JPS62235815A - ピンダイオ−ドスイツチ - Google Patents
ピンダイオ−ドスイツチInfo
- Publication number
- JPS62235815A JPS62235815A JP7985386A JP7985386A JPS62235815A JP S62235815 A JPS62235815 A JP S62235815A JP 7985386 A JP7985386 A JP 7985386A JP 7985386 A JP7985386 A JP 7985386A JP S62235815 A JPS62235815 A JP S62235815A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signals
- pin diode
- phase
- hybrid circuit
- bias current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野〕
本発明は制御用のバイアス電流の漏れのないピンダイオ
ードスイッチに関する。
ードスイッチに関する。
C従来の技術〕
従来高周波帯を利用する通信機やレーダ装置の送受信機
においては信号切換え用のピンダイオードスイッチが用
いられる。
においては信号切換え用のピンダイオードスイッチが用
いられる。
m3図は従来のピンダイオードスイッチの構成回路図で
ある。このピンダイオードスイッチはピンダイオード1
、コンデンサ3,5、チョークコイル7.9から成る。
ある。このピンダイオードスイッチはピンダイオード1
、コンデンサ3,5、チョークコイル7.9から成る。
バイアス端子11にはバイアス電流が加えられ、ピンダ
イオード1は・このバイアス電圧によりオンオフ制御が
行なわれる。コンデンサ3.5はバイアス電流阻止用の
コンデン、すである。入力端子13には信号が加えられ
ピンダイオード1が導通(オン)しているときに、この
信号がコンデンサ3、ピンダイオード1、コンデンサ5
を介して出力端子15に至り出力端子15から出力信号
が得られる。
イオード1は・このバイアス電圧によりオンオフ制御が
行なわれる。コンデンサ3.5はバイアス電流阻止用の
コンデン、すである。入力端子13には信号が加えられ
ピンダイオード1が導通(オン)しているときに、この
信号がコンデンサ3、ピンダイオード1、コンデンサ5
を介して出力端子15に至り出力端子15から出力信号
が得られる。
しかしながらこのピンダイオードスイッチにおいてスイ
ッチング動作を高速に行なう為にはバイアス端子11に
加えられるバイアス電流を高速に変化させなければなら
ないが、そのバイアス電流の変化が高速であるとこのバ
イアス電流がコンデンサ5を介して出力端子15に漏れ
てしまうという問題点があった。
ッチング動作を高速に行なう為にはバイアス端子11に
加えられるバイアス電流を高速に変化させなければなら
ないが、そのバイアス電流の変化が高速であるとこのバ
イアス電流がコンデンサ5を介して出力端子15に漏れ
てしまうという問題点があった。
そこでこの問題を解決するために種々のフィルタによっ
て上記漏れを防止する方法が用いられていたが、信号の
周波数帯域とスイッチング過渡特性の周波数帯域がそれ
ほど違わない場合にはフィルタによって信号骨のみを選
択することは非常に困難であった。
て上記漏れを防止する方法が用いられていたが、信号の
周波数帯域とスイッチング過渡特性の周波数帯域がそれ
ほど違わない場合にはフィルタによって信号骨のみを選
択することは非常に困難であった。
本発明は前記問題点に鑑みてなされたものでその目的と
するところはバイアス電流の漏れのないピンダイオード
スイッチを提供することにある。
するところはバイアス電流の漏れのないピンダイオード
スイッチを提供することにある。
前記目的を達成するために本発明は入力信号を2分し1
方の信号の位相を反転させて出力する位相反転分配器と
、前記2分された信号をバイアス回路のバイアス電圧に
応じてそれぞれオンオフ制御するピンダイオードと、前
記ピンダイオードの出力信号のうち1方の位相を反転さ
せて該2つの信号を合成する位相反転合成器とを具備す
ることを特徴とする。
方の信号の位相を反転させて出力する位相反転分配器と
、前記2分された信号をバイアス回路のバイアス電圧に
応じてそれぞれオンオフ制御するピンダイオードと、前
記ピンダイオードの出力信号のうち1方の位相を反転さ
せて該2つの信号を合成する位相反転合成器とを具備す
ることを特徴とする。
入力信号は位相反転分配器によって互いに位相が180
度異なる2つの信号に分配され、バイアス回路のバイア
ス電圧に応じてピンダイオードがオンになったとき位相
反転合成器に導びかれる。
度異なる2つの信号に分配され、バイアス回路のバイア
ス電圧に応じてピンダイオードがオンになったとき位相
反転合成器に導びかれる。
位相反転合成器では一方の信号が反転されて他方の信号
と合成されるので結局2つの信号の位相は合致しこれら
が合成される。
と合成されるので結局2つの信号の位相は合致しこれら
が合成される。
ピンダイオードのオンオフ制御を行なうバイアス回路の
バイアス電流は位相反転合成器に流れ込んだとしても2
つの信号のうち一方が反転されて合成されるので互いに
打消される。
バイアス電流は位相反転合成器に流れ込んだとしても2
つの信号のうち一方が反転されて合成されるので互いに
打消される。
以下図面に基づいて本発明の実施例を詳細に説明する。
第1図は本発明の第1の実施例に係わるピンダイオード
スイッチの回路図で、基本的な直列形の5PSTスイツ
チに本発明を適用したものを示す。
スイッチの回路図で、基本的な直列形の5PSTスイツ
チに本発明を適用したものを示す。
このピンダイオードスイッチは位相反転分配器としての
ハイブリッド回路21、位相反転合成器としてのハイブ
リッド回路23、一対のピンダイオード25.27、バ
イアス電流阻止用のコンデンサ29,31,33.35
およびチョークコイル37.39,41.43から成る
。
ハイブリッド回路21、位相反転合成器としてのハイブ
リッド回路23、一対のピンダイオード25.27、バ
イアス電流阻止用のコンデンサ29,31,33.35
およびチョークコイル37.39,41.43から成る
。
ハイブリッド回路21は入力端子45に加えられる入力
信号を2分し一方の信号の位相を180度反転させて出
力する。ピンダイオード29゜31はバイアス端子47
に加えられるバイアス電流によってオンオフ制御が行な
われピンダイオード25.27がオンになったときには
ハイブリッド回路21の2つの出力信号はピンダイオー
ド25.27を介してハイブリッド回路23に至る。
信号を2分し一方の信号の位相を180度反転させて出
力する。ピンダイオード29゜31はバイアス端子47
に加えられるバイアス電流によってオンオフ制御が行な
われピンダイオード25.27がオンになったときには
ハイブリッド回路21の2つの出力信号はピンダイオー
ド25.27を介してハイブリッド回路23に至る。
ハイブリッド回路23は人力される2つの信号のうちの
一方の位相を180度反転させて2つの信号を合成しこ
れを出力端子49に出力する。
一方の位相を180度反転させて2つの信号を合成しこ
れを出力端子49に出力する。
次に本実施例の動作について説明する。入力端子45に
加えられた入力信号はハイブリッド回路21により位相
が180度異なる2つの信号に分配されピンダイオード
25.27がオンのときにハイブリッド回路23に送ら
れる。ハイブリッド回路23はこれらの信号のうち一方
の信号の位相を180度反転させて合成するので結局2
つの信号の位相は合致したものとなりこれらの2つの信
号が合成されて出力端子49から出力される。
加えられた入力信号はハイブリッド回路21により位相
が180度異なる2つの信号に分配されピンダイオード
25.27がオンのときにハイブリッド回路23に送ら
れる。ハイブリッド回路23はこれらの信号のうち一方
の信号の位相を180度反転させて合成するので結局2
つの信号の位相は合致したものとなりこれらの2つの信
号が合成されて出力端子49から出力される。
しかしながらバイアス端子47に加えられるバイアス電
流はコンデンサ33.35を介してハイブリッド回路2
3に流れ込んだとしても2つの信号のうち一方が反転さ
れて合成されているので互いに打消され出力端子49か
ら出力されることはない。
流はコンデンサ33.35を介してハイブリッド回路2
3に流れ込んだとしても2つの信号のうち一方が反転さ
れて合成されているので互いに打消され出力端子49か
ら出力されることはない。
したがって本実施例ではバイアス電流が出力端子49に
漏れるのを防ぐことができる。
漏れるのを防ぐことができる。
第2図は本発明の第2の実施例に係るピンダイオードス
イッチの回路図を示すものでありこのピンダイオードス
イッチはS PDT型スイッチに本発明を実施したもの
である。すなわち1つの入力4こ対して2つの出力が得
られるものである。
イッチの回路図を示すものでありこのピンダイオードス
イッチはS PDT型スイッチに本発明を実施したもの
である。すなわち1つの入力4こ対して2つの出力が得
られるものである。
このピンダイオードスイッチは同図に示されるように位
相反転分配器としてのハイブリッド回路21位相反転合
成器としてのハイブリッド回路□23a、23bピンダ
イオード25 a + 27 a 。
相反転分配器としてのハイブリッド回路21位相反転合
成器としてのハイブリッド回路□23a、23bピンダ
イオード25 a + 27 a 。
25b、27bバイアス電流阻止用のコンデンサ33
a、 35 a、 33 b、 35 bおよび
チョークコイル41a、43a、41b、43b、37
゜39から成る。
a、 35 a、 33 b、 35 bおよび
チョークコイル41a、43a、41b、43b、37
゜39から成る。
このピンダイオードスイッチでは□ピンダイオード25
a、27aがオンのときにはピンダイオード25b、2
7bがオフとなり逆にビンダイオード25a、2?aが
オフのときにはピンダイオード25b、27bがオンに
なる。
a、27aがオンのときにはピンダイオード25b、2
7bがオフとなり逆にビンダイオード25a、2?aが
オフのときにはピンダイオード25b、27bがオンに
なる。
入力端子45に加えられた入力信号はハイブリッド回路
21により位相が180度異なる2つの信号に分配され
ピンダイオード25 a * 27 aがオンのとき
にはコンデンサ338.35aを介してハイブリッド回
路23aに伝えられる。ハイブリッド回路23aはこれ
らの信号のうちの一方の位相を180度反転させて合成
し出力端子49aに合成された信号が得られる。
21により位相が180度異なる2つの信号に分配され
ピンダイオード25 a * 27 aがオンのとき
にはコンデンサ338.35aを介してハイブリッド回
路23aに伝えられる。ハイブリッド回路23aはこれ
らの信号のうちの一方の位相を180度反転させて合成
し出力端子49aに合成された信号が得られる。
またピンダイオード25b、27bがオンのときには同
様にして出力端子49bに出力信号が得られる。
様にして出力端子49bに出力信号が得られる。
ここでバイアス端子47に加えられるバイアス電流はピ
ンダイオード25a、27aがオンのときにコンデンサ
33a、35aを介してハイブリ・fド回路23aに流
れ込んだとしても2つの信号のうち一力が反転されて合
成されるので互いに打消されて出力端子49aから出力
されることはない。
ンダイオード25a、27aがオンのときにコンデンサ
33a、35aを介してハイブリ・fド回路23aに流
れ込んだとしても2つの信号のうち一力が反転されて合
成されるので互いに打消されて出力端子49aから出力
されることはない。
同様にこのバイアス電流はピンダイオード25b、27
bがオンのときにコンデンサ33b。
bがオンのときにコンデンサ33b。
35bを介してハイブリッド回路23bに流れ込んだと
しても互いに打消されて出力端子49bから出力される
ことはない。
しても互いに打消されて出力端子49bから出力される
ことはない。
辱のように本実施例においてもバイアス電流が′出力端
子49a、49bに漏れることはない。
子49a、49bに漏れることはない。
、〔発明の効果〕
以上詳細に説明したように本発明によればビンダイオー
ド制御用のバイアス電流が漏れることのないピンダイオ
ードスイッチを提供することができる。
ド制御用のバイアス電流が漏れることのないピンダイオ
ードスイッチを提供することができる。
第1図は本発明の第1実施例に係るピンダイオードスイ
ッチの回路図、第2図は本発明の第2実施例に係るピン
ダイオードスイッチの回路図、第3図は従来のピンダイ
オードスイッチの回路図である。 21・・・ハイブリッド回路、25.27 r 25
a 。 27a、25b、27b−・・ピンダイオード、23゜
23a、23b・・・ハイブリッド回路。 第1図
ッチの回路図、第2図は本発明の第2実施例に係るピン
ダイオードスイッチの回路図、第3図は従来のピンダイ
オードスイッチの回路図である。 21・・・ハイブリッド回路、25.27 r 25
a 。 27a、25b、27b−・・ピンダイオード、23゜
23a、23b・・・ハイブリッド回路。 第1図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 入力信号を2分し1方の信号の位相を反転させて出力す
る位相反転分配器と、 前記2分された信号をバイアス回路のバイアス電圧に応
じてそれぞれオンオフ制御するピンダイオードと、 前記ピンダイオードの出力信号のうち1方の位相を反転
させて該2つの信号を合成する位相反転合成器と を具備することを特徴とするピンダイオードスイッチ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7985386A JPS62235815A (ja) | 1986-04-07 | 1986-04-07 | ピンダイオ−ドスイツチ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7985386A JPS62235815A (ja) | 1986-04-07 | 1986-04-07 | ピンダイオ−ドスイツチ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62235815A true JPS62235815A (ja) | 1987-10-16 |
Family
ID=13701753
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7985386A Pending JPS62235815A (ja) | 1986-04-07 | 1986-04-07 | ピンダイオ−ドスイツチ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62235815A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01123180A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-05-16 | New Japan Radio Co Ltd | 高周波パルス成形回路 |
JPH0245784A (ja) * | 1988-08-08 | 1990-02-15 | Mitsubishi Electric Corp | 後方散乱系数測定装置 |
JPH07318637A (ja) * | 1994-05-30 | 1995-12-08 | Nec Corp | レーダ装置 |
-
1986
- 1986-04-07 JP JP7985386A patent/JPS62235815A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01123180A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-05-16 | New Japan Radio Co Ltd | 高周波パルス成形回路 |
JPH0245784A (ja) * | 1988-08-08 | 1990-02-15 | Mitsubishi Electric Corp | 後方散乱系数測定装置 |
JPH07318637A (ja) * | 1994-05-30 | 1995-12-08 | Nec Corp | レーダ装置 |
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