CN104792496A - 嵌入式半导体拉曼激光器测试装置及测试方法 - Google Patents

嵌入式半导体拉曼激光器测试装置及测试方法 Download PDF

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CN104792496A CN201410459696.4A CN201410459696A CN104792496A CN 104792496 A CN104792496 A CN 104792496A CN 201410459696 A CN201410459696 A CN 201410459696A CN 104792496 A CN104792496 A CN 104792496A
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瑚琦
高鹏飞
郭汉明
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Shanghai star Photoelectric Technology Co., Ltd.
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Shanghai Jian Pu Electro-Optical Technology Inc (us) 62 Martin Road Concord Massachusetts 017
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Abstract

本发明提供了一种用于半导体拉曼激光器光谱稳定性测试的嵌入式半导体拉曼激光器测试装置和测试方法,由于半导体拉曼激光器测试装置将微控制单元和受微控制单元控制的温度控制单元、电流控制单元以及检测单元集于一体,微控制单元依据选择的测量模式和测试条件控制整个系统,温度控制单元和电流控制单元用于控制半导体拉曼激光器所需的温度和电流,检测单元中的分光组件、光强检测电流以及滤光组件用于检测光谱强度稳定性和光谱波长稳定性,使得本发明提供的半导体拉曼激光器测试装置,系统自动化程度高,只需用户选择测量模式,输入测量参数,系统便能自动对所需信息进行测量,操作简便,效率高,可大大降低测试成本,节省人力、物力、财力。

Description

嵌入式半导体拉曼激光器测试装置及测试方法
技术领域
本发明属于半导体激光器领域,具体涉及一种用于半导体拉曼激光器光谱稳定性测试的测试装置。
背景技术
拉曼光谱反映了分子内部的振动与转动能级的情况,它表征了分子的结构,相当于分子的指纹,主要用于测定物质的分子结构。拉曼光谱测试可实现样品的完全无损检测,这是当前各种光学仪器测量或者物质鉴定所不具有的特性,因此得到广泛关注。
拉曼光谱是光与样品相互作用时,样品散射出的一种频率与照射光频率不同的微弱光谱,光源是拉曼光谱分析仪中的必要部件,因半导体激光器具有体积小,容易集成等优点,很适合作为便携式拉曼光谱分析仪的光源。在使用拉曼光谱分析仪对样品进行测试时,根据待测样品的不同,激光器工作的时间也不尽相同,为保证测试结果的准确性和可靠性,必须保证激光器输出的光谱强度稳定,保证激光器输出的光谱波长稳定。因此,激光器在应用到光谱分析仪器上之前,需要对其稳定性进行严格的测试。
通常情况下,半导体激光器光谱稳定性的测量需要用到直流稳压电源、TEC(thermo-electric coole,半导体制冷器)控制器、半导体激光驱动器、光谱分析仪等,这些仪器不仅价格昂贵,而且操作步骤复杂,工作人员需要联合使用以上仪器才能测量在某一温度下某一时刻激光器输出光谱的强度信息。而对于激光器光谱稳定性的测量,需要测量半导体激光器输出的光谱强度随时间、温度等的变化,测试周期长,在使用以上仪器进行测试时,需要多名工作人员相互配合,手动记录多种测试数据,工作量巨大,效率低下,十分不便。
发明内容
本发明是为解决上述问题而进行的,通过提供一种自动化程度高的嵌入式半导体拉曼激光器测试装置及测试方法,进一步提高半导体拉曼激光器光谱稳定性的测试效率。
本发明采用了如下技术方案:
本发明提供的用于半导体拉曼激光器光谱稳定性的测试的一种嵌入式半导体拉曼激光器测试装置,其特征在于,包括:
温度控制单元,用于控制拉曼激光器内的温度;电流控制单元,用于控制拉曼激光器内的电流;检测单元,包括分光组件、第一光强检测电路、第二光强检测电路以及滤光组件,分光组件用于将拉曼激光器发出的激光分为第一光束和第二光束,第一光束和第一光强检测电路用于检测光谱强度稳定性,第二光束和滤光组件以及第二光强检测电路用于检测光谱波长稳定性;以及,微控制单元,用于控制温度控制单元、电流控制单元和检测单元工作,并对检测单元测量到的数据进行处理。
本发明提供的嵌入式半导体拉曼激光器测试装置,还可以具有这样的特征:其中,温度控制单元包括温度调节组件、温度感应组件以及温度调节组件驱动器件,温度调节组件和温度感应组件位于半导体拉曼激光器内,
温度调节组件驱动器件在微控制单元的控制下驱动温度调节组件改变拉曼激光器内的温度,温度感应组件用于实时感应拉曼激光器内的温度。
本发明提供的嵌入式半导体拉曼激光器测试装置,还可以具有这样的特征,还包括:人机交互界面,和微控制单元连接,用于选择测试模式以及输入或改变测试条件。
本发明提供的嵌入式半导体拉曼激光器测试装置,还可以具有这样的特征,还包括:实时时钟组件,和微控制单元连接,用于记录拉曼激光器每次工作的起止时间。
本发明提供的嵌入式半导体拉曼激光器测试装置,还可以具有这样的特征,还包括:显示组件,和微控制单元连接,用于显示测试条件及测试数据。
本发明提供的嵌入式半导体拉曼激光器测试装置,还可以具有这样的特征,还包括:通讯组件,和微控制单元连接,用于向计算机或智能手机传输测试数据。
本发明提供的嵌入式半导体拉曼激光器测试装置,还可以具有这样的特征,还包括:存储组件,和微控制单元连接,用于存储测试数据。
本发明提供的嵌入式半导体拉曼激光器测试装置,还可以具有这样的特征:光强检测电路包含顺序连接的光电转换组件、电流/电压转换电路、信号放大电路、低通滤波电路以及模数转换电路,其中,光电转换组件用于将光强信号转换为电流信号,电流/电压转换电路用于将电流信号转换为电压信号,信号放大电路用于将电压信号放大至合适的幅值,低通滤波电路用于抑制电压信号上叠加的噪声信号,提高信噪比,模数转换电路用于将模拟电压信号转换为数字电压信号。
进一步的,本发明提供了一种半导体拉曼激光器光谱稳定性的测试方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1,在人机交互界面选择测量模式,输入测试条件;
步骤2,微控制单元控制温度控制单元以及电流控制单元工作,将半导体拉曼激光器内的温度和电流调至预定值;
步骤3,半导体拉曼激光器发出的激光经分光组件后分成两束,第一光束经第一光强检测电路转换后,将光强信息传递给微控制单元,得到光谱强度稳定性测试数据,第二光束经滤光组件进行过滤以及第二光强检测电路转换后,将光强信息传递给微控制单元,得到光谱波长稳定性测试数据。
发明作用与效果
本发明提供了一种用于半导体拉曼激光器光谱稳定性测试的嵌入式半导体拉曼激光器测试装置和测试方法,由于半导体拉曼激光器测试装置集微控制单元以及受微控制单元控制的温度控制单元、电流控制单元和检测单元于一体,微控制单元依据选择的测量模式和测试条件控制整个系统,温度控制单元和电流控制单元用于控制半导体拉曼激光器所需的温度和电流,检测单元中的分光组件、光强检测电流以及滤光组件用于检测光谱强度稳定性和光谱波长稳定性,使得本发明提供的半导体拉曼激光器测试装置,系统自动化程度高,只需用户选择测量模式,输入测量参数,系统便能自动对所需信息进行测量,操作简便,效率高,可大大降低测试成本,节省人力、物力、财力。
附图说明
图1是本发明的嵌入式半导体拉曼激光器测试装置的结构示意图;
图2是本发明的温度调节组件驱动电路原理图;
图3是本发明的电流控制单元驱动电路原理图;
图4是本发明的光强检测电路结构示意图;
图5是本发明的电流/电压转换电路的原理图;以及
图6是本发明的信号放大电路原理图。
具体实施方式
以下结合附图来说明本发明的具体实施方式。
图1是本实施例中的嵌入式半导体拉曼激光器测试装置的结构示意图。
如图1所示,嵌入式半导体拉曼激光器测试装置100包括人机交互界面1、微控制单元2、温度控制单元3、电流控制单元4、半导体拉曼激光器5、检测单元6,实时时钟组件7、显示组件8、通讯组件9以及存储组件10。
人机交互界面1用于用户选择测量模式,以及输入或改变测试条件;微控制单元2通过人机交互界面1或者上位机接受用户输入的参数及命令,根据收到的参数通过温度控制单元3控制半导体拉曼激光器5的工作温度,通过电流控制单元4控制半导体拉曼激光器5驱动电流大小,以驱动半导体拉曼激光器5工作,通过检测单元6获得光谱强度稳定性以及光谱波长稳定性的光强信息,根据选择的工作模式,对测量数据进行处理并控制显示组件8显示测量结果及工作状态,当需要进行数据保存时,微控制单元2将所需数据存储到存储组件10中,当需要将数据传送到上位机时,微控制单元2将所需数据通过通讯组件9中所选通讯接口传送至上位机。
温度控制单元3包含温度调节组件驱动器件31、温度调节组件32以及温度感应组件33,温度调节组件32和温度感应组件33位于半导体拉曼激光器5中,温度调节组件32在温度调节组件驱动器件31的驱动下用于改变半导体拉曼激光器5中的工作温度,温度感应组件33用于实时感应半导体拉曼激光器5中的工作温度;电流控制单元4为激光器恒流源,用于调节半导体拉曼激光器5中的电流稳定性,其内带有电流采样电阻41,微控制单元2通过电流采样电阻上电压大小,可计算出当前驱动电流,当半导体拉曼激光器5中的温度和电流达到设定值时,半导体拉曼激光器5被驱动,开始输出激光。
检测单元6包含分光组件61、第一光强检测电路62、滤光组件63以及第二光强检测电路64,分光组件61将半导体拉曼激光器5发出的激光分为第一光束和第二光束,第一光束经第一光强检测电路62转换后,将光强信息传送给微控制单元2,用于检测光谱强度稳定性;第二光束先经滤光组件63进行过滤,选择出预定波长的光谱,而后经第二光强检测电路64进行转换,将预定波长光谱的光强信息传送给微控制单元2,用于检测光谱波长稳定性。
实时时钟组件7提供系统时间,半导体拉曼激光器5每次工作的起止时间都以该时间为准,实时时钟组件7带有可充电纽扣电池,以保证实时时钟长时间准确运行。
本实施例提供的嵌入式半导体拉曼激光器5的测试装置,可以测量在工作温度恒定、驱动电流恒定的情况下,半导体拉曼激光器输出的光谱稳定性随时间的变化关系;可以测量在工作温度恒定,驱动电流变化的情况下,激光器输出光谱的强度随驱动电流的变化关系;可以测量在驱动电流恒定,工作温度变化的情况下,激光器输出光谱的强度随工作温度的变化关系;以及,可以测量在不同的工作温度条件下,激光器从开启到输出光谱强度稳定时的时间,为半导体拉曼激光器的选择提供参考。
各测试模式下,半导体拉曼激光器光谱稳定性的测试方法如下:
1.恒温恒流条件下,半导体拉曼激光器输出光谱随时间变化的稳定性测试方法,包含以下步骤:
步骤1,在人机交互界面1中选择本模式,输入工作温度T、驱动电流I、测量总时间t以及测量时间间隔△t;
步骤2,微控制单元2收到以上参数,并在用户确认开始测试后,驱动温度调节组件驱动器件31工作,设定工作温度为T,并通过半导体拉曼激光器5中的温度感应组件33实时检测实际温度的变化,当半导体拉曼激光器5中的工作温度达到T时,微控制单元2使能电流控制单元3驱动电路工作,设定驱动电流为I,待驱动电流为I时,半导体拉曼激光器5开始输出激光,此时,开始进行测试计时;
步骤3,每隔△t时间,微控制单元2分别对第一光强检测电路62以及第二光强检测电路64输出信号进行多次采样平均,并控制显示组件8显示两路光强信号随时间的变化曲线,同时显示测试结果以及系统的工作状态,包括:工作温度、驱动电流、测量时间、测量时间间隔、剩余测试间等,以方便用户观察;
步骤4,当测试时间达到t或者微控制单元2收到用户终止测试指令时,测试结束,微控制单元2控制显示组件8显示两路光强信号的方差,根据光强信号随时间的变化曲线以及方差大小判断半导体拉曼激光器5输出光谱的稳定性,同时,选择合适的文件格式保存测量结果以便后续分析。
2.工作温度恒定、驱动电流变化的情况下,半导体拉曼激光器输出光谱稳定性测试方法,包含以下步骤:
步骤1,在人机交互界面1中选择本模式,输入工作温度T、驱动电流下限I1、驱动电流上限I2以及驱动电流间隔△I;
步骤2,微控制单元2收到以上参数,并在用户确认开始测试后,驱动温度调节组件驱动器件31工作,设定工作温度为T,并通过半导体拉曼激光器5中的温度感应组件33实时检测实际温度的变化,当半导体拉曼激光器5中的工作温度达到T时,微控制单元2使能电流控制单元3驱动电路工作,设定驱动电流为I1,待驱动电流达到I1时,开始进行测试计时;
步骤3,微控制单元2分别对第一光强检测电路62以及第二光强检测电路64输出信号进行多次采样平均,并控制显示组件8显示两路光强信号随时间的变化曲线,同时显示测试结果以及系统的工作状态,包括:工作温度、驱动电流下限、驱动电流上限、驱动电流间隔以及当前驱动电流等;
步骤4,微控制单元2设定驱动电流为I1+△I,当检测到实际驱动电流达到I1+△I时进行下次测量,直至测量结束或微控制单元2收到用户中止测量指令,测试结束,微控制单元2控制显示组件8显示两路光强信号的方差,根据光强信号随时间的变化曲线以及方差大小判断半导体拉曼激光器5输出光谱的稳定性,同时,选择合适的文件格式保存测量结果以便后续分析。
3.驱动电流恒定、工作温度变化的情况下,半导体拉曼激光器输出光谱稳定性测试方法,包含以下步骤:
步骤1,在人机交互界面1中选择本模式,输入工作温度下限T1、工作温度上限T2,驱动电流I、以及测试温度间隔△T;
步骤2,微控制单元2收到以上参数,并在用户确认开始测试后,驱动温度调节组件驱动器件31工作,设定工作温度为T1,并通过半导体拉曼激光器5中的温度感应组件33实时检测实际温度的变化,当半导体拉曼激光器5中的工作温度达到T1时,微控制单元2使能电流控制单元3驱动电路工作,设定驱动电流为I,当检测到驱动电流为I时,开始进行测试计时;
步骤3,微控制单元2分别对第一光强检测电路62以及第二光强检测电路64输出信号进行多次采样平均,并控制显示组件8显示两路光强信号随时间的变化曲线,同时显示测试结果以及系统的工作状态,包括:驱动电流、工作温度下限、工作温度上限、当前温度以及测量温度间隔等;
步骤4,微控制单元2设定工作温度为T1+△T,当检测到实际工作温度达到T1+△T时进行下次测量,直至测量结束或微控制单元2收到用户中止测量指令,微控制单元2控制显示组件8显示两路光强信号的方差,根据光强信号随时间的变化曲线以及方差大小判断半导体拉曼激光器5输出光谱的稳定性,同时,选择合适的文件格式保存测量结果以便后续分析。
4.工作温度以及驱动电流恒定的情况下,确定半导体拉曼激光器从开始工作到输出光谱强度稳定的时间的测试方法,包含以下步骤:
步骤1,在人机交互界面1中选择本模式,输入工作温度T、驱动电流I,选择实时时钟组件7的定时器功能;
步骤2,微控制单元2收到以上参数,并在用户确认开始测试后,驱动温度调节组件驱动器件31工作,设定工作温度为T,并通过半导体拉曼激光器5中的温度感应组件33实时检测实际温度的变化,当半导体拉曼激光器5中的工作温度达到T时,打开定时器,微控制单元2开始分别对第一光强检测电路62以及第二光强检测电路64输出信号进行快速采样,每次采样的同时,记录当前定时器的值;
步骤3,微控制单元2使能电流控制单元3驱动电流,设定驱动电流为I,当微控制单元2较长时间检测到第一光强检测电路62以及第二光强检测电路64输出信号值不变时,定时器停止工作,测量结束,或收到用户中止测量指令时,定时器停止工作;
步骤4,计算两次采样时定时器值的差值,即为半导体拉曼激光器从开始工作到输出稳定之间的时间。
根据实际应用的方便性及半导体拉曼激光器的工作条件的实现效率,本实施例中,微控制单元2为微控制器(MCU),温度调节组件32为半导体制冷器件(TEC),温度调节组件驱动器件31为半导体制冷器件驱动器件,温度感应器件33为热敏电阻。
检测单元6中分光组件61为分光棱镜,滤光组件63为窄带滤光片,窄带滤光片和半导体拉曼激光器5输出波长相匹配,应根据不同波长的半导体拉曼激光器,选择相应中心波长的窄带滤光片,如:常用的半导体拉曼激光器的输出波长为785nm,为检测激光器输出的波长是否为785nm时,此时,需要选用中心波长为785nm的窄带滤光片。
显示组件8为LCD,通讯组件9包括232串口、USB接口、网口等有线接口,还包括蓝牙、WIFI等无线通讯方式,存储组件10为SD卡。
以下对本实施例中的部分部件的工作原理进一步进行说明。
一.温度控制
图2为本实施例中温度调节组件驱动器件的驱动电路原理图。
半导体制冷器件(TEC)驱动电路原理图如图2所示,温度感应组件33为热敏电阻R8,用于实时感应半导体拉曼激光器5内的工作温度,其阻值会随温度的变化而变化,引起芯片311第18号引脚上的输入电压V1的变化。芯片311第19号引脚上的输入电压V2大小由用户决定,用户通过人机交互界面1输入待设定的温度值,微控制单元2将输入的温度值转换为对应的电压值V2,控制数模转换器件(DAC)535输出,端口312为数模转换器件(DAC)535的逻辑接口。
芯片311第11号引脚的端口315为半导体制冷器件驱动器件32的低功耗模式选择端,与微控制单元2的IO口相连,当该引脚为低电平时,芯片311处于低功耗模式,当该引脚为高电平时,芯片311正常工作。
电阻R5、R6、R7和电容C10、C11、C12通过引脚14、15、17以及45与芯片311内部集成的运放等元件构成PID控制环313,PID控制环313通过V1与V2的差值来控制流过TEC的电流大小和方向;当设定温度与半导体拉曼激光器5中的当前工作环境温度不同时,即V1与V2不相等时,控制环路就会自动改变流过半导体制冷器(TEC)的电流大小或方向,从而引起TEC冷热面的温度发生变化,进而影响半导体拉曼激光器5内的工作环境温度,导致热敏电阻R8的阻值发生变化,改变V1的大小,直至V1和V2相等为止,此时,半导体拉曼激光器5中,实际工作的环境温度和设定温度相同。
VTEMP为V1经芯片311内部缓冲器后的输出电压,微控制器2通过模拟数字转换器314获得此电压值,芯片311输出的基准电压VREF和调节电阻R4大小为固定值,因此可根据下式计算出R8的大小,
R 8 R 4 + R 8 = V TEMP V REF
通过热敏电阻阻值R8与温度的关系得出半导体拉曼激光器5中实时温度变化。
二.电流控制
在工作温度恒定的情况下,半导体拉曼激光器5输出的光强随驱动电流的变化而变化,在限定范围内,驱动电流越大,输出光强越强。为保证输出光强稳定,增长使用寿命,半导体拉曼激光器5需要恒流源进行驱动。
图3为本实施例中的激光器恒流源驱动电路原理图。
如图3所示,芯片41为恒流源芯片FP7103,VCC42为电源输入,其通过芯片41上的VCC引脚向芯片41供电,供电电压范围为3.6-28V,驱动电流最大可达3A,端口43为芯片使能端,低电平时芯片41处于低功耗状态,高电平时芯片41正常工作。
微控制单元2通过数模转换器535控制驱动电流大小I,设定的驱动电流I1与数模转换器535输出电压V1之间的关系如下:
I 1 = V FB - R 2 × ( V 1 - V FB ) R 1 R 4
其中,VFB为芯片41的反馈电压,R1及R2为调节电阻,R4为采样电阻。
R4两端电压V2,经电压跟随器44后,由模拟数字转换器314采样获得,微控制单元2通过下式实时检测激光器工作的电流大小I2
I 2 = V 2 R 4
三.检测单元
图4是本实施例中的光强检测电路原理图。
第一光强检测电路62和第二光强检测电路64相同。如图4所示,第一光强检测电路62包括顺序连接的光电转换组件621、电流/电压转换电路622、信号放大电路623、低通滤波电路624以及模数转换电路625,光电转换组件621用于将光强信号转换为电流信号,电流/电压转换电路622用于将电流信号转换为电压信号,信号放大电路623用于将电压信号放大至合适的幅值,低通滤波电路624用于抑制电压信号上叠加的噪声信号,提高信噪比,模数转换电路625用于将模拟电压信号转换为数字电压信号。
图5是本实施例中的电流/电压转换电路原理图。
如图5所示,芯片6221为集成运算放大器,电阻R16222为反馈电阻,电阻R26223为平衡电阻,二者的阻值相同,电容6224为滤波电容,用于去除电源轨上的波纹,光电转换组件621输出的电流经过电阻R16222后转换为电压信号,电压幅值大小与电阻R16222的阻值有关。
图6是本实施例中的信号放大电路原理图。
如图6所示,信号放大电路623为可编程放大电路,端口6231为增益选择端,与微控制单元2的IO端口相连。信号放大电路623的增益由微控制单元2控制,根据测量信号的大小而自动改变,当被测信号较弱时,放大倍数较大;当被测信号较强时,放大倍数较小,在保证测量结果准确性的同时,扩大了动态测量范围。
实施例作用与效果
本实施例提供了一种用于半导体拉曼激光器光谱稳定性测试的嵌入式半导体拉曼激光器测试装置和测试方法,由于半导体拉曼激光器测试装置集微控制单元以及受微控制单元控制的温度控制单元、电流控制单元和检测单元于一体,微控制单元依据选择的测量模式和测试条件控制整个系统,温度控制单元和电流控制单元用于控制半导体拉曼激光器所需的温度和电流,检测单元中的分光组件、光强检测电流以及滤光组件用于检测光谱强度稳定性和光谱波长稳定性,使得本实施例提供的半导体拉曼激光器测试装置,系统自动化程度高,只需用户选择测量模式,输入测量参数,系统便能自动对所需信息进行测量,操作简便,效率高,可大大降低测试成本,节省人力、物力、财力。
本发明不限于具体实施方式的范围,对本技术领域的普通技术人员来讲,只要各种变化在所述的权利要求限定和确定的本发明的精神和范围内,这些变化是显而易见的,一切利用本发明构思的发明创造均在保护之列。

Claims (9)

1.一种嵌入式半导体拉曼激光器测试装置,用于所述半导体拉曼激光器光谱稳定性的测试,其特征在于,包括:
温度控制单元,用于控制所述拉曼激光器内的温度;
电流控制单元,用于控制所述拉曼激光器内的电流;
检测单元,包括分光组件、第一光强检测电路、第二光强检测电路以及滤光组件,所述分光组件用于将所述拉曼激光器发出的激光分为第一光束和第二光束,所述第一光束和所述第一光强检测电路用于检测光谱强度稳定性,所述第二光束和所述滤光组件以及所述第二光强检测电路用于检测光谱波长稳定性;以及
微控制单元,用于控制所述温度控制单元、电流控制单元和所述检测单元工作,并对所述检测单元测量到的数据进行处理。
2.根据权利要求1所述的嵌入式半导体拉曼激光器测试装置,其特征在于:
其中,所述温度控制单元包括温度调节组件、温度感应组件以及温度调节组件驱动器件,所述温度调节组件和所述温度感应组件位于所述半导体拉曼激光器内,
所述温度调节组件驱动器件在所述微控制单元的控制下驱动所述温度调节组件改变所述拉曼激光器内的温度,所述温度感应组件用于实时感应所述拉曼激光器内的温度。
3.根据权利要求1所述的嵌入式半导体拉曼激光器测试装置,其特征在于,还包括:
人机交互界面,和所述微控制单元连接,用于选择测试模式以及输入或改变测试条件。
4.根据权利要求1所述的嵌入式半导体拉曼激光器测试装置,其特征在于,还包括:
实时时钟组件,和所述微控制单元连接,用于记录所述拉曼激光器每次工作的起止时间。
5.根据权利要求1所述的嵌入式半导体拉曼激光器测试装置,其特征在于,还包括:
显示组件,和所述微控制单元连接,用于显示测试条件及测试数据。
6.根据权利要求1所述的嵌入式半导体拉曼激光器测试装置,其特征在于,还包括:
通讯组件,和所述微控制组件连接,用于向计算机或智能手机传输所述测试数据。
7.根据权利要求1所述的嵌入式半导体拉曼激光器测试装置,其特征在于,还包括:
存储组件,和所述微控制组件连接,用于存储所述测试数据。
8.根据权利要求1所述的嵌入式半导体拉曼激光器测试装置,其特征在于:
其中,所述光强检测电路包含顺序连接的光电转换组件、电流/电压转换电路、信号放大电路、低通滤波电路以及模数转换电路,
所述光电转换组件用于将光强信号转换为电流信号,所述电流/电压转换电路用于将电流信号转换为电压信号,所述信号放大电路用于将所述电压信号放大至合适的幅值,所述低通滤波电路用于抑制所述电压信号上叠加的噪声信号,提高信噪比,所述模数转换电路用于将模拟电压信号转换为数字电压信号。
9.一种半导体拉曼激光器光谱稳定性的测试方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1,在人机交互界面选择测量模式,输入测试条件;
步骤2,微控制单元控制温度控制单元以及电流控制单元工作,将所述半导体拉曼激光器内的温度和电流调至预定值;
步骤3,所述半导体拉曼激光器发出的激光经分光组件后分成两束,第一光束经第一光强检测电路转换后,将光强信息传递给所述微控制单元,得到光谱强度稳定性测试数据,第二光束经所述滤光组件进行过滤以及第二光强检测电路转换后,将光强信息传递给所述微控制单元,得到光谱波长稳定性测试数据。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106370963A (zh) * 2016-08-26 2017-02-01 武汉光迅科技股份有限公司 一种光有源器件的自动老化系统和方法
CN108414618A (zh) * 2018-02-28 2018-08-17 中国人民武装警察部队工程大学 适用于大型构件无损检测的激光超声检测装置及检测方法
CN115201619A (zh) * 2022-09-19 2022-10-18 武汉乾希科技有限公司 用于检测激光发射器稳定性的方法、设备和介质
CN115524099A (zh) * 2022-09-05 2022-12-27 武汉敏芯半导体股份有限公司 半导体激光器的测试方法、装置、计算机设备及存储介质
CN117433645A (zh) * 2023-10-30 2024-01-23 重庆航伟光电科技有限公司 一种半导体激光器波长测量方法、装置、芯片及终端

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6224125A (ja) * 1985-07-25 1987-02-02 Chino Corp 光半導体測定装置
JP2009075028A (ja) * 2007-09-25 2009-04-09 Shimadzu Corp レーザビーム安定特性測定装置
CN201549765U (zh) * 2009-12-02 2010-08-11 天津光电通信技术有限公司 半导体激光器驱动模块
CN102306903A (zh) * 2011-08-24 2012-01-04 苏州生物医学工程技术研究所 一种数字式大功率半导体激光电源
CN102629731A (zh) * 2012-02-14 2012-08-08 浙江嘉莱光子技术有限公司 一种激光器波长和功率同时稳定的控制方法及其控制装置
CN102829952A (zh) * 2012-08-27 2012-12-19 苏州海光芯创光电科技有限公司 一种半导体激光器的校准测试方法及其应用
CN203747239U (zh) * 2013-12-25 2014-07-30 西安炬光科技有限公司 一种适应低温环境的半导体激光器系统及其测试系统
CN204177551U (zh) * 2014-09-11 2015-02-25 上海鉴谱光电科技有限公司 嵌入式半导体拉曼激光器测试装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6224125A (ja) * 1985-07-25 1987-02-02 Chino Corp 光半導体測定装置
JP2009075028A (ja) * 2007-09-25 2009-04-09 Shimadzu Corp レーザビーム安定特性測定装置
CN201549765U (zh) * 2009-12-02 2010-08-11 天津光电通信技术有限公司 半导体激光器驱动模块
CN102306903A (zh) * 2011-08-24 2012-01-04 苏州生物医学工程技术研究所 一种数字式大功率半导体激光电源
CN102629731A (zh) * 2012-02-14 2012-08-08 浙江嘉莱光子技术有限公司 一种激光器波长和功率同时稳定的控制方法及其控制装置
CN102829952A (zh) * 2012-08-27 2012-12-19 苏州海光芯创光电科技有限公司 一种半导体激光器的校准测试方法及其应用
CN203747239U (zh) * 2013-12-25 2014-07-30 西安炬光科技有限公司 一种适应低温环境的半导体激光器系统及其测试系统
CN204177551U (zh) * 2014-09-11 2015-02-25 上海鉴谱光电科技有限公司 嵌入式半导体拉曼激光器测试装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
曹瑞明: "半导体激光器功率稳定性的研究", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库信息科技辑》 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106370963A (zh) * 2016-08-26 2017-02-01 武汉光迅科技股份有限公司 一种光有源器件的自动老化系统和方法
CN106370963B (zh) * 2016-08-26 2019-08-20 武汉光迅科技股份有限公司 一种光有源器件的自动老化系统和方法
CN108414618A (zh) * 2018-02-28 2018-08-17 中国人民武装警察部队工程大学 适用于大型构件无损检测的激光超声检测装置及检测方法
CN115524099A (zh) * 2022-09-05 2022-12-27 武汉敏芯半导体股份有限公司 半导体激光器的测试方法、装置、计算机设备及存储介质
CN115201619A (zh) * 2022-09-19 2022-10-18 武汉乾希科技有限公司 用于检测激光发射器稳定性的方法、设备和介质
CN117433645A (zh) * 2023-10-30 2024-01-23 重庆航伟光电科技有限公司 一种半导体激光器波长测量方法、装置、芯片及终端

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