 16472585 A JP16472585 A JP 16472585A JP S6224125 A JPS6224125 A JP S6224125A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、レーザーダイオードのような光半導体の特
性を測定する装置に関するものである。
性を測定する装置に関するものである。
［従来の技＃ｉ］
レーザーダイオードのような光半導体の特性として、素
子に流す電流とその光パワーとの関係である電流−光出
力特性、あるいは光振波長とその強度との関係である発
振スペクトル特性その他がある。
子に流す電流とその光パワーとの関係である電流−光出
力特性、あるいは光振波長とその強度との関係である発
振スペクトル特性その他がある。
そして、たとえば、電流−光出力特性を測定するには、
恒温槽にレーザーダイオードを入れ、温度サイクルを与
え、流す電流を変え、出力光をフォトダイオード等で検
出する。また、発振スペクトル特性は、レーザーダイオ
ードの出力光を別途波長測定器に導き、各波長毎の発振
強度の測定をｉｌっている。
恒温槽にレーザーダイオードを入れ、温度サイクルを与
え、流す電流を変え、出力光をフォトダイオード等で検
出する。また、発振スペクトル特性は、レーザーダイオ
ードの出力光を別途波長測定器に導き、各波長毎の発振
強度の測定をｉｌっている。
しこの発明が解決しようとする問題点１このように、従
来は、光出力の測定と波長の測定とを別個の装置で、時
間を異にして行っていたため、装置が大がかりなものと
なり、測定の手間を非常に多く要していた。
来は、光出力の測定と波長の測定とを別個の装置で、時
間を異にして行っていたため、装置が大がかりなものと
なり、測定の手間を非常に多く要していた。
この発明の目的は、以上の点に鑑み、レーザーダイオー
ド等の光半導体の光出力と波長の測定を同時に行うよう
にした光半導体測定装置を提供することである。
ド等の光半導体の光出力と波長の測定を同時に行うよう
にした光半導体測定装置を提供することである。
し問題点を解決するための手段］
この発明は、光半導体の出力光を分岐する分岐手段と、
この分岐手段の一方の光を受光し波長を測定する波長測
定器と、分岐手段の他方の光を受光しその光出力を測定
する光出力検出器と、この光出力検出器の光出力に基き
光半導体を駆動する駆動回路とを備えるようにした光半
導体測定装置である。
この分岐手段の一方の光を受光し波長を測定する波長測
定器と、分岐手段の他方の光を受光しその光出力を測定
する光出力検出器と、この光出力検出器の光出力に基き
光半導体を駆動する駆動回路とを備えるようにした光半
導体測定装置である。
［実施例］
第１図は、この発明の一実施例を示す構成説明図である
。
。
図において、１は、半導体レーザー、レーザーダイオー
ド、ＬＥＤのような光半導体、３は、光半導体１の出力
光が石英棒等の導光手段２を介して入射する分岐手段、
５は、分岐手段３で分岐された一方の光を光ファイバ４
、光コネクタ４ｏを介し受光しその波長を測定する波長
測定器、６は、分岐手段３で分岐された他方の光を受光
しその光出力（パワー）を検出するフォトダイオード等
よりなる光出力検出器、７は、光出力検出器６の光出力
ＰＯと設定値Ｐｓとを比較する比較手段で、その出力に
よりトランジスタ等の制（２Ｉｌｌ素子８を制御し、電
源９より光半導体１に流れる電流Ｉを制御し光半導体１
の光出力ＰＯがｐｓとなるよう動く。
ド、ＬＥＤのような光半導体、３は、光半導体１の出力
光が石英棒等の導光手段２を介して入射する分岐手段、
５は、分岐手段３で分岐された一方の光を光ファイバ４
、光コネクタ４ｏを介し受光しその波長を測定する波長
測定器、６は、分岐手段３で分岐された他方の光を受光
しその光出力（パワー）を検出するフォトダイオード等
よりなる光出力検出器、７は、光出力検出器６の光出力
ＰＯと設定値Ｐｓとを比較する比較手段で、その出力に
よりトランジスタ等の制（２Ｉｌｌ素子８を制御し、電
源９より光半導体１に流れる電流Ｉを制御し光半導体１
の光出力ＰＯがｐｓとなるよう動く。
この比較手段７、制御素子８、電源９等で光半導体′１
の発光制御を行う駆動回路１０を構成している。そして
、光半導体１は、図示しない適当な恒温槽内で、温度サ
イクルがかけられ、その出力光を測定するようなエージ
ング試験が行われる。
の発光制御を行う駆動回路１０を構成している。そして
、光半導体１は、図示しない適当な恒温槽内で、温度サ
イクルがかけられ、その出力光を測定するようなエージ
ング試験が行われる。
つまり、光半導体１の出力光は、分岐手段３で分岐され
、大半の光は、光出力検出器６に入射して、その光出力
（パワー）の、検出、測定が行われる。一方、分岐手段
３のもう一方の光は、波長測定器５に入射し、波長の測
定が行われる。 こ・のように、光出力の測定と波長の
測定とを同時に行うようにしている。そして、光出力検
出器６の光出力ＰＯを駆動回路１０の比較手段７に入力
し、設定値Ｐｓに一致するようにυ制御素子８を制御し
、電源９より光半導体１に供給する電流Ｉの制御を行う
。この設定値Ｐｓを可変とすることにより、各種電流１
直における出力光の測定かできる。また、光半導体１に
温度変化を与えることにより、光出力、波長の温度特性
が測定でき、エージングの進ｔテ＊とともにそれらの経
時変化の測定もできる。
、大半の光は、光出力検出器６に入射して、その光出力
（パワー）の、検出、測定が行われる。一方、分岐手段
３のもう一方の光は、波長測定器５に入射し、波長の測
定が行われる。 こ・のように、光出力の測定と波長の
測定とを同時に行うようにしている。そして、光出力検
出器６の光出力ＰＯを駆動回路１０の比較手段７に入力
し、設定値Ｐｓに一致するようにυ制御素子８を制御し
、電源９より光半導体１に供給する電流Ｉの制御を行う
。この設定値Ｐｓを可変とすることにより、各種電流１
直における出力光の測定かできる。また、光半導体１に
温度変化を与えることにより、光出力、波長の温度特性
が測定でき、エージングの進ｔテ＊とともにそれらの経
時変化の測定もできる。
第２図は、やや具体的な説明図で、第′１図と同一符号
は同等の構成要素を示し、断熱性の恒温槽１１を隔壁１
２で仕切り、温度サイクルが与えられる試験室１３とほ
ぼ常温の測定室１４とに分離する。光半導体１を試験室
１３に設け、その出力光を導光手段２で隔壁１２を通過
して分岐手段３に入射する。
は同等の構成要素を示し、断熱性の恒温槽１１を隔壁１
２で仕切り、温度サイクルが与えられる試験室１３とほ
ぼ常温の測定室１４とに分離する。光半導体１を試験室
１３に設け、その出力光を導光手段２で隔壁１２を通過
して分岐手段３に入射する。
力するようになっている。この光出力検出器６の出力は
駆動回路１０を介して光半導体１の駆動、制御に用いら
れる。
駆動回路１０を介して光半導体１の駆動、制御に用いら
れる。
し発明の効果］
以上述べたように、この発明は、分岐手段を利用してい
るので、光半導体の光出力の測定とともに波長の測定も
可能で、装置の大幅な小型化が可能で、測定時間の短縮
化が図られる。また、光半導体に温度変化を与えれば光
出力および波長の温度特性が測定でき、エージングの進
行とともにそれらの経時変化の特性も測定できる。
るので、光半導体の光出力の測定とともに波長の測定も
可能で、装置の大幅な小型化が可能で、測定時間の短縮
化が図られる。また、光半導体に温度変化を与えれば光
出力および波長の温度特性が測定でき、エージングの進
行とともにそれらの経時変化の特性も測定できる。
第１図、第２図は、この発明の一実施例を示す構成説明
図である。
図である。
Claims (1)
- １、光半導体の出力光を分岐する分岐手段と、この分岐
手段の一方の光を受光しその波長を測定する波長測定器
と、分岐手段の他方の光を受光しその光出力を測定する
光出力検出器と、この光出力検出器の光出力に基き光半
導体を駆動する駆動回路とを備えたことを特徴とする光
半導体測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16472585A JPS6224125A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | 光半導体測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16472585A JPS6224125A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | 光半導体測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6224125A true JPS6224125A (ja) | 1987-02-02 |
Family
ID=15798706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16472585A Pending JPS6224125A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | 光半導体測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6224125A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02148570U (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-18 | ||
| CN100386611C (zh) * | 2004-03-02 | 2008-05-07 | 华为技术有限公司 | 一种检测激光器失效的方法 |
| JP2009257820A (ja) * | 2008-04-14 | 2009-11-05 | Otsuka Denshi Co Ltd | 光学特性測定装置および光学特性測定方法 |
| CN104792496A (zh) * | 2014-09-11 | 2015-07-22 | 上海鉴谱光电科技有限公司 | 嵌入式半导体拉曼激光器测试装置及测试方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5474386A (en) * | 1977-10-26 | 1979-06-14 | Post Office | Controller |
-
1985
- 1985-07-25 JP JP16472585A patent/JPS6224125A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5474386A (en) * | 1977-10-26 | 1979-06-14 | Post Office | Controller |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02148570U (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-18 | ||
| CN100386611C (zh) * | 2004-03-02 | 2008-05-07 | 华为技术有限公司 | 一种检测激光器失效的方法 |
| JP2009257820A (ja) * | 2008-04-14 | 2009-11-05 | Otsuka Denshi Co Ltd | 光学特性測定装置および光学特性測定方法 |
| CN104792496A (zh) * | 2014-09-11 | 2015-07-22 | 上海鉴谱光电科技有限公司 | 嵌入式半导体拉曼激光器测试装置及测试方法 |
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