CN117433645A - 一种半导体激光器波长测量方法、装置、芯片及终端 - Google Patents

一种半导体激光器波长测量方法、装置、芯片及终端 Download PDF

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CN117433645A CN202311415257.9A CN202311415257A CN117433645A CN 117433645 A CN117433645 A CN 117433645A CN 202311415257 A CN202311415257 A CN 202311415257A CN 117433645 A CN117433645 A CN 117433645A
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Abstract

本发明实施例公开了一种半导体激光器波长测量方法、装置及终端，半导体激光器包括热敏电阻，方法包括：获取测量指令；测量指令包括待测半导体激光器在预设工作电流及预设温度下的波长；通过两次预热和两次测试获得两次测量数据，包括第一波长值、第一温度值、第二波长值、第二温度值，根据两次测量数据计算待测半导体激光器在预设工作电流及预设温度下的波长值输出测量结果。该方法无需在如恒温箱提供的温控状态下进行，降低了半导体激光器波长测量的测量难度，提高了测量效率。

Description

一种半导体激光器波长测量方法、装置、芯片及终端
技术领域
本发明涉及半导体激光器技术领域，特别是涉及一种半导体激光器波长测量方法、装置、芯片及存储介质。
背景技术
在光通信、激光测量等半导体激光器应用领域，对激光器产品的参数性能要求越来越高，对应的激光器参数测试要求也越来越严格，例如，半导体激光器的波长测量，需要先提供一个将温度持续保持在特定温度的环境再进行波长测量。
目前，通常采用的恒定温度控制方法是将激光器置于恒温箱中，或者在激光器中加设制冷器，两种方式均对测试设备提出了较高的要求，且需要较长的时间进行温度平衡，提高了测量难度，降低了测量效率。
发明内容
基于此，本发明提供一种半导体激光器波长测量方法、装置、芯片及存储介质，可以降低测量难度，提高测量效率。
第一方面，提供一种半导体激光器波长测量方法，包括：
一种半导体激光器波长测量方法，其特征在于，所述半导体激光器包括热敏电阻，半导体激光器波长测量方法包括：
获取测量指令；所述测量指令包括待测半导体激光器在预设工作电流及预设温度下的波长；
执行所述测量指令，包括：
通过第一预热电流对待测半导体激光器进行一次预热；
一次预热完成后在所述预设工作电流下测试待测半导体激光器的第一波长值和热敏电阻第一阻值，并根据所述热敏电阻第一阻值计算第一温度值；
通过第二预热电流对待测半导体激光器进行二次预热；
二次预热完成后在所述预设工作电流下测试待测半导体激光器第二波长值和热敏电阻第二阻值，并根据所述热敏电阻第二阻值计算第二温度值；
输出测量结果，包括根据所述第一波长值、所述第一温度值、所述第二波长值、所述第二温度值计算待测半导体激光器在所述预设工作电流及所述预设温度下的波长值。
可选地，根据所述第一波长值、所述第一温度值、所述第二波长值、所述第二温度值获得待测半导体激光器在所述预设工作电流及所述预设温度下的波长值，包括：
或者
其中，λ1为第一波长值，λ2为第二波长值，T1为第一温度值，T2为第二温度值，T为预设温度。
可选地，根据所述热敏电阻第一阻值计算第一温度值，包括：
根据所述热敏电阻第二阻值计算第二温度值，包括：
其中，R1为热敏电阻第一阻值，R2为热敏电阻第二阻值，R0为热敏电阻在温度为T0时的电阻值，T0＝25℃，B为热敏电阻材料常数。
可选地，若所述第一温度值和所述第二温度值小于散热阈值，则半导体激光器为普通的半导体激光器结构。
可选地，若所述第一温度值和所述第二温度值大于散热阈值，则半导体激光器为加设低导热系数热沉的半导体激光器结构。
可选地，一次预热完成后到第一波长值和热敏电阻第一阻值测试结束测试的时间间隔小于预设时间；
二次预热完成后到第二波长值和热敏电阻第二阻值测试结束的时间间隔小于预设时间。
可选地，若一次预热完成后到第一波长值和热敏电阻第一阻值结束测试的时间间隔大于预设时间，返回通过第一预热电流对待测半导体激光器进行一次预热；
若二次预热完成后到第二波长值和热敏电阻第二阻值结束测试的时间间隔大于预设时间，返回通过第二预热电流对待测半导体激光器进行二次预热。
第二方面，提供一种半导体激光器波长测量装置，所述半导体激光器包括热敏电阻，半导体激光器波长测量装置包括：
指令获取模块，用于获取测量指令；所述测量指令包括待测半导体激光器在预设工作电流及预设温度下的波长；
指令执行模块，用于执行所述测量指令；
指令执行模块包括：
第一预热单元，用于通过第一预热电流对待测半导体激光器进行一次预热；
第一数据获取单元，用于一次预热完成后在所述预设工作电流下测试待测半导体激光器的第一波长值和热敏电阻第一阻值，并根据所述热敏电阻第一阻值计算第一温度值；
第二预热单元，用于通过第二预热电流对待测半导体激光器进行二次预热；
第二数据获取单元，用于二次预热完成后在所述预设工作电流下测试待测半导体激光器第二波长值和热敏电阻第二阻值，并根据所述热敏电阻第二阻值计算第二温度值；
测量结果计算输出模块，用于输出测量结果，包括根据所述第一波长值、所述第一温度值、所述第二波长值、所述第二温度值计算待测半导体激光器在所述预设工作电流及所述预设温度下的波长值。
第三方面，提供一种芯片，包括第一处理器，用于从第一存储器中调用并运行计算机程序，使得安装有所述芯片的设备执行如权利要求1至7任一项所述的半导体激光器波长测量方法的各个步骤。
第四方面，提供一种终端，包括第二存储器、第二处理器以及存储在所述第二存储器中并可在所述第二处理器上运行的计算机程序，第二处理器执行所述计算机程序时实现如上介绍的半导体激光器波长测量方法的各个步骤。
上述半导体激光器波长测量方法、装置、芯片及存储介质，应用于包括热敏电阻的半导体激光器，在获取测量指令后，读取预设温度及预设工作电流，然后通过两次预热，测量待测半导体激光器在预设工作电流下的第一波长值、热敏电阻第一阻值、第二波长值、热敏电阻第二阻值，并据此计算待测半导体激光器在所述预设工作电流及所述预设温度下的波长值，从而输出测量结果，完成待测半导体激光器的波长测量。在上述过程中，无需在如恒温箱提供的温控状态下进行，因此本发明实施例提供的半导体激光器波长测量方法，在非控温状态下测量其特定温度的波长，降低了测量难度，提高了测量效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的半导体激光器波长测量方法的基本流程示意图；
图2为本发明实施例提供的半导体激光器波长测量方法的计算原理示意图；
图3为恒温箱控温法的的测量结果示意图；
图4为本发明实施例提供的半导体激光器波长测量方法一次预热的测量结果示意图；
图5为本发明实施例提供的半导体激光器波长测量方法二次预热的测量结果示意图；
图6为本发明实施例提供的半导体激光器波长测量装置的基本结构框图；
图7为本发明实施例提供的一种终端的基本结构框图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
在本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的描述的一些流程中，包含了按照特定顺序出现的多个操作，但是应该清楚了解，这些操作可以不按照其在本文中出现的顺序来执行或并行执行，操作的序号如101、102等，仅仅是用于区分开各个不同的操作，序号本身不代表任何的执行顺序。另外，这些流程可以包括更多或更少的操作，并且这些操作可以按顺序执行或并行执行。需要说明的是，本文中的“第一”、“第二”等描述，是用于区分不同的消息、设备、模块等，不代表先后顺序，也不限定“第一”和“第二”是不同的类型。
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本申请实施例可以基于人工智能技术对相关的数据进行获取和处理。其中，人工智能(AI：Artificial Intelligence)是利用数字计算机或者数字计算机控制的机器模拟、延伸和扩展人的智能,感知环境、获取知识并使用知识获得最佳结果的理论、方法、技术及应用系统。
人工智能基础技术一般包括如传感器、专用人工智能芯片、云计算、分布式存储、大数据处理技术、操作/交互系统、机电一体化等技术。人工智能软件技术主要包括计算机视觉技术、机器人技术、生物识别技术、语音处理技术、自然语言处理技术以及机器学习/深度学习等几大方向。
具体地请参阅图1，图1为本实施例半导体激光器波长测量方法的基本流程示意图，其应用于包括热敏电阻的半导体激光器，热敏电阻具有测量温度和控制温度的作用。
如图1所示，一种半导体激光器波长测量方法，包括：
S101、获取测量指令；所述测量指令包括待测半导体激光器在预设工作电流及预设温度下的波长。
在上述步骤S101中，测量指令包括待测半导体激光器在预设工作电流及预设温度下的波长，表示待测半导体激光器工作在指定的工作电流并且在温度持续保持在特定温度的环境进行波长测量。
S102、执行所述测量指令。
上述步骤S102中，执行测量指令时读取包括预设温度、预设工作电流、一次预热的加热时间、二次预热的加热时间等数据。在实际应用中，可通过程序读取预设工作电流、预设加电时间、预设温度，如测量半导体激光器在45mA和45℃下的波长，一次预热电流为30mA，一次预热时间5s，二次预热电流70mA，二次预热时间5s，一次预热和二次预热后进行波长测试时激光器工作电流均为45mA。
上述步骤S102中，执行测量指令的详细实现步骤包括：
S1021、通过第一预热电流对待测半导体激光器进行一次预热。
S1022、一次预热完成后在所述预设工作电流下测试待测半导体激光器的第一波长值和热敏电阻第一阻值，并根据所述热敏电阻第一阻值计算第一温度值。
S1023、通过第二预热电流对待测半导体激光器进行二次预热。
S1024、二次预热完成后在所述预设工作电流下测试待测半导体激光器第二波长值和热敏电阻第二阻值，并根据所述热敏电阻第二阻值计算第二温度值。
上述步骤S1021和步骤S1023中，一次预热的时间为将第一预热电流加载在待测半导体激光器中的时间，二次预热的时间为将第二预热电流加载在待测半导体激光器中的时间。
上述步骤S1021和步骤S1023中，当一次预热施加较低电流，使得半导体激光器处在较低温度，在非恒温箱的环境下，其温度变化并不大，因此，在一个实施例中，若所述第一温度值和所述第二温度值小于散热阈值，则半导体激光器为普通的半导体激光器结构。
当半导体激光器处在较高温度，在非恒温箱的环境下，其温度变化较大，因此，在一个实施例中，若所述第一温度值和所述第二温度值大于散热阈值，则半导体激光器为加设低导热系数热沉的半导体激光器结构。
示例性的，当环境温度为25℃时，散热阈值为35℃。
本发明实施例通过热敏电阻电阻值随着温度的变化而改变的特性，获取其任一工作电流下的温度值。因此，上述步骤S1022和步骤S1024中，根据所述热敏电阻第一阻值计算第一温度值，包括：
根据所述热敏电阻第二阻值计算第二温度值，包括：
其中，R1为热敏电阻第一阻值，R2为热敏电阻第二阻值，R0为热敏电阻在温度为T0时的电阻值，T0＝25℃，B为热敏电阻材料常数。
在实际应用中，预热完成后需立即记录热敏电阻的阻值，本发明实施例通过计算一次预热完成后到第一波长值和热敏电阻第一阻值测试结束的时间间隔，确保所记录的热敏电阻第一阻值、热敏电阻第二阻值的有效性。
基于此，上述步骤S1022和步骤S1024中，一次预热完成后到第一波长值和热敏电阻第一阻值测试结束的时间间隔小于预设时间；
二次预热完成后到第二波长值和热敏电阻第二阻值测试结束的时间间隔小于预设时间。
在一个实施例中，若一次预热完成后到第一波长值和热敏电阻第一阻值测试结束的时间间隔大于预设时间，则此次记录的热敏电阻第一阻值为无效数据，返回通过第一预热电流对待测半导体激光器进行一次预热。同理，若二次预热完成后到第二波长值和热敏电阻第二阻值测试结束的时间间隔大于预设时间，则此次记录的热敏电阻第二阻值为无效数据，返回通过第二预热电流对待测半导体激光器进行二次预热。
需要说明的是，预设时间的具体数值根据待测半导体激光器的散热速度计算获得，例如，第一预热电流为30mA，时间5s，预设工作电流为45mA，在加载预热电流5s之后，待测半导体激光器的温度，从5s时的温度到室温之后，再记录的热敏电阻第一阻值为无效数据。
S103、输出测量结果，包括根据所述第一波长值、所述第一温度值、所述第二波长值、所述第二温度值计算待测半导体激光器在所述预设工作电流及所述预设温度下的波长值。
根据所述第一波长值、所述第一温度值、所述第二波长值、所述第二温度值获得待测半导体激光器在所述预设工作电流及所述预设温度下的波长值，包括：
或者
其中，λ1为第一波长值，λ2为第二波长值，T1为第一温度值，T2为第二温度值，T为预设温度。
在具体应用中，半导体激光器的温度上升时，会使激光器材料的折射率和带隙发生变化，导致光谐振腔尺寸增大，带隙变窄，使得激光器输出光的峰值波长随温度升高向长波长方向漂移，波长温度漂移系数Δλ/ΔT计算公式如下：
如图2所示，横轴表示温度，单位为K，纵轴表示波长，单位为nm，本发明实施例根据温度差和波长漂移系数可以计算出该激光器在指定温度T时的波长λ，得到：
或者
展开为：
或者
根据上述步骤S101至步骤S103，本发明实施例在获取测量指令后，读取预设温度及预设工作电流，然后通过两次预热，测量待测半导体激光器在预设工作电流下的第一波长值、热敏电阻第一阻值、第二波长值、热敏电阻第二阻值，并据此计算待测半导体激光器在所述预设工作电流及所述预设温度下的波长值，从而输出测量结果，完成待测半导体激光器的波长测量。在上述过程中，无需在如恒温箱提供的温控状态下进行，因此本发明实施例提供的半导体激光器波长测量方法，在非控温状态下测量其特定温度的波长，降低了测量难度，提高了测量效率。
本发明实施例还示出了恒温箱控温法的测量过程及测量结果，使用的控温LIV测试设备为兆翔TWC-LDTT-600，光谱仪为Anritsu MS9740A，测量过程包括：
a.将待测器件插板，放入测试设备，恒温箱温度设置为45℃，恒温保持时间30分钟；
b.使用LIV系统给激光器加工作电流45mA，同时进行光谱测试并记录数据，即待测半导体激光器的波长λ；
c.结束测试。
波长测量结果如图3所示，其横轴表示波长，单位为nm，纵轴表示光功率，单位为dBm，则待测半导体激光器在45℃的预设温度和45mA的预设工作电流下，波长值λ＝1536.22nm。
本发明实施例还基于图3所测量的半导体激光器，使用上述步骤半导体激光器波长测量方法进行测量，测量过程如上述的步骤S1021至步骤S1023，使用的非控温LIV测试设备为兆翔TWC-LDTT-100，光谱仪为Anritsu MS9740A，测量过程包括：
a.将待测器件插板，放入测试设备；
b.一次预热：使用LIV系统给激光器加电预热，第一预热电流为30mA，预热时间为5S；
c.工作电流45mA，一次预热完成后立即测试并记录激光器第一波长值和热敏电阻第一阻值，即λ1、R1；
d.二次预热：使用LIV系统给激光器再次加电预热，第二预热电流为电流70mA，预热时间为5S；
e.工作电流45mA，一次预热完成后立即测试激光器第二波长值和热敏电阻第二阻值，即λ2、R2；
c.结束测试。
波长测量结果如图4和图5所示，其横轴表示波长，单位为nm，纵轴表示光功率，单位为dBm。所测待测半导体激光器热敏电阻的参数为B＝3930，在T0＝25℃下的阻值R0＝10KΩ。根据LIV测试系统采集获得λ1＝1534.88nm，R1＝6634.2Ω，λ2＝1537.04nm，R2＝3393.3Ω，最后根据λ1、R1、λ2、R2代入公式计算，获得待测半导体激光器在45mA的预设工作电流和45℃的预设温度下，波长值λ＝1536.20nm。
可见，恒温箱控温法共用时35分钟，本发明实施例所提供的半导体激光器波长测量方法共用时2分钟，且两种方法的测量结果在误差范围内。因此，本发明可以降低测量难度，提高测量效率。
为解决上述技术问题，本发明实施例还提供一种半导体激光器波长测量装置，其中，半导体激光器包括热敏电阻，具体请参阅图6，图6为本实施半导体激光器波长测量装置的基本结构框图，包括：
指令获取模块61，用于获取测量指令；测量指令包括待测半导体激光器在预设工作电流和预设温度下的波长；
指令执行模块62，用于执行测量指令；执行测量指令时读取包括预设温度、预设工作电流、一次预热的加热时间、二次预热的加热时间等数据；
指令执行模块62包括：
第一预热单元621，用于通过第一预热电流对待测半导体激光器进行一次预热；
第一数据获取单元622，用于一次预热完成后在预设工作电流下测试待测半导体激光器的第一波长值和热敏电阻第一阻值，并根据热敏电阻第一阻值计算第一温度值；
第二预热单元623，用于通过第二预热电流对待测半导体激光器进行二次预热；
第二数据获取单元624，用于二次预热完成后在预设工作电流下测试待测半导体激光器第二波长值和热敏电阻第二阻值，并根据热敏电阻第二阻值计算第二温度值；
测量结果计算输出模块63，用于输出测量结果，包括根据第一波长值、第一温度值、第二波长值、第二温度值计算待测半导体激光器在预设工作电流及预设温度下的波长值。
为解决上述技术问题，本发明实施例还提供一种芯片，该芯片可以为通用处理器，也可以为专用处理器。该芯片包括处理器，处理器用于支持终端执行上述相关步骤，例如从存储器中调用并运行计算机程序，使得安装有所述芯片的设备执行，以实现上述各个实施例中的半导体激光器波长测量方法。
可选的在一些示例下，该芯片还包括收发器，收发器用于接受处理器的控制，用于支持终端执行上述相关步骤，以实现上述各个实施例中的半导体激光器波长测量方法。
可选的，该芯片还可以包括存储介质。
需要说明的是，该芯片可以使用下述电路或者器件来实现：一个或多个现场可编程门阵列(fieldprogrammable gate array，FPGA)、可编程逻辑器件(programmablelogicdevice，PLD)、控制器、状态机、门逻辑、分立硬件部件、任何其他适合的电路、或者能够执行本申请通篇所描述的各种功能的电路的任意组合。
本发明还提供一种终端，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至7中任一项所述的半导体激光器波长测量方法的步骤。
具体请参阅图7，图7为示出的一种终端的基本结构框图，该终端包括通过系统总线连接的处理器、非易失性存储介质、存储器和网络接口。其中，该终端的非易失性存储介质存储有操作系统、数据库和计算机可读指令，数据库中可存储有控件信息序列，该计算机可读指令被处理器执行时，可使得处理器实现一种半导体激光器波长测量方法。该终端的处理器用于提供计算和控制能力，支撑整个终端的运行。该终端的存储器中可存储有计算机可读指令，该计算机可读指令被处理器执行时，可使得处理器执行一种半导体激光器波长测量方法。该终端的网络接口用于与终端连接通信。本领域技术人员可以理解，图中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的终端的限定，具体的终端可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。
本技术领域技术人员可以理解，这里所使用的“终端”、“终端设备”既包括无线信号接收器的设备，其仅具备无发射能力的无线信号接收器的设备，又包括接收和发射硬件的设备，其具有能够在双向通信链路上，执行双向通信的接收和发射硬件的电子设备。这种电子设备可以包括：蜂窝或其他通信设备，其具有单线路显示器或多线路显示器或没有多线路显示器的蜂窝或其他通信设备；PCS(Personal Communications Service，个人通信系统)，其可以组合语音、数据处理、传真和/或数据通信能力；PDA(Personal DigitalAssistant，个人数字助理)，其可以包括射频接收器、寻呼机、互联网/内联网访问、网络浏览器、记事本、日历和/或GPS(Global Positioning System，全球定位系统)接收器；常规膝上型和/或掌上型计算机或其他设备，其具有和/或包括射频接收器的常规膝上型和/或掌上型计算机或其他设备。这里所使用的“终端”、“终端设备”可以是便携式、可运输、安装在交通工具(航空、海运和/或陆地)中的，或者适合于和/或配置为在本地运行，和/或以分布形式，运行在地球和/或空间的任何其他位置运行。这里所使用的“终端”、“终端设备”还可以是通信终端、上网终端、音乐/视频播放终端，例如可以是PDA、MID(Mobile InternetDevice，移动互联网设备)和/或具有音乐/视频播放功能的移动电话，也可以是智能电视、机顶盒等设备。
本发明还提供一种存储有计算机可读指令的存储介质，所述计算机可读指令被一个或多个处理器执行时，使得一个或多个处理器执行上述任一实施例所述半导体激光器波长测量方法的步骤。
本实施例还提供了一种计算机程序，该计算机程序可以分布在计算机可读介质上，由可计算装置来执行，以实现上述介绍的半导体激光器波长测量方法的至少一个步骤；并且在某些情况下，可以采用不同于上述实施例所描述的顺序执行所示出或描述的至少一个步骤。
本实施例还提供了一种计算机程序产品，包括计算机可读装置，该计算机可读装置上存储有如上所示的计算机程序。本实施例中该计算机可读装置可包括如上所示的计算机可读存储介质。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，该计算机程序可存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，前述的存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(Read-Only Memory，ROM)等非易失性存储介质，或随机存储记忆体(Random Access Memory，RAM)等。
应该理解的是，虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，其可以以其他的顺序执行。而且，附图的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，其执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其他步骤或者其他步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种半导体激光器波长测量方法，其特征在于，所述半导体激光器包括热敏电阻，半导体激光器波长测量方法包括：
获取测量指令；所述测量指令包括待测半导体激光器在预设电流及预设温度下的波长；
执行所述测量指令，包括：
通过第一预热电流对待测半导体激光器进行一次预热；
一次预热完成后在所述预设工作电流下测试待测半导体激光器的第一波长值和热敏电阻第一阻值，并根据所述热敏电阻第一阻值计算第一温度值；
通过第二预热电流对待测半导体激光器进行二次预热；
二次预热完成后在所述预设工作电流下测试待测半导体激光器第二波长值和热敏电阻第二阻值，并根据所述热敏电阻第二阻值计算第二温度值；
输出测量结果，包括根据所述第一波长值、所述第一温度值、所述第二波长值、所述第二温度值计算待测半导体激光器在所述预设工作电流及所述预设温度下的波长值。
2.如权利要求1所述的半导体激光器波长测量方法，其特征在于，根据所述第一波长值、所述第一温度值、所述第二波长值、所述第二温度值获得待测半导体激光器在所述预设工作电流及所述预设温度下的波长值，包括：
或者
其中，λ1为第一波长值，λ2为第二波长值，T1为第一温度值，T2为第二温度值，T为预设温度。
3.如权利要求1或2所述的半导体激光器波长测量方法，其特征在于，根据所述热敏电阻第一阻值计算第一温度值，包括：
根据所述热敏电阻第二阻值计算第二温度值，包括：
其中，R1为热敏电阻第一阻值，R2为热敏电阻第二阻值，R0为热敏电阻在温度为T0时的电阻值，T0＝25℃，B为热敏电阻材料常数。
4.如权利要求1所述的半导体激光器波长测量方法，其特征在于，若所述第一温度值和所述第二温度值小于散热阈值，则半导体激光器为普通的半导体激光器结构。
5.如权利要求1所述的半导体激光器波长测量方法，其特征在于，若所述第一温度值和所述第二温度值大于散热阈值，则半导体激光器为加设低导热系数热沉的半导体激光器结构。
6.如权利要求1所述的半导体激光器波长测量方法，其特征在于，一次预热完成后到第一波长值和热敏电阻第一阻值测试结束的时间间隔小于预设时间；
二次预热完成后到第二波长值和热敏电阻第二阻值测试结束的时间间隔小于预设时间。
7.如权利要求6所述的半导体激光器波长测量方法，其特征在于，若一次预热完成后到第一波长值和热敏电阻第一阻值结束测试的时间间隔大于预设时间，返回通过第一预热电流对待测半导体激光器进行一次预热；
若二次预热完成后到第二波长值和热敏电阻第二阻值结束测试的时间间隔大于预设时间，返回通过第二预热电流对待测半导体激光器进行二次预热。
8.一种半导体激光器波长测量装置，其特征在于，所述半导体激光器包括热敏电阻，半导体激光器波长测量装置包括：
指令获取模块，用于获取测量指令；所述测量指令包括待测半导体激光器在预设工作电流及预设温度下的波长；
指令执行模块，执行所述测量指令；
指令执行模块包括：
第一预热单元，用于通过第一预热电流对待测半导体激光器进行一次预热；
第一数据获取单元，用于一次预热完成后在所述预设工作电流下测试待测半导体激光器的第一波长值和热敏电阻第一阻值，并根据所述热敏电阻第一阻值计算第一温度值；
第二预热单元，用于通过第二预热电流对待测半导体激光器进行二次预热；
第二数据获取单元，用于二次预热完成后在所述预设工作电流下测试待测半导体激光器第二波长值和热敏电阻第二阻值，并根据所述热敏电阻第二阻值计算第二温度值；
测量结果计算输出模块，用于输出测量结果，包括根据所述第一波长值、所述第一温度值、所述第二波长值、所述第二温度值计算待测半导体激光器在所述预设工作电流及所述预设温度下的波长值。
9.一种芯片，其特征在于，包括：第一处理器，用于从第一存储器中调用并运行计算机程序，使得安装有所述芯片的设备执行如权利要求1至7任一项所述的半导体激光器波长测量方法的各个步骤。
10.一种终端，其特征在于，包括第二存储器、第二处理器以及存储在所述第二存储器中并可在所述第二处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述第二处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至7中任一项所述的半导体激光器波长测量方法的步骤。
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