JPS62238445A - 表面検査装置 - Google Patents
表面検査装置Info
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- JPS62238445A JPS62238445A JP8264886A JP8264886A JPS62238445A JP S62238445 A JPS62238445 A JP S62238445A JP 8264886 A JP8264886 A JP 8264886A JP 8264886 A JP8264886 A JP 8264886A JP S62238445 A JPS62238445 A JP S62238445A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 40
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 13
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
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- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
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- Details Of Measuring And Other Instruments (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
この発明は、半導体ウェハなどの被検査物の表面の異物
などを検出する表面検査装置に関する。
などを検出する表面検査装置に関する。
[従来の技術]
゛14導体ウェハなどの表面検査装置として、被検査物
を回転ステージに保持させ、その回転ステージを調速回
転させながら被検査物の表面に光ビームを照射し、その
被検査物の表面からの反射光を光学系を通じて光電素子
によって受けて電気信号に変換し、この電気信号に基づ
き被検査物の表面の兇物または欠陥を検出するものがあ
る。
を回転ステージに保持させ、その回転ステージを調速回
転させながら被検査物の表面に光ビームを照射し、その
被検査物の表面からの反射光を光学系を通じて光電素子
によって受けて電気信号に変換し、この電気信号に基づ
き被検査物の表面の兇物または欠陥を検出するものがあ
る。
このような表面検査装置の検査性能を左右する姿因の−
・つに、光学系と被検査物表面との焦点合わせ精度があ
る。そこで従来から、回転ステージを垂直方向(光学系
の光軸方向と一致している)に移動させて焦点合わせを
行うことができようにしている。しかし従来の装置は、
その回転ステージの移動による焦点合わせはL動操作に
よって行う構成である。また、回転ステージの移動のた
めの動力源として、モータが用いられている。
・つに、光学系と被検査物表面との焦点合わせ精度があ
る。そこで従来から、回転ステージを垂直方向(光学系
の光軸方向と一致している)に移動させて焦点合わせを
行うことができようにしている。しかし従来の装置は、
その回転ステージの移動による焦点合わせはL動操作に
よって行う構成である。また、回転ステージの移動のた
めの動力源として、モータが用いられている。
[解決しようとする問題点コ
このようにL動によって焦点調整を行うため、1に点調
節に手間がかかり調節誤差も大きくなりやすく、また調
節作業に熟練を要するという問題があった。
節に手間がかかり調節誤差も大きくなりやすく、また調
節作業に熟練を要するという問題があった。
半導体ウェハのように厚さのばらつきが比較的大きい被
検査物を検査する場合、個々の被検査物毎に焦点調整を
行うのが望ましい。しかし手動による焦点調節であるた
め、そのようなことは作業能率などの而から実際1−不
可能であり、一度焦点合わせを行った後、そのままの状
態で同一種類の被検査物を多数個検査しているのが現状
である。
検査物を検査する場合、個々の被検査物毎に焦点調整を
行うのが望ましい。しかし手動による焦点調節であるた
め、そのようなことは作業能率などの而から実際1−不
可能であり、一度焦点合わせを行った後、そのままの状
態で同一種類の被検査物を多数個検査しているのが現状
である。
そのため、被検査物の厚さのばらつきによる焦点ずれが
起こり、検査精度が低下するという問題があった。
起こり、検査精度が低下するという問題があった。
また、半導体ウェハは反りを生じやすい。このような反
りがあったり、部分的に厚さが違う被検査物を検査する
場合、検査位置に応じて焦点調節を行う必要がある。し
かし従来装置においては、そのような検査位置に応じた
焦点調節を行うことは不i+7能であるため、被検査物
に反りまたは部分的な厚さ変化があると、検査精度が低
下するという問題があった。
りがあったり、部分的に厚さが違う被検査物を検査する
場合、検査位置に応じて焦点調節を行う必要がある。し
かし従来装置においては、そのような検査位置に応じた
焦点調節を行うことは不i+7能であるため、被検査物
に反りまたは部分的な厚さ変化があると、検査精度が低
下するという問題があった。
[発明の目的コ
したがって、この発明の目的は、検査中に光学系と被検
査物表面との焦点合わせを逐次行うように構成し、前述
のようのな従来技術における問題点を解決した表面検査
装置を提供することにある。
査物表面との焦点合わせを逐次行うように構成し、前述
のようのな従来技術における問題点を解決した表面検査
装置を提供することにある。
[問題点を解決するための手段]
この目的を達成するために、この発明は、ステージに保
持された被検査物の表面に光ビームを照射し、その被検
査物の表面からの反射光を光学系を通じて光電素子によ
って受けて電気信号に変換し、この電気信シ、tに基づ
き前記被検査物の表面の異物などを検出する表面検査装
置において、ピエゾ素子を動力源として前記ステージと
前記光学系をその光軸方向に相対的に移動させる移動手
段と、前記被検査物の表面と前記光学系の焦点とのずれ
1、tを検出する検出手段と、この検出手段により検出
−されたずれ量に応答して前記移動手段による前記相対
的移動を制御する制御手段とを具備せしめ、前記被検査
物の表面の検査中にその表面に前記光学系の焦点を合わ
せるように前記ステージと前記光学系との間隔を逐次調
節させるものである。
持された被検査物の表面に光ビームを照射し、その被検
査物の表面からの反射光を光学系を通じて光電素子によ
って受けて電気信号に変換し、この電気信シ、tに基づ
き前記被検査物の表面の異物などを検出する表面検査装
置において、ピエゾ素子を動力源として前記ステージと
前記光学系をその光軸方向に相対的に移動させる移動手
段と、前記被検査物の表面と前記光学系の焦点とのずれ
1、tを検出する検出手段と、この検出手段により検出
−されたずれ量に応答して前記移動手段による前記相対
的移動を制御する制御手段とを具備せしめ、前記被検査
物の表面の検査中にその表面に前記光学系の焦点を合わ
せるように前記ステージと前記光学系との間隔を逐次調
節させるものである。
[作用コ
このように検査中に、ステージに保持された被検査物の
表面に光学系の焦点が自動的に逐次合わせられるため、
手動調整に比べ焦点調節誤差を容易に減少させ得ること
は勿論のこと、被検査物の厚さのばらつきが大きい場合
でも、個々の被検査物の厚さに応じて焦点調節がなされ
るので、厚さのばらつきによる影響は大幅に減少する。
表面に光学系の焦点が自動的に逐次合わせられるため、
手動調整に比べ焦点調節誤差を容易に減少させ得ること
は勿論のこと、被検査物の厚さのばらつきが大きい場合
でも、個々の被検査物の厚さに応じて焦点調節がなされ
るので、厚さのばらつきによる影響は大幅に減少する。
さらに焦点調節のためのステージと光学系との相対的移
動殻の動力源は、モータなどに比べ応答速度がはるかに
高いピエゾ素子を用いているため、被検査物と光学系と
を高速に相対移動させながら検査を行う場合でも、被検
査物の表面に精度よく追従させて焦点合わせを行うこと
ができる。したがって、反りや部分的厚さ変動の大きな
被検査物についても、高精度の検査が可能となる。
動殻の動力源は、モータなどに比べ応答速度がはるかに
高いピエゾ素子を用いているため、被検査物と光学系と
を高速に相対移動させながら検査を行う場合でも、被検
査物の表面に精度よく追従させて焦点合わせを行うこと
ができる。したがって、反りや部分的厚さ変動の大きな
被検査物についても、高精度の検査が可能となる。
[実施例]
以下図面を参照し、この発明の一実施例について説明す
る。
る。
第1図は、この発明による表面検査装置の一実施例の主
要部の構成を示す概略図である。この図において、10
は回転ステージであり、その保持面←ヒ面)に半導体ウ
ェハのような被検査物12が負圧吸着によって保持され
るようになっている。
要部の構成を示す概略図である。この図において、10
は回転ステージであり、その保持面←ヒ面)に半導体ウ
ェハのような被検査物12が負圧吸着によって保持され
るようになっている。
この回転ステージ10の軸部14の内部には負圧吸着の
ためのエアー通路16が形成されており、その一端は保
持面に形成されたエアー吹込み口(図示せず)と接続さ
れ、他端は軸部14の側面に開L−1させられている。
ためのエアー通路16が形成されており、その一端は保
持面に形成されたエアー吹込み口(図示せず)と接続さ
れ、他端は軸部14の側面に開L−1させられている。
その開[1部に対向する貫通穴(図示せず)が筒体18
に形成されており、この貫通穴とエアー通路16とを気
密に連絡するための回転シール(図示せず)が筒体18
の内側に設けられている。また、この貫通穴は図7Nし
ないム:L空ポンプに接続されている。
に形成されており、この貫通穴とエアー通路16とを気
密に連絡するための回転シール(図示せず)が筒体18
の内側に設けられている。また、この貫通穴は図7Nし
ないム:L空ポンプに接続されている。
この真空ポンプによって、回転ステージlOの保持面と
被検査物12との間のエアーが引き出され、被検査物1
2は保持面に強固に負圧吸着される。
被検査物12との間のエアーが引き出され、被検査物1
2は保持面に強固に負圧吸着される。
さて、軸部lBはそれを取り囲む筒体18に玉軸受など
の軸受20を介し、回転自在であるが軸方向には移動不
可能に支承されている。この筒体18は、ころ軸受など
の軸受22を介し、上下方向に所定量だけ移動自在に筒
体24に支承されている。この筒体24は横移動ステー
ジ26に固定されている。
の軸受20を介し、回転自在であるが軸方向には移動不
可能に支承されている。この筒体18は、ころ軸受など
の軸受22を介し、上下方向に所定量だけ移動自在に筒
体24に支承されている。この筒体24は横移動ステー
ジ26に固定されている。
28は回転ステージ10の回転駆動のためのモータであ
り、横移動ステージ26に固定されている。このモータ
28の回転軸はカップリング30を介して軸部14の下
端と結合されている。このカップリング30はモータ2
8の軸と軸部14との相対的回転は許さないが、軸方向
(4−下方向)については僅かな(例えば数mm程度の
)相対的移動を許容するものである。このようなカップ
リング30としては、入力端の回転力を板ばね部材を介
して出力側へ伝達するような型式のものを用いることが
できる。
り、横移動ステージ26に固定されている。このモータ
28の回転軸はカップリング30を介して軸部14の下
端と結合されている。このカップリング30はモータ2
8の軸と軸部14との相対的回転は許さないが、軸方向
(4−下方向)については僅かな(例えば数mm程度の
)相対的移動を許容するものである。このようなカップ
リング30としては、入力端の回転力を板ばね部材を介
して出力側へ伝達するような型式のものを用いることが
できる。
このような構造であるから、回転ステージlOは回転自
在であり、かつ所定量だけ一ヒ下に移動可能である。
在であり、かつ所定量だけ一ヒ下に移動可能である。
後述の焦点調節のために、動力源としてのバイモルフ型
ピエゾ素子32と、その変位を筒体18に伝えるための
レバー36が設けられている。ピエゾ素子32の一端は
取り付は部材34を介して横移動ステージ26に固定さ
れ、他i−はレバー36の外端に係合させられている。
ピエゾ素子32と、その変位を筒体18に伝えるための
レバー36が設けられている。ピエゾ素子32の一端は
取り付は部材34を介して横移動ステージ26に固定さ
れ、他i−はレバー36の外端に係合させられている。
レバー36は筒体18に、支軸38によって一1ユ下に
回動自在に取り付けられている。このレバー36の内端
にはローラ40が回転自在に取り付けられており、この
ローラ40は筒体18の底面に係合するようになってい
る。
回動自在に取り付けられている。このレバー36の内端
にはローラ40が回転自在に取り付けられており、この
ローラ40は筒体18の底面に係合するようになってい
る。
このような構成であるから、ピエゾ素子32に電圧を印
加し、それを54ませてレバー36を回動させることに
より、筒体18とともに回転ステージIOを上下に移動
させることができる。
加し、それを54ませてレバー36を回動させることに
より、筒体18とともに回転ステージIOを上下に移動
させることができる。
人物検出に直接関係する構成について説明すれば、44
はS偏光レーザ発振器である。ここから放射されるS偏
光レーザビームはシリンドリカルレンズ46によって−
L下方向に絞られてから、被検査物12の表面に例えば
2°の照射角度にて斜めに照射される。
はS偏光レーザ発振器である。ここから放射されるS偏
光レーザビームはシリンドリカルレンズ46によって−
L下方向に絞られてから、被検査物12の表面に例えば
2°の照射角度にて斜めに照射される。
照射点に異物があると、S偏光レーザビームは人物の表
面(微小の凹凸がある)により散乱されて偏光面が乱れ
るため、真上方向への反射レーザ光にP偏光成分が多量
に含まれる。
面(微小の凹凸がある)により散乱されて偏光面が乱れ
るため、真上方向への反射レーザ光にP偏光成分が多量
に含まれる。
照射点に異物がない場合、照射レーザビームはほぼ全損
が正反射されるため、真上方向の反射レーザ光のP偏光
成分は充分に少ない。
が正反射されるため、真上方向の反射レーザ光のP偏光
成分は充分に少ない。
被検査物12がパターン付き半導体ウェハの場合、S偏
光レーザビームの照射点にパターンが存在することもあ
る。その場合、真上方向への反射光電がかなり多くなる
ことがある。しかし、パターンの表面は微視的には平滑
であるため、頁−に方向への反射レーザ光に含まれるP
偏光成分はわずかである。
光レーザビームの照射点にパターンが存在することもあ
る。その場合、真上方向への反射光電がかなり多くなる
ことがある。しかし、パターンの表面は微視的には平滑
であるため、頁−に方向への反射レーザ光に含まれるP
偏光成分はわずかである。
この実施例の装置にあっては、そのようなP偏光成分の
多少と異物の有無との関係に着目して異物を検出する。
多少と異物の有無との関係に着目して異物を検出する。
被検査物表面から真を方向の反射レーザ光は、光学系4
8によってP偏光成分だけが抽出されてホトマルチプラ
イヤ(光電素子)50に入射する。
8によってP偏光成分だけが抽出されてホトマルチプラ
イヤ(光電素子)50に入射する。
この光学系48は対物レンズ52、スリット54および
S偏光カットフィルタ(偏光板)56を直列配置したも
のである。
S偏光カットフィルタ(偏光板)56を直列配置したも
のである。
ホトマルチプライヤ50からは入射されるP偏光レーザ
光の強さに比例した電気信号が出力される。この電気信
号はレベル比較回路58によって異物判定閾値と比較さ
れる。レベル比較回路58の出力信号は照射点における
異物の有無を示すものであり、照射点に異物が存在する
時に論理“1”レベルになり、異物が存在しない時に論
理“0”レベルになる。この信号はマイクロコンピュー
タ60に入力される。
光の強さに比例した電気信号が出力される。この電気信
号はレベル比較回路58によって異物判定閾値と比較さ
れる。レベル比較回路58の出力信号は照射点における
異物の有無を示すものであり、照射点に異物が存在する
時に論理“1”レベルになり、異物が存在しない時に論
理“0”レベルになる。この信号はマイクロコンピュー
タ60に入力される。
なお、横方向ステージ26にはその位置を検出するエン
コーダが設けられており、またモータ28には回転ステ
ージ10の回転角度を検出するためのエンコーダが設け
られている。これらのエンコーダの出力信号も、照射点
の位置情報信号としてマイクロコンピュータ60に入力
される。
コーダが設けられており、またモータ28には回転ステ
ージ10の回転角度を検出するためのエンコーダが設け
られている。これらのエンコーダの出力信号も、照射点
の位置情報信号としてマイクロコンピュータ60に入力
される。
62はモータ駆動回路である。このモータ駆動回路62
はマイクロコンピュータ60の制御に従って、回転ステ
ージ駆動用モータ28および横移動ステージ26の駆動
用モータ(図示せず)を駆動する。
はマイクロコンピュータ60の制御に従って、回転ステ
ージ駆動用モータ28および横移動ステージ26の駆動
用モータ(図示せず)を駆動する。
再び焦点合わせに関連して説明する。光学系48の焦点
と被検査物12の表面さのずれ@(焦点ずれ埴)を検出
するための手段として、被検査物表面に対向させて静電
容量変位計64が光学系48に取り付けられている。こ
の静電容量変位計64は、被検査物12の表面との間の
静電客用を利用し、被検査物表面の基準位置からの変位
に比例した電気信号を出力する。ここでは焦点ずれ川が
ゼロの時にその変位がゼロとなるように、静電容:11
.変位計64の取り付は高さが調節されている。
と被検査物12の表面さのずれ@(焦点ずれ埴)を検出
するための手段として、被検査物表面に対向させて静電
容量変位計64が光学系48に取り付けられている。こ
の静電容量変位計64は、被検査物12の表面との間の
静電客用を利用し、被検査物表面の基準位置からの変位
に比例した電気信号を出力する。ここでは焦点ずれ川が
ゼロの時にその変位がゼロとなるように、静電容:11
.変位計64の取り付は高さが調節されている。
したがって、光学系48と被検査物表面との焦点ずれ酸
に比例した電気信号が静電容量変位計64から出力され
る。
に比例した電気信号が静電容量変位計64から出力され
る。
静電容量変位計64の出力信号はピエゾ素子駆動回路6
θに入力される。このピエゾ素子駆動回路66は、その
入力信号に応答し、焦点ずれ量を減少させるようにピエ
ゾ素子32を変位させるための電圧をピエゾ素子34に
印加する。
θに入力される。このピエゾ素子駆動回路66は、その
入力信号に応答し、焦点ずれ量を減少させるようにピエ
ゾ素子32を変位させるための電圧をピエゾ素子34に
印加する。
次に、この表面測定装置の全体的動作および焦点自動調
整動作について説明する。
整動作について説明する。
S偏光レーザビームの照射点が被検査物12の外周近傍
に来るように、横移動ステージ26はマイクロコンピュ
ータ60によって位置を制御される。その位置制御が完
了すると、マイクロコンピュータ60によってモータ2
8が起動されるとともに、横移動ステージ26は一定速
度で移動するように制御され、表面検査が始まる。
に来るように、横移動ステージ26はマイクロコンピュ
ータ60によって位置を制御される。その位置制御が完
了すると、マイクロコンピュータ60によってモータ2
8が起動されるとともに、横移動ステージ26は一定速
度で移動するように制御され、表面検査が始まる。
回転ステージ10の回転と横移動により、被検査物12
の表面はS偏光ビレーザ光ビームによって螺旋状に走査
される。マイクロコンピュータ60においては、レベル
比較回路58からの人力信号をサンプリングし、その“
1”レベル信号が人力されると、異物が検出されたと判
定し、その時の位置情報(前記エンコーダより入力され
る)を内部のメモリに記憶する。
の表面はS偏光ビレーザ光ビームによって螺旋状に走査
される。マイクロコンピュータ60においては、レベル
比較回路58からの人力信号をサンプリングし、その“
1”レベル信号が人力されると、異物が検出されたと判
定し、その時の位置情報(前記エンコーダより入力され
る)を内部のメモリに記憶する。
このようにして表面検査が進み、S偏光レーザ光ビーム
による走査が被検査物12の中心まで達すると、マイク
ロコンピュータ60によって横移動ステージ26および
回転ステージ10は停止させられ、表面検査は終了する
。
による走査が被検査物12の中心まで達すると、マイク
ロコンピュータ60によって横移動ステージ26および
回転ステージ10は停止させられ、表面検査は終了する
。
そのような表面検査の期間において、光学系48と被J
e!査物表面との焦点ずれ用が静電容量変位計64によ
って常時検出され、その焦点ずれ量に比例した信号がピ
エゾ素子駆動回路66に人力される。この信号に応じて
ピエゾ素子駆動回路66は、焦点ずれを打ち消すように
ピエゾ素子32を変位させる。
e!査物表面との焦点ずれ用が静電容量変位計64によ
って常時検出され、その焦点ずれ量に比例した信号がピ
エゾ素子駆動回路66に人力される。この信号に応じて
ピエゾ素子駆動回路66は、焦点ずれを打ち消すように
ピエゾ素子32を変位させる。
例えば被検査物表面が低すぎる時には、ピエゾJ :f
’−32はド側に変位してレバー36を時計回り向きに
回動させることにより、回転ステージ10を1−外させ
る。逆に被検査物表面が高すぎる時には、ピエゾ素子3
2は」二側に変位してレバー36を反時計回り向きに回
動させることにより、回転ステージ10を下降させる。
’−32はド側に変位してレバー36を時計回り向きに
回動させることにより、回転ステージ10を1−外させ
る。逆に被検査物表面が高すぎる時には、ピエゾ素子3
2は」二側に変位してレバー36を反時計回り向きに回
動させることにより、回転ステージ10を下降させる。
このようにして、検査中に回転ステージ12の高さが逐
次調節されて焦点合わせが行われる。
次調節されて焦点合わせが行われる。
ここで、ピエゾ素子32は1oOHz以上の応答速度を
持つものが容易に入手できる。したがって、回転ステー
ジ10の回転速度が150orpmであるとすれば、毎
秒25回以上の焦点合わせが可能である。このように応
答が早いピエゾ素子32を動力源として回転ステージ1
0を上下移動させるため、被検査物表面に追従させて焦
点を高精度に合わせることができる。したがって、被検
査物12に反りがあったり部分的に厚さが変動しても、
被検査物表面のほぼ全域について焦点ずれを充分小さく
抑え、高精度の検査を行うことができる。
持つものが容易に入手できる。したがって、回転ステー
ジ10の回転速度が150orpmであるとすれば、毎
秒25回以上の焦点合わせが可能である。このように応
答が早いピエゾ素子32を動力源として回転ステージ1
0を上下移動させるため、被検査物表面に追従させて焦
点を高精度に合わせることができる。したがって、被検
査物12に反りがあったり部分的に厚さが変動しても、
被検査物表面のほぼ全域について焦点ずれを充分小さく
抑え、高精度の検査を行うことができる。
また、個々の被検査物12毎に前述のような焦点合わせ
が行われるから、厚さのばらつきの大きな被検査物につ
いても高精度の検査が可能である。
が行われるから、厚さのばらつきの大きな被検査物につ
いても高精度の検査が可能である。
なお、従来のようにモータによって回転ステージlOの
高さを調節するような構成では、そのモータをピエゾ素
子32と同様に制御するようにしても応答が遅く、充分
な焦点合わせ性能を期待できない。
高さを調節するような構成では、そのモータをピエゾ素
子32と同様に制御するようにしても応答が遅く、充分
な焦点合わせ性能を期待できない。
以上、この発明の一実施例について説明したが、この発
明はそれだけに限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲内で種々の変形が許されるものである。
明はそれだけに限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲内で種々の変形が許されるものである。
例えば、前記実施例にあっては回転ステージ側をL下に
移動させることによって焦点合わせが行われたが、逆に
光学系側をL下に移動させるようにしてもよい。
移動させることによって焦点合わせが行われたが、逆に
光学系側をL下に移動させるようにしてもよい。
前記実施例においてはバイモルフ型ピエゾ素子を動力源
として用いているが、積層型ピエゾ素子を用いることも
できる。
として用いているが、積層型ピエゾ素子を用いることも
できる。
1);1記実施例において、回転ステージの高さ調整範
囲を大きくしたい場合、ピエゾ素子を動力源として高さ
の微調整を行わせ、1猜さの粗調整をモータを用いて杼
うようにすることも可能である。
囲を大きくしたい場合、ピエゾ素子を動力源として高さ
の微調整を行わせ、1猜さの粗調整をモータを用いて杼
うようにすることも可能である。
さらに焦点合わせのための回転ステージまたは光学系の
高さ調節を、サンプル値制御またはデジタル制御によっ
て行うようにしてもよい。
高さ調節を、サンプル値制御またはデジタル制御によっ
て行うようにしてもよい。
前記実施例においては静電変位計を用いて焦点ずれ量を
直接的に検出したが、光学系と被検査物表面との間隔を
測定し、その間隔から標準間隔を減算して焦点ずれ量を
求めるというように、焦点ずれ量を間接的に検出しても
よい。さらに、その検出手段は静電容量変位計以外のも
のでもよ°い。
直接的に検出したが、光学系と被検査物表面との間隔を
測定し、その間隔から標準間隔を減算して焦点ずれ量を
求めるというように、焦点ずれ量を間接的に検出しても
よい。さらに、その検出手段は静電容量変位計以外のも
のでもよ°い。
前記実施例は被検査物を高速回転させつつ横移動させる
ことにより、被検査物を螺旋状に走査しながら検査する
ものであったが、被検査物と光学系とを相対的に水・[
移動させてX−Y走査しながら検査するものにも、さら
には被検査物をY方向に移動させ、光ビームをX方向に
振ることにょうてX−Y走査するものにも、この発明は
同様に適用できるものである。
ことにより、被検査物を螺旋状に走査しながら検査する
ものであったが、被検査物と光学系とを相対的に水・[
移動させてX−Y走査しながら検査するものにも、さら
には被検査物をY方向に移動させ、光ビームをX方向に
振ることにょうてX−Y走査するものにも、この発明は
同様に適用できるものである。
[発明の効果コ
以−に説明したように、この発明は、ステージに保持さ
れた被検査物の表面に光ビームを照射し、その被検査物
の表面からの反射光を光学系を通じて光電素子によって
受けて電気信号に変換し、この電気信号に基づき前記被
検査物の表面の異物などを検出する表面検査装置におい
て、ピエゾ素子を動力源として前記ステージと前記光学
系をその光軸方向に相対的に移動させる移動手段と、前
記被検査物の表面と前記光学系の焦点とのずれ量を検出
する検出手段と、この検出手段により検出されたずれ量
に応答して前記移動手段による前記相対的移動を制御す
る制御手段とを具備せしめ、前記被検査物の表面の検査
中にその表面に前記光学系の焦点を合わせるように前記
ステージと前記光学系との間隔を逐次調節させるもので
あるから、手動調整に比べ焦点調節誤差が少ないことは
勿論のこと、厚さのばらつきが大きい被検査物でも、反
りや部分的厚さ変動の大きな被検査物についても、焦点
を正確に合わせて高精度の検査が可能な表面検査装置を
実現できる。
れた被検査物の表面に光ビームを照射し、その被検査物
の表面からの反射光を光学系を通じて光電素子によって
受けて電気信号に変換し、この電気信号に基づき前記被
検査物の表面の異物などを検出する表面検査装置におい
て、ピエゾ素子を動力源として前記ステージと前記光学
系をその光軸方向に相対的に移動させる移動手段と、前
記被検査物の表面と前記光学系の焦点とのずれ量を検出
する検出手段と、この検出手段により検出されたずれ量
に応答して前記移動手段による前記相対的移動を制御す
る制御手段とを具備せしめ、前記被検査物の表面の検査
中にその表面に前記光学系の焦点を合わせるように前記
ステージと前記光学系との間隔を逐次調節させるもので
あるから、手動調整に比べ焦点調節誤差が少ないことは
勿論のこと、厚さのばらつきが大きい被検査物でも、反
りや部分的厚さ変動の大きな被検査物についても、焦点
を正確に合わせて高精度の検査が可能な表面検査装置を
実現できる。
第1図はこの発明による表面検査装置の構成を示す概略
図である。 10・・・回転ステージ、12・・・被検査物、14・
・・軸内<、20.22・・・軸受、26・・・横移動
ステージ、32・・・バイモルフ型ピエゾX子、3B・
・・レバー、44・・・S偏光レーザ光発振器、48・
・・光学系、50・・・ホトマルチプライヤ、64・・
・静電容置変位計、66・・・ピエゾ素子駆動回路。
図である。 10・・・回転ステージ、12・・・被検査物、14・
・・軸内<、20.22・・・軸受、26・・・横移動
ステージ、32・・・バイモルフ型ピエゾX子、3B・
・・レバー、44・・・S偏光レーザ光発振器、48・
・・光学系、50・・・ホトマルチプライヤ、64・・
・静電容置変位計、66・・・ピエゾ素子駆動回路。
Claims (3)
- (1)ステージに保持された被検査物の表面に光ビーム
を照射し、その被検査物の表面からの反射光を光学系を
通じて光電素子によって受けて電気信号に変換し、この
電気信号に基づき前記被検査物の表面の異物などを検出
する表面検査装置において、ピエゾ素子を動力源として
前記ステージと前記光学系をその光軸方向に相対的に移
動させる移動手段と、前記被検査物の表面と前記光学系
の焦点とのずれ量を検出する検出手段と、この検出手段
により検出されたずれ量に応答して前記移動手段による
前記相対的移動を制御する制御手段とを有し、前記被検
査物の表面の検査中にその表面に前記光学系の焦点を合
わせるように前記ステージと前記光学系との間隔を逐次
調節するようにしてなる表面検査装置。 - (2)ステージは回転駆動されるものであることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の表面検査装置。 - (3)検出手段は被検査物の表面に対向させて光学系に
固定された静電容量変位計であることを特徴とする特許
請求の範囲第1項または第2項に記載の表面検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8264886A JPS62238445A (ja) | 1986-04-10 | 1986-04-10 | 表面検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8264886A JPS62238445A (ja) | 1986-04-10 | 1986-04-10 | 表面検査装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62238445A true JPS62238445A (ja) | 1987-10-19 |
Family
ID=13780248
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8264886A Pending JPS62238445A (ja) | 1986-04-10 | 1986-04-10 | 表面検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62238445A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02281134A (ja) * | 1989-04-21 | 1990-11-16 | Kanzaki Paper Mfg Co Ltd | 測定装置 |
JP2015111148A (ja) * | 2009-09-02 | 2015-06-18 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation | スピンウェーハ検査システム |
WO2023112243A1 (ja) * | 2021-12-16 | 2023-06-22 | 株式会社日立ハイテク | 表面検査装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58162844A (ja) * | 1982-03-23 | 1983-09-27 | Toshiba Corp | パタ−ン検査装置 |
-
1986
- 1986-04-10 JP JP8264886A patent/JPS62238445A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58162844A (ja) * | 1982-03-23 | 1983-09-27 | Toshiba Corp | パタ−ン検査装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02281134A (ja) * | 1989-04-21 | 1990-11-16 | Kanzaki Paper Mfg Co Ltd | 測定装置 |
JP2015111148A (ja) * | 2009-09-02 | 2015-06-18 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation | スピンウェーハ検査システム |
US10215712B2 (en) | 2009-09-02 | 2019-02-26 | Kla-Tencor Corporation | Method and apparatus for producing and measuring dynamically focused, steered, and shaped oblique laser illumination for spinning wafer inspection system |
WO2023112243A1 (ja) * | 2021-12-16 | 2023-06-22 | 株式会社日立ハイテク | 表面検査装置 |
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