JPS62234371A - 低インダクタンス配線体 - Google Patents
低インダクタンス配線体Info
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- JPS62234371A JPS62234371A JP62058684A JP5868487A JPS62234371A JP S62234371 A JPS62234371 A JP S62234371A JP 62058684 A JP62058684 A JP 62058684A JP 5868487 A JP5868487 A JP 5868487A JP S62234371 A JPS62234371 A JP S62234371A
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- Japan
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- rail
- circuit
- active semiconductor
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- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 24
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 10
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/003—Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/04—Modifications for accelerating switching
- H03K17/0403—Modifications for accelerating switching in thyristor switches
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Thyristors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、共通な構成要素を持つ複数の電流回路からな
りモジュール構成様式（二組み立てられた高速の回路装
置のための複数の電流レールを備え、これらの電流レー
ルは互いに層を成しそれぞれ絶縁体により互いに電気的
（：分離されている低インダクタンス配線体に関する。
りモジュール構成様式（二組み立てられた高速の回路装
置のための複数の電流レールを備え、これらの電流レー
ルは互いに層を成しそれぞれ絶縁体により互いに電気的
（：分離されている低インダクタンス配線体に関する。
西独特許第３４２０５３５ ＡＩ号明細書から、能動半
導体スイッチ要素とダイオードとの並列回路を備えた高
速の回路装置のための半導体モジュールが知られている
。能動半導体スイッチ素子とダイオードとは直接ｆ二近
接して配置されており、負荷点に対して同じ方向に通電
される。能動半導体スイッチ素子およびダイオードはそ
れぞれの電流回路の構成要素である。両電流回路は共通
な構成要素（：よって互いに関連する。電源電圧と共通
な構成要素のための端子は、それぞれ絶縁体く：よって
互いＣ：電気的に分離された３つの重ねられた導体層か
ら構成され、これらの導体層は直接に能動半導体スイッ
チ素子およびダイオードに近接配置されている。それに
より、スイッチング過程における願わしくない電圧スパ
イクが抑制ないし制動される。
導体スイッチ要素とダイオードとの並列回路を備えた高
速の回路装置のための半導体モジュールが知られている
。能動半導体スイッチ素子とダイオードとは直接ｆ二近
接して配置されており、負荷点に対して同じ方向に通電
される。能動半導体スイッチ素子およびダイオードはそ
れぞれの電流回路の構成要素である。両電流回路は共通
な構成要素（：よって互いに関連する。電源電圧と共通
な構成要素のための端子は、それぞれ絶縁体く：よって
互いＣ：電気的に分離された３つの重ねられた導体層か
ら構成され、これらの導体層は直接に能動半導体スイッ
チ素子およびダイオードに近接配置されている。それに
より、スイッチング過程における願わしくない電圧スパ
イクが抑制ないし制動される。
本発明の目的は、複数の互いに関連する電流回路からな
る高速の回路装置のために、低い固有インダクタンスを
有する配線体を提供することにある。
る高速の回路装置のために、低い固有インダクタンスを
有する配線体を提供することにある。
上記目的は本発明によれば、ｎ個の電流回路に対して、
該電流回路の構成要素を互いに接続する少な（ともｎ＋
１個の電流レールを設け、外側の両電流レールを互い（
−導電接続すること４；よって達成される。
該電流回路の構成要素を互いに接続する少な（ともｎ＋
１個の電流レールを設け、外側の両電流レールを互い（
−導電接続すること４；よって達成される。
本発明による低インダクタンス配線体（＝おいては、高
速の回路装置のｎ個の互い１：関連した電流回路のため
に、ｎ＋１個の電流レールが層を成して重ねられ、それ
ぞれ絶縁体によって互いに電気的に分離され、外側の電
流レールが直接（＝電気接続されている。それによって
、ｎ個の電流回路のそれぞれは、狭く近接し且つそれぞ
れ電流回路の該当構成要素を接続する電流レールからな
る２重レールを持ち、２重レールの間隙の幅はそれぞれ
等しい大きさである。各２重レールの固有インダクタン
スは、電流レールの幅拡張によって電流レールの所定の
絶縁距離および長さにおいて任意に減らすことができる
。したがって、ｎ個の互いに関連した電流回路からなる
高速の回路装置のためのｎ＋１個の電流レールを備えた
非常に低い固有インダクタンスの配線体が得られる。外
側の電流レールが同じ電位を有することによって、回路
装置の機械的構造も簡単になり、また絶縁コストも僅か
になる。
速の回路装置のｎ個の互い１：関連した電流回路のため
に、ｎ＋１個の電流レールが層を成して重ねられ、それ
ぞれ絶縁体によって互いに電気的に分離され、外側の電
流レールが直接（＝電気接続されている。それによって
、ｎ個の電流回路のそれぞれは、狭く近接し且つそれぞ
れ電流回路の該当構成要素を接続する電流レールからな
る２重レールを持ち、２重レールの間隙の幅はそれぞれ
等しい大きさである。各２重レールの固有インダクタン
スは、電流レールの幅拡張によって電流レールの所定の
絶縁距離および長さにおいて任意に減らすことができる
。したがって、ｎ個の互いに関連した電流回路からなる
高速の回路装置のためのｎ＋１個の電流レールを備えた
非常に低い固有インダクタンスの配線体が得られる。外
側の電流レールが同じ電位を有することによって、回路
装置の機械的構造も簡単になり、また絶縁コストも僅か
になる。
以下、図面を参照しながら本発明を実施例（二ついて更
に詳細に説明する。
に詳細に説明する。
第２図は３つの電流回路を備えた回路装置を示し、第１
図は第２図の回路装置の機械的構造を示す。
図は第２図の回路装置の機械的構造を示す。
第２図には、高速の回路装置２、例えば３つの互いに関
連した電流回路４，６．８からなるインバータの一相分
の構成ブロックが示されている。
連した電流回路４，６．８からなるインバータの一相分
の構成ブロックが示されている。
個々の電流回路４，６．８はそれぞれ１つまたは複数の
構成要素を介して互い１：結合している。電流回路４は
、例えばサイリスタ、とりわけＧＴＯサイリスタ（ゲー
トターンオフサイリスタ）である能動半導体スイッチ素
子ｌＯと、２つのコンデンサ１２．１４と、ダイオード
１６とを含む。コンデンサ１２．１４とダイオード１６
とは能動半導体スイッチ素子１０のスナバ回路要素であ
る。
構成要素を介して互い１：結合している。電流回路４は
、例えばサイリスタ、とりわけＧＴＯサイリスタ（ゲー
トターンオフサイリスタ）である能動半導体スイッチ素
子ｌＯと、２つのコンデンサ１２．１４と、ダイオード
１６とを含む。コンデンサ１２．１４とダイオード１６
とは能動半導体スイッチ素子１０のスナバ回路要素であ
る。
電流回路６は、能動半導体スイッチ素子１８とダイオー
ド２０とコンデンサ】２とを含む。能動半動体スイッチ
素子】８はサイリスタであってもよいし、ＧＴＯサイリ
スタであってもよい。第３の電流回路８は両能動半導体
スイッチ素子１０．１８と両ダイオード１６．２０とコ
ンデンサ１４とン含む。更に、両能動半導体スイッチ素
子１０．１８はそれぞれフリーホイーリングダイオー２
２．２４を備えており、これらのダイオードは能動半導
体スイッチ素子１０．１８ｉ：、逆並列接続されている
。例えば４象限インバータの相構成ブロックである本回
路装置２は、図を分り易くするため図示を省略されてい
る直流電圧中間回路の正極、負極とそれぞれ端子Ｐ、Ｎ
により接続されている。
ド２０とコンデンサ】２とを含む。能動半動体スイッチ
素子】８はサイリスタであってもよいし、ＧＴＯサイリ
スタであってもよい。第３の電流回路８は両能動半導体
スイッチ素子１０．１８と両ダイオード１６．２０とコ
ンデンサ１４とン含む。更に、両能動半導体スイッチ素
子１０．１８はそれぞれフリーホイーリングダイオー２
２．２４を備えており、これらのダイオードは能動半導
体スイッチ素子１０．１８ｉ：、逆並列接続されている
。例えば４象限インバータの相構成ブロックである本回
路装置２は、図を分り易くするため図示を省略されてい
る直流電圧中間回路の正極、負極とそれぞれ端子Ｐ、Ｎ
により接続されている。
第１図は第２図による回路装置２の機械的構造を示す。
能動半導体スイッチ素子１０は２つの冷却体２６．２８
間に配置されており、また能動半導体スイッチ素子１８
は２つの冷却体３０．３２間に配置されている。第２図
（＝よる回路装置２にしたがって冷却体２８および３０
は同じ電位、即ち端子、Ｌの電位にある。それ（＝よっ
て、能動半導体スイッチ素子１０のカソードは電流レー
ル３４Ｃ：より能動半導体スイッチ素子１８のアノード
と接続されている。冷却体２６の電位は第２図（；よる
回路装置２の端子Ｐの電位に対応し、冷却体３２の電位
は回路装置２の端子Ｎの電位に対応する。
間に配置されており、また能動半導体スイッチ素子１８
は２つの冷却体３０．３２間に配置されている。第２図
（＝よる回路装置２にしたがって冷却体２８および３０
は同じ電位、即ち端子、Ｌの電位にある。それ（＝よっ
て、能動半導体スイッチ素子１０のカソードは電流レー
ル３４Ｃ：より能動半導体スイッチ素子１８のアノード
と接続されている。冷却体２６の電位は第２図（；よる
回路装置２の端子Ｐの電位に対応し、冷却体３２の電位
は回路装置２の端子Ｎの電位に対応する。
能動半導体スイッチ素子１０．１８は、配線体３６（二
より第２図による回路装置２にしたがってスナバ回路要
素と接続されている。配線体３６としては、それぞれ絶
縁体３８によって互い（二電気的に分離された層構造の
複数の電流レール４０，４２．４４および４６が設けら
れている。互いに関連する電流回路がｎ個の場合Ｃ二は
少なくともｎ＋１個の電流レールが用意される。第２図
１＝よれば回路袋Ｒ２は３つの関連した電流回路４，６
．８からなる。したがって、配線体３６は、それぞれ絶
縁体３８によって互い１；電気的に分離された層構造の
４つの電流レール４０，４２，４４および４６を持つ。
より第２図による回路装置２にしたがってスナバ回路要
素と接続されている。配線体３６としては、それぞれ絶
縁体３８によって互い（二電気的に分離された層構造の
複数の電流レール４０，４２．４４および４６が設けら
れている。互いに関連する電流回路がｎ個の場合Ｃ二は
少なくともｎ＋１個の電流レールが用意される。第２図
１＝よれば回路袋Ｒ２は３つの関連した電流回路４，６
．８からなる。したがって、配線体３６は、それぞれ絶
縁体３８によって互い１；電気的に分離された層構造の
４つの電流レール４０，４２，４４および４６を持つ。
外側の両電流レール４４および４６は直接（；装ｆｉｌ
ｌｊ４８により互いに導電接続されている。
ｌｊ４８により互いに導電接続されている。
装置４８として湾曲導電金具を設けることができ、これ
は外側の両電流レール４４および４６とのみ導電接続さ
れている。
は外側の両電流レール４４および４６とのみ導電接続さ
れている。
電流レール４０は能動半導体スイッチ素子１０のアノー
ド端子５０ｔコンデンサ１４を介してダイオード１６の
アノード端子５２と接続する。このダイオード１６のカ
ソード端子５４は電流レール４２によりコンデンサ１２
を介して能動半導体スイッチ素子ｌＯのカソード端子５
６もしくは能動半導体スイッチ素子１８のアノード端子
５８と接続される。両電流レール４ｏおよび４２は狭い
間隔で隣接して平行に通り、絶縁体３８によって互いに
電気的に分離されている。この２重レールの固有インダ
クタンスは電流レールの所定長ｌおよび所定絶縁距離ａ
において電流レール幅すによって定められる。２重レー
ルの固有インダクタンスはほぼｔ Ｘ ａ ／ｂ Ｃ比
例することが知られている。したがって、電流レール幅
すの増大により固有インダクタンスを低減することがで
きる。２重レールの両電流レール間の沿面距離は、絶縁
体３８の幅を電流レールの幅すよりも大きくすること（
；よって増大させることができる。回路装置２、特に電
流回路６によれば、能動半導体スイッチ素子１８のカソ
ード端子６ｏが電流レール４４により直接にダイオード
２０のカソード端子６２に接続されている。両カンード
端子６０および６２は同じ電位を持つのでダイオード２
０は冷却体３２（：取９付げられている。ダイオード２
０のアノード端子６４は電流レール４２によりコンデン
サ１２を介して能動半導体スイッチ素子１８のアノード
端子５８（＝接続されている。この電流回路６の場合Ｃ
；も電流レーに４２および４４が２重レールを形成して
おり、電流レール４２および４４は狭い間隔で隣接して
絶縁体３８（：よって互いに電気的に分離されている。
ド端子５０ｔコンデンサ１４を介してダイオード１６の
アノード端子５２と接続する。このダイオード１６のカ
ソード端子５４は電流レール４２によりコンデンサ１２
を介して能動半導体スイッチ素子ｌＯのカソード端子５
６もしくは能動半導体スイッチ素子１８のアノード端子
５８と接続される。両電流レール４ｏおよび４２は狭い
間隔で隣接して平行に通り、絶縁体３８によって互いに
電気的に分離されている。この２重レールの固有インダ
クタンスは電流レールの所定長ｌおよび所定絶縁距離ａ
において電流レール幅すによって定められる。２重レー
ルの固有インダクタンスはほぼｔ Ｘ ａ ／ｂ Ｃ比
例することが知られている。したがって、電流レール幅
すの増大により固有インダクタンスを低減することがで
きる。２重レールの両電流レール間の沿面距離は、絶縁
体３８の幅を電流レールの幅すよりも大きくすること（
；よって増大させることができる。回路装置２、特に電
流回路６によれば、能動半導体スイッチ素子１８のカソ
ード端子６ｏが電流レール４４により直接にダイオード
２０のカソード端子６２に接続されている。両カンード
端子６０および６２は同じ電位を持つのでダイオード２
０は冷却体３２（：取９付げられている。ダイオード２
０のアノード端子６４は電流レール４２によりコンデン
サ１２を介して能動半導体スイッチ素子１８のアノード
端子５８（＝接続されている。この電流回路６の場合Ｃ
；も電流レーに４２および４４が２重レールを形成して
おり、電流レール４２および４４は狭い間隔で隣接して
絶縁体３８（：よって互いに電気的に分離されている。
第２図１−よる電流回路８（：したがって能動半導体ス
イッチ素子１０のカソード端子５６は電流レール３４に
より能動半導体スイッチ素子］８のアノード端子５８と
接続されている。この能動半導体スイッチ素子１８のカ
ソード端子６０は電流レール４４によりダイオード２゜
のカソード端子６２と接続され、ダイオード２θのアノ
ード端子６４はダイオード１６のカソード端子５４と間
接的Ｃ；接続されている。このダイオード１６のアノー
ド端子５２は電流レール４０ｃ：よりコンデンサ１４を
介して能動半導体スイッチ素子１０のアノード端子５０
と接続されている。
イッチ素子１０のカソード端子５６は電流レール３４に
より能動半導体スイッチ素子］８のアノード端子５８と
接続されている。この能動半導体スイッチ素子１８のカ
ソード端子６０は電流レール４４によりダイオード２゜
のカソード端子６２と接続され、ダイオード２θのアノ
ード端子６４はダイオード１６のカソード端子５４と間
接的Ｃ；接続されている。このダイオード１６のアノー
ド端子５２は電流レール４０ｃ：よりコンデンサ１４を
介して能動半導体スイッチ素子１０のアノード端子５０
と接続されている。
電流レール４０．４４は同様に２重レールを形成する。
両電流レール４０．４４間の中央に電流レール４２が配
置されている。電流レール４０，４２．４４はそれぞれ
絶縁体３８により電気的に互いに分離されている。した
がって、電流回路８の２重レールの電流レール４０．４
４間の間隔は、電流回路４の２重レールの電流レール４
０．４２間の間隔もしくは電流回路６の２重レールの４
２および４４間の間隔の２倍の大きさである。それによ
り、この電流回路８の２重レールの固有インダクタンス
は電流レール４もしくは６の２重レールの固有インダク
タンスの２倍の大きさである。電流回路８の２重レール
も電流回路４もしくは６の電流レールと同じ間隔を持つ
よ５Ｉニするために、第４の電流レール４６が電流【／
−ル４０上（二重ねられ、電流レール４０および４６は
絶縁体３８によって互いに電気的に分離されている。更
（：、この第４の電流レール４６は装置４８により電流
レール４４と導電接続されている。それにより各電流回
路４，６．８のための２重レールの幾何学的寸法が同じ
になり、それにより個々の２重レールの固有インダクタ
ンスが同じになる。したがって、多数の関連し合う電流
回路４，６．８を備えた高速の回路装置２のための非常
に低い固有インダクタンスの配線体３６が得られる。配
線体３６の外側の電流レール４４．４６は同じ電位を持
つので、回路装置２の機械的構造が簡単になり、かつ絶
縁コストが低減される。
置されている。電流レール４０，４２．４４はそれぞれ
絶縁体３８により電気的に互いに分離されている。した
がって、電流回路８の２重レールの電流レール４０．４
４間の間隔は、電流回路４の２重レールの電流レール４
０．４２間の間隔もしくは電流回路６の２重レールの４
２および４４間の間隔の２倍の大きさである。それによ
り、この電流回路８の２重レールの固有インダクタンス
は電流レール４もしくは６の２重レールの固有インダク
タンスの２倍の大きさである。電流回路８の２重レール
も電流回路４もしくは６の電流レールと同じ間隔を持つ
よ５Ｉニするために、第４の電流レール４６が電流【／
−ル４０上（二重ねられ、電流レール４０および４６は
絶縁体３８によって互いに電気的に分離されている。更
（：、この第４の電流レール４６は装置４８により電流
レール４４と導電接続されている。それにより各電流回
路４，６．８のための２重レールの幾何学的寸法が同じ
になり、それにより個々の２重レールの固有インダクタ
ンスが同じになる。したがって、多数の関連し合う電流
回路４，６．８を備えた高速の回路装置２のための非常
に低い固有インダクタンスの配線体３６が得られる。配
線体３６の外側の電流レール４４．４６は同じ電位を持
つので、回路装置２の機械的構造が簡単になり、かつ絶
縁コストが低減される。
第２図による回路装置２の機械的構造の有利な実施形態
（＝おいては、能動半導体スイッチ素子１０および１８
が、接続要素として直線状Ｃ：伸ばされた配線体３６が
設けられるよう（−空間的（：コンデンサ１２．１４お
よびダイオード１６．２０の如きスナバ回路要素と分離
配置されている。それＣ：より、配線体３６の製作およ
び回路装置２の組立が簡単になる。更に、電流レー／ｌ
／４０，４２．４４はスナバ回路要素のための冷却面と
して用意することもできる。更に、電流レール４０，４
２．４４および４６を運転電流供給のために使用するこ
ともできる。
（＝おいては、能動半導体スイッチ素子１０および１８
が、接続要素として直線状Ｃ：伸ばされた配線体３６が
設けられるよう（−空間的（：コンデンサ１２．１４お
よびダイオード１６．２０の如きスナバ回路要素と分離
配置されている。それＣ：より、配線体３６の製作およ
び回路装置２の組立が簡単になる。更に、電流レー／ｌ
／４０，４２．４４はスナバ回路要素のための冷却面と
して用意することもできる。更に、電流レール４０，４
２．４４および４６を運転電流供給のために使用するこ
ともできる。
以上のように、本発明によれば、ｎ個の電流回路に対し
て、該電流回路を互いに接続する少な（ともｎ＋１個の
電流レールを設け、外側の両電流レールを互いに導電接
続することによって、多数の互いに関連する電流回路か
らなる回路装置のために、低い固有インダクタンスを有
する配線体を提供することができる。
て、該電流回路を互いに接続する少な（ともｎ＋１個の
電流レールを設け、外側の両電流レールを互いに導電接
続することによって、多数の互いに関連する電流回路か
らなる回路装置のために、低い固有インダクタンスを有
する配線体を提供することができる。
第１図は本発明の実施例の機械的構造図、第２図は第１
図で使用された回路装置の電気回路図である。 ２・・・回路装ｆ（インバータの一相分構成ブロック）
、 ４，６．８・・・電流回路、 １０．１８・・・能
動半導体スイッチ素子、 １２．１４・・・ コンデ
ンサ、 １６．２０・・・ダイオード、 ２２．２
４・・・７リーホイーリングダイオード、 ２６，２
８，３０゜３２…冷却体、 ３４，４０，４２，４４
，４６・・・電流レール、 ３６・・・配線体、
３８・・・絶縁体。
図で使用された回路装置の電気回路図である。 ２・・・回路装ｆ（インバータの一相分構成ブロック）
、 ４，６．８・・・電流回路、 １０．１８・・・能
動半導体スイッチ素子、 １２．１４・・・ コンデ
ンサ、 １６．２０・・・ダイオード、 ２２．２
４・・・７リーホイーリングダイオード、 ２６，２
８，３０゜３２…冷却体、 ３４，４０，４２，４４
，４６・・・電流レール、 ３６・・・配線体、
３８・・・絶縁体。
Claims (1)
- １）共通な構成要素を持つ複数の電流回路（４、６、８
）からなりモジュール構成様式に組み立てられた高速の
回路装置（２）のための複数の電流レール（４０、４２
、４４、４６）を備え、これらの電流レールは互いに層
を成しそれぞれ絶縁体（３８）により互いに電気的に分
離され、ｎ個の電流回路（４、６、８）に対して該電流
回路を互いに接続する少なくともｎ＋１個の電流レール
（４０、４２、４４、４６）を設け、外側の両電流レー
ル（４４、４６）を互いに導電接続したことを特徴とす
る低インダクタンス配線体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3609065.4 | 1986-03-18 | ||
| DE19863609065 DE3609065A1 (de) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | Niederinduktive verschienung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62234371A true JPS62234371A (ja) | 1987-10-14 |
Family
ID=6296669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62058684A Pending JPS62234371A (ja) | 1986-03-18 | 1987-03-13 | 低インダクタンス配線体 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4809153A (ja) |
| JP (1) | JPS62234371A (ja) |
| CH (1) | CH674434A5 (ja) |
| DE (1) | DE3609065A1 (ja) |
| FI (1) | FI87855C (ja) |
Families Citing this family (21)
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|---|---|---|---|---|
| US5053920A (en) * | 1989-06-09 | 1991-10-01 | Digital Equipment Corporation | Integrated power conversion |
| US4943890A (en) * | 1989-07-19 | 1990-07-24 | Benshaw, Inc. | Solid state motor starter |
| WO1991009460A1 (en) * | 1989-12-20 | 1991-06-27 | Sundstrand Corporation | Low inductance converter phase assembly |
| GB2242580B (en) * | 1990-03-30 | 1994-06-15 | Mitsubishi Electric Corp | Inverter unit with improved bus-plate configuration |
| DE4023687C2 (de) * | 1990-07-26 | 2000-09-07 | Abb Schweiz Ag | Stromrichteranordnung |
| US5172310A (en) * | 1991-07-10 | 1992-12-15 | U.S. Windpower, Inc. | Low impedance bus for power electronics |
| US5579217A (en) * | 1991-07-10 | 1996-11-26 | Kenetech Windpower, Inc. | Laminated bus assembly and coupling apparatus for a high power electrical switching converter |
| US5337214A (en) * | 1993-05-03 | 1994-08-09 | Eaton Corporation | Bypass contactor for solid state motor starters |
| DE4314634A1 (de) * | 1993-05-04 | 1994-11-10 | Abb Patent Gmbh | Stromschienensystem |
| US5422440A (en) * | 1993-06-08 | 1995-06-06 | Rem Technologies, Inc. | Low inductance bus bar arrangement for high power inverters |
| US5530414A (en) * | 1993-09-15 | 1996-06-25 | Saftronics, Inc. | Switching accessory for use with motor starters |
| DE9403108U1 (de) * | 1994-02-24 | 1994-04-14 | Siemens Ag | Niederinduktive Hochstromverschienung für Stromrichtermodule |
| DE19512679C1 (de) * | 1995-04-07 | 1996-11-21 | Abb Management Ag | Stromleiteranordnung |
| US5808240A (en) * | 1996-05-24 | 1998-09-15 | Otis Elevator Company | Low-inductance planar bus arrangement |
| DE19717550A1 (de) * | 1997-04-25 | 1998-10-29 | Abb Daimler Benz Transp | Flaches Stromschienenpaket für ein Stromrichtergerät |
| DE19851161A1 (de) * | 1998-11-06 | 2000-05-11 | Abb Daimler Benz Transp | Stromrichtergerät mit Gleich- und Wechselspannungsverschienung |
| US6538878B1 (en) * | 1999-02-22 | 2003-03-25 | World Properties, Inc. | Bus bar assembly |
| DE10037970A1 (de) | 2000-08-03 | 2002-03-07 | Siemens Ag | Niederinduktive Verschienung für einen Matrixumrichter |
| DE10109548B4 (de) * | 2001-02-28 | 2005-08-04 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung zum Schalten von Strömen |
| DE10161178A1 (de) * | 2001-12-13 | 2003-07-10 | Aloys Wobben | Wechselrichter |
| US7580247B1 (en) | 2008-04-10 | 2009-08-25 | Dave Pearson | Double bus bar load center |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE88924C (ja) * | ||||
| US2439471A (en) * | 1942-08-27 | 1948-04-13 | Square D Co | Conductor arrangement for current distribution |
| NL202113A (ja) * | 1954-03-05 | |||
| DE1107305B (de) * | 1959-07-03 | 1961-05-25 | Philips Nv | Anschlussanordnung fuer eine aus duennen Metallstreifen bestehende Leitung fuer Hochfrequenzstroeme |
| US3466382A (en) * | 1968-02-29 | 1969-09-09 | Sperry Rand Corp | Controlled impedance bus bar |
| FR2196101A5 (ja) * | 1972-08-08 | 1974-03-08 | Elfverson Goran | |
| FR2201612B1 (ja) * | 1972-10-03 | 1976-10-29 | Cem Comp Electro Mec | |
| AT323288B (de) * | 1973-02-15 | 1975-07-10 | Siemens Ag | Luftgekuhlter stromrichtersatz |
| DE2317117A1 (de) * | 1973-04-05 | 1974-10-17 | Siemens Ag | Hochleistungsstromrichter |
| NZ179410A (en) * | 1975-12-01 | 1978-03-06 | John Brian Hennessy | Carcase fat depth photoelectric measuring probe |
| DE2808833C2 (de) * | 1978-03-01 | 1985-10-24 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Gedruckte Schaltung, insbesondere Folienverdrahtung |
| JPS5968958A (ja) * | 1982-10-12 | 1984-04-19 | Mitsubishi Electric Corp | ゲ−トタ−ンオフサイリスタ組立体 |
| US4603345A (en) * | 1984-03-19 | 1986-07-29 | Trilogy Computer Development Partners, Ltd. | Module construction for semiconductor chip |
| DE3420535C2 (de) * | 1984-06-01 | 1986-04-30 | Anton Piller GmbH & Co KG, 3360 Osterode | Halbleiter-Modul für eine schnelle Schaltanordnung |
-
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