JPS62234996A - 薄膜磁気トランスデユ−サ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は薄膜磁気トランスデユーサに関し。

さらに詳しくはＩＣカード等に内蔵される薄膜磁気にラ
ソフギー　−ｎ−Ｌｒ　Ｉ’ｔＬｌすＺ（従来の技術） 近年記憶しておきたい情報量の増加番こ伴ない。

磁気ストライプを貼付けたカードの代りにマイクロプロ
セッサを内蔵した。いわゆるＩＣカードと呼ばれるカー
ドが出現している。このカードにはマイクロプロセッサ
と一体で、あるいはまた別体でメモリ回路が設けられて
おり、このメモリ回路のメモリ内容はカードに設けられ
た端子と読み取り装置側に設けられた端子とを機械的に
接続することにより読み取られる。また、このような端
子同士の機械的接触を避けたものとして、ＩＣカードに
トロイダル状のコイルを内蔵させ、読み取り装置側にも
同様のコイルを配置してこれらコイル間での磁気結合を
利用して非接触に信号を授受することも行われている。

しかしながら、上述したＩＣカードにおいてはいずれも
専用のカード読み取り装置が必要であり。

磁気ストライプ付のカード（磁気カード）の読み取り装
置ではこのＩＣカードの記憶内容を読み取ることができ
ないという問題があった。

（発明が解決しようとする問題点） 上述したように従来のＩＣカードは磁気カード用の読み
取り装置ではカード内容を読み取ることができないとい
う問題があった。

本発明はこのような問題点を解決するためになされたも
ので、これをカードに内蔵させれば従来の磁気カード読
み取り装置でもカード中のメモリの内容を読み取ること
が可能となる薄膜磁気トランスデー−サを提供すること
を目的とする。

〔発明の構成〕

（問題点を解決するための手段） 本発明の薄膜磁気トランスデユーサは非磁性基板上条こ
形成されその一部に切欠部を有するリング状軟磁性膜と
、この軟磁性膜に巻回された薄膜コイルとを具備し、か
つ磁気ギャップとなる前記切欠部を、磁気ギャップがこ
の薄膜磁気トランスデー−サを内蔵するカードの長手方
向と直交する方向に対してある角度をなすように形成せ
しめたものである。

（作用） 本発明によれｊｆ、ａ気ギャップからの漏洩磁束を磁気
カード読み取り装置の再生ヘッドで検出することができ
る。従って、カード中のメモリの記憶内容を情報信号に
して薄膜コイルに流すことにより前記ヘッドにて非接触
でカードの記憶内容を読み取ることができる。さらに本
発明では磁気ギャップがカードの長手方向と直交する方
向に対装置との位置合せが多少ずれても、磁気ギャップ
として働＼（部分が拡大しているために十分読み取りが
可能である。また、これによりリング状軟磁性膜の径の
小形化を計ることができ、薄膜磁気トランスジユーサの
製造においても一つの基板から多くの薄膜磁気ト之ンス
デー−サを得ることができる。

（発明の実施例） 以下本発明になる薄膜磁気トランスデユーサの一実施例
につき説明する。

第１図は上記一実施例を示す斜視図であり、（１）は非
磁性基板、（２）は例えばＦｅＮｉのリング状軟磁性膜
である。この軟磁性膜（２）は真空薄膜形成技術により
形成することができる。また軟磁性膜（２）には切欠部
（３）が形成されており、この部分が磁気ギャップとな
る。この切欠部（３）については詳細を後述する。（４
）はＣｕ、ＡＪ等からなる薄膜コイルであり。

軟磁性膜（２）に複数回巻回されている。このコイル（
４）の両端部（４ａ）、　（４ｂ）は後述するようにＩ
Ｃカード（５）内の半導体メモリ（６）に接続されてい
る（第２図参照）。

第２図はＩＣカード（５）全体を示す斜視図であり。

このＩＣカード（５）はプラスチックカード（７）内に
マイクロプロセッサ（８）、半導体メモリ（６）、電池
（９）、第１図の薄膜磁気トランスデユーサｕ１を内蔵
している。なお、薄膜磁気トランスデユーサ（１［）の
コイル端子（４ａ）、　（４ｂ）は増幅器（図示せず）
等を介して半導体メモリ（６）の出力端子に接続されて
いる。また、マイクロプロセッサ（８）によりこのメモ
リ（６）はその入出力が制御される。

ここで薄膜磁気トランスジユーサαＣの切欠部（３）に
ついて詳述する。ＩＣカード（５）中の半導体メモリ（
６）の記憶内容を磁気カード読み取り装置の再生ヘッド
（第１図及び第２図の（１１）で示す）で読み取るため
に薄膜磁気トランスデー−サ０〔（正確にはその磁気ギ
ャップとなる切欠部（３））はカード読み取り装を側の
再生ヘッドαυの磁気ギャップと対向する位置に設定さ
れる。ところで、カート責７）の可とう性を考慮すると
、再生ヘッド住υと薄膜磁気トランスデユーサ部とのギ
ャップの位置合せ精度は０、Ｉ１１程度と考えられる。

従って、信号の授受を有効に行うためには薄膜磁気トラ
ンスデユーサ（１０１の磁気ギャップ長Ｇは０．１Ｂ程
度は必要となり、これは通常の磁気ヘッドと比較すると
かなり大きい。

よって、＠気ギャップ以外での磁束の漏洩を少なくする
目的から、磁路の内径を磁気ギャップ長の数１０倍ａＩ
式設ける必要があり、リング状軟磁性膜（２）の内径は
５鴎程度となってしまう。これは１枚の基板から取れる
薄膜磁気トランスデユーサ（１０）の数が通常の薄膜ヘ
ッドの数に比べて少なくなりてしまうことを意味する。

従って、この収率の悪さを改善するために本実施例では
薄膜磁気トランスデユーサαＱの磁気ギャップを再生ヘ
ッドαυのそれとはある角度θをなすように対向配置せ
しめている。これにより薄膜磁気トランスデユーサａ■
はその磁気ギャップとして働く範囲が等価的に拡大する
。従って、磁気ギャップ長Ｇを縮小することができ、リ
ング状軟磁性膜（２）の内径も縮小させることができる
。よって１枚の基板から得られる前記トランスデユーサ
α１の数量も向上する。

磁気カードの磁気ストライプはカードの長手方向と平行
に配置されており、このストライプを読み取るための再
生ヘッドαυのギャップはカードの長手方向と直交する
方向となる。従って、トランスデユーサｅｌｑｌはその
切欠部（３）が形成するギャップがカードの長手方向と
直交する方向とはある角度θをなすようにカート責力内
に配置される。

以上のようにしてメモリ（６）からの信号電流が流され
る薄膜コイル（４）により励磁され、切欠部（３）によ
る磁気ギャップから磁束が漏洩する薄膜磁気トランスデ
ユーサα０）を介して、再生ヘッド（ｌ旧まメモリ（６
）の内容を読み取ることができる。

第３図は本発明の他の実施例を示す要部斜視図である。

この実施例では先のリング状軟磁性膜（２）の切欠部（
３）に変更を加えている。すなわち１階段状の切欠部（
３）をリング状軟磁性膜（２）に形成している。なお、
他の部分は全く変わるところはなく記載を省略している
。このような切欠形状によっても、そのギャップ幅は等
価的に拡大し、もってギャップ長Ｇを縮小することがで
きる。従って、この場合もり／グ状軟磁性膜（２）の内
径を小さくでき。

薄膜磁気トランスデユーサの収率向上が図れる。

なお、上記２実施例においてはマイクロプロセッサを内
蔵したＩＣカードに本発明を適用した場合について説明
したが１本発明はこれに限られることなく、メモリ素子
のみを有するカード（いわゆるメモリカード）にも適用
可能である。さらに。

上記実施例ではマイクロプロセッサと半導体メモリとは
別体であったが、これは一体ｌこ構成されていても良い
ことは言うまでもない。

〔発明の効果〕

以上述べたように本発明によれば、カードに内蔵したと
き磁気カード用の読み取り装置でもカード内のメモリの
記憶内容を読み取ることができる。また、その製造にお
いても一枚の基板から多数得ることができ、有用である
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明になる薄膜磁気トランスデユーサの一実
施例を示す斜視図、第２図は第１図の薄膜磁気トランス
デユーサを内蔵したＩＣカードを示す斜視図であり、第
３図は本発明の他の実施例を示す要部斜視図である。 １・・・非磁性基板、　　　　２・・・リング状軟磁性
膜。 ３・・・切欠部、　　　　４・・・薄ｊ漠コイル。 ６・・・半導体メモリ、　　　７・・・プラスチックカ
ード。 代理人　弁理士　　則　近　憲　佑 ｈ　　　　　　　　　　　　　　七と　　偶ら　　　　
己Ｉ第１図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 少なくともメモリ機能を有する半導体集積回路と共に長
   方形のカードに内蔵される薄膜磁気トランスデューサで
   あって、 非磁性基板上に形成され、その一部に切欠部を有するリ
   ング状軟磁性膜と、この軟磁性膜に巻回された薄膜コイ
   ルとを具備し、磁気ギャップとなる前記切欠部を磁気ギ
   ャップがカードの長手方向と直交する方向に対してある
   角度をなすように形成したことを特徴とする薄膜磁気ト
   ランスデューサ。