JPS62230319A - 変圧器保護用比率差動継電器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分骨） 本発明は変圧器の内部故障を検出し、変圧器を保護する
ための比率差動継電器で、特に変圧器投入時の励磁突入
電流による不必要動作を防止する機能をもった変圧器保
護用比率差動継電器に関する。

（従来の技術） 変圧器の入力電流と出力電流の差の電流を検出し、この
差電流と変圧器の人、出力電流の和の電流との比が一定
の値以上であるか否かによって変圧器の内部故障を検出
する比率差動継電器があり、これが動作すると遮断器を
トリップして変圧器を系統から切り離すようにしている
。ところが、変圧器を無負荷状態で遮断器を投入し電源
に接続（いわゆる、無負荷投入）すると変圧器定格電流
の数倍ないし士数倍の電流をピーク値とし時間の経過と
ともに漸減するような励磁突入電流が入力側に流入し１
．出力側電流は零となる。また励磁突入電流の大きさと
波形は遮断器投入時の系統電圧番こ対する位相角番こよ
って変化することが知られている。

このため励磁突入電流の全部が差電流となり比率差動継
電器はその原理上動作し、遮断器をトリップする。この
現象は変圧器特有の現象であり異常現象ではないが変圧
器運転上好ましくない現象であり、従来より励磁突入電
流による比率差動継電器の不必要動作を防止する数種類
の方法が実施されている。その方法の一つに励磁突入電
流の波形に着目し、この電流が第２高調波電流の含有率
が高いことを検出して継電器の動作を防止するものがあ
り、第４図に一つの実施例を示す６＄４図は三相２巻線
変圧器の保護を対象とした従来の第２高調波抑制付比率
差動継電器で、静止形継電器として構成した場合の一例
であり、三相中の一相分が示されているが残りの二相分
も同一構成となる。本図について説明すると、（２１）
は遮断器、（２２）は変圧器、（２６）は変圧器の負荷
である。変流器（以下ｅＴという）（２５）、（２４）
は第２高調波抑制付比率差動継電器（以下ＲＤ　ｆ　Ｒ
７という）　（２５）に接続されＲＤｒＲｙ（２５）に
変圧器（２２）の−次側電流（工１０）、および二次側
電流（Ｉ２０）を適当な値（工１、Ｉ２）に変換して供
給している。なおＣＴ　（２３）、（２４）はそれぞれ
変圧器（２２）の−次定格電流、および二次定格電流の
値に見合った変流比が選ばれている。（２５ａ）〜（２
５ｒ）はＲＤ　ｆ　Ｒｙ（２５）の構成部分であり、補
助ＣＴ　（２５ａ）　　と抵抗（２５ｃ）により入力電
流１１をこれに比例した電圧ｖ１ニ、ｔ　ｆ：、　補助
Ｃ’ｒ（２５ｂ）　オヨヒ抵抗（２５ｃ）により入力電
流工２をこれに比例した電圧ｖ２にそれぞれ変換する。

変換された電圧ｖ１、ｖ２はそれぞれ和回路（２５ｅ　
）および差回路（２５ｆ）に導かれ和回路（２５６）で
は入力電流のスカラ和であるｌＩＨ工１に比例した信号
を出力し、差回路（２５ｆ）では入力電流のベクトル差
の絶対値である一１ｌ−Ｉｚｉ＝ｌＩａｊに比例した信
号を出力し、これらを比率検出回路（２５ｇ）に導き、
これらの比が一定の基準値にたとえば０．３５（３５％
）より大きいか否かを検出し０．６５より大きい場合は
ハイレベル（以下Ｈという）出力信号を、また０、６５
以下の場合はローレベル（以下りという）出力信号を出
し、Ｈ出力信号のとき補助リレー駆動回路（以下Ｒｙ駆
動回路という）（２５２）がスイッチング動作して補助
リレーＴＸ（２５ｍ）が動作しそのａ接点（２５ｎ）を
閉路する。

差回路（２５ｆ）の出力はまた第２高調波フイルタ（２
５ｈ）と基本波フィルタ（２５ｊ）に導かれ、ベクトル
差電流１工ｄｌの中の＃！２高調波電流（以下Ｉｄｆｚ
という）に比例した蝋と基本波電流（以下Ｉｄｆ１とい
う）に比例した量をそれぞれ抽出し、第２高調波含有率
判定回路（２５ｋ）によってこれらの比Ｉｄｆ２／Ｉｄ
ｆ１が一定の基準値にたとえば０．１５（１５％）より
小さいか否かが検出され、Ｉｄｆｚ／Ｉｄｆ１が、０．
１５より小さいとき第２高調波含有率判定回路（２５ｋ
）はＨ出力信号を、０．１５より大きいときまたはＩｄ
ｆｚ、Ｉｄｆｌが共に零のときはＬ出力信号を出し、Ｈ
出力信号のときＲＹ駆動回路（２５ｐ）がスイッチング
動作し、補助リレーｓ　ｕ　（２５ｇ）が動作しそのａ
接点（２５ｒ）を閉路する。補助リレーＴＸのａ接点（
２５ｎ）と補助りＬ／−８Ｕのａ接点（２５ｒ）はｎｎ
ｒｎｙ　（２５）の内部で直列に接続され、これら２つ
の接点が同時に閉路したとき遮断器をトリップさせるよ
う構成されている。また三相各相のＲＤｆＲｙ（２５）
の出力接点の関係は第５図のように、人相、Ｂ相、Ｃ相
の各相が並列に接続され、三相中いずれかの相のＲＤｆ
Ｒｙが遮断器トリップ条件を満足すれば遮断器をトリッ
プするよう構成されている。

次にこの構成において、変圧器が平常運転中の場合、変
圧器内部に故障が発生した場合、および変圧器に励磁突
入電流が流れる場合の応励についてそれぞれ説明する。

（１）変圧器が平常運転中の場合 この場合変圧器（２２）の二次側には負荷電流Ｉ２０が
流れ、−次側にはその電圧比に逆比例した電流工１０が
流れる。ＣＴ（２り）、（２４）は前述のとおり変圧器
（２２）の−次、二次の定格電流に見合った変流比が選
ばれているため、それらの二次電流１１と工２は等しい
。したがって和回路（２５６）の出力は１工１１＋１工
２１＝１２工１１に比例した出力を出すが、差回路（２
５ｆ）はＩＩｄｌ＝１１１−Ｉ２１＝０　　であるから
比率検出回路（２５ｇ）では となり比率が基準値０．６５以下であるのでＬ出力信号
を出し、Ｒｙ駆動回路（２５１）は不動作、したがって
補助リレーＴＸは不動作でそのａ接点（２５ｎ）は開路
状態である。−力差電流Ｉｄが零であるため第２高調波
フイルタ（２５ｈ）の抽出量Ｉｄｆｚは零、基本波フィ
ルタ（２５ｊ　）の抽出量Ｉｄｆ１も零となり、第２高
調波含有率検出回路（２５ｋ）の出力信号はＬでＲｙ駆
動回路（２５ｐ）は不動作、したがって補助リレー８Ｕ
（２５ｇ）は不動作でそのａ接点（２５ｒ　）も開路状
態であり、遮断器トリップ指令は出ない。

（２１変圧器内部に故障が発生した場合この場合、変圧
器（２２）の−次電流１１０が増加し、二次電流Ｉ２０
が減少するためＣＴ　（２３）、（２４）の二次電流は
１１＞Ｉ２の状態になる。仮に工１が３Ａ、Ｉ２が１．
２人とすれば和回路（２５ｅ）　　の出力はｌ１１１＋
１Ｉ２１＝　３Ａ＋　１．２Ａ　＝　４．２Ａ　に比例
したものとなり差回路（２５ｆ）の出力は１ｚａｌ＝１
工１−Ｉ２１＝３人−１，２Ａ　＝　１．８Ａ　ｔこ比
例したものとなるため比率検出回路（２５ｇ　）でこれ
らの比を判定するとでこれは基準値０．３５より大とな
って回路（２５ｇ）はＨ出力信号を出す。一方変圧器内
部故障時の第２高調波の含有率は低く基本波を１００％
とすると一般には１０％程度であり、第２高調波含有率
検出回路（２５ｋ）の基準値０．１５より小さいため、
Ｈ出力信号を出す。したがって補助リレーＴＸ（２５ｍ
）および８Ｕ（２５ｇ）は動作しそれぞれの接点（２５
ｎ）、（２５ｒ）は閉路して遮断器トリップ指令を出す
。

（３）変圧器に励磁突入電流が流れる場合変圧器（２２
）を無負荷状態で、遮断器（２１）を投入すると変圧器
（２２）の−次側には定格電流の数倍から士数倍に相当
する励磁突入電流が流れるが二次側の電流は零である。

ＲＪ）ｆＲｙ（２５）の入力電流は工１のみであるから
和回路（２５ｅ）は工１に比なり、比率検出回路（２５
ｇ）はＨ出力信号を出す。

また励磁突入電流中の第２高調波電流の含有率は、基本
波電流を１００％としたとき一般的に３０〜５０％以上
とされており、第２高調波電流と基本波電流の比Ｉｄｆ
２／Ｉｄｆ１は０．３以上となって第２高調波含有率検
出回路（２５ｋ）はＬ出力信号を出す。このため補助リ
レーＴＸ（２５ｍ）は動作してそのａ接点（２５ｎ　）
を閉路するが、補助リレー８Ｕ（２５ｇ）は不動作で、
そのａ接点（２５ｒ　）は開路しているため、遮断器ト
リップ指令は出ない。すなわち変圧器の励磁突入電流に
よるＲＤｆＲｙの不必要動作を防止することができる。

なお当然のことであるが、三相各相の出力回路が第５図
のように各相並列接続となっているためすべての相のＲ
ＤｆＲｙ（２５）の第２高調波含有率検出回路（２５ｋ
）の出力はＬ出力である必要がある。

（発明が解決しようとする問題点） このように第４図の構成によれば、変圧器の各相の励磁
突入電流中に多量の第２高調波電流が含まれている場合
は、ＲＤ　ｆ　Ｒｙの変圧器の励磁突入電流による不必
要動作を効果的に防止できるが、最近の変圧器のように
高透磁率で飽和磁束密度の高い鉄心材料を使用したり、
あるいは運転中の騒音軽減対策のため鉄心の磁束密度を
低くして設計された変圧器においては励磁突入電流中の
第２高調波電流の含有率が低く、遮断器を投入したとき
の位相角によっては、その値が基本波電流を１００％と
したとき１０％程度と、変圧器内部故障時の故障電流中
の第２高調波含有率と同程度になることがある。

このような場合は励磁突入電流によるＲＤｆＲｙの不必
要動作を防止できないといった問題点を有す。

（発明の目的） 本発明は上記のような問題点に鑑みてなされたもので、
前述の如く遮断器を投入したときの位相角によって変圧
器の励磁突入電流中の第２高調波電流の含有率が低くな
るような場合でも確実に不必要動作を防止できるＲＤｆ
Ｒｙを提供することを目的とする。

（問題を解決するための手段） 上記の目的を達成するため、変圧器の励磁突入電流の大
きさと波形が遮断器投入時の系統電圧に対する位相角に
よって変化すること、すなわちたとえば三相変圧器の場
合励磁突入電流が最も太きく、かつ波形歪が大きくなる
投入位相角は常に三相のうちいずれか一相にのみ生じ、
このとき他の相の電流の値と波形歪は小さいということ
に着目し、ＲＤ　ｒ　Ｒｙを第１図のように構成する。

第１図のＲＤｆＲｙ（５）は従来のＲＤｆＲｙ（２５）
に、三相のうちいずれか一相のＲＤｆＲｙが励磁突入電
流の第２高調波電流の含有率が基準値より大きいことを
検出したとき、他相のＲＤ　ｆ　Ｒｙにロック指令を与
え、かつ他相からのロック指令により動作をロックする
機能を設けｔこことをその解決手段とする。

（作　用） 上記のようこと構成すると、例えば三相変圧器の場合、
励磁突入電流の、三相のうちいずれか一相以上の電流に
第２高調波電流がＲＤｆＲｙの判定基準値以上含まれて
おれば該当相のＲｊ）ｆＲｙは自身で動作をロックする
と同時に他相ＲＤｆｌｙへも動作ロック指令を送り、こ
れを受信したＲＤｆＲ）ｒは仮に励磁電流中の第２高調
波電流の含有量が判定不可能な状況にあっても動作がロ
ックされるため遮断器を不必要にトリップさせることは
ない。すなわち励磁突入電流によるＲＤ　ｆ　Ｒｙの不
必要動作を効果的に防止することができる。

（実施例） つぎに本発明を、その−実施例を示す第１図、第２図お
よび第３図について詳細に説明する。

第１図は本発明の基本的構成を示すブロック図で、図中
（１）は遮断器、（２）は変圧器、（３）、（４）ハＣ
Ｔ、（５）　ハＲＤｆＲ７、（６）は負荷、（５ａ）、
（５ｂ）は補助ＣＴ、（５Ｃ）、（５ｄ）は抵抗、（５
ｅ）ハ和回路、（５ｆ）は差回路、（５ｇ）は比率検出
回路、（５ｈ）は第２高調波フイルタ、（５ｊ）は基本
波フィルタ、（５ｈ）は第２高調波含有率判定回路を示
し、それぞれ従来例第４図の（２１）〜（２５ｋ）およ
び（２６）と同じ機能を有するものであり、従来例との
重複を避けるためこの部分の説明は必要最小限に留める
。

（１）変圧器が平常運転中の場合の応動この場合はＲＤ
ｆ　Ｒｙ（５）の入力電流工１およびＩ２は同一値、か
つ同位相であるため（５ａ）〜（５ｋ）までの回路の働
きにより比率検出回路（５ｇ）、第２高調波含有率判定
回路（５ｋ）の出力信号はともにＬで、ＮＯＴ回路（５
ｍ）の出力はＨとなるためＮＡＮＤ回路（５Ｐ）の一方
の入力がＬ、他方がＨとなり、ロック出力端子（５つは
Ｈ出力となってロック指令は出力されない（他相のＲＪ
）ｆｌｙも同じ）。比率検出回路（５ｇ）の出力信号が
Ｌであるから当然補助リレー　Ｔｘ（５ｒ）は不動作で
ある。

−万ＡＮＤ回路（５ｎ）の入力のうち他相からのロック
指令はＨであるが、第２高調波含有率判定回路（５ｋ）
の出力信号がＬであるため人ＮＤ回路（５ｎ）の出力は
Ｌとなるので、補助リレー５Ｕ（５ｔ）も不動作であり
、総合して遮断器トリップ指令は出ない。

（２１変圧器内部に故障が発生した場合の応動この場合
は、ＲＤｆＲｙ（５）の入力電流が１１＞Ｉ２になり、
差回路（５ｆ）の出力と和回路（５ｅ）の出力の比ｘａ
／１１１１＋１ｚｚｌが基準値にたとえば０．３５（３
５９６）を超過した場合は比率検出回路（５ｇ）の出力
信号はＨとなる。

一方、差回路（５ｆ）の出力嗟電流）中に含まれる第２
高調波電流は一般的に少なく、該電流（Ｉｄｆｚ）と基
本波電流（Ｉｄｆｌ）の比Ｉｄｆ２／Ｉｄｆ１は基準値
にたとえば０．１５（１５％）より小さいため第２高調
波含有率判定回路（５ｋ）の出力信号はＨとなり、ＮＯ
’ｒ回路（５ｍ）の出力はＬ、したがってＮ人ＮＤ回路
（５ｐ）は一方の入力がＨ１他方の入力がＬでその出力
はＨとなり他相ロック指令は出ない。他相のいずれのＲ
ＤｆＲｙも同じ動作となり、他相からのロック指令はな
いため、アンド回路（５ｍ）の出力はＨとなり補助リレ
ー８Ｕ（５ｔ）は動作し、そのａ接点（５ｕ）を閉路す
る。すなわちＴＸリレー（５ｒ）、８Ｕリレー（５ｔ）
とも動作となるので遮断器トリップ指令が出力される。

（３）変圧器に励磁突入電流が流れる場合の応動変圧器
（２）を無負荷状態で、遮断器（１）を投入した場合励
磁電流が各相に流れるが、前述の通りこの電流の大きさ
と波形は遮断器投入時の系統電圧に対する位相角の大小
によって異るため、三相変圧器の場合、最大の励磁電流
は常に三相のうちいずれか一相に発生する。

鉄心の磁束密度を低くして設計した変圧器や高い飽和磁
束密度の鉄心材料を使用した変圧器であっても三相中量
も大きな励磁電流の流れる相の鉄心は不完全ながら飽和
し、励磁電流中に多量の第２高調波電流を含むので、こ
の相のＲＤｆＲｙの第２高調波含有率判定回路（５ｋ）
の出力信号はＬとなる。ＡＮＤ回路（５ｎ）の入力は高
調波含有率判定回路（５ｋ）の出力がＬであるから、他
相からのロック指令がＨ（すなわちロック信号なし）で
あっても、アンド回路（５ｎ）の出力はＬで、補助リレ
ー８０（５ｔ）は不動作となる。さらにＮＯＴ回路（５
ｍ）の出力はＨであり、−万当然のことながら比率検出
回路（５ｇ）の出力はＨとなるからＮＡＮＤｕ路の出力
はＬとなって他相リレーに対しロック指令を出力する。

比率検出回路（５ｇ）の出力がＨであるため補助リレー
’ｒｘ（ｓｒ）は動作し、そのａ接点（５ｓ）を閉路す
るが、８Ｕのａ接点（５ｕ）が開路しているので遮断器
トリップ指令は出力されない。

他相リレーについては仮に励磁電流中の第２高調波電流
の含有率が小さく、第２高調波含有率判定回路（５ｋ）
の出力信号がＨであっても、前述のように励磁電流の大
きい相のＲＤｆＲｙからのロック指令を受信しているた
めアンド回路（５ｎ）の入力の一つがＬとなり、その出
力はＬで、補助リレー５ｏ（５ｔ）は不動作となって、
そのａ接点（５ｕ）を開路しており、ＴＸリレー（５ｒ
）のａ接点（５Ｓ）が閉路しても遮断器トリップ指令は
出力されない。

上記説明を比率検出回路（５ｇ）、第２高調波含有率判
定回路（５ｋ）　、ロック出力端子（５りとの関係でま
とめたものを第１表に示す。

第２図は本発明の具体的一実施例であり、■耳Ｒｙ−相
分について比率検出回路（５ｇ）　、および第２高調波
含有率判定回路（５ｋ）以降の回路構成を示し、他相Ｒ
Ｄ　ｆ　Ｒ７の動作をロックするためのロック指令出力
端子と他相ＲＤｆ）Ｌｙからのロック指令を受信するた
めの端子を共用し第３図のように各相のＲＤｆＲｙのロ
ック指令出力端子を互に接続するだけで他相ＲＤｆＲｙ
ロック指令信号の授受を可能にするものである。

第２図の動作を表との関係において詳細に説明する。第
２図において比率検出回路（５ｇ）の出力信号は、−万
は抵抗（Ｒ１）を通してトランジスタ（Ｑｌ）のコレク
タに供給され、他方は抵抗（Ｒ２）を通してトランジス
タ（Ｑ５）のベースに供給されている。また第２高調波
含有率判定回路（５ｋ）の出力信号は抵抗（Ｒ４）を通
してトランジスタ（Ｑｌ）のベースに供給され、さらに
抵抗（Ｒ５）と抵抗（Ｒ６）の直列接続からなる部分を
通してトランジスタ（Ｑ４）のベースにも供給されてい
る。トランジスタ（Ｑｌ）のコレクタ出力は次段のトラ
ンジスタ（Ｑｌ）のベースに供給され、Ｑｌのコレクタ
は抵抗（Ｒ３）を通して電源（−１−Ｗｅｅ）に接続さ
れるとともにロック指令出力端子（５ｖ）にも接続され
ている。

さらに抵抗（Ｒｓ）と抵抗（Ｒ６）との接続点とトラン
ジスタ（Ｑｌ）との間にダイオード（Ｄ）が、その導通
方向をトランジスタ（Ｑｌ）のコレクタ側とする向きに
接続されている。トランジスタ（Ｑ３）のコレクタは補
助リレーＴＸ（５ｒ）のコイルを通して電源（−１−Ｖ
ｃｃ　）に接続され、トランジスタ（Ｑ４）のコレクタ
は補助リレー８０（５ｔ）のコイルを通してｔ［（＋’
ｌ’ＣＣ）に接続され、そしてトランジスタ（Ｑｌ）〜
（Ｑ４）のエミッタはすべて接地されている。

この構成は他相のＲＤｆＲｙについても同一である。

表 ※ロック指令出力端子りにて他相リレーロック。

（４）変圧器が平常運転中の場合の応動表において比率
検出回路（５ｇ）および第２高調波含有率判定回路（５
ｋ）ともその出力信号はＬであるからトランジスタは（
Ｑｌ）〜（Ｑ４）すべてがＯＦＦ状態となり、トランジ
スタ（Ｑｌ）のコレクタ電位は電源電圧（＋Ｖｃｃ）に
保たれるためロック指令出力端子（５りはＨ出力でロッ
ク指令はないが、補助リレーＴＸ（５ｒ）および８Ｕ（
５ｔ）ともに不動作であるため遮断器トリップ指令は出
ない。

（５）変圧器に内部故障が発生した場合の応動表におい
て比率検出回路（５ｇ）および第２高調波含有率判定回
路（５ｋ）ともその出力信号がＨとなるためトランジス
タ（Ｑｌ）、（Ｑ５）、（Ｑ４）はＯＮ状態となり、ト
ランジスタ（Ｑｚ　）はＯＦＦ状態になるからロック指
令出力端子（５りはＨ出力でロック指令はなく、補助リ
レー’ｒｘ（ｓｒ）および５ｔｒ（ｓｔ）はともに動作
状態となって遮断器トリップ指令を出力する。

（６）変圧器に励磁突入電流が流れる場合の応動励磁電
流が最も多く、波形歪の大きい相のＲＤｆＲｙについて
は表のように比率検出回路（５ｇ）の出力信号はＨ１第
第２高調波電流判定回路（５ｋ）の出力信号はＬとなる
ためトランジスタ（Ｑｌ）および（ＱりがＯＦＦで、（
Ｑｌ）および（Ｑ３）がＯＮ状態となるためトランジス
タ（Ｑｌ）のコレクタ電位はゼロζこ低下しロック指令
出力端子（５ｖ）はＬ出力となりロック指令を出力する
。

さらにトランジスタ（Ｑ３）はＯＮで補助リレーＴＸ（
５ｒ）は動作するが、トランジスタ（Ｑ４）がＯＦＦの
ため補助リレー８Ｕ（５ｔ）は不動作となるため遮断器
トリップ指令は出力されない。

一方、つ磁電流の大きさが小さく、波形歪の小さい相の
ＲＤｆＲｙについては比率検出回路（５ｇ）および第２
高調波含有率判定回路（５ｋ）ともにその出力信号がＨ
となる場合があるが、三相各相の几ＤｆＲｙが第６図の
ようにロック指令出力端子（５ｖ）を相互に接続してい
るため当該相のＲＤｆＲｙのロック指令出力端子（５ｖ
）は他相ＲＤｆＲｙからのロック指令により強制的にＬ
状態（ゼロ電位）になる。

このためダイオード（Ｄ）が導通し抵抗（Ｒ５）と（ル
）の接続点の電位を強制的にゼロ電位とするので、たと
え第２高調波含有率判定回路（５ｋ）の出力がＨであっ
てもトランジスタ（Ｑ４）はＯＦＦ状態となって補助リ
レー８０（５ｔ）を不動作にし、遮断器トリップ信号を
阻止する。

なお第２図では一例としてトランジスタを用いたが同一
の機能はＩＣロジック回路によっても、また電磁リレー
による有接点回路を用いても実現し得ることは勿論であ
る。

（発明の効果） 以上のように本発明は、各相の第２高調波抑制付比率差
動継電器のロック指令出力端子を相互に接続するだけで
、該比率差動継電器本来の機能を損うことなく変圧器の
励磁突入電流中の第２高調波電流を少なくとも一相の第
２高調波抑制付比率差動継電器が検出しロック指令信号
を出力すると、残った他相の該比率差動継電器の動作を
強制的にロックし、第２高調波電流を検出し得なかった
相の核比率差動継電器の不必要動作を確実かつ簡単に防
止できるといった独特の効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の基本的構成を示すブロック図。 第２図は本発明の具体的回路の一実施例を示す接続図。 第３図は本発明による第２高調波抑制付比率差動継電器
三相分についてそのロック指令出力端子相互の接続関係
を示す接続図。 第４図は従来の第２高調波抑制付比率差動継電器の構成
を示すブロック図。 第５図は本願および従来例における第２高調波抑制付比
率差動継電器三相分の出力端子相互の接続関係を示す結
線図。 （５）・・・第２高調波抑制付比率差動継電器（５ｇ）
・・・比率検出回路 （５ｋ）・・・第２高調波含有率検出回路（５ｍ）・・
・ＮＯ’ｒ回路 （５ｎ）・・・ＡＮＤ回路 （５ｐ）・・・ＮＡＮＤ回路 （５ｖ）・・・ロック指令出力端子 （Ｒ１）、（Ｒ２）、（Ｒ３人（Ｒ４）、（Ｒ５）・・
・抵抗（Ｑｌ）、（Ｑｌ）、（Ｑ５）、（Ｑ４）・・・
トランジスタ（Ｄ）・・・ダイオード

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 入力電流のベクトル差に比例した量の絶対値と、前記入
   力電流のスカラ和に比例した量を用いて、これらの比が
   一定値以上であることを検出する比率検出回路と、前記
   ベクトル差に比例した量の絶対値の中の第２高調波電流
   成分の含有率が一定値以下であることを検出する第２高
   調波含有率判定回路とからなり、前記第２高調波電流成
   分の含有率が一定値以上のとき、遮断器トリップ信号を
   阻止するようにした変圧器保護用比率差動継電器におい
   て、前記比率検出回路の出力があり、前記第２高調波電
   流成分の含有率が一定値以上のとき、他の比率差動継電
   器の動作をロックするためのロック指令を出力する回路
   を設けたことを特徴とする変圧器保護用比率差動継電器
   。